CN104375015A - 一种交流磁电输运测量系统 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种交流磁电输运测量系统，包括信号生成采集单元、反应单元与主控单元；被测样品设置在反应单元内部，反应单元为被测样品提供可调节的温度、光照和磁场；信号生成采集单元向被测样品提供交流电流，在被测样品反应时信号生成采集单元采集被测样品两端的被测信号中与交流电流同相的信号分量，并且测量信号分量的电压；主控单元控制信号生成采集单元的交流电流的频率，控制反应单元的温度、光照和磁场的强度，并采集被测样品的数据，计算被测样品磁电输运能力。本发明能够利用交流电流测量样品的磁电输运能力，其具有很高测量精度与测量效率。

Description

一种交流磁电输运测量系统
技术领域
本发明属于半导体材料技术领域，尤其涉及一种用于测量半导体材料磁电输运测量的交流磁电输运测量系统。
背景技术
在研究半导体材料与器件物理特性的过程中，磁电输运测量是一种十分重要而且常用的研究手段。通过改变温度以及磁场等外界条件，可以研究样品的电阻，磁阻，霍尔系数，载流子浓度，迁移率等参数受外场的影响。在测量磁电输运时一般将样品制作成范德堡或者霍尔条的形状。范德堡测试对样品的对称性等要求不是很严格，但是需要多次测量取平均值，而且很难得到直接的磁阻公式。霍尔条样品比较精准，对称性好，测量方便而且精确。
然而，目前输运测量系统都采用直流电源进行测量，其提供的直流电会引发诸如电阻发热、爱廷豪森效应以及热释电效应等，这类效应会影响测量精度。所以电输运测量中一般使用很小的直流电流从而避免电阻发热，所以要考虑低电压测量中最常见的误差来源：热电动势。尤其是样品在低温环境下测量时，而电压表则处在300K左右的温度下，这就出现了很大的温度梯度，从而很容易导致热电动势。可以采用反向测量取平均的方法来抵消寄生热电动势所产生的误差。但是这样一来很明显增加了测量次数而且需要通道切换，不仅增加了复杂度而且降低了测量速度。使用AC电流源能抑制热电效应。而且在测量霍尔效应的时候，爱廷豪森效应会对测量产生误差。但是建立爱廷豪森效应所需时间比霍尔效应建立所需的时间长的多，若使用一定频率的交流电源，由于交流电源方向变化相对较快，使得爱廷豪森效应来不及建立，这就消除了爱廷豪森效应。
当集成电路向高频方向发展时，半导体材料与器件在不同频率下的输运特性也成了人们关注的焦点。很多半导体材料与器件的电阻和霍尔系数等特性在不同频率的信号下会有明显的变化，这就需要进行交流输运测试来研究这些特性。而以前传统的交流输运测量系统都是在某一频率下测试完一系列参数之后，手动更改信号频率，再进行下一步的测试。这样如果需要测试频率点多的话就会很耗时而且非常繁琐。而且后续处理过程中发现需要某一温度点下的数据但是之前没有测量，这就需要再次重复实验过程。
目前交流磁电输运测试的系统中所利用锁相放大技术，是由锁相放大器内部振荡产生的交流电压信号加在自行定标的电阻两端来获得的，这样造成以下几个问题：1、定标电阻是自行人为选择的，容易造成测量的误差；2、在不同环境下，定标电阻的值可能会发生改变，导致无法得到恒定的交流电流源；3、每次测量过程中需要不同的测量电流时，就需要更换定标电阻，显著降低了测量的效率。
另外，光照都会对半导体的磁电输运特性产生明显的影响，而目前类似的磁电输运测量系统的样品大都是在封闭环境下进行测试的，无法研究光照对半导体样品输运特性的影响。
为了克服现有技术中直流电测量易产生诸多效应降低测量精度，交流电测量的效率低及未考虑光照对测量的影响等缺陷，提出了一种交流磁电输运测量系统。
发明内容
本发明提出了一种交流磁电输运测量系统，包括：信号生成采集单元、反应单元与主控单元；被测样品设置在所述反应单元内部，所述反应单元为所述被测样品提供可调节的温度、光照和磁场；所述信号生成采集单元向所述被测样品提供交流电流，在所述被测样品反应时所述信号生成采集单元采集所述被测样品两端的被测信号中与所述交流电流同相的信号分量，并且测量所述信号分量的电压；所述主控单元控制所述信号生成采集单元的所述交流电流的频率，控制所述反应单元的温度、光照和磁场的强度，并采集所述被测样品的数据，计算所述被测样品磁电输运能力。
