CN104332518A - 无框型晶硅电池完全抗pid轻质组件及电池板 - Google Patents
无框型晶硅电池完全抗pid轻质组件及电池板 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104332518A CN104332518A CN201410683128.2A CN201410683128A CN104332518A CN 104332518 A CN104332518 A CN 104332518A CN 201410683128 A CN201410683128 A CN 201410683128A CN 104332518 A CN104332518 A CN 104332518A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- crystal silicon
- assembly
- pid
- light components
- type crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 43
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 43
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 43
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 42
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 26
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 claims abstract description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 17
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 15
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 abstract 2
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 abstract 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 3
- 238000009432 framing Methods 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000006056 electrooxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/048—Encapsulation of modules
- H01L31/049—Protective back sheets
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种无框型晶硅电池完全抗PID轻质组件及电池板，其包括：前板玻璃、电池片、背板以及接线盒，所述电池片位于所述前板玻璃和背板之间；所述前板玻璃为4.0-5.0mm厚的光伏超白压花玻璃，所述电池片与所述前板玻璃之间、电池片与所述背板之间分别设置有封装材材料层，所述封装材料层为聚烯烃，所述接线盒与电池片进行电性连接。本发明的无框型晶硅电池完全抗PID轻质组件摒弃铝边框，无需装框就能满足5400pa的载荷要求；且组件完全抗PID，并且减小组件重量，降低组件厚度，降低制造成本。从而，大大延长组件使用寿命，降低组件使用过程中的功率衰减，扩展了晶体硅组件的应用范围，及提高了晶体硅组件的便捷性及可运输性。
Description
技术领域
本发明涉及一种晶硅光伏组件，特别是涉及一种无框型晶硅电池完全抗PID轻质组件及电池板。
背景技术
晶体硅分为单晶硅、多晶硅、和非晶硅。其中，单晶硅太阳能电池是当前开发得最快的一种太阳能电池，它的构造和生产工艺已定型，产品已广泛用于空间和地面。
上述晶体硅可用于制作晶体硅光伏组件，研究表明，存在于晶体硅光伏组件中的电路与其接地金属边框之间的高电压，会造成组件的光伏性能的持续衰减。造成此类衰减的机理是多方面的，例如在上述高电压的作用下，组件电池的封装材料和组件上表面层及下表面层的材料中出现的离子迁移现象；电池中出现的热载流子现象；电荷的再分配削减了电池的活性层；相关的电路被腐蚀等等。
上述引起衰减的机理被称之为电势诱发衰减、极性化、电解腐蚀和电化学腐蚀。常规抗PID(Potential Induced Degradation—电势诱导衰减)，在组件使用3-5年后组件功率衰减明显，组件寿命期间，功率衰减过多，组件寿命变短，导致电站发电量明显下降。
同时，现有常规晶体硅组件重量约为20kg左右。组件本身的重量，限制了其应用范围，在承重能力较弱的屋顶等项目中，不能满足实际需求。并且，常规晶体硅组件笨重，导致其不方便携带及运输。
因此，针对上述技术问题，有必要进一步的解决方案。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的在于提供一种无框型晶硅电池完全抗PID轻质组件及电池板，以克服现有的晶体硅光伏组件中存在的缺陷。
为了实现上述目的，本发明实施例提供的技术方案如下：
本发明的无框型晶硅电池完全抗PID轻质组件包括：前板玻璃、电池片、背板以及接线盒，所述电池片位于所述前板玻璃和背板之间；
