CN104267443B - 基于反演模型的大地电磁场静位移校正方法 - Google Patents

Abstract

本发明的一种基于反演模型的大地电磁场静位移校正方法属于大地电磁测深方法中的数据处理技术领域。本发明的校正方法包括如下步骤：在设计反演的初始模型中，添加一浅表赋值为广义静位移电阻率的高阻体或低阻体，即将存在静位移测点对应的模型网格电阻率赋值为广义静位移电阻率参与反演，进而实现校正该测点的静位移，得到带有静位移校正效果的反演结果。其中，所述的高阻体的电阻率大于背景电阻率，所述的低阻体的电阻率小于背景电阻率。本发明的校正方法在三维理论基础上进行大地电磁场静位移校正，使校正后的结果更接近于实际的地下电性结构，信息更加精准；且通过设计初始模型实现静位移校正，降低实施静校正的复杂度，并且实现工作零成本。

Description

基于反演模型的大地电磁场静位移校正方法

技术领域

本发明涉及大地电磁测深方法中的数据处理技术领域，尤其涉及一种用于校正畸变场产生的畸变数据的大地电磁场静位移校正方法。

背景技术

大地电磁测深(MT)以勘探深度大、设备轻便、数据采集成本较低等优势成为深部地壳探测和找矿的重要手段之一。但是，静位移的存在严重影响了大地电磁测深(MT)数据的准确性及应用效果。以往认为地表部二维或三维不均匀体边界的积累电荷产生的二次电场导致观测的电场分量突变，引起了静位移现象；由于边界面积电荷只对相应频率的电场产生影响，所以静位移常表现为视电阻率曲线垂直于频率轴的明显的平移，而相位曲线不会出现畸变现象；静位移效应直接影响到视电阻率、张量阻抗、电性主轴、二维偏离度等物理量的计算，尤其是使视电阻率曲线在频率-电阻率双对数坐标系中沿频率轴发生畸变，严重影响了反演及解释结果的准确性。

当前的静位移校正方法有以下五种：(1)空间滤波法(Berdichevsky等，1980；Sternberg等，1982；Warner等，1983；Bostick，1986；Torres Verdin and Bostick，1992；刘俊昌，2011)；(2)阻抗张量分解法(Groom等，1989；杨生，2002)；(3)独立测量校正法(Andrienx和Wightman，1984；Sternberg等，1988；Pellerin和Hohmann，1990；Zhang等，1995；姚治龙等，2001；Tripaldi，2010)(4)综合资料解释法(Berdichevsky和Dmitriev，1976；Larsen，1977；Wannamaker等，1984；Jones，1988；deGroot-Hedli，1991；Smith和Booker，1991；方文藻，1993；Meju，1996；王家映，1998；于鹏等，2001；Y.Sasaki，2006)和(5)相位校正方法(Berdichevsky和Dmitriev，1976；何展翔，1993；B.Tournerie等，2007)。

上述五种静位移校正方法分别存在一些缺陷和不足：其中，(1)空间滤波法通过多道测量获取平均电场强度，在电场测量偶极矩大于部不均匀体时非常有效，但是电极排列方向平行于不均匀体分布时，该方法无效，并且该方法成本高、效率较低；(2)阻抗张量分解法通过分解阻抗张量计算畸变张量和畸变参数，当不存在感应型畸变影响时，该方法能较好的恢复视电阻率曲线，但是该方法的计算属欠定问题，不能确定全部畸变参数；(3)独立测量校正法主要是使用大地电磁测深(MT)测点瞬变电磁测深(TEM)结果校正畸变的视电阻率曲线，TEM结果不受静位移效应影响，但是仅在MT与TEM存在重合频段时才能使用，并且该方法不能用于部高阻覆盖区；(4)综合资料解释法将静位移校正系数放入正演、反演计算中或者利用先验信息直接给出校正系数，但是很容易使反演陷入局部极小而停止计算，并且需要较多较确切的先验信息；(5)相位校正法利用不受静位移效应影响的相位，通过邻点相位转换估算地下电阻率，但是实际情况较难满足该方法的要求条件。另外，静位移效应的出现以及偏移量的大小取决于观测点与引起静位移地质体在空间上的相对位置和布站参数等诸多因素。