本发明提出的交流磁电输运测量系统中，所述信号生成采集单元包括交流电流源、第一锁相放大器与第二锁相放大器；所述交流电流源向所述被测样品提供交流电流，并在所述主控单元的控制下调节所述交流电流的幅度与频率；所述第一锁相放大器与所述第二锁相放大器将所述交流电流源提供的所述交流电流作为参考，在采集所述被测样品两端的被测信号时，输出所述被测信号中与所述交流电流同相的信号分量，并且测量所述信号分量的电压。
本发明提出的交流磁电输运测量系统中，所述交流电流源生成与所述交流电流的相位相关的相位标记，第一锁相放大器和第二锁相放大器根据所述相位标记生成与所述交流电流同相的正弦信号作为参考。
本发明提出的交流磁电输运测量系统中，所述反应单元包括磁光低温磁场装置、光源、超导磁体电流源与温控仪；所述磁光低温磁场装置的样品仓中设有窗片、超导磁体与加热器，所述样品仓中容纳所述被测样品；所述光源透过所述窗片照射在所述被测样品上，所述超导磁体电源利用所述超导磁体在所述样品仓中形成磁场，所述温控仪利用所述加热器控制所述样品仓内的温度。在测量时，通过调节光照、磁场强度和/或温度中的一项或多项来改变被测样品所在的环境，从而测量在不同环境下被测样品的磁电输运能力。
本发明提出的交流磁电输运测量系统中，所述主控单元为具有Labview语言编写的用于自动测量的程序的装置。
本发明提出的交流磁电输运测量系统中，所述主控单元通过GPIB板卡与所述信号生成单元及所述反应单元连接，主控单元通过GPIB板卡(General-Purpose Interface Bus，通用接口总线)与交流电流源、第一锁相放大器、第二锁相放大器、超导磁体电流及温控仪连接及调控与反馈上述装置的工作状态。
本发明具有如下有益效果：
1、本发明交流磁电输运测量系统采用微小的交流电信号进行磁电输运测试，大大降低了噪声，提高了测量精度，并且能够研究不同交流信号频率对样品的输运特性影响。
2、本发明交流磁电输运测量系统使用单独的交流电源，能够更加方便地提供更加准确恒定的交流信号而无需根据不同电流大小的需要更换标定电阻。并且电流源具有的相位标记技术可以给锁相放大器提供更直接精确的参考信号。
3、整个测量过程可以由程序控制，在很宽频率、大范围温度和大范围磁场之下，全自动改变频率、改变温度以及改变磁场强度测量样品的各种电输运性质。测量数据经过程序内部的信号处理后得到所需参数，前面板实时显示测量曲线，结果自动保存成设定格式的电子文档。
4、本发明交流磁电输运测量系统的测量程序采用实时采集技术，相对其他输运系统测量方法，在速度上提高一个数量级以上，并且获得更加密集精确的数据点。
5、本发明交流磁电输运测量系统可以方便地研究不同光照对样品磁电输运特性的影响。并且样品与光源完全隔离，可以忽略光源发热对样品的影响。
附图说明
图1是本发明交流磁电输运测量系统的结构图。
图2是本发明中反应单元的结构示意图。
图3是被测样品的示意图。
图4是样品杆的示意图。
图5是交流电流源的相位标记的示意图。
图6是扫场测量过程的流程图。
图7是变温测量过程的流程图。
图8是变频测量过程的流程图。
图9是使用本发明系统测量得到的不同组分CuCrO2掺Mg样品的电导率的对数随温度变化的曲线。
图10是使用本发明系统测量得到的被测样品的载流子迁移率随温度变化的曲线。
具体实施方式
结合以下具体实施例和附图，对本发明作进一步的详细说明。实施本发明的过程、条件、实验方法等，除以下专门提及的内容之外，均为本领域的普遍知识和公知常识，本发明没有特别限制内容。
