CN104349529A - 发光二极管驱动装置及发光二极管驱动方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种适于驱动发光二极管负载的发光二极管驱动装置及发光二极管驱动方法。所述发光二极管驱动装置包括驱动电路、反馈电路以及控制芯片。驱动电路依据脉宽调制驱动信号提供驱动电压至发光二极管负载的一端。反馈电路依据发光二极管负载的另一端的电压而产生反馈电压。控制芯片用以产生脉宽调制驱动信号，并且响应于反馈电压而调整脉宽调制驱动信号的负载周期。若控制芯片判断其持续输出具有临界负载周期的脉宽调制驱动信号超过默认时间，控制芯片判定发光二极管负载发生漏电现象，并且停止产生脉宽调制驱动信号。

Description

发光二极管驱动装置及发光二极管驱动方法

技术领域

本发明涉及一种电容性负载驱动技术，且特别是一种发光二极管驱动装置及发光二极管驱动方法。

背景技术

在现行的发光二极管驱动装置中，一般采用以脉宽调制架构为基础(PWM-based)的升压转换器(boost converter)、升降压转换器(buck-boostconverter)或者降压电路(buck converter)来作为驱动电路。无论是采用上述何者，设计者通常必须在发光二极管驱动装置中设计一些保护机制以维护发光二极管负载的驱动稳定性。

举例来说，一般常见的保护机制例如包括短路保护或过压保护等。其中，短路保护是针对发光二极管元件发生短路而造成电流过大的情况进行限流保护，而过压保护则是针对发光二极管负载的驱动电压过大的情况进行限压保护。

然而，在现行的发光二极管负载的保护机制中，并没有针对发光二极管负载的漏电现象进行保护的保护机制。更具体地说，所谓的漏电现象可能是因为发光二极管负载中的连接线破皮而与接地端发生短路所造成，或是因为发光二极管负载因发光二极管串(LED string)的绝缘异常而与接地端短路所造成。在现行的发光二极管驱动装置中，其并无法针对上述的情况进行保护，以致使发光二极管负载可能会因为漏电现象所引发的大电流而损毁。

发明内容

本发明提供一种发光二极管驱动装置及发光二极管驱动方法，其可检测发光二极管负载是否发生漏电现象，并据以启动漏电保护机制。

本发明的发光二极管驱动装置适于驱动发光二极管负载。所述发光二极管驱动装置包括驱动电路、反馈电路以及控制芯片。驱动电路耦接发光二极管负载，并且依据脉宽调制驱动信号提供驱动电压至发光二极管负载的一端。反馈电路耦接发光二极管负载的另一端，并且依据发光二极管负载的另一端的电压而产生反馈电压。控制芯片耦接驱动电路与反馈电路，用以产生脉宽调制驱动信号，并且响应于反馈电压而调整脉宽调制驱动信号的负载周期。其中，若控制芯片判断其持续输出具有临界负载周期的脉宽调制驱动信号超过默认时间，控制芯片判定发光二极管负载发生漏电现象，并且停止产生脉宽调制驱动信号。

在本发明一实施例中，发光二极管负载至少包括一发光二极管串。在此条件下，当发光二极管负载发生漏电现象时，发光二极管串的任(某)一端被短路至一接地端，使得控制芯片响应于反馈电压而将脉宽调制驱动信号的负载周期调整至临界负载周期。

在本发明一实施例中，驱动电路为升压转换器(boost converter)或升降压转换器(buck-boost converter)。控制芯片比较反馈电压与预定电压，若反馈电压低于预定电压，控制芯片提升脉宽调制驱动信号的负载周期以提升驱动电路的升压比，以及若反馈电压高于预定电压，控制芯片降低脉宽调制驱动信号的负载周期以降低驱动电路的升压比。

在本发明一实施例中，当脉宽调制驱动信号的负载周期被提升至上限负载周期时，控制芯片开始计数持续时间，其中持续时间为控制芯片持续输出具有上限负载周期的脉宽调制驱动信号的时间。

在本发明一实施例中，若控制芯片判断持续时间超过默认时间，控制芯片停止产生脉宽调制驱动信号。若控制芯片判断持续时间未超过默认时间，控制芯片清除所计数的持续时间。

在本发明一实施例中，驱动电路为降压转换器(buck converter)。控制芯片比较反馈电压与预定电压，若反馈电压低于预定电压，控制芯片降低脉宽调制驱动信号的负载周期以提升驱动电路的降压比。若反馈电压高于预定电压，控制芯片提升脉宽调制驱动信号的负载周期以降低驱动电路的降压比。

