CN104361904A - 非易失性存储器的销毁装置 - Google Patents
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- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims abstract description 9
- 230000006378 damage Effects 0.000 claims description 188
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 20
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 14
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 14
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 13
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 claims description 13
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 claims description 13
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 12
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 3
- GOLXNESZZPUPJE-UHFFFAOYSA-N spiromesifen Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C)=C1C(C(O1)=O)=C(OC(=O)CC(C)(C)C)C11CCCC1 GOLXNESZZPUPJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 11
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000003044 adaptive effect Effects 0.000 description 3
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 1
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 1
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Abstract
本发明公开了一种非易失性存储器的销毁装置。销毁装置的销毁主控单元接收到销毁指令时，依次开启至少一个通道开关，控制供电隔离单元隔离正常工作电压，记录销毁电流的初始值，并在输出电压不是销毁高压时，控制升压单元对低压供电单元提供的预置电压进行升压，控制供电隔离单元将升压后的预置电压输入依次开启的通道开关，或在输出电压是销毁高压时，控制供电隔离单元将销毁高压输入依次开启的通道开关，并在开启每一通道开关时监测销毁电流，若销毁电流从初始值上升至预设的门限值或从初始值下降至零，判定所开启的通道开关连接的相应非易失性存储介质销毁成功。本发明能够自适应控制销毁功耗来可靠且安全地销毁不同种类的存储介质。
Description
技术领域
本发明涉及数据信息安全领域，尤其是一种非易失性存储器的销毁装置。
背景技术
非易失性存储器(Non-volatile memory)主要由或非闪存(NOR Flash)、与非闪存(NAND Flash)、磁阻随机存储器(MRAM，Magnetic Random AccessMemory)、铁电存储器(FRAM或FeRAM，Ferroelectric Random Access Memory)或相变存储器(PCM，Phase-change memory；或PCRAM、PRAM，Phase-changeRandom Access memory)等构成。这些非易失性存储介质掉电后，数据不会丢失，即都具有数据非易失性。
