CN104407664B - 一种线性电源电路 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种简单的线性电源电路。本电路通过简单的偏置电路产生基准电流,基准电流流经电阻产生基准电压,再结合负反馈原理实现了一个简单的线性电源。

Description

一种线性电源电路
技术领域
本发明主要涉及电源电路的设计领域,特指一种简单的线性电源电路。
背景技术
对于模拟集成电路,其性能的好坏取决于很多因素,其中电源的好坏也是影响模拟集成电路性能的一个关键因素,特别是一些高精度模拟电路,如高精度模数转换器(ADC)、高精度数模转换器(DAC)、仪表放大器等,这类电路通常都需要一个高质量的电源供电,通常都是采用线性电源(LDO),LDO将一个性能不好的电源信号转换成性能相对较好的电源输出,LDO的性能通常都很好,但是占用的面积也较大,对于一些简单的模块,或者规模较小的电路模块,且对电源的性能要求又不是特别高的情况下,LDO并非是一个明智的选择。
发明内容
本发明要解决的问题就在于:针对现有技术存在的技术问题,提出一种简单的线性电源电路。
本发明提出的解决方案为:本电路通过简单的偏置电路产生基准电流,基准电流流经电阻产生基准电压,再结合负反馈原理实现了一个简单的线性电源。
附图说明
图1是本发明的电路原理示意图;
具体实施方式
以下将结合附图和具体实施对本发明做进一步详细说明。
如图1所示,MOS管M1、M2、M3、M4和电阻R1组成了偏置电流产生电路,假设M1、M2、M5、M9的管子尺寸相同,且假设M3、M6的尺寸为“W/L”,M4的尺寸为“K(W/L)”,假设M2的电流为Iref,则有:
I ref = 2 μ n · C ox · ( W / L ) · 1 R 1 2 · ( 1 - 1 K ) 2 - - - ( 1 )
此电流与电源电压无关,则M9电流也为Iref,设M8栅极电压为VB,设M11的尺寸为(W/L)M11则有:
1 2 · μ n · C ox · ( W / L ) M 11 · ( V B - I ref · R 3 - V TH . M 11 ) 2 = I ref - - - ( 2 )
V B = 2 · I ref μ n · C ox · ( W / L ) M 11 + I ref · R 3 + V TH . M 11 - - - ( 3 )
PMOS管M8作为源极跟随器,所以VO=VB,即:
VO = 2 · 2 μ n · C ox · ( W / L ) M 11 · 1 R 1 2 · ( 1 - 1 K ) 2 μ n · C ox · ( W / L ) M 11 + ( 2 μ n · C ox · ( W / L ) M 11 · 1 R 1 2 · ( 1 - 1 K ) 2 ) · R 3 + V TH . M 11 - - - ( 3 )
可见,输出电压VO与电源电压无关。当负载变化导致VO电压降低,则M8的漏极电压降低,则M6的漏极电压降低,即M7的栅极电压降低会使得M7的漏极升高,及VO电压升高;反之,当负载变化导致VO电压升高,则M8的漏极电压升高,则M6的漏极电压升高,即M7的栅极电压升高会使得M7的漏极降低,及VO电压降低,形成负反馈,稳定输出电压VO。
综上所述,本电路通过简单的偏置电路产生基准电流,基准电流流经电阻产生基准电压,再结合负反馈原理实现了一个简单的线性电源。

Claims (1)

1.一种简单的线性电源电路,其特征在于:
电路由PMOS管M1、PMOS管M2、PMOS管M5、PMOS管M7、PMOS管M8、PMOS管M9、NMOS管M3、NMOS管M4、NMOS管M6、NMOS管M10、NMOS管M11、电阻R1、电阻R2、电阻R3组成;系统电源VDD连接到PMOS管M1、M2、M5、M7和M9的源极;地信号GND连接到电阻R1一端、电阻R2的一端和电阻R3的一端以及NMOS管M3的源极;PMOS管M1的漏极连接到NMOS管M3的栅极、漏极和NMOS管M4、M6的栅极;PMOS管M2的栅极、漏极连接到PMOS管M1、M5、M9的栅极以及NMOS管M4的漏极;NMOS管M4的源极连接电阻R1的另一端;PMOS管M5的漏极连接到PMOS管M7的栅极和NMOS管M6的漏极;NMOS管M6的源极连接到PMOS管M8的漏极和电阻R2的另一端;PMOS管M9的漏极连接到NMOS管M10的栅极、漏极和NMOS管M11的栅极以及PMOS管M8的栅极;NMOS管M10的源极连接到NMOS管M11的漏极;NMOS管M11的源极连接到电阻R3的另一端;PMOS管M7的漏极连接到PMOS管M8的源极,即VO输出。
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