CN104407855B - 一种插件动态参数设置方法及装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种电能质量评估插件动态参数设置方法,包括如下步骤:在源程序中参数Vi(i=0,1,...n)集中在一片连续储存单元M,设计插件参数识别代码S并植入该片内存,编译生成母插件文件K,用母插件文件K拷贝为子插件文件K’,查找子插件文件K’中识别代码S首指针P,编写一个参数植入程序,其中包含和M大小一样的储存单元M’及首指针P’、参数Vi’(i=0,1,...n)输入会话框,会话完成,生成新的参数Vi’(i=0,1,...n)映像在M’中,打开子插件文件K’,将M’覆盖K’的P位置,将子插件文件K’重新保存,并随系统发行。
Description
技术领域
本发明涉及计算机软件领域,特别涉及一种插件动态参数设置方法及装置。
背景技术
电能质量评估系统,涉及的负荷种类有许多种,算法及算法参数各不相同,针对不同的负荷要重新定义负荷模型,所以评估系统按不同的负荷分类以插件形式进行架构,一个新的负荷模型往往需要在源程序上进行修改,给应用带来不便。
上述问题也出现在其他类似的插件中。
发明内容
发明目的:针对上述现有技术存在的问题和不足,一种插件动态参数设置方法和装置,试图以参数更替的方法实现不同插件的功能,用户就能根据实际需要进行插件的重新定义。
技术方案:为实现上述发明目的,本发明采用的技术方案为一种插件动态参数设置方法,包括如下步骤:
(1)设计插件参数识别代码S并植入源程序中的存储单元M;所述源程序中,参数Vi(i=0,1,...n)集中在一片连续的所述储存单元M;
(2)将植入了所述识别代码S的源程序编译生成母插件文件K;
(3)用母插件文件K拷贝为子插件文件K’;
(4)查找子插件文件K’中的识别代码S的首指针P;
(5)编写一个参数植入程序,所述参数植入程序包含和所述存储单元M大小一样的储存单元M’,并向会话框中输入识别代码首指针P’、Vi’(i=0,1,...n);
(6)会话完成,生成新的参数Vi’(i=0,1,...n)映像在M’中;
(7)打开子插件文件K’,将M’覆盖K’的P位置;
(8)保存所述步骤(7)中额子插件文件K’。
本发明另一方面还提供了一种插件动态参数设置装置,包括:
插件参数识别代码植入单元,用于设计插件参数识别代码S并植入源程序中的存储单元M;所述源程序中,参数Vi(i=0,1,...n)集中在一片连续的所述储存单元M;
母插件文件生成单元,用于将植入了所述识别代码S的源程序编译生成母插件文件K;
拷贝单元,用于将母插件文件K拷贝为子插件文件K’;
首指针查找单元,用于查找子插件文件K’中的识别代码S的首指针P;
参数植入程序编写单元,用于编写一个参数植入程序,所述参数植入程序包含和所述存储单元M大小一样的储存单元M’及识别代码首指针P输入、参数Vi(i=0,1,...n)输入会话框;
参数生成单元,用于在会话完成后,生成新的参数Vi(i=0,1,...n)映像在M’中;
覆盖单元,用于打开子插件文件K’,将M’覆盖K’的P位置;
保存单元,用于保存所述子插件文件K’。
优选的,上述插件为电能质量评估插件。
有益效果:
本发明以参数更替的方法实现了插件的动态参数设置,使得在对不同插件的参数进行设置时,无需在源程序上进行修改。
附图说明
图1为本发明方法流程图;
图2为本发明的装置结构图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例,进一步阐明本发明,应理解这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围,在阅读了本发明之后,本领域技术人员对本发明的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。
实施例一
本发明实施例一提供了一种插件动态参数设置方法,如图1所示,该方法包括如下步骤:
(1)设计插件参数识别代码S并植入源程序中的存储单元M;所述源程序中,参数Vi(i=0,1,...n)集中在一片连续的所述储存单元M;
(2)、将植入了所述识别代码S的源程序编译生成母插件文件K;
(3)、用母插件文件K拷贝为子插件文件K’;
(4)查找子插件文件K’中的识别代码S的首指针P;
(5)编写一个参数植入程序,所述参数植入程序包含和所述存储单元M大小一样的储存单元M’,并向会话框中输入识别代码首指针P’、Vi’(i=0,1,...n);
(6)会话完成,生成新的参数Vi’(i=0,1,...n)映像在M’中;
(7)打开子插件文件K’,将M’覆盖K’的P位置;
