CN104378882A - Led专用60w驱动电源电路 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种LED专用60W驱动电源电路，包括保护电路，所述的保护电路通过线路与EMC电路相连；所述的EMC电路通过线路与整流桥BR1相连；所述的整流桥BR1通过线路与高频隔离变压器T4相连；所述的高频隔离变压器T4分别通过线路与MOS管Q1、滤波电路相连，所述的高频隔离变压器T4与MOS管Q1之间的线路上连接有反激耦合的尖峰吸收电路；所述的MOS管Q1分别通过线路与高功率因素校正芯片U1、过流检测电路相连；本发明的60W驱动电源电路电磁兼容性好，抗雷击浪涌，电源转换效率高，额定负载下可达90%甚至更高，高功率因素，电流谐波小。

Description

LED专用60W驱动电源电路

技术领域

    本发明涉及一种LED专用60W驱动电源电路。

背景技术

    本发明是基于AP1661芯片做的一款专用于LED的60W驱动电源，该电源是一类反激式APFC+PWM控制的隔离开关电源，相比传统的线性电源，有体积小，成本低，效率高，发热量小等优点，缺点是纹波会偏大，对输出电解电容的寿命有一定要求。

发明内容

本发明的目的在于提供了一种LED专用60W驱动电源电路；本发明的60W驱动电源电路专为LED产品设计，适用于平板灯、格栅灯、路灯、庭院灯、工矿灯等大型LED灯具，布板合理情况下可轻易通过各项安规认证，可以实现100-265V/50-60HZ宽电压输入，适用于全球绝大部分国家与地区的公用电网，电磁兼容性好，抗雷击浪涌，电源转换效率高，额定负载下可达90%甚至更高，高功率因素，电流谐波小，符合各项苛刻指标要求，对恶劣环境的适应性强。

为了达到上述目的，本发明的技术方案是：

    一种LED专用60W驱动电源电路，包括保护电路，所述的保护电路通过线路与EMC电路相连；所述的EMC电路通过线路与整流桥BR1相连；所述的整流桥BR1通过线路与高频隔离变压器T4相连；所述的整流桥BR1与高频隔离变压器T4之间的线路上分别依次连接有采样滤波外围电路、薄膜电容C2、高功率因素校正芯片U1的供电电路、反激耦合的尖峰吸收电路；所述的高功率因素校正芯片U1的供电电路分别通过线路与误差放大电路、电源输入保护电路、辅助线圈的整流滤波供电电路、高功率因素校正芯片U1相连；所述的高频隔离变压器T4分别通过线路与MOS管Q1、滤波电路相连，所述的高频隔离变压器T4与MOS管Q1之间的线路上连接有反激耦合的尖峰吸收电路；所述的MOS管Q1分别通过线路与高功率因素校正芯片U1、过流检测电路相连；所述的高功率因素校正芯片U1还分别通过线路与误差放大电路、采样滤波外围电路、第一过零检测电路ZCD1相连；所述的滤波电路分别通过线路与内部基准双运放芯片U3的供电电路、检测主回路电压信号电路、第二光耦U4、内部基准双运放芯片U3相连；所述的内部基准双运放芯片U3的供电电路通过线路与内部基准双运放芯片U3相连，所述的内部基准双运放芯片U3还分别通过线路与检测主回路电压信号电路、第二光耦U4相连。

所述的保护电路包括与其中一条宽电压进电输入端L相连的保险管F1,所述的保险管F1通过线路与EMC电路上的第一磁环电感T1相连，所述的另一条宽电压进电输入端N也通过线路与EMC电路上的第一磁环电感T1相连；所述的其中一条宽电压进电输入端L与第一磁环电感T1之间的线路、另一条宽电压进电输入端N与第一磁环电感T1之间的线路上分别并联有压敏电阻MOV1和由第一贴片电阻R1和第二贴片电阻R2串联后的线路；所述的EMC电路包括第一磁环电感T1和与第一磁环电感T1相连的第二磁环电感T2，且所述的第一磁环电感T1与第二磁环电感T2之间并联有第一安规电容C1；所述的第二磁环电感T2通过线路与整流桥BR1相连。

所述的采样滤波外围电路包括第三贴片电阻R5,所述的第三贴片电阻R5通过线路与所述的整流桥BR1、高频隔离变压器T4之间的线路相连；所述的第三贴片电阻R5还通过线路依次与第四贴片电阻R6、第五贴片电阻R24串联；所述的第五贴片电阻R24与第一贴片电容C13并联；所述的第五贴片电阻R24通过线路与高功率因素校正芯片U1的第三管脚相连；所述的第五贴片电阻R24还通过线路与过流检测电路相连；

所述的高功率因素校正芯片U1的供电电路包括第六贴片电阻R7，所述的第六贴片电阻R7通过线路与所述的整流桥BR1、高频隔离变压器T4之间的线路相连；所述的第六贴片电阻R7还通过线路依次与第七贴片电阻R8、第八贴片电阻R9、高功率因素校正芯片U1的第八管脚串联；所述的第八贴片电阻R9、高功率因素校正芯片U1之间的线路上连接有误差放大电路、电源输入保护电路、辅助线圈的整流滤波供电电路；所述的第八贴片电阻R9、高功率因素校正芯片U1之间的线路与所述的误差放大电路之间分别通过线路依次连接有第一铝电解电容EC1、第二贴片电容C14、第九贴片电阻R41；

所述的反激耦合的尖峰吸收电路包括高压瓷片电容C3，所述的高压瓷片电容C3通过线路与所述的整流桥BR1、高频隔离变压器T4之间的线路相连；所述的高压瓷片电容C3与第二氧化膜电阻R3并联后通过线路与第四二极管D1相连，所述的第四二极管D1通过线路与第三十九贴片电阻R4相连，所述的第三十九贴片电阻R4通过线路与所述的隔离变压器T4、MOS管Q1之间的线路相连。