如图1所示，本发明交流磁电输运测量系统包括信号生成采集单元1、反应单元2与主控单元3，本发明用于测量被测样品4在不同频率的交流电流下的磁电输运能力。被测样品4设置在所述反应单元2内部，所述反应单元2为所述被测样品4提供可调节的温度、光照和磁场。所述信号生成采集单元1向所述被测样品4提供交流电流，在所述被测样品4反应时所述信号生成采集单元1采集所述被测样品4两端的被测信号中与所述交流电流同相的信号分量，并且测量所述信号分量的电压。所述主控单元3控制所述信号生成采集单元1的所述交流电流的频率，控制所述反应单元2的温度、光照和磁场的强度，并采集被测样品4的数据，计算被测样品4磁电输运能力。
本发明中的信号生成采集单元1包括交流电流源11、第一锁相放大器12与第二锁相放大器13。交流电流源11分别与第一锁相放大器12与第二锁相放大器13连接，第一锁相放大器12和第二锁相放大器13将其提供的交流电流作为参考信号，使得第一锁相放大器12和第二锁相放大器13只对被测样品4两端的被测信号中与参考信号同频(或者倍频)同相的分量有响应。因为被测信号中与参考信号同相的噪声分量较少，因此能够抑制被测信号中大多数无用的噪声分量，得到信噪比较高的信号分量，所以通过第一锁相放大器12和第二锁相放大器13能够精确测量测试被测样品4两端的电压。
其中，交流电流源11使用程控交流电源KEITHLEY6221，交流电流源11与被测样品4连接，在测量过程中给被测样品4提供恒定精确的交流电流。
其中，第一锁相放大器12和第二锁相放大器13使用先锋公司的SR830，其使用了相敏检测(PSD)技术，即使噪声高于信号数千倍，仍能精确测量低至nV级别的AC信号电压，第一锁相放大器12和第二锁相放大器13的测量频率范围是1mHz-102.4kHz。
进一步地，本发明中采用的交流电流源11是独立电流源，其可以更加方便地提供更加精确恒定的交流电源，并且其本身具有的相位标记技术可以给第一锁相放大器12和第二锁相放大器13提供更直接精确的参考信号。
如图5所示，交流电流源11具有Pinout输出接口，该输出接口中可选择1号至6号的其中一根引脚作为相位标记(Phase Mark)的输出端。将交流电流源11的Pinout输出口的PhaseMaker信号线与第一锁相放大器12和第二锁相放大器13的参考信号Ref相连。第一锁相放大器12和第二锁相放大器13内部的振荡器根据相位标记生成与交流电源同相的正弦信号，由于被测样品4上的电压跟电流源提供的交流信号频率相同，所以第一锁相放大器12和第二锁相放大器13就可以精确测量被测样品4的电压。
本发明的反应单元2包括磁光低温磁场装置21、光源22、超导磁体电流源23与温控仪24。如图2所示，所述磁光低温磁场装置21的样品仓211中设有窗片212、超导磁体213与加热器24，所述样品仓211中容纳所述被测样品4。所述光源22透过所述窗片212照射在所述被测样品4上，所述超导磁体电源23利用所述超导磁体213在所述样品仓211中形成磁场，所述温控仪24利用所述加热器214控制所述样品仓211内的温度。
其中，磁光低温磁场装置21采用牛津仪器的Spectromag SM4000，磁场范围可以达到0-10T，磁场强度变化速率可达1特斯拉/分钟，温度可设定在1.5K-300k之间。
超导磁体电流源23使用型号为IPS120电流源，其向超导磁体213提供电流，使得超导磁体213在样品仓211中形成磁场。超导磁体电流源23的励磁电流大小与磁场大小可通过设置一一对应，主控装置3可以通过控制超导磁体电流源23调节被测样品4所在环境的磁场强度。
温控仪24使用型号为ITC503温控设备。测量环境大多在低温环境下进行，磁光低温磁场装置21通过其上设有的制冷氦气针阀与液氦杜瓦25连接，能够控制进入样品仓211内部的液氦流量，同时通过温控仪24控制加热器214的加热量以达到控制样品仓211内温度的效果。
光源22根据测量的需要更换不同功率的光源，光源22发出的光线可以将通过窗片212射入到样品仓211内的被测样品4上，以研究不同光照对样品的磁电输运的影响。并且被测样品4与光源22完全隔离，可以忽略光源22发热对被测样品22的影响。
本发明中的主控单元3为计算机，通过以Labview语言撰写的测量程序，能够自动监测与控制反应单元2与信号生成采集单元1中各部件的工作情况，包括监测与调节温度、磁场强度等等，并可以反映被测样品4中需要测量的电压等数据，实现本发明交流磁电输运测量系统测量过程的自动化。
