CN104263370B - 一种荧光粉、一种发光材料混合物和一种发光材料 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种荧光粉、一种发光材料混合物和一种发光材料,其特征在于,所述混合物包括蓝色余晖发光材料A和黄色发光材料B,其中,所述蓝色余辉发光材料A是:Sr4Al14O25:Eu2+,Dy3+、CaS:Bi3+,Na+、CaS:Cu+,Na+或CaSrS:Bi3+中的至少一种,所述黄色发光材料B是:Y2O3·Al2O3·SiO2:Ce·B·Na·P、Tb3Al5O12:Ce、Y2O2S:Mg,Ti、Sr3SiO5:Eu2+,Dy3+、CaS:Sm3+、YAG:Ce或TAG:Ce中的至少一种,所述蓝色余辉发光材料A与所述黄色发光材料B的重量配比是10~70wt%:30~90wt%,在提供未经整流成直流电的交流电的情况下,所述混合物能够与LED芯片配合发出低频闪的光线。
Description
本发明是原申请号为CN201080065355.9、原申请日为2010年7月9日、原发明名称为白光LED照明装置的分案申请,优先权号为CN201010123249.3,其中,所述原申请是基于国际申请号PCT/CN2010/075081进入中国国家阶段的发明专利申请。
技术领域
本发明涉及LED照明领域,尤其涉及一种用于白光LED、由蓝色余辉发光材料和黄色发光材料构成的荧光粉和发光材料和混合物。
背景技术
目前,LED用于照明、显示和背光源等领域,并以其节能、耐用、无污染等优点作为最有希望的下一代照明方式而引起广泛的重视。实现白光LED有多种方案,其中采用蓝光LED芯片和黄色荧光粉组合来实现白光发射是当前制备白光LED最为成熟的技术方案。1967年《Appl.Phys.Lett.》第11卷第53页报道了发光材料Y3Al5O12:Ce3+,该材料具有黄色发光,最强发光波长在550纳米,寿命小于100纳秒。1997年《Appl.Phys.A》第64期417页报道了利用Y3Al5O12:Ce3+的黄色发光和蓝光氨化嫁实现了LED白光发射,此技术是当前制备白光LED最为成熟的技术方案。但在实际应用中,随着工作中器件温度的升高,蓝光LED芯片和荧光粉的发光强度都会下降,而且荧光粉的发光强度下降更为显著,这就影响LED的使用。传统LED都用直流电做为驱动能源,然而目前不论是家庭、工商业或公共用电,大多以交流电的方式提供,因此在使用LED作为照明等用途时必须附带整流变压器将交流/直流转换,才能确保LED的正常运作。但在交流/直流转换的过程中,有高达15~30%的电力耗损,同时转换设备成本也很可观,在安装上也费工费时, 效率不高。CNl00464111C公布了一种利用不同发光颜色的LED芯片并联在交流电源中的交流LED灯,主要描述不同颜色的LED芯片在一起构成白光,及其具体电路,如红、绿和蓝色发光芯片,而没有涉及发光粉。美国专利US7,489,086B2公布了一种交流LED驱动装置及使用它的照明器件。该专利也着重于电路的组成,面对发光粉未见创新报道,仍然是使用传统Y3Al5O12:Ce3+发光粉。
关于发光粉的改进,中国专利CN101118935A公开了白光LED及其照明装置。该发明要解决的技术问题在于提供具有发光效率高、显色性好和蓄光性的白光LED。其具有以下技术特征:包括紫光、紫外或蓝光的LED芯片及形成于所述LED芯片的发光面上,并由在所述紫光、紫外或蓝光激发下分别发出不同颜色的光的红色荧光粉、绿色荧光粉和选择蓝绿色荧光粉、橙(或黄)色荧光粉中至少一种荧光粉构成的荧光粉层,所述荧光粉可以由双组份荧光粉组成,一个组分具有蓄光性,另一组分具有非蓄光性。但是该发明完全未涉及在交流电下使用的LED,更未提到频闪、发热的问题。
中国专利CN101052254B公开了驱动LED发光的方法。该发明的目的是提供一种驱动LED发光的方法,电源经脉冲发生装置产生具有一定占空比的超额定脉冲电流,所述超额定脉冲电流的频率为1KHz至1GHz,该超额定脉冲电流驱动LED间隔、超亮度发光,间隔的频率达到一定的高频,人的眼睛识别到的是连续的发光。该发明的技术手段是使脉冲电流间隔的频率达到一定高频(1KHz至1GHz),目的是利用人眼的视觉暂留的生理现象使得人的肉眼无法识别发光器件的波动。在此种情况下虽然人眼无法识别脉冲发光的波动性,但实际上LED依然是在脉冲波动光下进行工作。对于采用几十至几百赫兹的脉冲电流,如何才能达到白光LED照明装置不产生频闪,采用什么样组分的发光涂层能克服脉冲电供电时,当电流周期变化时,造成的光输出不稳定,频闪对眼睛的伤害,这些是不可预知的,没有从根本上解决频闪问题。