在本发明一实施例中，当脉宽调制驱动信号的负载周期被降低至下限负载周期时，控制芯片开始计数持续时间，其中持续时间为控制芯片持续输出具有下限负载周期的脉宽调制驱动信号的时间。

在本发明一实施例中，控制芯片更包括重置脚位。当控制芯片基于判定发光二极管负载发生漏电现象而停止产生脉宽调制驱动信号时，重置脚位经触发而令控制芯片重新开始产生脉宽调制驱动信号。

本发明的具漏电保护机制的发光二极管驱动方法适于驱动发光二极管负载。所述发光二极管驱动方法包括以下步骤：产生脉宽调制驱动信号；依据脉宽调制驱动信号，提供驱动电压至发光二极管负载的一端；依据发光二极管负载的另一端的电压，产生反馈电压；响应于反馈电压而调整脉宽调制驱动信号的负载周期；判断具有临界负载周期的脉宽调制驱动信号是否被持续输出超过预设时间；以及若判断为是，判定发光二极管负载发生漏电现象，并且停止产生脉宽调制驱动信号。

在本发明一实施例中，发光二极管负载至少包括一发光二极管串。在此条件下，当发光二极管负载发生漏电现象时，发光二极管串的任(某)一端被短路至接地端，且脉宽调制驱动信号的负载周期响应于反馈电压而被调整至临界负载周期。

在本发明一实施例中，响应于反馈电压而调整脉宽调制驱动信号的负载周期的步骤包括：比较反馈电压与预定电压；若反馈电压低于预定电压，提升脉宽调制驱动信号的负载周期以提升用以产生驱动电压的升压比；以及若反馈电压高于预定电压，降低脉宽调制驱动信号的负载周期以降低所述升压比。

在本发明一实施例中，判断具有临界负载周期的脉宽调制驱动信号是否被持续输出超过预设时间的步骤包括：判断脉宽调制驱动信号的负载周期是否被提升至上限负载周期；若脉宽调制驱动信号的负载周期被提升至上限负载周期，开始计数持续时间，其中持续时间为持续输出具有上限负载周期的脉宽调制驱动信号的时间；判断持续时间是否超过预设时间；以及若持续时间超过预设时间，停止产生脉宽调制驱动信号。

在本发明一实施例中，断具有临界负载周期的脉宽调制驱动信号是否被持续输出超过预设时间的步骤更包括：若持续时间未超过预设时间，清除所计数的持续时间。

在本发明一实施例中，响应于反馈电压而调整脉宽调制驱动信号的负载周期的步骤包括：比较反馈电压与预定电压；若反馈电压低于预定电压，降低脉宽调制驱动信号的负载周期以提升用以产生驱动电压的降压比；以及若反馈电压高于预定电压，提升脉宽调制驱动信号的负载周期以降低所述降压比。

在本发明一实施例中，判断具有临界负载周期的脉宽调制驱动信号是否被持续输出超过预设时间的步骤包括：判断脉宽调制驱动信号的负载周期是否被降低至下限负载周期；若脉宽调制驱动信号的负载周期被降低至下限负载周期，开始计数持续时间，其中持续时间为持续输出具有下限负载周期的脉宽调制驱动信号的时间；判断持续时间是否超过预设时间；以及若持续时间超过预设时间，停止产生脉宽调制驱动信号。

在本发明一实施例中，判断具有临界负载周期的脉宽调制驱动信号是否被持续输出超过预设时间的步骤更包括：若持续时间未超过预设时间，清除所计数的持续时间。

基于上述，本发明实施例提出一种发光二极管驱动装置及发光二极管驱动方法。所述发光二极管驱动装置可通过检测其所输出的脉宽调制驱动信号是否异常来判断发光二极管负载是否发生漏电现象，其中当发光二极管驱动装置判断具有临界负载周期的脉宽调制驱动信号持续地被输出超过预设时间时，发光二极管驱动装置即会判定发光二极管负载发生漏电现象，并且启动漏电保护机制以停止对发光二极管负载进行供电，以防止发光二极管负载的损毁。

