CN104467138A - 一种万能充电电路及其控制方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种万能充电电路及其控制方法,其中,该充电电路包括:检测单元,与所述电池连接,用以检测所述电池需要输入的额定电压;电流转换单元,与所述电源适配器相连接,用以根据所述额定电压,对所述电池提供充电电流;弱电控制单元,与所述检测单元相连接,包括多组相互并联的弱电电路以及控制上述弱电电路的弱电驱动电路,所述弱点电路由电阻Rn和发光LEDDn串联组成;强电控制单元,与所述电流转换单元相连接,包括多组相互并联的强电电路,以及与所述强电电路串接的电阻Z1′。有益效果是:结构简单,通过对电池的额定输入电压进行检测,然后通过强电电路对输入的电流进行相应调整,使得充电电路适用于各种电池,为各种不同手机充电。
Description
技术领域
本发明涉及充电技术领域,尤其是涉及一种万能充电电路及其控制方法。
背景技术
随着时代的发展,人们越来越离不开手机了,手机已经成为我们休闲娱乐的必需品,所以手机的功能越来越多,娱乐的项目也越来越多,那必然会产生手机很快耗光电池的电量,随着时代快速的发展,生活节奏的加快,人们已经不习惯等待漫长的充电过程,如何快速的充电,不光手机需要具备相应的功能,充电器也需要快速升压充电的功能,这样手机和充电器必须匹配才能正确使用,然而不同厂家的手机快速充电都是自己标配的快速充电器,手机标配2个充电器,一个普通充电器,一个快速充电器,而且不同的厂家快充不能交互使用,所以只要符合本充电器的输入波形,都可以使用本充电器快充充电和普通充电。因此,手机标配2个充电器比较繁琐,携带不便,而且快速充电不能交互使用。
本发明提出了一种万能充电器,适应各种不同手机充电所需要的电压。
发明内容
本发明提供一种万能充电电路及其控制方法,以解决现有技术中的充电器不能通用的问题。
本发明所解决的技术问题采用以下技术方案来实现:
一种万能充电电路,该充电电路连接于电源适配器与电池之间,该充电电路包括:
检测单元,与所述电池连接,用以检测所述电池需要输入的额定电压;
电流转换单元,与所述电源适配器相连接,用以根据所述额定电压,对所述电池提供充电电流;
弱电控制单元,与所述检测单元相连接,包括多组相互并联的弱电电路以及控制上述弱电电路的弱电驱动电路,所述弱点电路由电阻Rn和发光LED Dn串联组成,所述弱电驱动电路根据所述检测单元检测的不同的额定电压控制不同的所述发光LED Dn发光;
强电控制单元,与所述电流转换单元相连接,包括多组相互并联的强电电路,以及与所述强电电路串接的电阻Z1′,所述强电电路由依次串联的电阻Zn、光敏电阻Dn′、MOS管组成,所述光敏电阻Dn′接收所述发光LED Dn发光的光照,并使之对应的强电电路通路。
作为优选的技术方案,所述MOS管Q为N沟道增强型MOS管。
作为优选的技术方案,每个所述弱电电路中的发光LED Dn都彼此间隔分开。
作为优选的技术方案,每个所述强电电路中的光敏电阻Dn′都彼此间隔分开。
作为优选的技术方案,所述光敏电阻Dn′与发光LED Dn对应设置。
作为优选的技术方案,每个所述强电电路中都设有一个接地电阻Rn′。
作为优选的技术方案,所述强电控制单元还包括只串接有电阻Z′的强电电路。
本发明还提出来了一种万能充电电路的控制方法,包括以下步骤:
101、设置万能充电电路,将电池与所述充电电路相连接;
102、通过检测单元检测所述电池需要输入的额定电压;
103、弱电驱动电路根据所述检测单元检测的不同的额定电压控制不同所述发光LEDDn发光;
104、光敏电阻Dn′接收所述发光LED Dn发光的光照,并使所述光敏电阻Dn′对应的强电电路通路;
105、电流转换单元根据通路的强电电路为电池提供充电电流。
作为优选的技术方案,所述强电电路由依次串联的电阻Zn、光敏电阻Dn′、MOS管组成,在所述强电电路中都设有一个接地电阻Rn′。
作为优选的技术方案,所述MOS管Q为N沟道增强型MOS管。
本发明具有的有益效果是:结构简单,通过对电池的额定输入电压进行检测,然后通过强电电路对输入的电流进行相应调整,使得充电电路适用于各种电池,为各种不同手机充电。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施方案或现有技术中的技术方案,下面将对实施方案或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施方案,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明:一种万能充电电路的结构示意图;
图2为本发明:一种万能充电电路的控制方法的流程示意图。
具体实施方式
为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合具体图示,进一步阐述本发明。
参照图1所示,一种万能充电电路,该充电电路连接于电源适配器与电池之间,该充电电路包括:
检测单元1,与所述电池连接,用以检测所述电池需要输入的额定电压;
电流转换单元2,与所述电源适配器相连接,用以根据所述额定电压,对所述电池提供充电电流;
弱电控制单元3,与所述检测单元1相连接,包括多组相互并联的弱电电路31以及控制上述弱电电路31的弱电驱动电路32,所述弱点电路由电阻Rn和发光LED Dn串联组成,所述弱电驱动电路32根据所述检测单元1检测的不同的额定电压控制不同的所述发光LED Dn发光;
强电控制单元4,与所述电流转换单元2相连接,包括多组相互并联的强电电路41,以及与所述强电电路41串接的电阻Z1′,所述强电电路41由依次串联的电阻Zn、光敏电阻Dn′、MOS管组成,所述光敏电阻Dn′接收所述发光LED Dn发光的光照,并使之对应的强电电路41通路。
本发明的所述MOS管Q为N沟道增强型MOS管。
本发明中的每个所述弱电电路31中的发光LED Dn都彼此间隔分开,每个所述强电电路41中的光敏电阻Dn′都彼此间隔分开,且所述光敏电阻Dn′与发光LED Dn对应设置。这样在充电过程中,更好的控制为电池充电的电流。
进一步的,每个所述强电电路41中都设有一个接地电阻Rn′,以保证充电安全。
本发明的所述强电控制单元4还包括只串接有电阻Z′的强电电路,该强电电路用于为电池提供普通充电电流。
参照图2所示本发明还提出来了一种万能充电电路的控制方法,包括以下步骤:
101、设置万能充电电路,将电池与所述充电电路相连接;
102、通过检测单元检测所述电池需要输入的额定电压;
103、弱电驱动电路根据所述检测单元检测的不同的额定电压控制不同所述发光LEDDn发光;
104、光敏电阻Dn′接收所述发光LED Dn发光的光照,并使所述光敏电阻Dn′对应的强电电路通路;
105、电流转换单元根据通路的强电电路为电池提供充电电流。
其中,所述强电电路由依次串联的电阻Zn、光敏电阻Dn′、MOS管Q组成,在所述强电电路中都设有一个接地电阻Rn′。优选的,所述MOS管Q为N沟道增强型MOS管。
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解,本发明不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理,在不脱离本发明精神和范围的前提下,本发明还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (10)
1.一种万能充电电路,该充电电路连接于电源适配器与电池之间,其特征在于,该充电电路包括:
检测单元,与所述电池连接,用以检测所述电池需要输入的额定电压;
电流转换单元,与所述电源适配器相连接,用以根据所述额定电压,对所述电池提供充电电流;
弱电控制单元,与所述检测单元相连接,包括多组相互并联的弱电电路以及控制上述弱电电路的弱电驱动电路,所述弱点电路由电阻Rn和发光LED Dn串联组成,所述弱电驱动电路根据所述检测单元检测的不同的额定电压控制不同的所述发光LED Dn发光;
强电控制单元,与所述电流转换单元相连接,包括多组相互并联的强电电路,以及与所述强电电路串接的电阻Z1′,所述强电电路由依次串联的电阻Zn、光敏电阻Dn′、MOS管组成,所述光敏电阻Dn′接收所述发光LED Dn发光的光照,并使之对应的强电电路通路。
2.根据权利要求1所述的一种万能充电电路,其特征在于,所述MOS管Q为N沟道增强型MOS管。
3.根据权利要求1所述的一种万能充电电路,其特征在于,每个所述弱电电路中的发光LED Dn都彼此间隔分开。
4.根据权利要求1所述的一种万能充电电路,其特征在于,每个所述强电电路中的光敏电阻Dn′都彼此间隔分开。
5.根据权利要求1所述的一种万能充电电路,其特征在于,所述光敏电阻Dn′与发光LED Dn对应设置。
6.根据权利要求1所述的一种万能充电电路,其特征在于,每个所述强电电路中都设有一个接地电阻Rn′。
7.根据权利要求1所述的一种万能充电电路,其特征在于,所述强电控制单元还包括一只串接有电阻Z′的强电电路。
8.一种万能充电电路的控制方法,其特征在于,包括以下步骤:
101、设置万能充电电路,将电池与所述充电电路相连接;
102、通过检测单元检测所述电池需要输入的额定电压;
103、弱电驱动电路根据所述检测单元检测的不同的额定电压控制不同所述发光LEDDn发光;
104、光敏电阻Dn′接收所述发光LED Dn发光的光照,并使所述光敏电阻Dn′对应的强电电路通路;
105、电流转换单元根据通路的强电电路为电池提供充电电流。
9.根据权利要求8所述的一种万能充电电路的控制方法,其特征在于,所述强电电路由依次串联的电阻Zn、光敏电阻Dn′、MOS管组成,在所述强电电路中都设有一个接地电阻Rn′。
10.根据权利要求9所述的一种万能充电电路的控制方法,其特征在于,所述MOS管Q为N沟道增强型MOS管。
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