同时，目前对静位移的认识和现有校正方法仍然是以一、二维大地电磁场理论和假设条件为基础，不符合三维静位移效应的定义，因此存在较大的理论缺陷。并且现有方法均没有野外实验基础(野外勘探实验，包括参数实验和实际物理模型试验)的实测数据作为技术补充或方法验证的依据。对大地电磁测深观测曲线来说，在不了解影响因素的条件下，无法判断出静位移是否存在以及偏移方向和偏移量的大小，进而不可能利用现行校正方法进行完全静校正。所以，现有方法具有不通用性以及对改正结果的不确定性。

另外，现有方法均是基于数据处理过程的校正方法，方法实施十分复杂，而且部分方法的经济成本很高，不容易实现。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明的目的是提供一种基于反演模型的大地电磁场静位移校正方法。该大地电磁场静位移校正方法具有如下特点：

(1)在三维理论基础上进行大地电磁场静位移校正，使校正后的测量结果更接近于实际的地下电性结构，信息更加精准。

(2)以野外实测数据为依据研究静位移现象，实现完整的技术，并作验证以数据反演解释过程为平台，通过设计初始模型实现静位移校正，降低实施静校正的复杂度，并且实现工作零成本。

本发明的目的是通过以下技术方案实现的：

一种大地电磁场静位移校正方法，包括如下步骤：

在设计反演的初始模型中，添加一表具有广义静位移电阻率的高阻体或低阻体参与反演，即将存在静位移测点对应的模型网格电阻率赋值为广义静位移电阻率参与反演，进而实现校正该测点静位移的反演结果；所述的高阻体的电阻率大于背景的电阻率，所述的低阻体的电阻率小于背景的电阻率。所述的背景为反演初始模型的背景。

所述的高阻体或低阻体为不均匀体。

一种大地电磁场静位移校正方法，包括如下步骤：

S1，通过实测数据的视电阻率、阻抗相位和阻抗相位随频率的变化趋势判断该测点是否存在静位移；

S2，如果存在静位移，则确定广义静位移电阻率；

S3，设计反演的初始模型，添加一表具有根据步骤S2中确定的广义静位移电阻率的高阻体或低阻体，将初始模型中对应测点的网格节点电阻率值设定为广义静位移电阻率，进而得到带有静位移校正的反演结果。

进一步的，所述S1步骤中静位移存在的确定方法如下：

当存在静位移时，表现在双对数坐标系中视电阻率测深曲线和相位曲线垂直于频率坐标轴发生移动，并且位移量与频率有关。

进一步的，所述S2步骤中广义静位移电阻率的确定方法如下：

如果TE和TM两种模式的频率-视电阻率曲线在高频或全频段分开，当量差小于零时，广义静位移电阻率应小于背景电阻率值；当量差大于零时，广义静位移电阻率应大于背景电阻率值。

进一步的，所述S2步骤中广义静位移电阻率的确定方法如下：

如果TE和TM两种模式的频率-视电阻率曲线在高频段重合，将两种模式的阻抗相位调至第一象限，当相位量差大于零时，广义静位移电阻率应大于背景电阻率值；当相位量差小于零时，广义静位移电阻率应小于背景电阻率值。

进一步的，所述S2步骤中广义静位移电阻率的确定方法如下：

如果TE和TM两种模式视电阻率、阻抗相位的量差均小于视电阻率或相位的5％，将两种模式的阻抗相位调至第一象限，相位量差随频率的降低由负值向零趋近时，广义静位移电阻率应大于背景电阻率值；当相位量差随频率的降低由正值向零趋近时，广义静位移电阻率应小于背景电阻率值。