附图说明

图1为本发明一实施例的发光二极管驱动装置的示意图；

图2为发光二极管负载发生漏电现象时的电路示意图；

图3A至图3C为应用不同驱动电路的发光二极管驱动装置的信号波形示意图；

图4为本发明一实施例的具漏电保护机制的发光二极管驱动方法的步骤流程图；

图5为依照图4的一实施例的发光二极管驱动方法的步骤流程图；

图6为依照图4的另一实施例的发光二极管驱动方法的步骤流程图。

附图标记说明：

10：        发光二极管负载

100：       发光二极管驱动装置

110：       驱动电路

120：       反馈电路

130：       控制芯片

EA_PIN：    重置脚位

GND：       接地端

I_LED：       驱动电流

LEDs：      发光二极管串

MaxDT：     上限负载周期

MinDT：     下限负载周期

PreT：       预设时间

R1、R2：     电阻

T1：         阳极端

T2：         阴极端

TS：         端点

t1、t2、t3： 时间

S_PWM：      脉宽调制驱动信号

S410～S460、S542～S546、S552～S558、S642～S646、S652～S658：步骤

V_FB：        反馈电压

V_LED：       驱动电压

V_leak：      漏电电位

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明作进一步的详细说明。

本发明实施例提出一种发光二极管驱动装置及发光二极管驱动方法。所述发光二极管驱动装置可通过检测其所输出的脉宽调制驱动信号是否异常来判断发光二极管负载是否发生漏电现象，其中当发光二极管驱动装置判断具有临界负载周期的脉宽调制驱动信号持续地被输出超过预设时间时，发光二极管驱动装置即会判定发光二极管负载发生漏电现象，并且启动漏电保护机制以停止对发光二极管负载进行供电，以防止发光二极管负载的损毁。为了使本发明的内容可以被更容易明了，以下特举实施例作为本发明确实能够据以实施的范例。另外，凡可能之处，在图式及实施方式中使用相同标号的元件/构件/步骤，代表相同或类似部件。

图1为本发明一实施例的发光二极管驱动装置的示意图。在本实施例中，发光二极管驱动装置100用于驱动发光二极管负载10，其中发光二极管负载10可由一组或多组相互并接的发光二极管串LEDs所组成，并且各个发光二极管串LEDs中可包括一个或多个相互串接的发光二极管，本发明不以此为限。

请参照图1，发光二极管驱动装置100包括驱动电路110、反馈电路120以及控制芯片130。驱动电路110耦接发光二极管负载10，并且依据控制芯片130所产生的脉宽调制驱动信号S_PWM而提供驱动电压V_LED至发光二极管负载的阳极端T1。反馈电路120耦接发光二极管负载10的阴极端T2，并且依据发光二极管负载的阴极端T2的电压而产生反馈电压V_FB。控制芯片130耦接驱动电路110与反馈电路120，其中控制芯片130会从反馈电路120接收反馈电压V_FB，并且响应于反馈电压V_FB而调整脉宽调制驱动信号的负载周期(duty cycle)。在本实施例中，反馈电路120以电阻R1与R2所组成的分压电路为例，但本发明不以此为限。

详细而言，驱动电路110所提供的驱动电压V_LED会在发光二极管负载10的两端间建立一电位差，使得发光二极管负载10响应于该电位差而产生流经每一发光二极管串LEDs的驱动电流I_LED。控制芯片130可从反馈脚位FB_PIN接收关联于发光二极管负载10的阴极端电压的反馈电压V_FB，以检测流经发光二极管负载10的驱动电流I_LED大小。因此，控制芯片130即可根据反馈电压V_FB的大小来对应的调整所输出的脉宽调制驱动信号S_PWM的负载周期，使得驱动电路110对应的调整升/降压比，从而令发光二极管负载10操作在固定的驱动电流I_LED下发光。

一般而言，在发光二极管负载10正常运作的情况下，控制芯片130会将所接收到的反馈电压V_FB与一预定电压进行比较。当反馈电压V_FB高于预定电压时，控制芯片130会判断目前的驱动电流I_LED高于默认的电流值，从而令驱动电路110降低升/降压比以降低发光二极管负载10上的驱动电流I_LED。相反地，当反馈电压V_FB低于预定电压时，控制芯片130则会判断目前的驱动电流I_LED低于默认的电流值，从而令驱动电路110提升升/降压比以提升发光二极管负载10上的驱动电流I_LED。