非易失性存储器中存放的敏感数据的安全性越来越受重视。特别是在政府、军队、科研机构和企业，机密数据一旦泄漏，带来的损失极大，所以数据销毁技术应运而生。数据销毁技术主要分为软销毁和硬销毁技术。软销毁技术的原理是擦除或重写非易失性存储器中的存储单元，数据销毁速度较慢，且随着数据存储容量的增加，销毁时间也线性增加，而且数据软销毁后，通过一定的技术手段可能恢复出数据。硬销毁，也称为物理销毁，基本原理是利用高压击穿非易失性存储器，造成物理损坏，销毁速度快，数据彻底不能恢复，属于高安全级别的数据销毁方式。
目前的硬销毁技术通常采用的手段是向非易失性存储器施加固定时间和次数的高压，来达到烧毁非易失性存储器的目的。然而，本发明的发明人经过长期研发发现：一、不同的非易失性存储介质因为制造工艺和型号不同，有的在击穿时呈现开路状态，有的在击穿时呈现短路状态，甚至同批次同类型的非易失性存储介质也会概率性出现上述情况，现有硬销毁技术的通用性和可靠性较差；二，不同的非易失性存储介质供电电压也不同，一般为1.8V、2.5V和3.3V，现有的硬销毁技术在销毁非易失性存储介质时无法自适应销毁电压和销毁高压断开时机，从而无法控制销毁功耗，对供电系统的供电能力要求较高，实用性较差；三、有的非易失性存储器包括多个非易失性存储介质，现有的硬销毁技术在同时销毁多个非易失性存储介质时，先销毁的非易失性存储介质会旁路掉销毁电流，造成其他非易失性存储介质不能彻底烧毁；四、有的非易失性存储器与其控制器相连，现有的硬销毁技术如果意外烧毁控制器，那么控制器就会旁路掉大电流，导致非易失性存储介质无法销毁；五、在不同的应用场合，现有硬销毁技术存在安全性问题，安全性问题包括误触发以及高压隔离，如果在销毁过程中或销毁后无法与外部系统(如电源网络)进行高压隔离，会影响其他系统的正常工作，以及如果在不需要销毁数据的时候，由于误触发重要数据却被错误销毁或者损坏其他系统，会造成巨大损失。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是：针对上述存在的问题，提供一种非易失性存储器的销毁装置，能够自适应控制销毁功耗来可靠且安全地销毁不同种类的存储介质。
本发明采用的技术方案是：提供一种非易失性存储器的销毁装置，所述非易失性存储器包括至少一个非易失性存储介质，所述销毁装置包括至少一个通道开关、销毁主控单元、电流检测单元、电压检测单元、低压供电单元、高压供电单元、升压单元和供电隔离单元，其中：所述至少一个通道开关分别与至少一个非易失性存储介质连接，所述升压单元与低压供电单元连接，所述电流检测单元与升压单元、高压供电单元、供电隔离单元和销毁主控单元连接，所述高压供电单元用于接收外部输入的销毁高压，所述电流检测单元用于检测升压单元或高压供电单元的销毁电流；所述电压检测单元与电流检测单元和销毁主控单元连接，用于检测电流检测单元的输出电压；所述供电隔离单元与至少一个通道开关连接，用于接收外部的正常工作电压或者所述输出电压；所述销毁主控单元与升压单元和供电隔离单元连接，用于在接收到销毁指令时，依次开启至少一个通道开关，控制供电隔离单元隔离所述正常工作电压，记录所述销毁电流的初始值，并在所述输出电压不是所述销毁高压时，控制所述升压单元对低压供电单元提供的预置电压进行升压，并控制供电隔离单元将所述升压后的预置电压输入依次开启的通道开关，或者在所述输出电压是所述销毁高压时，控制供电隔离单元将所述销毁高压输入依次开启的通道开关，并且在开启每一通道开关时监测所述销毁电流，若监测到所述销毁电流从所述初始值上升至预设的门限值或者从所述初始值下降至零，则判定相应的非易失性存储介质销毁成功。