静位移现象使大地电磁测深观测资料出现很强的畸变，在数据处理和反演中很可能造成很大误差，甚至是错误，导致错误的地球物理解释和地质解译。而以往的校正方法不能有效、高效的实现静位移校正。本发明提供了一种有效的大地电磁场静位移校正方法，弥补了以往校正方法的不足，该方法便于使用，并且没有任何经济成本，能够实现大地电磁测深数据带静位移校正反演，从而得到较其他反演结果更为真实、准确的地下电性结构模型，为地下水资源、地热资源、矿产资源勘查提供更为可靠的地下电性结构分布资料，也能够为深部地球探测、大陆动力学研究提供更为准确的信息。

附图说明

图1为本发明的大地电磁场静位移校正方法的流程框图；

图2a为含背景电阻的基本模型图；

图2b为在图2a模型中添加不均匀体后的X方向模型图；

图2c为在图2a模型中添加不均匀体后的Y方向模型图；

图3为不均匀体为高阻时TE和TM模式视电阻率正演响应差异图，其中，图中的“+″○″△″◇”等符号表示表不均匀体的电阻率对数值；

图3a为TE模式视电阻率标准值与静位移值的差的关系图；

图3b为TM模式视电阻率标准值与静位移值的差的关系图；

图3c为TM与TE模式视电阻率带静位移值的差的关系图；

图3d为TE模式阻抗相位标准值与静位移值的差的关系图；

图3e TM模式阻抗相位标准值与静位移值的差的关系图；

图3f TM与TE模式阻尼相位带静位移值的差的关系图；

图4为不均匀体为低阻时TE和TM模式阻抗相位正演响应差异图，其中，图中的“+″○″△″◇”等符号表示表不均匀体的电阻率对数值；

图4a为TE模式视电阻率标准值与静位移值的差的关系图；

图4b为TM模式视电阻率标准值与静位移值的差的关系图；

图4c为TM与TE模式视电阻率带静位移值的差的关系图；

图4d为TE模式阻抗相位标准值与静位移值的差的关系图；

图4e为TM模式阻抗相位标准值与静位移值的差的关系图；

图4f为TM与TE模式阻尼相位带静位移值的差的关系图；

图5为四种电极距观测系统图；

图5a为电极距为8米时观测系统图；

图5b为电极距为20米时观测系统图；

图5c为电极距为30米时观测系统图；

图5d为电极距为40米时观测系统图；

图6为不均匀体为高阻时TE和TM模式视电阻率实测响应差异图，其中，其中，图中的“+″○″△″◇”等符号表示数据采集的电极距；

图6a为TE模式视电阻率标准值与静位移值的差的关系图；

图6b为TM模式视电阻率标准值与静位移值的差的关系图；

图6c为TM与TE模式视电阻率带静位移值的差的关系图；

图6d为TE模式阻抗相位标准值与静位移值的差的关系图；

图6e为TM模式阻抗相位标准值与静位移值的差的关系图；

图6f为TM与TE模式阻尼相位带静位移值的差的关系图；

图7为不均匀体为低阻时TE和TM模式视电阻率实测响应差异图，其中，其中，图中的“+″○″△″◇”等符号表示数据采集的电极距；

图7a为TE模式视电阻率标准值与静位移值的差的关系图；

图7b为TM模式视电阻率标准值与静位移值的差的关系图；

图7c为TM与TE模式视电阻率带静位移值的差的关系图；

图7d为TE模式阻抗相位标准值与静位移值的差的关系图；

图7e为TM模式阻抗相位标准值与静位移值的差的关系图；

图7f为TM与TE模式阻尼相位带静位移值的差的关系图；

图8为本发明的理论验证示例图；

图8a为基本模型图；

图8b为带不均匀体的模型图；

图8c为一号点视电阻率的数据图；

图8d为二号点视电阻率的数据图；

图8e为基本模型正演数据的反演结果的信息图；