所述前板玻璃为4.0-5.0mm厚的光伏超白压花玻璃，所述电池片与所述前板玻璃之间、电池片与所述背板之间分别设置有封装材材料层，所述封装材料层为聚烯烃，所述接线盒与电池片进行电性连接。
作为本发明的无框型晶硅电池完全抗PID轻质组件的改进，所述电池片任一侧的封装材料层的厚度为0.25-0.8mm。
作为本发明的无框型晶硅电池完全抗PID轻质组件的改进，所述无框型晶硅电池完全抗PID轻质组件的厚度小于1cm，重量为8-12kg。
作为本发明的无框型晶硅电池完全抗PID轻质组件的改进，所述无框型晶硅电池完全抗PID轻质组件还包括焊带，所述焊带设置于所述电池片的正面，所述接线盒与所述焊带进行电性连接。
作为本发明的无框型晶硅电池完全抗PID轻质组件的改进，所述聚烯烃为热固型或热塑型。
作为本发明的无框型晶硅电池完全抗PID轻质组件的改进，所述接线盒为背接式接线盒，其安装于所述电池片的背面。
为了实现上述目的，本发明实施例提供的技术方案如下：
本发明的电池板包括如上所述的无框型晶硅电池完全抗PID轻质组件，所述组件的数量为多个，所述多个组件之间进行电性连接。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明的无框型晶硅电池完全抗PID轻质组件摒弃铝边框，组件无需装框就能满足5400pa的载荷要求；且组件完全抗PID，并且减小组件重量，降低组件厚度，降低制造成本。从而，大大延长组件使用寿命，降低组件使用过程中的功率衰减，扩展了晶体硅组件的应用范围，及提高了晶体硅组件的便捷性及可运输性。解决了晶体硅组件质量重，厚度厚，运输及使用不方便等问题；
同时，本发明的无框型晶硅电池完全抗PID轻质组件的光透过率达到92％以上，增加了组件的发电量，并且不降低组件的刚性和机械载荷能力；
本发明的无框型晶硅电池完全抗PID轻质组件水汽透过率低，增加了组件的抗PID性能，使组件为完全抗PID组件，在组件寿命期间不会出现PID现象。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明无框型晶硅电池完全抗PID轻质组件一具体实施方式的平面示意图，其中，前板玻璃-10、电池片-20、背板-30、接线盒-40、封装材材料层-50、焊带-60。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明中的技术方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。
如图1所示，本发明的无框型晶硅电池完全抗PID轻质组件100包括：前板玻璃10、电池片20、背板30以及接线盒40，所述电池片20位于所述前板玻璃10和背板30之间。
其中，所述前板玻璃为4.0-5.0mm厚的光伏超白压花玻璃，由此，可便于增加组件的透过率，使透过率达到92％以上，从而增加了组件的发电量，并且不会降低组件的刚性和机械载荷能力。
所述电池片20与所述前板玻璃10之间、电池片20与所述背板30之间分别设置有封装材材料层50，该封装材料层用于池片20与所述前板玻璃10之间、电池片20与所述背板30之间的连接。本实施方式中，所述封装材料层50为聚烯烃，该聚烯烃可以为热固型或热塑型。如此设置，可降低水汽透过率，增加组件的抗PID性能，使组件为完全抗PID组件，在组件寿命期间不会出现PID现象。优选地，所述电池片任20一侧的封装材料层的厚度为0.25-0.8mm。从而，使得所述无框型晶硅电池完全抗PID轻质组件的厚度小于1cm。
此外，由于采用较厚的前板玻璃和阻水性能较好的聚烯烃，从而可以摒弃传统的铝边框封边，组件无需装框就能满足5400pa的载荷要求，同时，也减轻了组件的重量，便于组件的运输。本发明的无框型晶硅电池完全抗PID轻质组件的重量为8-12kg，其重量明显低于现有的晶体硅组件。
所述无框型晶硅电池完全抗PID轻质组件100还包括焊带60，所述焊带60设置于所述电池片20的正面，焊带60的数量可根据需要设置为多个，焊带60形成电池片20的引脚，所述接线盒40通过焊带60实现与电池片20的电性连接。本发明的接线盒可以为背接式接线盒，其安装于所述电池片20的背面。
本发明的无框型晶硅电池完全抗PID轻质组件100制作时，将聚烯烃分别均匀涂覆于前板玻璃和背板的装配面上，并将焊带通过焊接方式焊接在电池片的正面上，焊接完毕后，将电池片通过聚烯烃固定在前板玻璃和背板之间上，且保持电池片的正面朝向前板玻璃设置，再将背接式接线盒固定在电池片的背面上，并将背接式接线盒内引出的连接线与焊带进行电性连接。
此外，基于相同的发明构思，本发明还提供一种电池板，该电池板包括如上所述的无框型晶硅电池完全抗PID轻质组件，所述组件的数量为多个，所述多个组件之间进行电性连接，从而通过多个本发明的无框型晶硅电池完全抗PID轻质组件可提供更大的电量输出，满足不同场合生产加工的需要。
综上所示，本发明的无框型晶硅电池完全抗PID轻质组件摒弃铝边框，组件无需装框就能满足5400pa的载荷要求；且组件完全抗PID，并且减小组件重量，降低组件厚度，降低制造成本。从而，大大延长组件使用寿命，降低组件使用过程中的功率衰减，扩展了晶体硅组件的应用范围，及提高了晶体硅组件的便捷性及可运输性。解决了晶体硅组件质量重，厚度厚，运输及使用不方便等问题；
同时，本发明的无框型晶硅电池完全抗PID轻质组件的光透过率达到92％以上，增加了组件的发电量，并且不降低组件的刚性和机械载荷能力；
本发明的无框型晶硅电池完全抗PID轻质组件水汽透过率低，增加了组件的抗PID性能，使组件为完全抗PID组件，在组件寿命期间不会出现PID现象。
对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
Claims (7)
1.一种无框型晶硅电池完全抗PID轻质组件，其特征在于，所述无框型晶硅电池完全抗PID轻质组件包括：前板玻璃、电池片、背板以及接线盒，所述电池片位于所述前板玻璃和背板之间；