优选地，所述销毁主控单元还用于在监测到所述销毁电流保持所述初始值超过预定时间，则判定所述非易失性存储介质销毁失败，并在所述输出电压不是所述销毁高压时，控制所述升压单元对所述预置电压继续进行升压，或者在所述输出电压是所述销毁高压时，控制所述升压单元对所述预置电压进行升压，以对所述销毁高压进行补偿。
优选地，所述销毁主控单元还用于在接收到所述销毁指令时，通过设置销毁标记来记录至少一个非易失性存储介质的销毁进度。
优选地，所述销毁主控单元还用于在接收到所述销毁指令之前，根据已设置的销毁标记来检查销毁进度，其中：如果所述销毁进度为未开始销毁所述至少一个非易失性存储介质，所述销毁主控单元进入低功耗状态，并消除所述销毁标记，以等待接收销毁指令；如果所述销毁进度为已开始销毁但未全部销毁所述至少一个非易失性存储介质，所述销毁主控单元继续对所述至少一个非易失性存储介质进行销毁；如果所述销毁进度为已完全销毁所述至少一个非易失性存储介质，所述销毁主控单元进入低功耗状态，并消除所述销毁标记，同时控制供电隔离单元隔离所述正常工作电压。
优选地，所述销毁装置还包括滤波放大单元和模数转换单元，所述模数转换单元与销毁主控单元和滤波放大单元连接，所述滤波放大单元与电流检测单元连接，所述滤波放大单元用于对所述电流检测单元检测的销毁电流进行低通滤波和幅值放大，所述模数转换单元用于对所述销毁电流进行模数转换后送入所述销毁主控单元。
优选地，所述销毁装置还包括高压隔离单元、本地指令单元和指令触发单元，所述高压隔离单元与所述销毁主控单元连接，所述本地指令单元和指令触发单元与所述高压隔离单元连接，所述本地指令单元用于根据预设策略产生销毁指令，并将所述销毁指令发送至销毁主控单元，所述指令触发单元用于接收外部的销毁指令，并将所述销毁指令发送至销毁主控单元。
优选地，所述销毁装置还包括静电保护单元和防抖单元，所述静电保护单元与指令触发单元和防抖单元连接，所述防抖单元与销毁主控单元连接，所述静电保护单元用于防止从所述指令触发单元串入静电，所述防抖单元用于减少或消除指令触发单元发送销毁指令时产生的信号抖动。
优选地，所述销毁装置还包括保险单元，所述保险单元与静电保护单元、低压供电单元和高压供电单元连接，所述保险单元用于在接收到保险信号时，切断所述低压供电单元和高压供电单元的供电，同时禁止本地指令单元和指令触发单元发送销毁指令。
优选地，所述低压供电单元和所述高压供电单元还用于限制销毁电流的最大值。
优选地，所述销毁主控单元采用单片机、FPGA、CPLD或CPU。
综上所述，由于采用了上述技术方案，本发明的有益效果是：通过销毁主控单元来控制升压或者采用外部的销毁高压，并监测销毁电流来确定是否成功销毁非易失性存储介质，从而能够自适应控制销毁功耗来可靠且安全地销毁不同种类的存储介质，可以提高销毁装置的通用性，可以有效降低对供电系统的供电能力要求，提高实用性，进一步地，在销毁装置可靠性方面，通过隔离外部正常工作电压以及销毁高压，可以保护销毁控制电路或非销毁控制电路不被销毁高压意外损坏以及避免影响外部系统，而在销毁装置安全性方面，通过监测销毁电流可以保证非易失性存储介质彻底销毁，并且通过保险单元以及防抖单元，可以销毁装置被误触发，减少损失。
附图说明
本发明将通过例子并参照附图的方式说明，其中：
图1是本发明非易失性存储器的销毁装置一实施例的硬件结构示意图。
图2是本发明非易失性存储器的销毁装置工作时的流程示意图。
具体实施方式
本说明书中公开的所有特征，或公开的所有方法或过程中的步骤，除了互相排斥的特征和/或步骤以外，均可以以任何方式组合。
本说明书中公开的任一特征，除非特别叙述，均可被其他等效或具有类似目的的替代特征加以替换。即，除非特别叙述，每个特征只是一系列等效或类似特征中的一个例子而已。
如图1所示，是本发明非易失性存储器的销毁装置一实施例的硬件结构示意图。非易失性存储器2包括至少一个非易失性存储介质。本实施例的销毁装置1包括销毁主控单元101、至少一个通道开关102、供电隔离单元103、升压单元104、低压供电单元105、高压供电单元106、电流检测单元107、电压检测单元108和滤波放大单元109。可选地，销毁装置1进一步包括高压隔离单元111、本地指令单元112、指令触发单元113、静电保护单元114、防抖单元115和保险单元116。