图8f为静位移数据的未校正反演结果的信息图；

图8g为静位移数据的校正反演结果的信息图；

图9为本发明的实测数据验证示例图；

图9a为视电阻率的数据图；

图9b为阻抗相位的数据图；

图9c为不带静位移校正的反演结果的信息图；

图9d为带有静位移校正的反演结果的信息图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明：

一种基于反演模型设计的大地电磁场静位移校正方法，包括如下步骤：

在设计反演的初始模型中，添加一表具有广义静位移电阻率的高阻体或低阻体参与反演，即将存在静位移测点对应的模型网格电阻率赋值为广义静位移电阻率参与反演，进而实现校正该测点静位移的反演结果；所述的高阻体的电阻率大于背景的电阻率，所述的低阻体的电阻率小于背景的电阻率。其中，所述的高阻体或低阻体为不均匀体。所述的背景为反演初始模型的背景。

进一步的，如图1所示，一种大地电磁场静位移校正方法，包括如下步骤：

S1，通过实测数据的视电阻率、阻抗相位和阻抗相位随频率的变化趋势判断该测点是否存在静位移；

S2，如果存在静位移，则确定广义静位移电阻率；

S3，设计反演的初始模型，添加一表具有根据步骤S2中确定的广义静位移电阻率的高阻体或低阻体，将初始模型中对应测点的网格节点电阻率值设定为广义静位移电阻率，进而得到带有静位移校正的反演结果。

进一步的，所述S1步骤中静位移存在的确定方法如下：

当存在静位移时，表现在双对数坐标系中视电阻率测深曲线和相位曲线垂直于频率坐标轴发生移动，并且位移量与频率有关。

进一步的，所述S2步骤中广义静位移电阻率的确定方法如下：

如果TE和TM两种模式的频率-视电阻率曲线在高频或全频段分开，当量差小于零时，广义静位移电阻率应小于背景电阻率值；当量差大于零时，广义静位移电阻率应大于背景电阻率值。

进一步的，所述S2步骤中广义静位移电阻率的确定方法如下：

如果TE和TM两种模式的频率-视电阻率曲线在高频段重合，将两种模式的阻抗相位调至第一象限，当相位量差大于零时，广义静位移电阻率应大于背景电阻率值；当相位量差小于零时，广义静位移电阻率应小于背景电阻率值。

进一步的，所述S2步骤中广义静位移电阻率的确定方法如下：

如果TE和TM两种模式视电阻率、阻抗相位的量差均很小难以判断时(即视电阻率、阻抗相位的量差均小于视电阻率或相位的5％时)，将两种模式的阻抗相位调至第一象限，相位量差随频率的降低由负值向零趋近时，广义静位移电阻率应大于背景电阻率值；当相位量差随频率的降低由正值向零趋近时时，广义静位移电阻率应小于背景电阻率值。

该校正方法通过设计大地电磁反演解释的初始模型表第一层的网格尺度和电阻率实现静位移校正。初始模型只需设计出现静位移现象的测点对应的网格即可。其中，本发明技术方案中使用的一些基本概念的含义如下：

(1)TE模式：大地电磁场(MT)在二维理论基础下定义的垂直于测线的水平电场和平行于测线的水平磁场分量组合而成的一组场的分量称为TE模式分量，而这种组合称为TE模式。

(2)TM模式：大地电磁场(MT)在二维理论基础下定义的平行于测线的水平电场和垂直于测线的水平磁场分量组合而成的一组场的分量称为TM模式分量，而这种组合称为TM模式。

(3)视电阻率：反映岩石和矿石导电性变化的参数，在地下存在多种岩石的情况下用MT测得的电阻率，不是某一种岩石的真电阻率。它除受各种岩石电阻率的综合影响外，还与岩石、矿石的分布状态(包括一些构造因素)、电磁场方向等具体情况有关，所以称它为视电阻率。