(8)保存所述步骤(7)中的子插件文件K’。之后可将该保存后的子插件文件K’随系统发行。
上述插件具体可以为电能质量评估插件,其新的参数可以根据实际负荷类型生成。
以下为上述方法的一个具体应用场景:
一源程序,其参数Vi(i=0,1,...n)集中在一片连续储存单元M;
BYTE byMem[0x10000];
INT*pV1=byMem;
DOUBLE*pV2=pV1+sizeof(INT);
首先,设计插件参数识别代码S并植入上述存储单元M;
s=”aaaabbbb\0”;
Memcpy(byMem,s,9);
接着,将上述源程序编译生成母插件文件K;
之后,用母插件文件K拷贝为子插件文件K’;
在之后,查找子插件文件K’中识别代码S首指针P;
P=0x151;
接着,编写一个参数植入程序,其中包含和M大小一样的储存单元M’及识别代码首指针P输入、参数Vi(i=0,1,...n)输入会话框;
BYTE byMem[0x10000];
INT*pV1=byMem;
DOUBLE*pV2=pV1+sizeof(INT);
会话完成后,生成新的参数Vi(i=0,1,...n)映像在M’中;
接着,打开子插件文件K’,将M’覆盖K’的P位置;
BYTE*p=0x151;
Memcpy(p,byMem,0x10000);
将新的子插件文件K’重新保存,并随系统发行。
实施例二
本发明实施例二还提供了一种插件动态参数设置装置,如图2所示,包括:
插件参数识别代码植入单元11,用于设计插件参数识别代码S并植入源程序中的存储单元M;所述源程序中,参数Vi(i=0,1,...n)集中在一片连续的所述储存单元M;
母插件文件生成单元12,用于将植入了所述识别代码S的源程序编译生成母插件文件K;
拷贝单元13,用于将母插件文件K拷贝为子插件文件K’;
首指针查找单元14,用于查找子插件文件K’中的识别代码S的首指针P;
参数植入程序编写单元15,用于编写一个参数植入程序,所述参数植入程序包含和所述存储单元M大小一样的储存单元M’及识别代码首指针P输入、参数Vi(i=0,1,...n)输入会话框;
参数生成单元16,用于在会话完成后,生成新的参数Vi(i=0,1,...n)映像在M’中;
覆盖单元17,用于打开子插件文件K’,将M’覆盖K’的P位置;
保存单元18,用于保存经覆盖单元操作后的所述子插件文件K’。
优选的,上述插件为电能质量评估插件。
以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (4)
1.一种插件动态参数设置方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:
(1)设计插件参数识别代码S并植入源程序中的存储单元M;所述源程序中,参数V0-Vi集中在一片连续的所述存储单元M,其中i=0,1,…,n;
(2)将植入了所述识别代码S的源程序编译生成母插件文件K;
(3)用母插件文件K拷贝为子插件文件K’;
(4)查找子插件文件K’中的识别代码S的首指针P;
(5)编写一个参数植入程序,所述参数植入程序包含和所述存储单元M大小一样的存储单元M’,并向会话框中输入识别代码首指针P、参数V0’-Vi’,其中i=0,1,…,n;
(6)会话完成,生成新的参数V0’-Vi’映像在M’中;
(7)打开子插件文件K’,将M’覆盖K’的P位置;
(8)保存所述子插件文件K’。
2.如权利要求1所述的插件动态参数设置方法,其特征在于,所述插件为电能质量评估插件。
3.一种插件动态参数设置装置,其特征在于,所述装置包括:
插件参数识别代码植入单元,用于设计插件参数识别代码S并植入源程序中的存储单元M;所述源程序中,参数V0-Vi集中在一片连续的所述存储单元M,其中i=0,1,…,n;
母插件文件生成单元,用于将植入了所述识别代码S的源程序编译生成母插件文件K;
拷贝单元,用于将母插件文件K拷贝为子插件文件K’;
首指针查找单元,用于查找子插件文件K’中的识别代码S的首指针P;
参数植入程序编写单元,用于编写一个参数植入程序,所述参数植入程序包含和所述存储单元M大小一样的存储单元M’及识别代码首指针P输入、参数V0’-Vi’输入会话框,其中i=0,1,…,n;
参数生成单元,用于在会话完成后,生成新的参数V0’-Vi’映像在M’中;
覆盖单元,用于打开子插件文件K’,将M’覆盖K’的P位置;
保存单元,用于保存所述子插件文件K’。
4.如权利要求3所述的插件动态参数设置装置,其特征在于,所述插件为电能质量评估插件。
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