中国专利CN101208813B公开了用于交流电力操作的发光装置。该发明公开的交流发光装置具有由若干发光单元串联构成的LED晶片。这 些晶片在交流电源下工作的前提是必须采用桥式整流器。众所周知,桥式整流器的作用是把交流电变为直流电,仍然没有摆脱LED驱动电路对整流器的依赖,并不能明显提升LED照明设备整体使用寿命和降低成本。虽然在文件最后部分有提到“延迟磷光体衰减时间为1毫秒以上,该延迟磷光体可以采用各种已知荧光粉”的技术构想,但是从描述可以看出这纯粹只是一种猜想,而没有投入实用,同时仅概念性提出了交流直接驱动LED芯片与荧光粉的组合,但其中根本就没有公开任何技术细节。
通过对上述现有技术的分析,中国专利CN101118935A、中国专利CN101052254B和中国专利CN101208813B及其结合都没有给出采用交流直接驱动LED芯片发出低频闪光线的技术方案。
本发明的发明人研究了一种具有黄色长余辉现象的Y2O3·Al2O3·SiO2:Ce·B·Na·P发光材料以及使用它的白光LED照明装置(中国专利申请200910307357.3)。目前,仍然需要进行对用于交流LED白光照明装置的发光材料的研究,以克服温度淬灭效应和交流电流方向改变给交流LED白光照明装置带来的影响,为LED白光照明领域提供更多选择。
发明内容
本发明的目的是提供一种新的LED白光照明装置。
本发明的技术方案:蓝光LED芯片或紫外芯片+蓝色余辉发光材料A+黄色发光材料B。其中,蓝色余辉发光材料A与黄色发光材料B的重量配比为10-70wt%:30-90wt%。优选的是:20-50wt%:50-80wt%。
进一步地,所述蓝色余辉发光材料A的发光波长峰值在440-490纳米之间。
进一步地,所述蓝色余辉发光材料A为Sr4Al14O25:Eu2+,Dy3+、Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+、CaS:Bi3+,Na+、CaS:Cu+,Na+或CaSrS:Bi3+中的至少一种。
所述黄色发光材料B的发光波长峰值在520-580纳米之间。
进一步地,黄色发光材料B是具有余辉现象的发光材料、不具有余 辉的黄色发光材料,或二者混合。
进一步地,黄色发光材料B是:Y2O3·Al2O3·SiO2:Ce·B·Na·P、Y2O2S:Mg,Ti、Sr3SiO5:Eu2+,Dy3+、Ca2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+、CaS:Sm3+、YAG:Ce或TAG:Ce中的至少一种。
本发明LED白光照明装置的白光发射来自于在蓝光LED芯片或紫外芯片的激发下,蓝色余辉发光粉发射的蓝光,黄色发光粉发射的黄光与芯片的光组合成白光。
用紫光和紫外LED芯片也能激发上述发光粉,产生同样的效果。
本发明发光材料涂层可以采用蓝色余辉发光材料A+黄色发光材料B的混合发光涂层。也可以先将蓝色余辉发光材料A涂在芯片上后再在蓝色余辉发光材料A涂层上黄色发光材料B。
本发明交流LED白光照明装置原理如下:
通过附图1中所示的交流LED照明装置的基本模块示意图可以看出,由于交流电的周期性特性,所以基于此模块的LED的发光也会具有明暗变化的周期性,亦即发光频闪,从而影响器件的使用。
本发明由于采用具有余辉特性的发光材料,在激发光源消失时能维持发光,这样,在基于本发明方案的交流LED白光照明装置中,当电流周期变化时,蓝色余辉材料会发射蓝色余辉,起到了弥补蓝光和激发黄色发光粉的作用,从而克服了由于交流电波动导致的LED芯片的发光颇闪对照明器件的影响,使器件在交流周期的光输出保持稳定。另外,由于在交流周期内LED芯片有半个周期不工作,使得其热效应下降,这样有助于克服现有LED白光照明装置使用中碰到的芯片发热带来的系列难题。
附图说明
图1为交流LED发光装置LED基本模块示意图
图2为Sr4Al14O25:Eu2+,Dy3+余辉光谱
图3为Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+余辉光谱
图4为Y2O3·Al2O3·SiO2:Ce·B·Na·P的光致发光光谱
图5为LED发光单元组成示意图
图5-1,1为蓝色余辉发光材料A+黄色发光材料B的混合发光涂层;2为蓝光、紫光或紫外LED芯片;3为透镜。