至少一个通道开关102分别与至少一个非易失性存储介质连接，升压单元104与低压供电单元105连接，电流检测单元107与升压单元104、高压供电单元106、供电隔离单元103和销毁主控单元101连接。高压供电单元106用于接收外部输入的销毁高压，电流检测单元107用于检测升压单元104或高压供电单元106的销毁电流。其中，通道开关102的数量与非易失性存储介质的数量相同。通道开关102为非易失性存储介质提供供电通道，可以关闭或打开供电通道。低压供电单元105用于提供预置电压，该预置电压可以是销毁装置1内置的电源输入至低压供电单元105，该内置的电源可以是开关电源或线性电源。升压单元104用于对低压供电单元105提供的预置电压进行升压，也就是将低压直流电压升压为销毁高压。销毁高压可以是直流电压也可以是交流电压。如果销毁高压从外部输入，则销毁高压输入至高压供电单元106，由高压供电单元106提供销毁高压。高压供电单元106和低压供电单元105可以同时输出销毁高压，也可以择一输出销毁高压。电流检测单元107检测销毁高压伴随的销毁电流，检测结果送入销毁主控单元101，以及将销毁高压输出至供电隔离单元103。
在本实施例中，低压供电单元105和高压供电单元106还用于限制销毁电流的最大值。
电压检测单元108与电流检测单元107和销毁主控单元101连接，用于检测电流检测单元107的输出电压；供电隔离单元103与至少一个通道开关102连接，用于接收外部的正常工作电压或者输出电压。其中，电压检测单元108对电流检测单元107的输出电压进行电压检测，也就是对检测是否从外部输入有销毁高压。应当注意的是，升压单元104只在销毁开始后才可能启动，所以电压检测单元108检测到的电压只有低电压(可以为零)或者高压供电单元106所输出的从外部接收到的销毁高压。供电隔离单元103可以接收电流检测单元107输出的电压，也可以接收外部输入的正常工作电压，非易失性存储介质接通正常工作电压时进行正常的存储行为，而在接通销毁高压时会被销毁。
销毁主控单元101与升压单元104和供电隔离单元103连接，用于在接收到销毁指令时，依次开启至少一个通道开关102，控制供电隔离单元103隔离正常工作电压，记录销毁电流的初始值，并在输出电压不是销毁高压时，控制升压单元104对低压供电单元105提供的预置电压进行升压，并控制供电隔离单元103将升压后的预置电压输入依次开启的通道开关102，或者在输出电压是销毁高压时，控制供电隔离单元103将销毁高压输入依次开启的通道开关102，并且在开启每一通道开关102时监测销毁电流，若监测到销毁电流从初始值上升至预设的门限值或者从初始值下降至零，则判定相应的非易失性存储介质销毁成功。在本实施例中，销毁主控单元101采用单片机、FPGA(Field－Programmable Gate Array，现场可编程门阵列)、CPLD(ComplexProgrammable Logic Device，复杂可编程逻辑器件)或CPU(CentralProcessing Unit，中央处理器)。
其中，供电隔离单元103隔离外部的正常工作电压后，非易失性存储介质停止工作。销毁主控单元101通过电流检测单元107记录销毁电流的初始值，并通过电压检测单元108判断电流检测单元107的输出电压是否为销毁高压，具体地，销毁主控单元101可以设置一个电压阈值，如果高压供电单元106从外部接收销毁高压，并经由电流检测单元107输出，那么销毁主控单元101判断输出电压高于电压阈值，则得出输出电压是销毁高压的结果，如果高压供电单元106没有接收到销毁高压，那么销毁主控单元101判断输出电压低于电压阈值，则得出输出电压不是销毁高压的结果，