所述的误差放大电路包括第一光耦U2，所述的第一光耦U2通过线路与所述的高功率因素校正芯片U1的供电电路中的第八贴片电阻R9、高功率因素校正芯片U1之间的线路相连，所述的第一光耦U2通过线路与第十贴片电阻R13相连，所述的第十贴片电阻R13通过线路与高功率因素校正芯片U1的第一管脚相连；所述的第十贴片电阻R13、高功率因素校正芯片U1的第一管脚之间的线路上分别通过线路依次连接有第三贴片电容C4、第十一贴片电阻R37；所述的第三贴片电容C4通过线路与第十二贴片电阻R14相连，所述的第十二贴片电阻R14通过线路与高功率因素校正芯片U1的第二管脚相连；所述的第十二贴片电阻R14、高功率因素校正芯片U1的第二管脚之间的线路与第十一贴片电阻R37通过线路相连；所述的第九贴片电阻R13还通过线路与第四贴片电容C6相连；所述的第一光耦U2还通过线路与第十三贴片电阻R12相连，所述的第四贴片电容C6、第十三贴片电阻R12、第一贴片电容C13分别通过线路与所述的第五贴片电阻R24、过流检测电路之间的线路相连；所述的电源输入保护电路包括三极管Q2，所述的三极管Q2的发射极通过线路与所述的高功率因素校正芯片U1的供电电路中的第八贴片电阻R9、高功率因素校正芯片U1之间的线路相连，所述的三极管Q2的基极通过线路与阻抗Z1相连，所述的三极管Q2的集电极通过线路与辅助线圈的整流滤波供电电路相连，所述的三极管Q2的集电极、辅助线圈的整流滤波供电电路之间的线路与所述的三极管Q2的基极、阻抗Z1之间的线路通过线路连接有第十六贴片电阻R35；所述的阻抗Z1通过线路分别与第一铝电解电容EC1、第二贴片电容C14、第九贴片电阻R41和第二过零检测电路ZCD2相连；所述的辅助线圈的整流滤波供电电路包括第一二极管D5和与三极管Q2的集电极通过线路相连的第十七贴片电阻R10，所述的第一二极管D5通过线路与所述的高功率因素校正芯片U1的供电电路中的第八贴片电阻R9、高功率因素校正芯片U1之间的线路相连；所述的第一二极管D5还通过线路与所述的三极管Q2的集电极、第十七贴片电阻R10之间的线路相连后再与第六铝电解电容EC6相连；所述的第六铝电解电容EC6通过线路与所述的阻抗Z1、第二过零检测电路ZCD2之间的线路相连后接地；所述的第十七贴片电阻R10通过线路与第二二极管D2相连，所述的第二二极管D2通过线路与所述的阻抗Z1、第二过零检测电路ZCD2之间的线路相连。

所述的高功率因素校正芯片U1的第五管脚通过线路与第十四贴片电阻R15相连，所述的第十四贴片电阻R15通过线路与第一过零检测电路ZCD1相连；所述的高功率因素校正芯片U1的第六管脚接地；所述的高功率因素校正芯片U1的第四管脚通过线路与过流检测电路相连；所述的高功率因素校正芯片U1的第七管脚通过线路与MOS管Q1相连，且所述的高功率因素校正芯片U1的第七管脚、MOS管Q1之间的线路上还串联有第十五贴片电阻R11，所述的第十五贴片电阻R11与第三二极管D3并联；所述的MOS管Q1还通过线路与过流检测电路相连；所述的过流检测电路包括第十八贴片电阻R16，所述的第十八贴片电阻R16通过线路与MOS管Q1相连，所述的第十八贴片电阻R16还通过线路依次与第十三贴片电阻R12、第四贴片电容C6、第五贴片电阻R24、第一贴片电容C13相连；所述的第十八贴片电阻R16、MOS管Q1之间的线路与第二十一电阻R20通过线路相连，所述的第二十一电阻R20通过线路与高功率因素校正芯片U1的第四管脚相连，所述的第十八贴片电阻R16与第三十七贴片电阻R17、第十九贴片电阻R18、第二十贴片电阻R19并联后与所述的第二十一电阻R20、高功率因素校正芯片U1的第四管脚之间的线路之间连接有第五贴片电容C5。

所述的滤波电路包括超快恢复二极管D4，所述的超快恢复二极管D4通过线路与高频隔离变压器T4相连；所述的超快恢复二极管D4还分别通过线路与第三磁环电感T3、第二十二贴片电阻R21相连，所述的第三磁环电感T3通过线路与高频隔离变压器T4相连；所述的第二十二贴片电阻R21与第二十三贴片电阻R27并联后与第六贴片电容C7通过线路相连；所述的超快恢复二极管D4、第三磁环电感T3之间的线路上通过线路连接有第二铝电解电容EC2、第三铝电解电容EC3、第四铝电解电容EC4、第五铝电解电容EC5和内部基准双运放芯片U3的供电电路；所述的第二铝电解电容EC2、第三铝电解电容EC3、第四铝电解电容EC4、第五铝电解电容EC5分别通过线路与所述的第三磁环电感T3、高频隔离变压器T4之间的线路相连，且所述的第二铝电解电容EC2通过线路与所述的第三磁环电感T3、高频隔离变压器T4之间的线路相连后通过线路与第一电流反馈环路引脚ICTRL相连；所述的第三磁环电感T3、高频隔离变压器T4之间的线路上还连接有第一氧化膜电阻R22，所述的第一氧化膜电阻R22与第二十四贴片电阻R23并联后通过线路与第二十五贴片电阻R26相连；

所述的内部基准双运放芯片U3的供电电路包括第三十八贴片电阻R25，所述的第三十八贴片电阻R25通过线路与所述的超快恢复二极管D4、第三磁环电感T3之间的线路相连；所述的第三十八贴片电阻R25通过线路与稳压二极管Z2相连；所述的稳压二极管Z2与第七贴片电容C8并联后接地，所述的稳压二极管Z2与第七贴片电容C8并联后还通过线路与内部基准双运放芯片U3的第六管脚相连；

