CN104526538A - 一种新型硅片有蜡抛光方法 - Google Patents
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Abstract
本发明所要保护的一种新型硅片有蜡抛光方法是在原有的抛光方法的基础上进行了改进,增加了对陶瓷盘去蜡清洗方法,该方法可以用于更好的清洗有蜡抛光工艺中的陶瓷盘。该方法中使用弹性较大,而且不容易变形的毛刷,又设有去蜡剂喷洒装置,毛刷在陶瓷盘表面划过时将残留蜡蜡印分割成无数细小条形蜡,使得本发明增大了残留蜡与化学清洗剂的接触面积,使得清洗剂与残留蜡发生化学反应时更彻底。同时形成的无数细小条形蜡更容易被之后清洗机中的超声波震落。同时,本发明还设有去蜡剂回收装置,使得去蜡剂可以重复使用,减少成本。本发明结构简单,操作方便,清洗效果显著。
Description
技术领域
本发明创造涉及单晶硅片有蜡抛光领域,尤其涉及一种新型硅片有蜡抛光方法。
背景技术
目前,超大规模集成电路制造技术已经发展到了120mm和300mm的时代,特征线宽为100mm的技术也正在走向市场。随着特征线宽的进一步微小化,对硅片表面的平坦化程度提出了更高的要求。CMP(是一种运用化学反应和机械研磨作用对半导体材料的抛光手法)被公认为是ULSI(超大规模集成化)阶段最好的材料全局平坦化的方法。该方法既可以获得较完美的表面,又可以得到较高的抛光速率。
但是由于贴片用的陶瓷盘是循环使用,陶瓷盘在经过去蜡清洗机并不能完全清除陶瓷盘蜡膜,长久使用会使蜡膜积攒严重,导致抛光片蜡残留甚至影响抛光片几何参数。
发明内容
本发明创造要解决的问题是是克服现有技术的不足,提供一种能够彻底出掉陶瓷盘中残留的蜡膜的装置。
为解决上述技术问题,本发明创造采用的技术方案是:
一种新型硅片有蜡抛光方法,所述方法包括如下步骤:
(1)将抛光片放置于有蜡抛光陶瓷盘上进行有蜡贴片;
(2)将载有经过有蜡贴片后的抛光片的陶瓷盘通过动力传输装置运载至化学机械抛光工位进行化学机械抛光;
(3)经过化学机械抛光后将抛光片与陶瓷盘剥离;
(4)将剥离抛光片后的陶瓷盘通过动力传输装置传输至陶瓷盘清洗装置中,采用陶瓷盘圆刷和去蜡清洁剂共同作用将残留在陶瓷盘表面的蜡膜彻底清除;
(5)将经步骤(4)处理过的陶瓷盘放入带有超生装置的清洗机中进行二次清洗,清洗后循环使用。
所述陶瓷盘清洗装置为一个箱体结构,且所述箱体上端安装有陶瓷盘圆刷,箱体内设有管道,用于向箱体内输送和排出去蜡清洁剂。
所述陶瓷盘圆刷的刷毛是由尼龙材料制成。
本发明创造具有的优点和积极效果是:本发明所要保护的一种新型硅片有蜡抛光方法是在原有的抛光方法的基础上进行了改进,增加了对陶瓷盘去蜡清洗方法,该方法可以用于更好的清洗有蜡抛光工艺中的陶瓷盘。该方法中使用弹性较大,而且不容易变形的毛刷,又设有去蜡剂喷洒装置,毛刷在陶瓷盘表面划过时将残留蜡蜡印分割成无数细小条形蜡,使得本发明增大了残留蜡与化学清洗剂的接触面积,使得清洗剂与残留蜡发生化学反应时更彻底。同时形成的无数细小条形蜡更容易被之后清洗机中的超声波震落。同时,本发明还设有去蜡剂回收装置,使得去蜡剂可以重复使用,减少成本。本发明结构简单,操作方便,清洗效果显著。
具体实施方式
一种新型硅片有蜡抛光方法,所述方法包括如下步骤:
(1)将抛光片放置于有蜡抛光陶瓷盘上进行有蜡贴片;
(2)将载有经过有蜡贴片后的抛光片的陶瓷盘通过动力传输装置运载至化学机械抛光工位进行化学机械抛光;
(3)经过化学机械抛光后将抛光片与陶瓷盘剥离;
(4)将剥离抛光片后的陶瓷盘通过动力传输装置传输至陶瓷盘清洗装置中,采用陶瓷盘圆刷和去蜡清洁剂共同作用将残留在陶瓷盘表面的蜡膜彻底清除;
该步骤中当陶瓷盘经过陶瓷盘清洗装置时,通过箱体上的开孔进入箱体内,并通过箱体底部的压力传感器将其吸附固定,然后位于箱体上部的陶瓷盘机械圆刷开始在机械控制下对陶瓷盘上的残余蜡膜进行分割清除,同时位于箱体内部的去蜡清洁剂的喷淋装置开启喷洒去蜡剂将经机械圆刷处理后的无数细小条形蜡冲洗干净,剩余的去蜡剂喷洒后在箱体的底部聚集,并通过排出管道排出回收再利用。
(5)将经步骤(4)处理过的陶瓷盘放入带有超生装置的清洗机中进行二次清洗,清洗后循环使用。
本发明结构简单,操作方便,清洗效果显著。
以上对本发明创造的实施例进行了详细说明,但所述内容仅为本发明创造的较佳实施例,不能被认为用于限定本发明的实施范围。凡依本发明创造范围所作的均等变化与改进等,均应仍归属于本专利涵盖范围之内。
Claims (3)
1.一种新型硅片有蜡抛光方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:
(1)将抛光片放置于有蜡抛光陶瓷盘上进行有蜡贴片;
(2)将载有经过有蜡贴片后的抛光片的陶瓷盘通过动力传输装置运载至化学机械抛光工位进行化学机械抛光;
(3)经过化学机械抛光后将抛光片与陶瓷盘剥离;
(4)将剥离抛光片后的陶瓷盘通过动力传输装置传输至陶瓷盘清洗装置中,采用陶瓷盘圆刷和去蜡清洁剂共同作用将残留在陶瓷盘表面的蜡膜彻底清除;
(5)将经步骤(4)处理过的陶瓷盘放入带有超生装置的清洗机中进行二次清洗,清洗后循环使用。
2.根据权利要求1所述的新型硅片有蜡抛光方法,其特征在于,所述陶瓷盘清洗装置为一个箱体结构,且所述箱体上端安装有陶瓷盘圆刷,箱体内设有管道,用于向箱体内输送和排出去蜡清洁剂。
3.根据权利要求1所述的新型硅片有蜡抛光方法,其特征在于,所述陶瓷盘圆刷的刷毛是由尼龙材料制成。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN201410660000.4A CN104526538A (zh) | 2014-11-18 | 2014-11-18 | 一种新型硅片有蜡抛光方法 |
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2014
- 2014-11-18 CN CN201410660000.4A patent/CN104526538A/zh active Pending
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