(4)阻抗相位：反映岩石和矿石导电性变化的参数，由电磁场的水平分量求得。

(5)量差：这里专指某一个测点的数据中相同频点的TM模式视电阻率与TE模式视电阻率的差，或者某一个测点的数据中相同频点的TM模式阻抗相位与TE模式阻抗相位的差。

(6)广义静位移电阻率：静位移效应的影响因素可以简化归结为反演模型中部网格节点的电阻率和尺度参数，在反演模型构建过程中，添加一个表的高阻或低阻体(所谓的高阻或低阻体是相对于背景而言的)参与反演，即可达到校正静位移效应的目的，并且高阻或低阻体的电阻率可以随意给定，但是须要确定相对于背景的大小，网格几何参数不需要考虑阻体(或不均匀体)的大小。把这种在反演初始模型中设计的电阻率值定义为广义静位移电阻率。

为了确定广义静位移电阻率，首先要解决一个基本问题，即静位移效应的影响因素。

1、静位移效应的影响因素

影响静位移现象的因素很多、很复杂，但大体可分为两类，即地质类因素和观测技术类因素。

地质类因素主要包括：(1)地下层存在局部不均匀地质体，其电阻率与围岩的差异、规模大小、埋藏深度的变化等因素有关；(2)表存在产状陡峭的层断裂构造的影响。

观测技术类因素主要包括：(1)测量电极距的影响；(2)测量电极布极方向的影响；(3)测量时间的影响；(4)测量电极的接地电阻、电极极差的影响；(5)电极与层地质体的相对位置的影响；(6)地形因素的影响。

以往认为静位移效应由于大地电磁场叠加上一种稳态或似稳态电流场所导致的结果，只影响视电阻率曲线。为了深入分析地质类因素对“静位移效应”特征的影响，本发明以三维电磁场理论为基础，将这些影响因素数值化，并通过MT三维数值模拟对大地电磁场静位移效应进行研究，分析各种地质因素的变化对静位移效应特征的影响规律，总结这些因素的改变与各种静位移效应特征的定性和定量关系，以便建立三维条件下的静位移校正方法。通过三维正演模拟发现，静位移效应对阻抗相位也会产生影响，这很可能是因为不均匀体充当了畸变界面的角色，而它产生的畸变效应不仅影响了电磁波产生的总场强度，也影响了电磁波的波形。

为了深入分析观测技术类因素对“静位移效应”特征的影响，本发明以野外勘探实验为基础，将这些影响因素量化到测量参数中，通过不断改变测量参数和表不均匀体(静位移现象的主要产生原因)的电阻率进行研究，分析各种测量因素的变化对静位移效应特征的影响规律，总结这些因素的改变与各种静位移效应特征的定性和定量关系，以便建立三维条件下的静位移校正方法。发现静位移效应对阻抗相位也会产生影响。

因此，当存在静位移效应时，其特征也主要表现在双对数坐标系中视电阻率测深曲线和相位曲线垂直于频率坐标轴发生移动，并且位移量与频率有关，也就是说不同频率的移动变化量不同。

2、地质类因素产生的静位移现象示例

层不均匀体一直以来被认为是产生静位移的主要原因，在此将层不均匀体的概念细化，表示为地下表的三维电性异常体。

如图2a所示，建立背景电阻率为100欧姆米的地下均匀半空间模型；如图2b和2c所示，在图2a所示模型中添加不均匀体，电阻率在1-10000欧姆米范围内变化，大小为4m＊4m＊4m，地表出露。其中，约定平行于地表的南北向和东西向分别为X方向和Y方向。

图3为不均匀体为高阻时TE和TM模式视电阻率正演响应差异图，其中，图中的“+"○"△"◇”等符号表示表不均匀体的电阻率对数值。

图4为不均匀体为低阻时TE和TM模式阻抗相位正演响应差异图，其中，图中的“+″○″△″◇”等符号表示表不均匀体的电阻率对数值。

如图3a、3b、3c、3d、3e、3f、4a、4b、4c、4d、4e和图4f所示，通过三维正演模拟，在320-1赫兹的频率范围内分别得到不同模式异常响应的差异关系曲线。