在上述反馈调整的驱动方式中，主要是依据发光二极管负载10的阻抗为定值的特性，使得控制芯片130得以利用发光二极管负载10的阴极端电压来判断驱动电流I_LED的大小。然而，当发光二极管负载10发生漏电现象而造成发光二极管负载10的阴极端电压不能响应驱动电流I_LED的大小而改变时，上述反馈调整的驱动方式反而可能会造成发光二极管负载10的故障或损毁。

举例来说，图2为发光二极管负载发生漏电现象时的电路示意图。请同时参照图1与图2，在发光二极管负载10中，若发光二极管串LEDs的串接线路上的某一端点TS因为线路破损或绝缘异常等原因(但不限制于此)而被短路至接地端GND，此时发光二极管负载10即会发生漏电现象。更具体地说，发光二极管串LEDs的驱动电流I_LED不会流经发光二极管负载10的阴极端T2与电阻R1，而是经由短路的端点TS被引导至接地端GND，使得发光二极管负载10的阴极端T2不会产生压降，故此时阴极端T2与接地端GND之间会具有相同的电压水平(如0V)，且反馈电压V_FB亦会具有同样的电压水平。

在一般反馈调整的驱动方式下，当发光二极管负载10发生漏电现象时，控制芯片130会反应于过低的阴极端电压而控制驱动电路110的升/降压比，并据以提升驱动电流I_LED。然而，由于此时发光二极管负载10的阴极端电压并不会随着驱动电流I_LED的增加而增加，使得控制芯片130会持续地调整脉宽调制驱动信号S_PWM的负载周期直到一临界负载周期(例如：上限/下限负载周期)，并且持续地输出具有临界负载周期的脉宽调制驱动信号S_PWM来控制驱动电路110。于此状态下，驱动电路110会反应于具有临界负载周期的脉宽调制驱动信号S_PWM而以最大升/降压比来进行电压转换。但实际施加至发光二极管负载10的驱动电压V_LED仍不会随之提升，反而会因为发光二极管负载10的漏电而下降，使得发光二极管负载10持续地操作于大电流下发光。此时发光二极管负载10很可能会因为电流过大而烧毁。

为了避免上述漏电现象可能造成的问题，本发明实施例的控制芯片130可进一步地通过检测所输出的脉宽调制驱动信号S_PWM是否异常的方式来判断发光二极管负载10是否发生漏电现象，并且当发光二极管负载10发生漏电现象时启用漏电保护机制，以令驱动电路110停止供电予发光二极管负载10，以避免发光二极管负载10的损毁。

详细而言，在本实施例中，控制芯片130可在脉宽调制驱动信号S_PWM的负载周期达到一临界负载周期时，开始计算其持续输出具有临界负载周期的脉宽调制信号S_PWM的时间。若控制芯片130判断其持续输出具有临界负载周期的脉宽调制驱动信号S_PWM超过默认时间，则控制芯片130会判定发光二极管负载10发生漏电现象，并且停止产生脉宽调制驱动信号S_PWM，从而令驱动电路110停止供电。以下分别针对应用不同类型的驱动电路时，发光二极管驱动装置100的具体运作及漏电保护机制作进一步地说明。

在一范例实施例中，若驱动电路110为升压转换器(boost converter)或升降压转换器(buck-boost converter)，则驱动电路110升压比与脉宽调制信号S_PWM的负载周期呈正比关系，亦即当脉宽调制信号S_PWM的负载周期越大时，驱动电路110的升压比也会相对越高。换言之，在驱动电路110为升压转换器或升降压转换器的范例实施例中，若反馈电压V_FB低于预定电压，控制芯片130会提升脉宽调制信号S_PWM的负载周期以提升驱动电路110的升压比；反之，若反馈电压V_FB高于预定电压，则控制芯片130会降低脉宽调制驱动信号S_PWM的负载周期以降低驱动电路110的升压比。

更进一步地说，以升压转换器作为驱动电路110的实施范例的信号波形可如图3A所示。请同时参照图1与图3A，首先，在时间t0到t1之间的期间内，发光二极管负载10处于正常操作的状态，此时虽然脉宽调制信号S_PWM的负载周期会随着反馈电压V_FB而有所微调，但基本上驱动电压V_LED大致会维持于一特定的电压水平，以使驱动电流I_LED为固定值。