所述的第六贴片电容C7通过线路与所述的超快恢复二极管D4、第三磁环电感T3之间的线路相连后与第二十六贴片电阻R32相连，所述的第二十六贴片电阻R32通过线路与第二光耦U4相连；所述的第二光耦U4与第二十七贴片电阻R33并联后，一端通过线路与第二十八贴片电阻R36相连，另一端通过线路与第二十九贴片电阻R34相连；所述的超快恢复二极管D4、第三磁环电感T3之间的线路上还连接有检测主回路电压信号电路；所述的检测主回路电压信号电路包括第三十贴片电阻R29，所述的第三十贴片电阻R29通过线路与所述的超快恢复二极管D4、第三磁环电感T3之间的线路相连；所述的第三十贴片电阻R29通过线路与第三十一贴片电阻R28相连，所述的第三十一贴片电阻R28接地，所述的第三十一贴片电阻R28还通过线路与第二十八贴片电阻R36通过线路相连；所述的内部基准双运放芯片U3的第一管脚通过线路与第三十三贴片电阻R31通过线路相连；所述的第三十贴片电阻R29还与第三十二贴片电阻R40并联后再与所述的内部基准双运放芯片U3的第一管脚、第三十三贴片电阻R31之间的线路相连；所述的第三十三贴片电阻R31通过线路与第八贴片电容C11相连；所述的第二十九贴片电阻R34通过线路与第三十四贴片电阻R30相连，所述的第三十四贴片电阻R30通过线路与第九贴片电容C10相连；所述的第二十五贴片电阻R26通过线路与第十贴片电容C9相连，所述的第二十五贴片电阻R26、第十贴片电容C9之间的线路与内部基准双运放芯片U3的第五管脚通过线路相连；第九贴片电容C10通过线路与所述的第十贴片电容C9、内部基准双运放芯片U3的第五管脚之间的线路相连；所述的内部基准双运放芯片U3的第二管脚通过线路与所述的第三十一贴片电阻R28、第二十八贴片电阻R36之间的线路相连；所述的第八贴片电阻C11通过线路与所述的第二十九贴片电阻R34、第三十四贴片电阻R30之间的线路相连，所述的第八贴片电阻C11还通过线路与内部基准双运放芯片U3的第三管脚相连；所述的第十贴片电容C9通过线路与第二电流反馈环路引脚ICTRL相连，所述的第十贴片电容C9、第二电流反馈环路引脚ICTRL之间的线路与内部基准双运放芯片U3的第四管脚通过线路相连；

所述的第三磁环电感T3通过线路分别与宽电压出电输出端的正极端和宽电压出电输出端的负极端相连，且所述的宽电压出电输出端的正极端、宽电压出电输出端的负极端之间分别通过线路与第十一贴片电容C12、第三十五贴片电阻R38、第三十六贴片电阻R39相连

本发明的有益效果是：本发明60W驱动电源电路专为LED产品设计，适用于平板灯、格栅灯、路灯、庭院灯、工矿灯等大型LED灯具，布板合理情况下可轻易通过各项安规认证，可以实现100-265V/50-60HZ宽电压输入，适用于全球绝大部分国家与地区的公用电网，电磁兼容性好，抗雷击浪涌，电源转换效率高，额定负载下可达90%甚至更高，高功率因素，电流谐波小，符合各项苛刻指标要求，对恶劣环境的适应性强。

附图说明

    图1是本发明的结构原理图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明的实施作近一步详细描述。

实施例1

本实施例的一种LED专用60W驱动电源电路，如图1所示，包括保护电路1，所述的保护电路1通过线路与EMC电路2相连；所述的EMC电路2通过线路与整流桥BR1相连；所述的整流桥BR1通过线路与高频隔离变压器T4相连；所述的整流桥BR1与高频隔离变压器T4之间的线路上分别依次连接有采样滤波外围电路3、薄膜电容C2、高功率因素校正芯片U1的供电电路4、反激耦合的尖峰吸收电路5；所述的高功率因素校正芯片U1的供电电路4分别通过线路与误差放大电路6、电源输入保护电路7、辅助线圈的整流滤波供电电路8、高功率因素校正芯片U1相连；所述的高频隔离变压器T4分别通过线路与MOS管Q1、滤波电路9相连，所述的高频隔离变压器T4与MOS管Q1之间的线路上连接有反激耦合的尖峰吸收电路5；所述的MOS管Q1分别通过线路与高功率因素校正芯片U1、过流检测电路10相连；所述的高功率因素校正芯片U1还分别通过线路与误差放大电路6、采样滤波外围电路3、第一过零检测电路ZCD1相连；所述的滤波电路9分别通过线路与内部基准双运放芯片U3的供电电路11、检测主回路电压信号电路12、第二光耦U4、内部基准双运放芯片U3相连；所述的内部基准双运放芯片U3的供电电路11通过线路与内部基准双运放芯片U3相连，所述的内部基准双运放芯片U3还分别通过线路与检测主回路电压信号电路12、第二光耦U4相连。

所述的保护电路1包括与其中一条宽电压进电输入端L相连的保险管F1,所述的保险管F1通过线路与EMC电路2上的第一磁环电感T1相连，所述的另一条宽电压进电输入端N也通过线路与EMC电路2上的第一磁环电感T1相连；所述的其中一条宽电压进电输入端L与第一磁环电感T1之间的线路、另一条宽电压进电输入端N与第一磁环电感T1之间的线路上分别并联有压敏电阻MOV1和由第一贴片电阻R1和第二贴片电阻R2串联后的线路；所述的EMC电路2包括第一磁环电感T1和与第一磁环电感T1相连的第二磁环电感T2，且所述的第一磁环电感T1与第二磁环电感T2之间并联有第一安规电容C1；所述的第二磁环电感T2通过线路与整流桥BR1相连。