输出电压不是销毁高压时，需要通过升压单元104对预置电压进行升压，升压单元104可以采用一个预置的升压参数来对预置电压进行升压。然后电流检测单元107将升压后的预置电压送入供电隔离单元103，销毁主控单元101控制供电隔离单元103将预置电压输入依次开启的通道开关102，从而对相应的非易失性存储介质进行销毁。输出电压是销毁高压时，销毁主控单元101直接控制供电隔离单元103将销毁高压输入依次开启的通道开关102，从而对相应的非易失性存储介质进行销毁。考虑到不同种类的非易失性存储介质的制造工艺和型号的不同，存在非易失性存储介质呈现开路状态和短路状态的情形，因此销毁主控单元101在开启每个通道开关102时，实时监测电流检测单元107检测到的销毁电流，如果销毁电流从初始值上升至预设的门限值，说明非易失性存储介质呈现销毁后呈现短路状态，或者如果销毁电流从初始值下降至零，说明非易失性存储介质呈现销毁后呈现开路状态，都可以判定非易失性存储介质销毁成功。
通过本实施例的销毁装置，采用至少一个通道开关来对不同的非易失性存储介质进行销毁，销毁过程中根据电压检测单元的检测结果来决定是否升压或者采用外部的销毁高压，并监测销毁电流来确定是否成功销毁非易失性存储介质，从而能够自适应控制销毁功耗来可靠且安全地销毁不同种类的存储介质，可以提高销毁装置的通用性，可以有效降低对供电供电系统的供电能力要求，提高实用性。
在本实施例中，销毁主控单元101还用于在监测到销毁电流保持初始值超过预定时间，则判定非易失性存储介质销毁失败，并在输出电压不是销毁高压时，控制升压单元104对预置电压继续进行升压，或者在输出电压是销毁高压时，控制升压单元104对预置电压进行升压，以对销毁高压进行补偿。其中，考虑到不同非易失性存储介质具有不同的供电电压，所以相同的销毁高压也许能够销毁一些非易失性存储介质，却无法完全销毁另一些非易失性存储介质。如果非易失性存储介质接通销毁高压后没有被销毁，那么销毁电流会保持初始值，如果初始值保持超过预定时间，说明销毁失败，销毁主控单元101需要进行销毁功率控制，具体为：当采用外部的销毁高压时，说明外部的销毁高压动率不够，则启动升压单元104对预置电压进行升压后，对外部的销毁高压进行补偿，以增加销毁功率，升压时间直至销毁电流从初始值上升至预设的门限值或者从初始值下降至零为止；当采用预置电压而没有外部的销毁高压时，对预置电压继续进行升压，可以改变升压参数来增加升压后的预置电压的功率，升压时间直至销毁电流从初始值上升至预设的门限值或者从初始值下降至零为止。通过进行功率控制，可以确保非易失性存储介质一定能够被销毁，可以提高销毁装置的可靠性。
销毁主控单元101还用于在接收到销毁指令时，通过设置销毁标记来记录至少一个非易失性存储介质的销毁进度，并在接收到销毁指令之前，根据已设置的销毁标记来检查销毁进度，其中：如果销毁进度为未开始销毁至少一个非易失性存储介质，销毁主控单元101进入低功耗状态，并消除销毁标记，以等待接收销毁指令；如果销毁进度为已开始销毁但未全部销毁至少一个非易失性存储介质，销毁主控单元101继续对至少一个非易失性存储介质进行销毁；如果销毁进度为已完全销毁至少一个非易失性存储介质，销毁主控单元101进入低功耗状态，并消除销毁标记，同时控制供电隔离单元103隔离正常工作电压。其中，设置销毁标记是为了预防在销毁时外部供电丢失，导致销毁不完全的情况，利用销毁标记可以实现重新上电后继续进行销毁。销毁过程与前述的销毁过程一致，此处不再赘述。销毁标记可以写在销毁主控单元101的内部或外部的非易失存储介质的标记存储区中。如果已完全销毁至少一个非易失性存储介质，需要供电隔离单元103断开与外部系统的接入，防止造成外部系统短路，实现故障隔离。
模数转换单元110与销毁主控单元101和滤波放大单元109连接，滤波放大单元109与电流检测单元107连接。滤波放大单元109用于对电流检测单元107检测的销毁电流进行低通滤波和幅值放大，模数转换单元110用于对销毁电流进行模数转换后送入销毁主控单元101。在其他一些实施例中，如果销毁主控单元101集成有模数转换功能，则模数转换单元110是可省略的。