图5-2,2为蓝光、紫光或紫外LED芯片;3为透镜,5为蓝色余辉发光材料A的涂层,4为黄色发光材料B的涂层。
以下通过实施例形式的具体实施方式,对本发明的上述内容再作进一步的详细说明。但不应将此理解为本发明上述主题的范围仅限于以下的实例,凡基于本发明上述内容所实现的技术均属于本发明的范围。特别是在基本电路组成上,本发明的实施例仅给出了最简单的单向串联式电路,但本发明的交流LED照明装置的电路并不局限于此,还包括如反向串并联式电路和桥式电路。实施例中,蓝光LED芯片的发射波长为460纳米,紫光LED芯片的发射波长为400nm,紫外LED芯片的发射波长为365nm。
具体实施方式
一种新的LED白光照明装置,它是由蓝光LED芯片+蓝色余辉发光材料A+黄色发光材料B组成。其中,蓝色余辉发光材料A与黄色发光材料B的重量配比为10~70wt%:30~90wt%。优选的是:20~50wt%:50~80wt%。
其中,蓝色余辉发光材料A的发光波长峰值在440~490纳米之间,如:Sr4Al14O25:Eu2+,Dy3+、Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+、CaS:Bi3+,Na+、CaS:Cu+,Na+或CaSrS:Bi3+。可以是一种或一种以上蓝色余辉发光材料的组合。
黄色发光材料B可以是具有余辉现象的发光材料,也可以是不具有余辉的黄色发光材料,或是二者混合。其发光波长峰值在520~580纳米之间。具有余辉现象的发光材料:Ce激活的具有余辉现象的Y2O3·Al2O3·SiO2:Ce·B·Na·P、Y2O2S:Mg,Ti、Sr3SiO5:Eu2+,Dy3 +、Ca2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+、CaS:Sm3+;不具有余辉的黄色发光材料YAG:Ce 和TAG:Ce。
本发明LED白光照明装置的白光发射来自于在蓝光LED芯片激发下,蓝色余辉发光粉发射的蓝光,黄色发光粉发射的黄光与芯片的光组合成白光。
本发明交流LED白光照明装置通过并联两个反向的LED或桥式电路可以实现交流输入。但是由于交流电的周期性特性,所以基于此两个模块的LED的发光也会具有明暗变化的周期性,亦即发光频闪,从而影响器件的使用。
本发明由于采用具有余辉特性的发光材料,在激发光源消失时能维持发光,这样,在基于本发明方案的交流LED白光照明装置中,当电流周期变化时,蓝色余辉发光材料会发射蓝色余辉,起到弥补蓝光和激发黄色发光粉的作用,从而克服了由于交流电波动导致的LED芯片的发光频闪对照明器件的影响,使器件在交流周期的光输出保持稳定。另外,由于在交流周期内LED芯片有半个周期不工作,使得其热效应下降,这样有助于克服现有LED白光照明装置使用中碰到的芯片发热带来的系列难题。
以下是具体实施例。
实施例1-18
表1
制备方法如下:将发光材料A和B过500目筛,然后按实施例1-18中所描述的比例将A和B材料混合均匀后使用功率为0.1W的LED芯片封装,做成基本单元如图1的交流LED白光照明装置。
试验例1本发明交流LED发光装置发光特性
由于常用交流电的频率为50赫兹,也就是周期为20毫秒,方向不变而电流大小变化为半周期10毫秒,表2给出了实施例1-18所给出的LED芯片用市电直接阵压但未经过交直变换供电的、如图1模块所示的发光器件用每秒拍300张照片的高速摄像机测试的20毫秒内的发光亮度。参比样为市售蓝光芯片封装上黄色发光材料的白光LED芯片按同一方式组成的交流LED照明装置。表2中亮度数据为仪器的测试相对亮度,无量纲。
表2
从表1的数据说明本发明在交流电周期中的发光较为稳定,而使用现有市售蓝光芯片封装上黄色发光材料的白光LED照明装置获得的发光不稳定,且在交流电负半周期内由于电压反向不发光。
试验例2本发明交流LED发光装置的光衰
表3给出了实施例1-18和参比样的光衰数据。参比样为将市售蓝光芯片封装上黄色发光材料的白光LED芯片按目前通用的直流供电方式安装的照明装置。测试方法如下:将实施例1-18所述交流LED照明装置和参比样通电后在一定间隔时间内测其发光亮度,结果如表3所示。表3中数据为相对亮度,以最初数据归一化。
表3
从表3的数据可以看出本发明的交流白光LED照明装置的亮度衰减要小于采用现有方式的LED照明装置。
表2-3的数据说明,本发明的使用蓝光余辉发光材料和黄色发光材料制备的交流LED白光照明装置具有在交流供电时发光稳定以及光衰小的优点,与现有LED照明装置相比具有明显的新颖性和创造性。