本发明的主控装置3所应用的测量程序能够进行各种仪器的初始化和参数设置，以及调用各种不同功能的子程序。各个功能具有相对应的按钮。打开和关闭任意子程序都是动态调用的，不会影响到其他任何程序的工作，所以主控装置3尤其适合多窗口操作。
本发明交流磁电输运测量系统的主控单元3与GPIB板卡5连接，通过GPIB板卡5提供的GPIB总线(General-Purpose Interface Bus，通用接口总线)分别与交流电流源11、第一锁相放大器12、第二锁相放大器13、超导磁体电流源23以及温控仪24连接并实现数据传输。
被测样品4所用的霍尔条样品一般可以制备成6引脚或者8引脚结构。如图3所示，以8引脚样品为例，测量纵向电阻Rxx(磁电阻)和Rxy(霍尔电阻)，电流源加在引脚5、引脚6两端，Rxx等于引脚1、引脚3之间的电压除以电流，Rxy为引脚2、引脚4之间的电压除以电流。由所测得的霍尔电阻Rxy可以推出载流子浓度nH和迁移率uH等数据以表征被测样品4的磁电输运能力。
更为具体地，在测量时将被测样品4设置在样品杆215的底部，从而探入磁光低温磁场装置21底部的样品仓211中。如图4所示，样品杆215内部的信号线分别与被测样品4的引脚以及加热器214)及温度传感器(未图示)相连接。样品杆215外部具有A、B、C三个fischer连接头，每个连接头内部有10根信号线，每根信号线都通过转换信号线14引出到对应的BNC信号线，分别连接到交流电流源11、第一锁相放大器12和第二锁相放大器13对应的接口上。
实施例1：扫场测量
图6显示的是扫场测量过程的流程图。首先将本发明交流磁电输运测量系统按上述方式连接之后，关闭光源。主控装置3设置本次测量的起始温度与终止温度，并且控制超导磁体电流源23向超导磁体213通入电流进行励磁，在样品仓211内部形成指定磁场强度的磁场。主控装置3通过温控仪24控制加热器214的加热量和液氦的流量使得样品仓211的温度逐步调节至设置的起始温度。样品仓211内的温度通过设置在样品架215上的温度传感器进行实时监测。
当样品仓211内的温度以及磁场稳定至设定值时，主控装置3通过控制超导磁体电流源23的电流大小来改变超导磁体213的磁场大小，同时主控装置3读取第一锁相放大器12和第二锁相放大器13上由转换信号线14传输而来的被测样品4的电压，进而根据交流电流的电流值计算出被测样品4的纵向电阻与横向电阻。主控装置3内部创建存储相关数据的空间，建立温度、纵向电阻、横向电阻三条数据阵列，在改变磁场的同时每隔一段时间采集被测样品4的纵向电阻与横向电阻并记录在数据阵列中。直到磁场大小达到终止磁场时停止测量，主控装置3将数据阵列中的各项数据绘成数值曲线供用户参考。
最后，结束本次扫场测量时，主控装置3将释放存放数据阵列的空间，并停止超导磁体电流源23向超导磁体213输送电流，使磁场强度变为0，确保测试人员安全，样品仓211内部的温度继续由温控仪控制保持在所需温度。
若需要研究光对样品变磁场特性的影响，则打开光源，将上述步骤重复一次，结果与关闭光源的情况进行对比分析。可根据需要使用不同光源用来研究不同光源对样品的影响。
实施例2：变温测量
图7显示的是变温测量过程的流程图。首先将本发明交流磁电输运测量系统按上述方式连接之后，主控装置3设置本次测量的起始温度与终止温度，并且控制超导磁体电流源23向超导磁体213通入电流进行励磁，在样品仓211内部形成指定磁场强度的磁场。主控装置3通过温控仪24控制加热器214的加热量和液氦的流量使得样品仓211的温度逐步调节至设置的起始温度。样品仓211内的温度通过设置在样品架215上的温度传感器进行实时监测。