高压隔离单元111与销毁主控单元101连接，本地指令单元112和指令触发单元113与高压隔离单元111连接。所述高压隔离单元用于隔离销毁主控单元101外部或内部产生的高电压销毁主控单元101接收销毁指令的方式有两种。一种是本地指令单元112根据预设策略产生销毁指令，并将销毁指令发送至销毁主控单元101；另一种是指令触发单元113接收外部的销毁指令，并将销毁指令发送至销毁主控单元101。也就是说，销毁指令可以由内部产生或者外部输入，可以是自定义的命令格式。支持外部输入的类型有：外部硬件开关触发，外部控制系统的命令触发。硬件开关触发支持高电平触发或低电平触发。
高压隔离单元111用于隔离销毁主控单元101外部或内部产生的高电压，可以防止系统中非销毁控制电路被高压击穿而损坏非销毁控制电路，也防止高压串入到外部系统中，损坏其他系统。
进一步地，静电保护单元114与指令触发单元113和防抖单元115连接，防抖单元115与销毁主控单元101连接，静电保护单元114用于防止从指令触发单元113串入静电，防抖单元115用于减少或消除指令触发单元113发送销毁指令时产生的信号抖动，从而防止无触发销毁指令，提高可靠性。
保险单元116与静电保护单元114、低压供电单元105和高压供电单元106连接，保险单元116用于在接收到保险信号时，切断低压供电单元115和高压供电单元106的供电，同时禁止本地指令单元112和指令触发单元113发送销毁指令。保险信号可以定义为高电平有效或者低电平有效，通过保险单元116可以彻底避免误触发启动销毁。静电保护单元114还用于防止从保险单元116串入静电。
在一些应用场景中，销毁装置1还包括状态指示单元117。状态指示单元117与静电保护单元114连接。销毁主控单元101可以在销毁过程中控制状态指示单元117进行状态提示，例如点亮不同颜色的发光二极管或让发光二极管按不同方式闪烁来表明销毁状态。指示的销毁状态有：启动自检通过、启动自检失败、保险启用、保险关闭、销毁中、销毁成功、销毁失败等。
下面将介绍本实施例的销毁装置1工作时的具体流程，如图2所示：
步骤S1：销毁主控单元进行上电自检。
上电自检可以检查销毁装置的运行环境是否正常，防止误触发。上电自检的步骤包括：完整性检查；GPIO(General Purpose Input Output，通用输入输出)管脚当前状态检查；保险单元状态检查；销毁电流检查。这些步骤可以任意调整顺序。并且上述任一步检查不通过，则驱动状态指示单元117指示上电自检失败。
步骤S2：销毁主控单元根据已设置的销毁标记来检查销毁进度。
上电自检通过后，销毁主控单元读取已设置的销毁标记。然后通过CRC(Cyclic Redundancy Check，循环冗余校验码)校验或奇偶校验方式进行销毁标记的完整性检查。若完整性检查不通过，则不信任销毁标记，销毁主控单元进入低功耗状态，并等待接收销毁指令。低功耗状态为关闭所有与销毁控制无关的电路，降低待机功耗。若完整性检查通过，则检查销毁进度。针对不同销毁进度执行不同操作，具体为：如果销毁进度为未开始销毁至少一个非易失性存储介质，销毁主控单元进入低功耗状态，并消除销毁标记，以等待接收销毁指令；如果销毁进度为已开始销毁但未全部销毁至少一个非易失性存储介质，销毁主控单元继续对至少一个非易失性存储介质进行销毁；如果销毁进度为已完全销毁至少一个非易失性存储介质，销毁主控单元进入低功耗状态，并消除销毁标记，同时控制供电隔离单元隔离正常工作电压和控制高压隔离单元隔离销毁高压。其中，销毁进度为已开始销毁但未全部销毁至少一个非易失性存储介质包括已开始销毁但未销毁任何非易失性存储介质和已开始销毁但剩余一定数量的通道开关还未开启。如果是已开始销毁但未销毁任何非易失性存储介质，此时从依次开启至少一个通道开关进行销毁；如果是已开始销毁但剩余一定数量的通道开关还未开启，则依次开启剩余的通道开关进行销毁。
步骤S3：销毁主控单元检测指令触发单元或本地指令单元是否触发销毁指令，如果触发销毁指令，进行步骤4。
步骤S4：销毁主控单元检测保险单元是否输出保险信号，如果没有输出保险信号，进行步骤5，否则重复步骤3。
步骤S5：销毁主控单元设置销毁标记。