所述的采样滤波外围电路3包括第三贴片电阻R5,所述的第三贴片电阻R5通过线路与所述的整流桥BR1、高频隔离变压器T4之间的线路相连；所述的第三贴片电阻R5还通过线路依次与第四贴片电阻R6、第五贴片电阻R24串联；所述的第五贴片电阻R24与第一贴片电容C13并联；所述的第五贴片电阻R24通过线路与高功率因素校正芯片U1的第三管脚相连；所述的第五贴片电阻R24还通过线路与过流检测电路10相连；

所述的高功率因素校正芯片U1的供电电路4包括第六贴片电阻R7，所述的第六贴片电阻R7通过线路与所述的整流桥BR1、高频隔离变压器T4之间的线路相连；所述的第六贴片电阻R7还通过线路依次与第七贴片电阻R8、第八贴片电阻R9、高功率因素校正芯片U1的第八管脚串联；所述的第八贴片电阻R9、高功率因素校正芯片U1之间的线路上连接有误差放大电路6、电源输入保护电路7、辅助线圈的整流滤波供电电路8；所述的第八贴片电阻R9、高功率因素校正芯片U1之间的线路与所述的误差放大电路6之间分别通过线路依次连接有第一铝电解电容EC1、第二贴片电容C14、第九贴片电阻R41；

所述的反激耦合的尖峰吸收电路5包括高压瓷片电容C3，所述的高压瓷片电容C3通过线路与所述的整流桥BR1、高频隔离变压器T4之间的线路相连；所述的高压瓷片电容C3与第二氧化膜电阻R3并联后通过线路与第四二极管D1相连，所述的第四二极管D1通过线路与第三十九贴片电阻R4相连，所述的第三十九贴片电阻R4通过线路与所述的隔离变压器T4、MOS管Q1之间的线路相连。

所述的误差放大电路6包括第一光耦U2，所述的第一光耦U2通过线路与所述的高功率因素校正芯片U1的供电电路4中的第八贴片电阻R9、高功率因素校正芯片U1之间的线路相连，所述的第一光耦U2通过线路与第十贴片电阻R13相连，所述的第十贴片电阻R13通过线路与高功率因素校正芯片U1的第一管脚相连；所述的第十贴片电阻R13、高功率因素校正芯片U1的第一管脚之间的线路上分别通过线路依次连接有第三贴片电容C4、第十一贴片电阻R37；所述的第三贴片电容C4通过线路与第十二贴片电阻R14相连，所述的第十二贴片电阻R14通过线路与高功率因素校正芯片U1的第二管脚相连；所述的第十二贴片电阻R14、高功率因素校正芯片U1的第二管脚之间的线路与第十一贴片电阻R37通过线路相连；所述的第九贴片电阻R13还通过线路与第四贴片电容C6相连；所述的第一光耦U2还通过线路与第十三贴片电阻R12相连，所述的第四贴片电容C6、第十三贴片电阻R12、第一贴片电容C13分别通过线路与所述的第五贴片电阻R24、过流检测电路10之间的线路相连；所述的电源输入保护电路7包括三极管Q2，所述的三极管Q2的发射极通过线路与所述的高功率因素校正芯片U1的供电电路4中的第八贴片电阻R9、高功率因素校正芯片U1之间的线路相连，所述的三极管Q2的基极通过线路与阻抗Z1相连，所述的三极管Q2的集电极通过线路与辅助线圈的整流滤波供电电路8相连，所述的三极管Q2的集电极、辅助线圈的整流滤波供电电路8之间的线路与所述的三极管Q2的基极、阻抗Z1之间的线路通过线路连接有第十六贴片电阻R35；所述的阻抗Z1通过线路分别与第一铝电解电容EC1、第二贴片电容C14、第九贴片电阻R41和第二过零检测电路ZCD2相连；

所述的辅助线圈的整流滤波供电电路8包括第一二极管D5和与三极管Q2的集电极通过线路相连的第十七贴片电阻R10，所述的第一二极管D5通过线路与所述的高功率因素校正芯片U1的供电电路4中的第八贴片电阻R9、高功率因素校正芯片U1之间的线路相连；所述的第一二极管D5还通过线路与所述的三极管Q2的集电极、第十七贴片电阻R10之间的线路相连后再与第六铝电解电容EC6相连；所述的第六铝电解电容EC6通过线路与所述的阻抗Z1、第二过零检测电路ZCD2之间的线路相连后接地；所述的第十七贴片电阻R10通过线路与第二二极管D2相连，所述的第二二极管D2通过线路与所述的阻抗Z1、第二过零检测电路ZCD2之间的线路相连。

所述的高功率因素校正芯片U1的第五管脚通过线路与第十四贴片电阻R15相连，所述的第十四贴片电阻R15通过线路与第一过零检测电路ZCD1相连；所述的高功率因素校正芯片U1的第六管脚接地；所述的高功率因素校正芯片U1的第四管脚通过线路与过流检测电路10相连；所述的高功率因素校正芯片U1的第七管脚通过线路与MOS管Q1相连，且所述的高功率因素校正芯片U1的第七管脚、MOS管Q1之间的线路上还串联有第十五贴片电阻R11，所述的第十五贴片电阻R11与第三二极管D3并联；所述的MOS管Q1还通过线路与过流检测电路10相连；所述的过流检测电路10包括第十八贴片电阻R16，所述的第十八贴片电阻R16通过线路与MOS管Q1相连，所述的第十八贴片电阻R16还通过线路依次与第十三贴片电阻R12、第四贴片电容C6、第五贴片电阻R24、第一贴片电容C13相连；所述的第十八贴片电阻R16、MOS管Q1之间的线路与第二十一电阻R20通过线路相连，所述的第二十一电阻R20通过线路与高功率因素校正芯片U1的第四管脚相连，所述的第十八贴片电阻R16与第三十七贴片电阻R17、第十九贴片电阻R18、第二十贴片电阻R19并联后与所述的第二十一电阻R20、高功率因素校正芯片U1的第四管脚之间的线路之间连接有第五贴片电容C5。