所述前板玻璃为4.0-5.0mm厚的光伏超白压花玻璃，所述电池片与所述前板玻璃之间、电池片与所述背板之间分别设置有封装材材料层，所述封装材料层为聚烯烃，所述接线盒与电池片进行电性连接。
2.根据权利要求1所述的无框型晶硅电池完全抗PID轻质组件，其特征在于，所述电池片任一侧的封装材料层的厚度为0.25-0.8mm。
3.根据权利要求1所述的无框型晶硅电池完全抗PID轻质组件，其特征在于，所述无框型晶硅电池完全抗PID轻质组件的厚度小于1cm，重量为8-12kg。
4.根据权利要求1所述的无框型晶硅电池完全抗PID轻质组件，其特征在于，所述无框型晶硅电池完全抗PID轻质组件还包括焊带，所述焊带设置于所述电池片的正面，所述接线盒与所述焊带进行电性连接。
5.根据权利要求1所述的无框型晶硅电池完全抗PID轻质组件，其特征在于，所述聚烯烃为热固型或热塑型。
6.根据权利要求1所述的无框型晶硅电池完全抗PID轻质组件，其特征在于，所述接线盒为背接式接线盒，其安装于所述电池片的背面。
7.一种电池板，其特征在于，所述电池板包括如权利要求1-6任一项所述的无框型晶硅电池完全抗PID轻质组件，所述组件的数量为多个，所述多个组件之间进行电性连接。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410683128.2A CN104332518A (zh) | 2014-11-24 | 2014-11-24 | 无框型晶硅电池完全抗pid轻质组件及电池板 |
| PCT/CN2014/094364 WO2016082264A1 (zh) | 2014-11-24 | 2014-12-19 | 无框型晶硅电池完全抗pid轻质组件及电池板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410683128.2A CN104332518A (zh) | 2014-11-24 | 2014-11-24 | 无框型晶硅电池完全抗pid轻质组件及电池板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104332518A true CN104332518A (zh) | 2015-02-04 |
Family
ID=52407210
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410683128.2A Pending CN104332518A (zh) | 2014-11-24 | 2014-11-24 | 无框型晶硅电池完全抗pid轻质组件及电池板 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104332518A (zh) |
| WO (1) | WO2016082264A1 (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105789348A (zh) * | 2016-03-15 | 2016-07-20 | 中利腾晖光伏科技有限公司 | 可降低功率衰减的光伏组件 |
| CN107026215A (zh) * | 2016-02-01 | 2017-08-08 | 珠海格力电器股份有限公司 | 光伏组件 |
| CN107154442A (zh) * | 2016-03-03 | 2017-09-12 | 苏州升奥新能源有限公司 | 一种新型无框型晶硅电池完全抗pid轻质组件 |
| CN110034198A (zh) * | 2018-01-11 | 2019-07-19 | 中电电气(上海)太阳能科技有限公司 | 轻质柔性晶硅太阳能组件、层压方法及屋顶太阳能系统 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106449824A (zh) * | 2016-11-30 | 2017-02-22 | 庞倩桃 | 晶硅电池抗pid轻质组件及电池板 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20140150850A1 (en) * | 2012-11-30 | 2014-06-05 | Amtech Systems, Inc. | Solar cell coating |
| CN104124296A (zh) * | 2013-04-28 | 2014-10-29 | 中利腾晖光伏科技有限公司 | 一种适用于集中电站的双玻璃光伏组件 |
| CN104157711A (zh) * | 2014-07-31 | 2014-11-19 | 江西瑞晶太阳能科技有限公司 | 高效抗pid双玻光伏组件 |
| CN204289480U (zh) * | 2014-11-24 | 2015-04-22 | 中利腾晖光伏科技有限公司 | 无框型晶硅电池完全抗pid轻质组件及电池板 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN201072761Y (zh) * | 2007-06-22 | 2008-06-11 | 上海耀江实业有限公司 | 无框太阳能电池板 |
| JP2010171400A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-08-05 | Nitto Denko Corp | 太陽電池パネル端部用シール材、太陽電池モジュール、フレームレス太陽電池モジュールおよび太陽電池パネルの端部のシール構造 |