步骤S6：销毁主控单元依次开启至少一个通道开关，控制供电隔离单元隔离正常工作电压。
步骤S7：销毁主控单元检测电流检测单元的输出电压是否为销毁高压，如果输出电压不是销毁高压，进行步骤S8，否则进行步骤S9。
步骤S8：销毁主控单元控制升压单元对低压供电单元提供的预置电压进行升压，并控制供电隔离单元将升压后的预置电压输入依次开启的通道开关。
步骤S9：销毁主控单元控制供电隔离单元将销毁高压输入依次开启的通道开关。
步骤S10：销毁主控单元在开启每一通道开关时监测销毁电流。
步骤S11：如果监测到销毁电流从初始值上升至预设的门限值或者从初始值下降至零，销毁主控单元判定相应的非易失性存储介质销毁成功。
步骤S12：如果监测到销毁电流保持初始值超过预定时间，销毁主控单元判定非易失性存储介质销毁失败，进行步骤S13或S14。
步骤S13：销毁主控单元控制升压单元对预置电压继续进行升压。
步骤S14：销毁主控单元控制升压单元对预置电压进行升压，以对销毁高压进行补偿。
步骤S15：销毁主控单元判断至少一个通道开关的销毁次数是否达到预定次数，如果达到预定次数，进行步骤S16，否则重新进行步骤S6。
步骤S16：销毁主控单元关闭升压单元。
其中，销毁主控单元驱动状态显示单元指示销毁成功。
步骤S17：销毁主控单元控制高压隔离单元和供电隔离单元断开与外部系统的连接。
其中，销毁主控单元再次上电时，仍然控制高压隔离单元和供电隔离单元断开与外部系统的连接。
本发明并不局限于前述的具体实施方式。本发明扩展到任何在本说明书中披露的新特征或任何新的组合，以及披露的任一新的方法或过程的步骤或任何新的组合。
Claims (10)
1.一种非易失性存储器的销毁装置，所述非易失性存储器包括至少一个非易失性存储介质，其特征在于，所述销毁装置包括至少一个通道开关、销毁主控单元、电流检测单元、电压检测单元、低压供电单元、高压供电单元、升压单元和供电隔离单元，其中：
所述至少一个通道开关分别与至少一个非易失性存储介质连接，所述升压单元与低压供电单元连接，所述电流检测单元与升压单元、高压供电单元、供电隔离单元和销毁主控单元连接，所述高压供电单元用于接收外部输入的销毁高压，所述电流检测单元用于检测升压单元或高压供电单元的销毁电流；
所述电压检测单元与电流检测单元和销毁主控单元连接，用于检测电流检测单元的输出电压；所述供电隔离单元与至少一个通道开关连接，用于接收外部的正常工作电压或者所述输出电压；
所述销毁主控单元与升压单元和供电隔离单元连接，用于在接收到销毁指令时，依次开启至少一个通道开关，控制供电隔离单元隔离所述正常工作电压，记录所述销毁电流的初始值，并在所述输出电压不是所述销毁高压时，控制所述升压单元对低压供电单元提供的预置电压进行升压，并控制供电隔离单元将所述升压后的预置电压输入依次开启的通道开关，或者在所述输出电压是所述销毁高压时，控制供电隔离单元将所述销毁高压输入依次开启的通道开关，并且在开启每一通道开关时监测所述销毁电流，若监测到所述销毁电流从所述初始值上升至预设的门限值或者从所述初始值下降至零，则判定相应的非易失性存储介质销毁成功。
2.根据权利要求1所述的销毁装置，其特征在于，所述销毁主控单元还用于在监测到所述销毁电流保持所述初始值超过预定时间，则判定所述非易失性存储介质销毁失败，并在所述输出电压不是所述销毁高压时，控制所述升压单元对所述预置电压继续进行升压，或者在所述输出电压是所述销毁高压时，控制所述升压单元对所述预置电压进行升压，以对所述销毁高压进行补偿。
3.根据权利要求1或2所述的销毁装置，其特征在于，所述销毁主控单元还用于在接收到所述销毁指令时，通过设置销毁标记来记录至少一个非易失性存储介质的销毁进度。
4.根据权利要求3所述的销毁装置，其特征在于，所述销毁主控单元还用于在接收到所述销毁指令之前，根据已设置的销毁标记来检查销毁进度，其中：