所述的滤波电路9包括超快恢复二极管D4，所述的超快恢复二极管D4通过线路与高频隔离变压器T4相连；所述的超快恢复二极管D4还分别通过线路与第三磁环电感T3、第二十二贴片电阻R21相连，所述的第三磁环电感T3通过线路与高频隔离变压器T4相连；所述的第二十二贴片电阻R21与第二十三贴片电阻R27并联后与第六贴片电容C7通过线路相连；所述的超快恢复二极管D4、第三磁环电感T3之间的线路上通过线路连接有第二铝电解电容EC2、第三铝电解电容EC3、第四铝电解电容EC4、第五铝电解电容EC5和内部基准双运放芯片U3的供电电路11；所述的第二铝电解电容EC2、第三铝电解电容EC3、第四铝电解电容EC4、第五铝电解电容EC5分别通过线路与所述的第三磁环电感T3、高频隔离变压器T4之间的线路相连，且所述的第二铝电解电容EC2通过线路与所述的第三磁环电感T3、高频隔离变压器T4之间的线路相连后通过线路与第一电流反馈环路引脚ICTRL相连；所述的第三磁环电感T3、高频隔离变压器T4之间的线路上还连接有第一氧化膜电阻R22，所述的第一氧化膜电阻R22与第二十四贴片电阻R23并联后通过线路与第二十五贴片电阻R26相连；

所述的内部基准双运放芯片U3的供电电路11包括第三十八贴片电阻R25，所述的第三十八贴片电阻R25通过线路与所述的超快恢复二极管D4、第三磁环电感T3之间的线路相连；所述的第三十八贴片电阻R25通过线路与稳压二极管Z2相连；所述的稳压二极管Z2与第七贴片电容C8并联后接地，所述的稳压二极管Z2与第七贴片电容C8并联后还通过线路与内部基准双运放芯片U3的第六管脚相连；

所述的第六贴片电容C7通过线路与所述的超快恢复二极管D4、第三磁环电感T3之间的线路相连后与第二十六贴片电阻R32相连，所述的第二十六贴片电阻R32通过线路与第二光耦U4相连；所述的第二光耦U4与第二十七贴片电阻R33并联后，一端通过线路与第二十八贴片电阻R36相连，另一端通过线路与第二十九贴片电阻R34相连；所述的超快恢复二极管D4、第三磁环电感T3之间的线路上还连接有检测主回路电压信号电路12；

所述的检测主回路电压信号电路12包括第三十贴片电阻R29，所述的第三十贴片电阻R29通过线路与所述的超快恢复二极管D4、第三磁环电感T3之间的线路相连；所述的第三十贴片电阻R29通过线路与第三十一贴片电阻R28相连，所述的第三十一贴片电阻R28接地，所述的第三十一贴片电阻R28还通过线路与第二十八贴片电阻R36通过线路相连；所述的内部基准双运放芯片U3的第一管脚通过线路与第三十三贴片电阻R31通过线路相连；所述的第三十贴片电阻R29还与第三十二贴片电阻R40并联后再与所述的内部基准双运放芯片U3的第一管脚、第三十三贴片电阻R31之间的线路相连；所述的第三十三贴片电阻R31通过线路与第八贴片电容C11相连；所述的第二十九贴片电阻R34通过线路与第三十四贴片电阻R30相连，所述的第三十四贴片电阻R30通过线路与第九贴片电容C10相连；所述的第二十五贴片电阻R26通过线路与第十贴片电容C9相连，所述的第二十五贴片电阻R26、第十贴片电容C9之间的线路与内部基准双运放芯片U3的第五管脚通过线路相连；第九贴片电容C10通过线路与所述的第十贴片电容C9、内部基准双运放芯片U3的第五管脚之间的线路相连；所述的内部基准双运放芯片U3的第二管脚通过线路与所述的第三十一贴片电阻R28、第二十八贴片电阻R36之间的线路相连；所述的第八贴片电阻C11通过线路与所述的第二十九贴片电阻R34、第三十四贴片电阻R30之间的线路相连，所述的第八贴片电阻C11还通过线路与内部基准双运放芯片U3的第三管脚相连；所述的第十贴片电容C9通过线路与第二电流反馈环路引脚ICTRL相连，所述的第十贴片电容C9、第二电流反馈环路引脚ICTRL之间的线路与内部基准双运放芯片U3的第四管脚通过线路相连；

所述的第三磁环电感T3通过线路分别与宽电压出电输出端的正极端13和宽电压出电输出端的负极端14相连，且所述的宽电压出电输出端的正极端13、宽电压出电输出端的负极端14之间分别通过线路与第十一贴片电容C12、第三十五贴片电阻R38、第三十六贴片电阻R39相连。