由图3和图4可见，当表不均匀体电阻率值与背景不同时，由畸变场得到的视电阻率量差(TM模式异常值：TM模式正常值与TM模式静位移值的差；TE模式异常值：TE模式正常值与TE模式静位移值的差；量差：TM模式异常值与TE模式异常值的差)和阻抗相位量差均不相同，电阻率(对数)差异越大，视电阻率(对数)、阻抗相位的量差越大，并且这种关系服从非线性规律。此外，量差的变化与频率有关。其他因素的静位移现象也有相似结果。

3、观测技术类因素产生的静位移现象示例

如图5所示，野外观测实验中设计四种电极距观测系统，其中，图5a、图5b、图5c和图5d的电极距分别为8米、20米、30米和40米。首先测量没有不均匀体时的标准数据(通过计算得到视电阻率和阻抗相位)，然后埋入电阻体或者电导体(4米×4米×4米，电阻率分别为1000000欧姆米和1欧姆米。测点的地下真实电阻率变化范围约为10-100欧姆米。

图6为不均匀体为高阻时TE和TM模式视电阻率实测响应差异图，其中，其中，图中的“+″○″△″◇”等符号表示数据采集的电极距(即8、20、30、40米)。

图7为不均匀体为低阻时TE和TM模式视电阻率实测响应差异图，其中，其中，图中的“+"○"△″◇”等符号表示表数据采集的电极距(即8、20、30、40米)。

如图6a、6b、6c、6d、6e、6f、7a、7b、7c、7d、7e和图7f所示，频率-视电阻率(阻抗相位)曲线随偶极距的变化。

由图6和图7可见，不同模式视电阻率和阻抗相位的静位移量(标准值与带有静位移现象的畸变值之差)和量差随静位移的影响因素变化而变化，并且随频率明显变化。其他因素的静位移现象也有相似结果。

4、判定广义静位移电阻率

由理论模拟和野外实验的结果可知，所有因素对静位移现象的影响有一个共同的特征：当表不均匀体为高阻(或可等效为高阻不均匀体)时，视电阻率量差(总体上)大于零，阻抗相位(总体上)小于零，阻抗相位量差值随频率的降低由负数增大至0；当表不均匀体为低阻(或可等效为低阻不均匀体)时，视电阻率量差(总体上)小于零，阻抗相位(总体上)大于零，阻抗相位量差值随频率的降低由正数减小至0。

虽然静位移现象的影响因素十分复杂，但是全部都可以归结为电阻率数值这一种变化因素上，因此，可以通过在反演的初始模型中设计广义静位移电阻率实现静校正。

可以依据下列步骤对广义静位移电阻率进行判定

(1)如果TE和TM两种模式的频率-视电阻率曲线在高频或全频段分开，当量差小于零时，广义静位移电阻率应小于背景电阻率值；当量差大于零时，广义静位移电阻率应大于背景电阻率值。

(2)如果TE和TM两种模式的频率-视电阻率曲线高频段重合，将两种模式的阻抗相位调至第一象限，当相位量差大于零时，广义静位移电阻率应大于背景电阻率值；当相位量差小于零时，广义静位移电阻率应小于背景电阻率值。

(3)如果TE和TM两种模式视电阻率、阻抗相位的量差均很小难以判断，将两种模式的阻抗相位调至第一象限，相位量差随频率的降低由负值向零趋近时，广义静位移电阻率应大于背景电阻率值；当相位量差随频率的降低由正值向零趋近时时，广义静位移电阻率应小于背景电阻率值。

因此，在反演模型构建过程中，添加一个表的高阻或低阻体(即设计表网格赋值为广义静位移电阻率)参与反演，即可达到校正该测点静位移效应的目的。

本发明的技术方案产生了明显的技术效果，并经过了理论数据验证方法和实测数据验证方法的有效性验证，具体如下：

图8为本发明技术方案理论数据验证方法有效性的示例，图8a为两个异常体的基本模型，图8b为添加表两个不均匀体(一号点和二号点)的模型，如图8c和图8d所示，分别进行正演模拟得到理论视电阻率和阻抗相位数据，带有静位移的视电阻率数据。在本发明的静位移校正方法指导下，根据广义静位移电阻率概念和判断依据对一号点和二号点的初始模型进行重构，如图8g所示，得到了带有静位移校正的反演结果，如图8e和图8f所示，分别与基本模型反演结果和未校正反演结果进行对比发现，校正的反演结果(如图8g所示)与真实反演结果(如图8e所示)一致性很好，而未校正的反演结果(如图8f所示)没有准确反映地下电性结构，并且可能会导致错误的解释。