如果所述销毁进度为未开始销毁所述至少一个非易失性存储介质，所述销毁主控单元进入低功耗状态，并消除所述销毁标记，以等待接收销毁指令；如果所述销毁进度为已开始销毁但未全部销毁所述至少一个非易失性存储介质，所述销毁主控单元继续对所述至少一个非易失性存储介质进行销毁；如果所述销毁进度为已完全销毁所述至少一个非易失性存储介质，所述销毁主控单元进入低功耗状态，并消除所述销毁标记，同时控制供电隔离单元隔离所述正常工作电压。
5.根据权利要求1或2所述的销毁装置，其特征在于，所述销毁装置还包括滤波放大单元和模数转换单元，所述模数转换单元与销毁主控单元和滤波放大单元连接，所述滤波放大单元与电流检测单元连接，所述滤波放大单元用于对所述电流检测单元检测的销毁电流进行低通滤波和幅值放大，所述模数转换单元用于对所述销毁电流进行模数转换后送入所述销毁主控单元。
6.根据权利要求1或2所述的销毁装置，其特征在于，所述销毁装置还包括高压隔离单元、本地指令单元和指令触发单元，所述高压隔离单元与所述销毁主控单元连接，所述本地指令单元和指令触发单元与所述高压隔离单元连接，所述本地指令单元用于根据预设策略产生销毁指令，并将所述销毁指令发送至销毁主控单元，所述指令触发单元用于接收外部的销毁指令，并将所述销毁指令发送至销毁主控单元，所述高压隔离单元用于隔离销毁主控单元外部或内部产生的高电压。
7.根据权利要求6所述的销毁装置，其特征在于，所述销毁装置还包括静电保护单元和防抖单元，所述静电保护单元与指令触发单元和防抖单元连接，所述防抖单元与销毁主控单元连接，所述静电保护单元用于防止从所述指令触发单元串入静电，所述防抖单元用于减少或消除指令触发单元发送销毁指令时产生的信号抖动。
8.根据权利要求6所述的销毁装置，其特征在于，所述销毁装置还包括保险单元，所述保险单元与静电保护单元、低压供电单元和高压供电单元连接，所述保险单元用于在接收到保险信号时，切断所述低压供电单元和高压供电单元的供电，同时禁止本地指令单元和指令触发单元发送销毁指令。
9.根据权利要求1或2所述的销毁装置，其特征在于，所述低压供电单元和所述高压供电单元还用于限制销毁电流的最大值。
10.根据权利要求1或2所述的销毁装置，其特征在于，所述销毁主控单元采用单片机、现场可编程门阵列FPGA、复杂可编程逻辑器件CPLD或中央处理器CPU。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410621484.1A CN104361904B (zh) | 2014-11-06 | 2014-11-06 | 非易失性存储器的销毁装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410621484.1A CN104361904B (zh) | 2014-11-06 | 2014-11-06 | 非易失性存储器的销毁装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104361904A true CN104361904A (zh) | 2015-02-18 |
| CN104361904B CN104361904B (zh) | 2017-02-22 |
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ID=52529160
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410621484.1A Active CN104361904B (zh) | 2014-11-06 | 2014-11-06 | 非易失性存储器的销毁装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104361904B (zh) |
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| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
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