本实施例的一种LED专用60W驱动电源电路属于反激式隔离高功率因子开关电源，根据原理图，其中一条宽电压进电输入端L和另一条宽电压进电输入端N是100-265V/50-60HZ宽电压进电输入端，保险管F1、压敏电阻MOV1、第一贴片电阻R1、第二贴片电阻R2构成输入端的过压过流和雷击浪涌的保护电路1，第一磁环电感T1、第二磁环电感T2、第一安规电容C1构成EMC电路2，处理电网和电源之间的差共模干扰，整流桥BR1是交流转直流的整流桥堆，薄膜电容C2作为整流后高频滤波的电容，T4是高频隔离变压器，其左右两部分电路为初级电路和输出次级电路。初级电路以U1(AP1661)高功率因素校正芯片作为主控IC（高功率因素校正芯片U1），以其第七管脚输出控制MOS管Q1开关MOS管的通断，来调节变压器初级线圈的电流大小，从而耦合到高频隔离变压器T4次级，第四二极管D1、高压瓷片电容C3、第二氧化膜电阻R3、第三十九贴片电阻R4是反激耦合的尖峰吸收电路5，高功率因素校正芯片U1含有八个引脚，除了刚提到的第七管脚PWM输出控制端，其他几个管脚脚和外围电路功能如下：第八管脚和第六管脚分别是IC（高功率因素校正芯片U1）供电输入端和接地端，提供IC（高功率因素校正芯片U1）工作所需的电源，通过第六贴片电阻R7、第七贴片电阻R8、第八贴片电阻R9、第九贴片电阻R41、第一铝电解电容EC1、第二贴片电容C14取自整流后的电压信号， IC(高功率因素校正芯片U1)得到了启动电压后开始工作，第二二极管D2、第十七贴片电阻R10、第三二极管D3、第六铝电解电容EC6构成辅助线圈的整流滤波供电电路8，为IC(高功率因素校正芯片U1)工作提供稳定电源电压，三极管Q2、第十六贴片电阻R35、阻抗Z1是IC(高功率因素校正芯片U1)电源输入的保护电路，这部分电路可以选择去留；第四管脚是过流检测功能，通过第十八贴片电阻R16、第三十七贴片电阻R17、第十九贴片电阻R18、第二十贴片电阻R19来检测开关管开通后流过初级线圈的电流，反馈给IC（高功率因素校正芯片U1）的第四管脚， IC（高功率因素校正芯片U1）根据电流反馈信号大小来判断开关的关断时间；第五管脚是零电流检测功能，通过检测辅助线圈的电输出来判断初级线圈是否零电流；第三管脚是基波采样功能，通过检查整流后的波形使IC（高功率因素校正芯片U1）实现功率因素的校正，第三贴片电阻R5、第四贴片电阻R6、第五贴片电阻R24、第一贴片电容C13是采样波形的外围电路3；第一管脚和第二管脚内接IC（高功率因素校正芯片U1） 的误差放大器电路正反相输入端，通过第一光耦U2和第九贴片电阻R13来检测次级输出的反馈信号。高频隔离变压器T4次级侧主回路由超快恢复二极管D4肖特基整流、第二铝电解电容EC2、第三铝电解电容EC3、第四铝电解电容EC4、第五铝电解电容EC5、第三磁环电感T3、第十一贴片电容C12滤波构成，以U3(AP4313) 内部基准双运放芯片IC来检测输出回路的电压和电流环，再通过第二光耦U4反馈给初级主控IC(内部基准双运放芯片U3)，各引脚和外围电路功能如下：第六管脚和第二管脚分别是IC(内部基准双运放芯片U3)供电输入端和接地端，供电电压通过第三十八贴片电阻R25、稳压二极管Z2、第七贴片电容C8取自输出主回路正极；第一管脚是电压环运放的输入脚，通过第三十贴片电阻R29、第三十二贴片电阻R40、第三十一贴片电阻R28检测主回路电压信号，与IC(内部基准双运放芯片U3)内部基准电压进行比较；第四和第五管脚是电流环运放的正反相输入端，通过第一氧化膜电阻R22和第二十四贴片电阻R23检测主回路电流信号；第三管脚是输出控制端，控制第二光耦U4的电流传输大小，第二十六贴片电阻R32和第二十八贴片电阻R36给第二光耦U4提供正向偏置电压。整个输出双环检测信号通过第二光耦U4反馈给前级主控IC，实现高精度稳定输出的效果。

本实施例的60W驱动电源电路专为LED产品设计，适用于平板灯、格栅灯、路灯、庭院灯、工矿灯等大型LED灯具，布板合理情况下可轻易通过各项安规认证，可以实现100-265V/50-60HZ宽电压输入，适用于全球绝大部分国家与地区的公用电网，电磁兼容性好，抗雷击浪涌，电源转换效率高，额定负载下可达90%甚至更高，高功率因素，电流谐波小，符合各项苛刻指标要求，对恶劣环境的适应性强。

Claims (6)

1. 一种LED专用60W驱动电源电路，其特征在于：包括保护电路（1），所述的保护电路（1）通过线路与EMC电路（2）相连；所述的EMC电路（2）通过线路与整流桥BR1相连；所述的整流桥BR1通过线路与高频隔离变压器T4相连；所述的整流桥BR1与高频隔离变压器T4之间的线路上分别依次连接有采样滤波外围电路（3）、薄膜电容C2、高功率因素校正芯片U1的供电电路（4）、反激耦合的尖峰吸收电路（5）；所述的高功率因素校正芯片U1的供电电路（4）分别通过线路与误差放大电路（6）、电源输入保护电路（7）、辅助线圈的整流滤波供电电路（8）、高功率因素校正芯片U1相连；所述的高频隔离变压器T4分别通过线路与MOS管Q1、滤波电路（9）相连，所述的高频隔离变压器T4与MOS管Q1之间的线路上连接有反激耦合的尖峰吸收电路（5）；所述的MOS管Q1分别通过线路与高功率因素校正芯片U1、过流检测电路（10）相连；所述的高功率因素校正芯片U1还分别通过线路与误差放大电路（6）、采样滤波外围电路（3）、第一过零检测电路ZCD1相连；所述的滤波电路（9）分别通过线路与内部基准双运放芯片U3的供电电路（11）、检测主回路电压信号电路（12）、第二光耦U4、内部基准双运放芯片U3相连；所述的内部基准双运放芯片U3的供电电路（11）通过线路与内部基准双运放芯片U3相连，所述的内部基准双运放芯片U3还分别通过线路与检测主回路电压信号电路（12）、第二光耦U4相连。