当发光二极管负载10在时间t1发生漏电现象时，反馈电压V_FB的电压水平会迅速地降至接地电位，使得控制芯片130反应于反馈电压V_FB而持续地逐渐提升脉宽调制信号S_PWM的负载周期，但实际施加至发光二极管负载10的驱动电压V_LED却会因为漏电现象而降至一漏电电位V_leak。

当脉宽调制驱动信号S_PWM的负载周期在时间t2被提升至上限负载周期MaxDT时，控制芯片130会开始计数持续输出具有上限负载周期MaxDT的脉宽调制驱动信号S_PWM的持续时间。

当控制芯片130在时间t3判断所计数的持续时间超过预设时间PreT时，控制芯片130即会启动漏电保护机制以停止产生脉宽调制驱动信号S_PWM，使得驱动电路110停止对发光二极管负载10供电，以令施加于发光二极管负载10上的驱动电压V_LED被闩锁在驱动电路110的输入电源电压的电压水平下。

此外，为了避免误判的情况发生，在控制芯片130计数所述持续时间的过程中(即时间t2至t3的期间)，若脉宽调制驱动信号S_PWM的负载周期被调整为低于上限负载周期MaxDT，则控制芯片130会判断发光二极管负载10实际上并未发生漏电现象，而可能仅操作于重载的状态。于此状态下，控制芯片130会清除先前所计数的持续时间，以避免漏电保护机制被误触发。

以升降压转换器作为驱动电路110的实施范例的信号波形可如图3B所示。本实施例的信号波形与前述图3A实施例的信号波形大致相同。两者间的差异主要在于：以升压转换器作为驱动电路110的实施态样下，当漏电保护机制被触发时，驱动电压V_LED会被闩锁在驱动电路110的输入电源电压的电压水平下；以升降压转换器作为驱动电路110的实施态样下，当漏电保护机制被触发时，驱动电压V_LED则会被闩锁在接地电位(如0V)。除此之外，其余相似或相同的部分请参照前述图3A实施例的说明，于此不再赘述。

在另一范例实施例中，若驱动电路110为降压转换器(buck converter)，则驱动电路110的降压比与脉宽调制信号S_PWM的负载周期呈反比关系，亦即当脉宽调制信号S_PWM的负载周期越大时，驱动电路110的降压比会相对越低。换言之，在驱动电路110为降压转换器的范例实施例中，若反馈电压V_FB低于预定电压，控制芯片130会降低脉宽调制信号S_PWM的负载周期以提升驱动电路110的降压比；反之，若反馈电压V_FB高于预定电压，则控制芯片130会提升脉宽调制驱动信号S_PWM的负载周期以降低驱动电路110的降压比。

更进一步地说，以降压转换器作为驱动电路110的实施范例的信号波形可如图3C所示。请同时参照图1与图3B，首先，在时间t0到t1之间的期间内，发光二极管负载10处于正常操作的状态，此时虽然脉宽调制信号S_PWM的负载周期会随着反馈电压V_FB而有所微调，但基本上驱动电压V_LED大致会维持于一特定的电压水平，以使驱动电流I_LED为固定值。

当发光二极管负载10在时间t1发生漏电现象时，反馈电压V_FB的电压水平会迅速地降至接地电位，使得控制芯片130反应于反馈电压V_FB而持续地逐渐降低脉宽调制信号S_PWM的负载周期，但实际施加至发光二极管负载10的驱动电压V_LED却会因为漏电现象而降至一漏电电位V_leak。

当脉宽调制驱动信号S_PWM的负载周期在时间t2被降低至下限负载周期MinDT时，控制芯片130会开始计数持续输出具有下限负载周期MinDT的脉宽调制驱动信号S_PWM的持续时间。

当控制芯片130在时间t3判断所计数的持续时间超过预设时间PreT时，控制芯片130即会启动漏电保护机制以停止产生脉宽调制驱动信号S_PWM，使得驱动电路110停止对发光二极管负载10供电，以令施加于发光二极管负载10上的驱动电压V_LED被闩锁在接地电位。