当样品仓211内的温度稳定至起始温度时，主控装置3通过温控仪24根据PID原理调节加热器214的加热量和制冷液氦的流量，逐渐改变样品仓211内部的温度，同时主控装置3读取第一锁相放大器12和第二锁相放大器13上由转换信号线14传输而来的被测样品4的电压，进而根据交流电流的电流值计算出被测样品4的纵向电阻与横向电阻。主控装置3内部创建存储相关数据的空间，建立温度、纵向电阻与横向电阻数据阵列，在改变温度的同时每隔一段时间采集被测样品4的纵向电阻、横向电阻并记录在数据阵列中。直到样品仓211的温度达到终止温度时停止测量，主控装置3对数据阵列中的数据进行计算，得到被测样品的霍尔迁移率、霍尔系数等结果，本实施例计算结果如表1所示，主控装置3还将计算结果绘成数值曲线供用户参考。
表1变温测量数据计算结果表
由于主控单元3的采用Labview编写的测量程序采用了生产者、消费者循环结构，该结构使得测量时不需要设定某一具体的温度点，而是随着温度的改变，程序不断地自动采集当前温度点和该温度点下的测量数据。这样样品仓211内部的温度只需从起始温度点一直改变到终止温度点一次变温即可获取所有数据。目前现有的测量方法，如范德堡变温测量等，都需要等到具体设定的某一温度点接近稳定才能进行测量，而现有的温控手段一般都是采用PID调节，需要在温度点附近反复地振荡，温度稳定时间非常慢，甚至还存在变温输运测量都是靠手动改变温度。本发明交流磁电输运测量系统的全自动变温输运测量方法相比现有方法在速度方面有了极大的提高，而且本发明交流磁电输运测量系统所获得的数据点是非常密集的，杜绝遗漏测量某一温度点下的数据的可能性。后续数据处理过程中可以挑选任意需要的温度点下的测量数据进行分析。
最后，结束本次变温测量时，主控装置3将释放存放数据阵列的空间，并停止超导磁体电流源23向超导磁体213输送电流，使磁场强度变为0，确保测试人员安全，样品仓211内部的温度继续由温控仪控制保持在所需温度。
图9显示的是使用本发明系统测量得到的不同组分CuCr1-xMgxO2薄膜样品的电导率的对数随温度变化的曲线。示例1是Mg掺杂比例x＝0.12的样品，示例2是Mg掺杂比例x＝0.06的样品，示例3是Mg掺杂比例x＝0.02的样品。从图9中可看出样品的电导率随温度的降低而升高，这符合半导体材料的基本特性。lnδ与1/T在高温区呈线性关系，说明高温区该样品的电输运特性为半导体热激活模式；当温度下降某一转折点时，lnδ将与1/T1/4成正比，这说明低温范围内的电输运机制是三维活性跃迁机制。从图9中还能够看出，随着Mg掺杂比例x的增大，同一温度下的电导率升高，并且电输运机制的转折点逐渐向低温区偏移。本发明交流磁电输运测量系统的测量结果满足物理定律，说明本发明能够测量磁电输运能力。
图10显示的是使用本发明系统测量得到的不同组分CuCr1-xMgxO2薄膜样品的载流子迁移率随温度变化的曲线。示例1是Mg掺杂比例x＝0.02的样品，示例2是Mg掺杂比例x＝0.06的样品，示例3是Mg掺杂比例x＝0.10的样品。从图中可以看出，当x＝0.02时，样品掺杂较轻，迁移率随温度升高而降低，原因是晶格振动散射较早起作用。当x＝0.06和x＝0.10时，样品掺杂较重，迁移率随温度升高而升高，原因是电离杂质散射起主要作用。从图10中还可以看出，即使样品的迁移率非常小，本发明交流磁电输运测量系统也能够精确地探测到。
若需要研究光对样品变温特性的影响，则打开光源，将上述步骤重复一次，结果与关闭光源的情况进行对比分析。可根据需要使用不同光源用来研究不同光源对样品的影响。
实施例3：变频测量
图8显示的是变频测量过程的流程图。首先将本发明交流磁电输运测量系统按上述方式连接之后，主控装置3设置本次测量的温度、磁场大小，并事先设置好需要测量的频率点数组；控制超导磁体电流源23向超导磁体213通入电流进行励磁，在样品仓211内部形成指定磁场强度的磁场。主控装置3通过温控仪24控制加热器214的加热量和液氦的流量使得样品仓211的温度逐步调节至设置的起始温度。样品仓211内的温度通过设置在样品架215上的温度传感器进行实时监测。