2.如权利要求1所述的一种LED专用60W驱动电源电路，其特征在于：所述的保护电路（1）包括与其中一条宽电压进电输入端L相连的保险管F1,所述的保险管F1通过线路与EMC电路（2）上的第一磁环电感T1相连，所述的另一条宽电压进电输入端N也通过线路与EMC电路（2）上的第一磁环电感T1相连；所述的其中一条宽电压进电输入端L与第一磁环电感T1之间的线路、另一条宽电压进电输入端N与第一磁环电感T1之间的线路上分别并联有压敏电阻MOV1和由第一贴片电阻R1和第二贴片电阻R2串联后的线路；所述的EMC电路（2）包括第一磁环电感T1和与第一磁环电感T1相连的第二磁环电感T2，且所述的第一磁环电感T1与第二磁环电感T2之间并联有第一安规电容C1；所述的第二磁环电感T2通过线路与整流桥BR1相连。

3.如权利要求1所述的一种LED专用60W驱动电源电路，其特征在于：所述的采样滤波外围电路（3）包括第三贴片电阻R5,所述的第三贴片电阻R5通过线路与所述的整流桥BR1、高频隔离变压器T4之间的线路相连；所述的第三贴片电阻R5还通过线路依次与第四贴片电阻R6、第五贴片电阻R24串联；所述的第五贴片电阻R24与第一贴片电容C13并联；所述的第五贴片电阻R24通过线路与高功率因素校正芯片U1的第三管脚相连；所述的第五贴片电阻R24还通过线路与过流检测电路（10）相连；

所述的高功率因素校正芯片U1的供电电路（4）包括第六贴片电阻R7，所述的第六贴片电阻R7通过线路与所述的整流桥BR1、高频隔离变压器T4之间的线路相连；所述的第六贴片电阻R7还通过线路依次与第七贴片电阻R8、第八贴片电阻R9、高功率因素校正芯片U1的第八管脚串联；所述的第八贴片电阻R9、高功率因素校正芯片U1之间的线路上连接有误差放大电路（6）、电源输入保护电路（7）、辅助线圈的整流滤波供电电路（8）；所述的第八贴片电阻R9、高功率因素校正芯片U1之间的线路与所述的误差放大电路（6）之间分别通过线路依次连接有第一铝电解电容EC1、第二贴片电容C14、第九贴片电阻R41；

所述的反激耦合的尖峰吸收电路（5）包括高压瓷片电容C3，所述的高压瓷片电容C3通过线路与所述的整流桥BR1、高频隔离变压器T4之间的线路相连；所述的高压瓷片电容C3与第二氧化膜电阻R3并联后通过线路与第四二极管D1相连，所述的第四二极管D1通过线路与第三十九贴片电阻R4相连，所述的第三十九贴片电阻R4通过线路与所述的隔离变压器T4、MOS管Q1之间的线路相连。

4.如权利要求3所述的一种LED专用60W驱动电源电路，其特征在于：所述的误差放大电路（6）包括第一光耦U2，所述的第一光耦U2通过线路与所述的高功率因素校正芯片U1的供电电路（4）中的第八贴片电阻R9、高功率因素校正芯片U1之间的线路相连，所述的第一光耦U2通过线路与第十贴片电阻R13相连，所述的第十贴片电阻R13通过线路与高功率因素校正芯片U1的第一管脚相连；所述的第十贴片电阻R13、高功率因素校正芯片U1的第一管脚之间的线路上分别通过线路依次连接有第三贴片电容C4、第十一贴片电阻R37；所述的第三贴片电容C4通过线路与第十二贴片电阻R14相连，所述的第十二贴片电阻R14通过线路与高功率因素校正芯片U1的第二管脚相连；所述的第十二贴片电阻R14、高功率因素校正芯片U1的第二管脚之间的线路与第十一贴片电阻R37通过线路相连；所述的第九贴片电阻R13还通过线路与第四贴片电容C6相连；所述的第一光耦U2还通过线路与第十三贴片电阻R12相连，所述的第四贴片电容C6、第十三贴片电阻R12、第一贴片电容C13分别通过线路与所述的第五贴片电阻R24、过流检测电路（10）之间的线路相连；

所述的电源输入保护电路（7）包括三极管Q2，所述的三极管Q2的发射极通过线路与所述的高功率因素校正芯片U1的供电电路（4）中的第八贴片电阻R9、高功率因素校正芯片U1之间的线路相连，所述的三极管Q2的基极通过线路与阻抗Z1相连，所述的三极管Q2的集电极通过线路与辅助线圈的整流滤波供电电路（8）相连，所述的三极管Q2的集电极、辅助线圈的整流滤波供电电路（8）之间的线路与所述的三极管Q2的基极、阻抗Z1之间的线路通过线路连接有第十六贴片电阻R35；所述的阻抗Z1通过线路分别与第一铝电解电容EC1、第二贴片电容C14、第九贴片电阻R41和第二过零检测电路ZCD2相连；

所述的辅助线圈的整流滤波供电电路（8）包括第一二极管D5和与三极管Q2的集电极通过线路相连的第十七贴片电阻R10，所述的第一二极管D5通过线路与所述的高功率因素校正芯片U1的供电电路（4）中的第八贴片电阻R9、高功率因素校正芯片U1之间的线路相连；所述的第一二极管D5还通过线路与所述的三极管Q2的集电极、第十七贴片电阻R10之间的线路相连后再与第六铝电解电容EC6相连；所述的第六铝电解电容EC6通过线路与所述的阻抗Z1、第二过零检测电路ZCD2之间的线路相连后接地；所述的第十七贴片电阻R10通过线路与第二二极管D2相连，所述的第二二极管D2通过线路与所述的阻抗Z1、第二过零检测电路ZCD2之间的线路相连。