除此之外，类似于上述图3A实施例，在本范例实施例中，为了避免误判的情况发生，在控制芯片130计数所述持续时间的过程中(即时间t2至t3的期间)，若脉宽调制驱动信号S_PWM的负载周期被调整为高于下限负载周期MinDT，则控制芯片130会判断发光二极管负载10实际上并未发生漏电现象，而可能仅操作于重载的状态。于此状态下，控制芯片130会清除先前所计数的持续时间，以避免漏电保护机制被误触发。

另外，在本实施例的控制芯片130中还可设置一重置脚位EA_PIN，其中使用者可通过触发重置脚位EA_PIN而使停止运作的控制芯片130(即，处于输出闩锁状态的控制芯片130)重新开始产生脉宽调制信号S_PWM。因此，用户可在排除发光二极管负载10的漏电现象后，重新利用发光二极管驱动装置100来驱动发光二极管负载10。

图4为本发明一实施例的具漏电保护机制的发光二极管驱动方法的步骤流程图。在本实施例中，所述发光二极管驱动方法可适用于如图1实施例的发光二极管驱动装置100，并且用以驱动如图1实施例所述的发光二极管负载10。

请参照图4，在本实施例的发光二极管驱动方法的步骤流程中，首先，发光二极管驱动装置产生脉宽调制驱动信号(步骤S410)，以依据脉宽调制驱动信号而提供驱动电压至发光二极管负载的一端(步骤S420)。接着，发光二极管驱动装置会依据发光二极管负载的另一端的电压产生反馈电压(步骤S430)，并且反应于反馈电压而调整脉宽调制驱动信号的负载周期(步骤S440)。在进行步骤S410～S440的期间，发光二极管驱动装置会进一步判断具有临界负载周期的脉宽调制驱动信号是否被持续输出超过预设时间(步骤S450)。若判断为是，则发光二极管驱动装置会判定发光二极管负载发生漏电现象，并且停止产生脉宽调制驱动信号(步骤S460)，以停止对发光二极管负载进行供电；反之，若判断为否，则回到步骤S420以令发光二极管驱动装置重复进行上述驱动步骤。

更具体地说，当发光二极管负载通过应用升压转换器或升降压转换器的发光二极管驱动装置来驱动时，上述图4的具体步骤流程可如图5所示，其中，图5为依照图4的一实施例的发光二极管驱动方法的步骤流程图。

请参照图5，在本实施例中，发光二极管驱动装置反应于反馈电压而调整脉宽调制驱动信号的负载周期(步骤S440)可通过以下步骤实现：比较反馈电压与预定电压(步骤S542)；若反馈电压低于预定电压，提升脉宽调制驱动信号的负载周期以提升用以产生驱动电压的升压比(步骤S544)：以及若反馈电压高于预定电压，降低脉宽调制驱动信号的负载周期以降低用以产生驱动电压的升压比(步骤S546)。

此外，在步骤S450中，发光二极管驱动装置会判断脉宽调制驱动信号的负载周期是否被提升至上限负载周期(步骤S552)。若判断为是，发光二极管驱动装置开始计数发光二极管驱动装置持续输出具有上限负载周期的脉宽调制驱动信号的持续时间(步骤S554)；反之，若判断为否，则会回到步骤S420。接着，发光二极管驱动装置会进一步判断所计数的持续时间是否超过预设时间(步骤S556)。若判断为是，发光二极管驱动装置会判定发光二极管负载发生漏电现象，并且进行步骤S460；反之，若判断为否，则会清除所计数的持续时间(步骤S558)，并且回到步骤S420。

另一方面，当发光二极管负载是通过应用降压转换器的发光二极管驱动装置来驱动时，上述图4的具体步骤流程可如图6所示，其中，图6为依照图4的另一实施例的发光二极管驱动方法的步骤流程图。

请参照图6，在本实施例中，发光二极管驱动装置反应于反馈电压而调整脉宽调制驱动信号的负载周期(步骤S440)可通过以下步骤实现：比较反馈电压与预定电压(步骤S642)；若反馈电压低于预定电压，降低脉宽调制驱动信号的负载周期以提升用以产生驱动电压的降压比(步骤S644)：以及若反馈电压高于预定电压，提升脉宽调制驱动信号的负载周期以降低用以产生驱动电压的降压比(步骤S646)。