图9为本发明技术方案实测数据验证方法有效性的示例，通过分析发现带有静位移的视电阻率数据如图9a和图9b所示。在本发明的静位移校正方法指导下，根据广义静位移电阻率概念和判断依据对带有静位移的测点对应的的初始模型网格进行重构，得到了带有静位移校正的反演结果(如图9d所示)，与未校正反演结果(如图9c所示)和该地区已知的地质信息以及地球物理信息进行对比发现，校正的反演结果(如图9d所示)更接近真实的地下电阻率分布结构，例如更加清晰的地下浅表低阻层和深部高阻层(深度范围300-500米，横向范围300-2300米)。而未校正的反演结果(如图9c所示)没有准确反映地下电性结构，很可能会导致错误的解释。

以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求书的保护范围为准。

Claims (6)

1.一种基于反演模型的大地电磁场静位移校正方法，其特征在于，包括如下步骤：

在设计反演的初始模型中，添加一浅表赋值为广义静位移电阻率的高阻体或低阻体参与反演，即将存在静位移测点对应的模型网格电阻率赋值为广义静位移电阻率参与反演，进而实现校正对应测点静位移的反演结果；所述的高阻体的电阻率大于背景的电阻率，所述的低阻体的电阻率小于背景的电阻率，所述的背景为反演初始模型的背景；

该校正方法具体包括如下步骤：

S1，通过实测数据的视电阻率、阻抗相位和阻抗相位随频率的变化趋势判断该测点是否存在静位移；

S2，如果存在静位移，则确定广义静位移电阻率；

S3，设计反演的初始模型，添加一浅表具有根据步骤S2中确定的广义静位移电阻率的高阻体或低阻体，将初始模型中对应测点的网格节点电阻率值设定为广义静位移电阻率，进而得到带有静位移校正的反演结果。

2.根据权利要求1所述的大地电磁场静位移校正方法，其特征在于，所述的高阻体或低阻体为不均匀体。

3.根据权利要求1所述的大地电磁场静位移校正方法，其特征在于，所述S1步骤中静位移存在的确定方法如下：

当存在静位移时，表现在双对数坐标系中视电阻率测深曲线和相位曲线垂直于频率坐标轴发生移动，并且位移量与频率有关。

4.根据权利要求1所述的大地电磁场静位移校正方法，其特征在于，所述S2步骤中广义静位移电阻率的确定方法如下：

如果TE和TM两种模式的频率-视电阻率曲线在高频或全频段分开，当量差小于零时，广义静位移电阻率应小于背景电阻率值；当量差大于零时，广义静位移电阻率应大于背景电阻率值。

5.根据权利要求1所述的大地电磁场静位移校正方法，其特征在于，所述S2步骤中广义静位移电阻率的确定方法如下：

如果TE和TM两种模式的频率-视电阻率曲线在高频段重合，将两种模式的阻抗相位调至第一象限，当相位量差大于零时，广义静位移电阻率应大于背景电阻率值；当相位量差小于零时，广义静位移电阻率应小于背景电阻率值。

6.根据权利要求1所述的大地电磁场静位移校正方法，其特征在于，所述S2步骤中广义静位移电阻率的确定方法如下：

如果TE和TM两种模式视电阻率、阻抗相位的量差均小于视电阻率或相位的5％，将两种模式的阻抗相位调至第一象限，相位量差随频率的降低由负值向零趋近时，广义静位移电阻率应大于背景电阻率值；当相位量差随频率的降低由正值向零趋近时时，广义静位移电阻率应小于背景电阻率值。