当样品仓211内的温度稳定至指定温度时，主控装置3索引交流电流源211的频率，并且设置交流电流的频率后，通过交流电流源211生成该频率的交流电流，等待第一锁相放大器12和第二锁相放大器13锁相成功后，主控装置3读取第一锁相放大器12和第二锁相放大器13上由转换信号线14传输而来的被测样品4的电压，进而根据交流电流的电流值计算出被测样品的纵向电阻和横向电阻。主控装置3内部创建存储相关数据的空间，建立频率、纵向电阻与横向电阻数据阵列，将采集到的被测样品4的纵向电阻、横向电阻并记录在数据阵列中。然后程序自动改变交流电频率数组索引，使交流电流的频率改变到下一频率点，待第一锁相放大器12和第二锁相放大器13锁相成功后再测量被测样品4的数据。根据上述步骤循环测量被测样品4的数据，直到交流电流的频率达到测量所需的最后一个频率时停止测量，主控装置3对数据阵列中的数据进行计算。主控装置3还将计算结果绘成数值曲线供用户参考。
最后，结束本次变频测量时，主控装置3将释放存放数据阵列的空间，并停止超导磁体电流源23向超导磁体213输送电流，使磁场强度变为0，确保测试人员安全，样品仓211内部的温度继续由温控仪控制保持在所需温度。
若需要研究光对样品变信号频率特性的影响，则打开光源，将上述步骤重复一次，结果与关闭光源的情况进行对比分析。可根据需要使用不同光源用来研究不同光源对样品的影响。
本发明的保护内容不局限于以上实施例。在不背离发明构思的精神和范围下，本领域技术人员能够想到的变化和优点都被包括在本发明中，并且以所附的权利要求书为保护范围。

Claims (6)

1.一种交流磁电输运测量系统，其特征在于，包括：信号生成采集单元(1)、反应单元(2)与主控单元(3)；
被测样品(4)设置在所述反应单元(2)内部，所述反应单元(2)为所述被测样品(4)提供可调节的温度、光照和磁场；
所述信号生成采集单元(1)向所述被测样品(4)提供交流电流，在所述被测样品(4)反应时所述信号生成采集单元(1)采集所述被测样品(4)两端的被测信号中与所述交流电流同相的信号分量，并且测量所述信号分量的电压；
所述主控单元(3)控制所述信号生成采集单元(1)的所述交流电流的频率，控制所述反应单元(2)的温度、光照和磁场的强度，并采集所述被测样品(4)的数据，计算所述被测样品(4)磁电输运能力。
2.如权利要求1所述交流磁电输运测量系统，其特征在于，所述信号生成采集单元(1)包括交流电流源(11)、第一锁相放大器(12)与第二锁相放大器(13)；
所述交流电流源(11)向所述被测样品(4)提供交流电流，并在所述主控单元(3)的控制下调节所述交流电流的幅度与频率；
所述第一锁相放大器(12)与所述第二锁相放大器(13)将所述交流电流源(11)提供的所述交流电流作为参考，在采集所述被测样品(4)两端的被测信号时，输出所述被测信号中与所述交流电流同相的信号分量，并且测量所述信号分量的电压。
3.如权利要求2所述的交流磁电输运测量系统，其特征在于，所述交流电流源(11)生成与所述交流电流的相位相关的相位标记，第一锁相放大器(12)和第二锁相放大器(13)根据所述相位标记生成与所述交流电流同相的正弦信号作为参考。
4.如权利要求1所述的交流电输运测量系统，其特征在于，所述反应单元(2)包括磁光低温磁场装置(21)、光源(22)、超导磁体电流源(23)与温控仪(24)；
所述磁光低温磁场装置(21)的样品仓(211)中设有窗片(212)、超导磁体(213)与加热器(214)，所述样品仓(211)中容纳所述被测样品(4)；
所述光源(22)透过所述窗片(212)照射在所述被测样品(4)上，所述超导磁体电源(23)利用所述超导磁体(213)在所述样品仓(211)中形成磁场，所述温控仪(24)利用所述加热器(214)控制所述样品仓(211)内的温度。
5.如权利要求1所述的交流电输运测量系统，其特征在于，所述主控单元(3)为具有Labview语言编写的用于自动测量的程序的装置。
6.如权利要求1所述的交流电输运测量系统，其特征在于，所述主控单元(3)通过GPIB板卡(5)与所述信号生成单元(1)及所述反映单元(2)连接。
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