此外，在步骤S450中，发光二极管驱动装置会判断脉宽调制驱动信号的负载周期是否被降低至下限负载周期(步骤S652)。若判断为是，发光二极管驱动装置开始计数发光二极管驱动装置持续输出具有下限负载周期的脉宽调制驱动信号的持续时间(步骤S654)；反之，若判断为否，则会回到步骤S420。接着，发光二极管驱动装置会进一步判断所计数的持续时间是否超过预设时间(步骤S656)。若判断为是，发光二极管驱动装置会判定发光二极管负载发生漏电现象，并且进行步骤S460；反之，若判断为否，则会清除所计数的持续时间(步骤S658)，并且回到步骤S420。

其中，上述图4至图6所述的发光二极管驱动方法皆可根据前述图1至图3B实施例的说明而获得充足的支持与教示，故相似或相同之处于此不再赘述。

综上所述，本发明实施例提出一种发光二极管驱动装置及发光二极管驱动方法。所述发光二极管驱动装置可通过检测其所输出的脉宽调制驱动信号是否异常来判断发光二极管负载是否发生漏电现象，其中当发光二极管驱动装置判断具有临界负载周期的脉宽调制驱动信号持续地被输出超过预设时间时，发光二极管驱动装置即会判定发光二极管负载发生漏电现象，并且启动漏电保护机制以停止对发光二极管负载进行供电，以防止发光二极管负载的损毁。

以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (17)

1.一种发光二极管驱动装置，适于驱动一发光二极管负载，该发光二极管驱动装置包括：

一驱动电路，耦接该发光二极管负载，依据一脉宽调制驱动信号提供一驱动电压至该发光二极管负载的一端；

一反馈电路，耦接该发光二极管负载的另一端，依据该发光二极管负载的另一端的电压而产生一反馈电压；以及

一控制芯片，耦接该驱动电路与该反馈电路，用以产生该脉宽调制驱动信号，并且响应于该反馈电压而调整该脉宽调制驱动信号的负载周期，

其中若该控制芯片判断其持续输出具有一临界负载周期的该脉宽调制驱动信号超过一默认时间，该控制芯片判定该发光二极管负载发生漏电现象，并且停止产生该脉宽调制驱动信号。

2.如权利要求1所述的发光二极管驱动装置，其中该发光二极管负载至少包括一发光二极管串，当该发光二极管负载发生漏电现象时，该发光二极管串的任一端被短路至一接地端，使得该控制芯片响应于该反馈电压而将该脉宽调制驱动信号的负载周期调整至该临界负载周期。

3.如权利要求1所述的发光二极管驱动装置，其中该驱动电路为一升压转换器(boost converter)或一升降压转换器(buck-boost converter)，该控制芯片比较该反馈电压与一预定电压，若该反馈电压低于该预定电压，该控制芯片提升该脉宽调制驱动信号的负载周期以提升该驱动电路的升压比，以及若该反馈电压高于该预定电压，该控制芯片降低该脉宽调制驱动信号的负载周期以降低该驱动电路的升压比。

4.如权利要求3所述的发光二极管驱动装置，其中该临界负载周期对应至该脉宽调制驱动信号的一上限负载周期，当该脉宽调制驱动信号的负载周期被提升至该上限负载周期时，该控制芯片开始计数一持续时间，其中该持续时间为该控制芯片持续输出具有该上限负载周期的该脉宽调制驱动信号的时间。

5.如权利要求4所述的发光二极管驱动装置，其中若该控制芯片判断该持续时间超过该默认时间，该控制芯片停止产生该脉宽调制驱动信号，以及若该控制芯片判断该持续时间未超过该默认时间，该控制芯片清除所计数的该持续时间。

6.如权利要求1所述的发光二极管驱动装置，其中该驱动电路为一降压转换器(buck converter)，该控制芯片比较该反馈电压与一预定电压，若该反馈电压低于该预定电压，该控制芯片降低该脉宽调制驱动信号的负载周期以提升该驱动电路的降压比，以及若该反馈电压高于该预定电压，该控制芯片提升该脉宽调制驱动信号的负载周期以降低该驱动电路的降压比。

7.如权利要求6所述的发光二极管驱动装置，其中该临界负载周期对应至该脉宽调制驱动信号的一下限负载周期，当该脉宽调制驱动信号的负载周期被降低至该下限负载周期时，该控制芯片开始计数一持续时间，其中该持续时间为该控制芯片持续输出具有该下限负载周期的该脉宽调制驱动信号的时间。