5.如权利要求1所述的一种LED专用60W驱动电源电路，其特征在于：所述的高功率因素校正芯片U1的第五管脚通过线路与第十四贴片电阻R15相连，所述的第十四贴片电阻R15通过线路与第一过零检测电路ZCD1相连；所述的高功率因素校正芯片U1的第六管脚接地；所述的高功率因素校正芯片U1的第四管脚通过线路与过流检测电路（10）相连；所述的高功率因素校正芯片U1的第七管脚通过线路与MOS管Q1相连，且所述的高功率因素校正芯片U1的第七管脚、MOS管Q1之间的线路上还串联有第十五贴片电阻R11，所述的第十五贴片电阻R11与第三二极管D3并联；所述的MOS管Q1还通过线路与过流检测电路（10）相连；所述的过流检测电路（10）包括第十八贴片电阻R16，所述的第十八贴片电阻R16通过线路与MOS管Q1相连，所述的第十八贴片电阻R16还通过线路依次与第十三贴片电阻R12、第四贴片电容C6、第五贴片电阻R24、第一贴片电容C13相连；所述的第十八贴片电阻R16、MOS管Q1之间的线路与第二十一电阻R20通过线路相连，所述的第二十一电阻R20通过线路与高功率因素校正芯片U1的第四管脚相连，所述的第十八贴片电阻R16与第三十七贴片电阻R17、第十九贴片电阻R18、第二十贴片电阻R19并联后与所述的第二十一电阻R20、高功率因素校正芯片U1的第四管脚之间的线路之间连接有第五贴片电容C5。

6.如权利要求1所述的一种LED专用60W驱动电源电路，其特征在于：所述的滤波电路（9）包括超快恢复二极管D4，所述的超快恢复二极管D4通过线路与高频隔离变压器T4相连；所述的超快恢复二极管D4还分别通过线路与第三磁环电感T3、第二十二贴片电阻R21相连，所述的第三磁环电感T3通过线路与高频隔离变压器T4相连；所述的第二十二贴片电阻R21与第二十三贴片电阻R27并联后与第六贴片电容C7通过线路相连；所述的超快恢复二极管D4、第三磁环电感T3之间的线路上通过线路连接有第二铝电解电容EC2、第三铝电解电容EC3、第四铝电解电容EC4、第五铝电解电容EC5和内部基准双运放芯片U3的供电电路（11）；所述的第二铝电解电容EC2、第三铝电解电容EC3、第四铝电解电容EC4、第五铝电解电容EC5分别通过线路与所述的第三磁环电感T3、高频隔离变压器T4之间的线路相连，且所述的第二铝电解电容EC2通过线路与所述的第三磁环电感T3、高频隔离变压器T4之间的线路相连后通过线路与第一ICTRL（中文意思）相连；所述的第三磁环电感T3、高频隔离变压器T4之间的线路上还连接有第一氧化膜电阻R22，所述的第一氧化膜电阻R22与第二十四贴片电阻R23并联后通过线路与第二十五贴片电阻R26相连；

所述的内部基准双运放芯片U3的供电电路（11）包括第三十八贴片电阻R25，所述的第三十八贴片电阻R25通过线路与所述的超快恢复二极管D4、第三磁环电感T3之间的线路相连；所述的第三十八贴片电阻R25通过线路与稳压二极管Z2相连；所述的稳压二极管Z2与第七贴片电容C8并联后接地，所述的稳压二极管Z2与第七贴片电容C8并联后还通过线路与内部基准双运放芯片U3的第六管脚相连；

所述的第六贴片电容C7通过线路与所述的超快恢复二极管D4、第三磁环电感T3之间的线路相连后与第二十六贴片电阻R32相连，所述的第二十六贴片电阻R32通过线路与第二光耦U4相连；所述的第二光耦U4与第二十七贴片电阻R33并联后，一端通过线路与第二十八贴片电阻R36相连，另一端通过线路与第二十九贴片电阻R34相连；所述的超快恢复二极管D4、第三磁环电感T3之间的线路上还连接有检测主回路电压信号电路（12）；所述的检测主回路电压信号电路（12）包括第三十贴片电阻R29，所述的第三十贴片电阻R29通过线路与所述的超快恢复二极管D4、第三磁环电感T3之间的线路相连；所述的第三十贴片电阻R29通过线路与第三十一贴片电阻R28相连，所述的第三十一贴片电阻R28接地，所述的第三十一贴片电阻R28还通过线路与第二十八贴片电阻R36通过线路相连；所述的内部基准双运放芯片U3的第一管脚通过线路与第三十三贴片电阻R31通过线路相连；所述的第三十贴片电阻R29还与第三十二贴片电阻R40并联后再与所述的内部基准双运放芯片U3的第一管脚、第三十三贴片电阻R31之间的线路相连；所述的第三十三贴片电阻R31通过线路与第八贴片电容C11相连；所述的第二十九贴片电阻R34通过线路与第三十四贴片电阻R30相连，所述的第三十四贴片电阻R30通过线路与第九贴片电容C10相连；所述的第二十五贴片电阻R26通过线路与第十贴片电容C9相连，所述的第二十五贴片电阻R26、第十贴片电容C9之间的线路与内部基准双运放芯片U3的第五管脚通过线路相连；第九贴片电容C10通过线路与所述的第十贴片电容C9、内部基准双运放芯片U3的第五管脚之间的线路相连；所述的内部基准双运放芯片U3的第二管脚通过线路与所述的第三十一贴片电阻R28、第二十八贴片电阻R36之间的线路相连；所述的第八贴片电阻C11通过线路与所述的第二十九贴片电阻R34、第三十四贴片电阻R30之间的线路相连，所述的第八贴片电阻C11还通过线路与内部基准双运放芯片U3的第三管脚相连；所述的第十贴片电容C9通过线路与第二电流反馈环路引脚ICTRL相连，所述的第十贴片电容C9、第二电流反馈环路引脚ICTRL之间的线路与内部基准双运放芯片U3的第四管脚通过线路相连；

所述的第三磁环电感T3通过线路分别与宽电压出电输出端的正极端（13）和宽电压出电输出端的负极端（14）相连，且所述的宽电压出电输出端的正极端（13）、宽电压出电输出端的负极端（14）之间分别通过线路与第十一贴片电容C12、第三十五贴片电阻R38、第三十六贴片电阻R39相连。