| KR101286282B1 (ko) * | 2009-03-06 | 2013-07-23 | 가부시키가이샤 아루박 | 프레임리스 태양 전지 패널 및 그 제조 방법 |
| CN202120950U (zh) * | 2011-06-24 | 2012-01-18 | 山东孚日光伏科技有限公司 | 一种无框bipv太阳能电池组件 |
| KR101595199B1 (ko) * | 2011-11-30 | 2016-02-17 | 쌩-고벵 글래스 프랑스 | 모듈 캐리어를 구비한 무프레임 태양광 모듈 및 그 제조 방법 |
| CN104124297A (zh) * | 2013-04-28 | 2014-10-29 | 中利腾晖光伏科技有限公司 | 一种晶硅电池轻质组件 |
-
2014
- 2014-11-24 CN CN201410683128.2A patent/CN104332518A/zh active Pending
- 2014-12-19 WO PCT/CN2014/094364 patent/WO2016082264A1/zh active Application Filing
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20140150850A1 (en) * | 2012-11-30 | 2014-06-05 | Amtech Systems, Inc. | Solar cell coating |
| CN104124296A (zh) * | 2013-04-28 | 2014-10-29 | 中利腾晖光伏科技有限公司 | 一种适用于集中电站的双玻璃光伏组件 |
| CN104157711A (zh) * | 2014-07-31 | 2014-11-19 | 江西瑞晶太阳能科技有限公司 | 高效抗pid双玻光伏组件 |
| CN204289480U (zh) * | 2014-11-24 | 2015-04-22 | 中利腾晖光伏科技有限公司 | 无框型晶硅电池完全抗pid轻质组件及电池板 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107026215A (zh) * | 2016-02-01 | 2017-08-08 | 珠海格力电器股份有限公司 | 光伏组件 |
| CN107154442A (zh) * | 2016-03-03 | 2017-09-12 | 苏州升奥新能源有限公司 | 一种新型无框型晶硅电池完全抗pid轻质组件 |
| CN105789348A (zh) * | 2016-03-15 | 2016-07-20 | 中利腾晖光伏科技有限公司 | 可降低功率衰减的光伏组件 |
| CN110034198A (zh) * | 2018-01-11 | 2019-07-19 | 中电电气(上海)太阳能科技有限公司 | 轻质柔性晶硅太阳能组件、层压方法及屋顶太阳能系统 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2016082264A1 (zh) | 2016-06-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104332518A (zh) | 无框型晶硅电池完全抗pid轻质组件及电池板 | |
| CN102315331B (zh) | 一种轻量化薄膜太阳能电池组件及其制作方法 | |
| CN204289480U (zh) | 无框型晶硅电池完全抗pid轻质组件及电池板 | |
| CN203800062U (zh) | 一种轻型太阳能光伏发电系统的组件 | |
| CN105845763A (zh) | 一种无框型晶硅电池完全抗pid轻质组件和电池板 | |
| CN106712696A (zh) | 一种接线盒集成的太阳能组件 | |
| CN106601845A (zh) | 无框光伏组件及电池板 | |
| CN104935247A (zh) | 一种高抗机械载荷轻量化太阳能电池组件 | |
| CN202058756U (zh) | 一种建筑光伏一体化太阳能电池组件 | |
| CN103887356A (zh) | 一种轻型太阳能光伏发电组件及其生产工艺中的层叠方法 | |
| CN203491276U (zh) | 一种柔性多层pet结构太阳能板 | |
| CN102061787A (zh) | 一种太阳能光电遮阳棚 | |
| CN209859959U (zh) | 抗pid晶体硅太阳能电池组件 | |
| CN203312340U (zh) | 组合式光伏接线盒 | |
| CN206976355U (zh) | 一种太阳能电池板组件 | |
| CN207624719U (zh) | 一种小体积太阳能组件结构 | |
| CN102254976A (zh) | 一种太阳能电池双面组件 | |
| CN202439817U (zh) | 太阳能电动自行车 | |
| CN206834188U (zh) | 便携式充电用光伏组件 | |
| CN206602119U (zh) | 一种光伏组件 | |
| CN201236430Y (zh) | 太阳能光伏电池与建筑一体化装置 | |
| CN107204378B (zh) | 一种太阳能电池板组件及其控制方法 | |
| CN204993247U (zh) | 制冷式光伏电池板 | |
| CN205610575U (zh) | 一种集成的太阳能电池板 | |
| CN207367986U (zh) | 一种内置二极管的光伏组件 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20150204 |