8.如权利要求7所述的发光二极管驱动装置，其中若该控制芯片判断该持续时间超过该默认时间，该控制芯片停止产生该脉宽调制驱动信号，以及若该控制芯片判断该持续时间未超过该默认时间，该控制芯片清除所计数的该持续时间。

9.如权利要求1所述的发光二极管驱动装置，其中该控制芯片更包括一重置脚位，当该控制芯片基于判定该发光二极管负载发生漏电现象而停止产生该脉宽调制驱动信号时，该重置脚位经触发而令该控制芯片重新开始产生该脉宽调制驱动信号。

10.一种具漏电保护机制的发光二极管驱动方法，适于驱动一发光二极管负载，该发光二极管驱动方法包括：

产生一脉宽调制驱动信号；

依据该脉宽调制驱动信号，提供一驱动电压至该发光二极管负载的一端；

依据该发光二极管负载的另一端的电压，产生一反馈电压；

响应于该反馈电压而调整该脉宽调制驱动信号的负载周期；

判断具有一临界负载周期的该脉宽调制驱动信号是否被持续输出超过一预设时间；以及

若判断为是，判定该发光二极管负载发生漏电现象，并且停止产生该脉宽调制驱动信号。

11.如权利要求10所述的发光二极管驱动方法，其中该发光二极管负载至少包括一发光二极管串，当该发光二极管负载发生漏电现象时，该发光二极管串的任一端被短路至一接地端，且该脉宽调制驱动信号的负载周期响应于该反馈电压而被调整至该临界负载周期。

12.如权利要求10所述的发光二极管驱动方法，其中响应于该反馈电压而调整该脉宽调制驱动信号的负载周期的步骤包括：

比较该反馈电压与一预定电压；

若该反馈电压低于该预定电压，提升该脉宽调制驱动信号的负载周期以提升用以产生该驱动电压的一升压比；以及

若该反馈电压高于该预定电压，降低该脉宽调制驱动信号的负载周期以降低该升压比。

13.如权利要求11所述的发光二极管驱动方法，其中该临界负载周期对应至该脉宽调制驱动信号的一上限负载周期，且判断具有该临界负载周期的该脉宽调制驱动信号是否被持续输出超过该预设时间的步骤包括：

判断该脉宽调制驱动信号的负载周期是否被提升至该上限负载周期；

若该脉宽调制驱动信号的负载周期被提升至该上限负载周期，开始计数一持续时间，其中该持续时间为持续输出具有该上限负载周期的该脉宽调制驱动信号的时间；

判断该持续时间是否超过该预设时间；以及

若该持续时间超过该预设时间，停止产生该脉宽调制驱动信号。

14.如权利要求13所述的发光二极管驱动方法，其中判断具有该临界负载周期的该脉宽调制驱动信号是否被持续输出超过该预设时间的步骤更包括：

若该持续时间未超过该预设时间，清除所计数的该持续时间。

15.如权利要求10所述的发光二极管驱动方法，其中响应于该反馈电压而调整该脉宽调制驱动信号的负载周期的步骤包括：

比较该反馈电压与一预定电压；

若该反馈电压低于该预定电压，降低该脉宽调制驱动信号的负载周期以提升用以产生该驱动电压的一降压比；以及

若该反馈电压高于该预定电压，提升该脉宽调制驱动信号的负载周期以降低该降压比。

16.如权利要求15所述的发光二极管驱动方法，其中该临界负载周期对应至该脉宽调制驱动信号的一下限负载周期，且判断具有该临界负载周期的该脉宽调制驱动信号是否被持续输出超过该预设时间的步骤包括：

判断该脉宽调制驱动信号的负载周期是否被降低至一下限负载周期；

若该脉宽调制驱动信号的负载周期被降低至该下限负载周期，开始计数一持续时间，其中该持续时间为持续输出具有该下限负载周期的该脉宽调制驱动信号的时间；

判断该持续时间是否超过该预设时间；以及

若该持续时间超过该预设时间，停止产生该脉宽调制驱动信号。

17.如权利要求16所述的发光二极管驱动方法，其中判断具有该临界负载周期的该脉宽调制驱动信号是否被持续输出超过该预设时间的步骤更包括：

若该持续时间未超过该预设时间，清除所计数的该持续时间。