Claims (11)
1.一种用于交流直接驱动型LED芯片的荧光粉,其特征在于,所述荧光粉包括蓝色余辉发光材料A和黄色发光材料B,其中,
所述蓝色余辉发光材料A是:Sr4Al14O25:Eu2+,Dy3+、CaS:Bi3+,Na+、CaS:Cu+,Na+或CaSrS:Bi3+中的至少一种,
所述黄色发光材料B是:Y2O3·Al2O3·SiO2:Ce·B·Na·P,或者Tb3Al5O12:Ce、Y2O2S:Mg,Ti、Sr3SiO5:Eu2+,Dy3+、CaS:Sm3+、YAG:Ce或TAG:Ce中的至少一种与Y2O3·Al2O3·SiO2:Ce·B·Na·P的组合,
所述蓝色余辉发光材料A与所述黄色发光材料B的重量配比是10~70wt%:30~90wt%,
在直接提供未经整流成直流电的交流电的情况下,所述荧光粉能够与LED芯片配合发出低频闪的光线。
2.一种具有余辉特性的发光材料,其特征在于,所述发光材料包括蓝色余辉发光材料A和黄色发光材料B,其中,
所述蓝色余辉发光材料A是:Sr4Al14O25:Eu2+,Dy3+、CaS:Bi3+,Na+、CaS:Cu+,Na+或CaSrS:Bi3+中的至少一种,
所述黄色发光材料B是:Y2O3·Al2O3·SiO2:Ce·B·Na·P,或者Tb3Al5O12:Ce、Y2O2S:Mg,Ti、Sr3SiO5:Eu2+,Dy3+、CaS:Sm3+、YAG:Ce或TAG:Ce中的至少一种与Y2O3·Al2O3·SiO2:Ce·B·Na·P的组合,
所述蓝色余辉发光材料A与所述黄色发光材料B的重量配比是10~70wt%:30~90wt%,
在直接提供未经整流成直流电的交流电的情况下,所述发光材料能够与LED芯片配合发出低频闪的光线。
3.一种用于白光LED芯片的荧光粉,其特征在于,所述荧光粉包括蓝色余辉发光材料A和黄色发光材料B,其中,
所述蓝色余辉发光材料A是:Sr4Al14O25:Eu2+,Dy3+、CaS:Bi3+,Na+、CaS:Cu+,Na+或CaSrS:Bi3+中的至少一种,
所述黄色发光材料B是:Y2O3·Al2O3·SiO2:Ce·B·Na·P,或者Tb3Al5O12:Ce、Y2O2S:Mg,Ti、Sr3SiO5:Eu2+,Dy3+、CaS:Sm3+、YAG:Ce或TAG:Ce中的至少一种与Y2O3·Al2O3·SiO2:Ce·B·Na·P的组合,
所述蓝色余辉发光材料A与所述黄色发光材料B的重量配比是10~70wt%:30~90wt%,
在直接提供未经整流成直流电的交流电的情况下,所述荧光粉能够与LED芯片配合发出低频闪的光线。
4.一种蓝色余辉发光材料与黄色发光材料的混合物,其特征在于,所述混合物包括蓝色余辉发光材料A和黄色发光材料B,其中,
所述蓝色余辉发光材料A是:Sr4Al14O25:Eu2+,Dy3+、CaS:Bi3+,Na+、CaS:Cu+,Na+或CaSrS:Bi3+中的至少一种,
所述黄色发光材料B是:Y2O3·Al2O3·SiO2:Ce·B·Na·P,或者Tb3Al5O12:Ce、Y2O2S:Mg,Ti、Sr3SiO5:Eu2+,Dy3+、CaS:Sm3+、YAG:Ce或TAG:Ce中的至少一种与Y2O3·Al2O3·SiO2:Ce·B·Na·P的组合,
所述蓝色余辉发光材料A与所述黄色发光材料B的重量配比是10~70wt%:30~90wt%,
在直接提供未经整流成直流电的交流电的情况下,所述混合物能够与LED芯片配合发出低频闪的光线。
5.如权利要求1至4之一所述的用于交流直接驱动型LED芯片的荧光粉、具有余辉特性的发光材料、用于白光LED芯片的荧光粉、或蓝色余辉发光材料与黄色发光材料的混合物,其特征在于,所述蓝色余辉发光材料A还包括Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+和/或所述黄色发光材料B还包括Ca2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+。
6.如权利要求5所述的用于交流直接驱动型LED芯片的荧光粉、具有余辉特性的发光材料、用于白光LED芯片的荧光粉、或蓝色余辉发光材料与黄色发光材料的混合物,其特征在于,所述蓝色余辉发光材料A和所述黄色发光材料B包括:
5wt%Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+、30wt%Sr4Al14O25:Eu2+,Dy3+、15wt%CaS:Bi3+,Na+、25wt%Y2O3·Al2O3·SiO2:Ce·B·Na·P、10wt%Sr3SiO5:Eu2+,Dy3+和15wt%Ca2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+;或者
10wt%Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+、15wt%CaSrS:Bi3+、35wt%Sr4Al14O25:Eu2+,Dy3+、5wt%CaS:Bi3+,Na+、5wt%CaS:Cu+,Na+、5wt%Y2O2S:Mg,Ti和25wt%Y2O3·Al2O3·SiO2:Ce·B·Na·P;或者
35wt%CaS:Bi3+,Na+、25wt%Y2O3·Al2O3·SiO2:Ce·B·Na·P、10wt%CaS:Sm3+、15wt%Y2O2S:Mg,Ti、5wt%Sr3SiO5:Eu2+,Dy3+和10wt%Ca2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+;或者
5wt%Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+、25wt%Sr4Al14O25:Eu2+,Dy3+、15wt%CaS:Bi3+,Na+、25wt%Y2O3·Al2O3·SiO2:Ce·B·Na·P、20wt%Sr3SiO5:Eu2+,Dy3+和10wt%Ca2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+;或者
10wt%Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+、10wt%CaSrS:Bi3+、35wt%Sr4Al14O25:Eu2+,Dy3+、5wt%CaS:Bi3+,Na+、5wt%CaS:Cu+,Na+、10wt%Y2O2S:Mg,Ti和25wt%Y2O3·Al2O3·SiO2:Ce·B·Na·P;或者
20wt%Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+、35wt%Sr4Al14O25:Eu2+,Dy3+和45wt%Y2O3·Al2O3·SiO2:Ce·B·Na·P;或者
10wt%Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+、25wt%Sr4Al14O25:Eu2+,Dy3+、5wt%CaS:Bi3+,Na+、30wt%Y2O3·Al2O3·SiO2:Ce·B·Na·P、15wt%Sr3SiO5:Eu2+,Dy3+和15wt%Ca2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+;或者15wt%Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+、5wt%CaSrS:Bi3+、10wt%Sr4Al14O25:Eu2+,Dy3+、5wt%CaS:Bi3+,Na+、5wt%CaS:Cu+,Na+、20wt%Y2O2S:Mg,Ti和40wt%Y2O3·Al2O3·SiO2:Ce·B·Na·P。
7.如权利要求1至4之一所述的用于交流直接驱动型LED芯片的荧光粉、具有余辉特性的发光材料、用于白光LED芯片的荧光粉、或蓝色余辉发光材料与黄色发光材料的混合物,其特征在于,所述蓝色余辉发光材料A和所述黄色发光材料B包括:
40wt%Sr4Al14O25:Eu2+,Dy3和60wt%Y2O3·Al2O3·SiO2:Ce·B·Na·P;或者45wt%Sr4Al14O25:Eu2+,Dy3+和55wt%Y2O3·Al2O3·SiO2:Ce·B·Na·P。
8.如权利要求6所述的用于交流直接驱动型LED芯片的荧光粉、具有余辉特性的发光材料、用于白光LED芯片的荧光粉、或蓝色余辉发光材料与黄色发光材料的混合物,其特征在于,所述蓝色余辉发光材料A的发光波长峰值在440~490纳米之间,所述黄色发光材料B的发光波长峰值在520~580纳米之间。
9.如权利要求5所述的用于交流直接驱动型LED芯片的荧光粉、具有余辉特性的发光材料、用于白光LED芯片的荧光粉、或蓝色余辉发光材料与黄色发光材料的混合物,其特征在于,所述蓝色余辉发光材料A与所述黄色发光材料B的重量配比是20~50wt%:50~80wt%。
10.如权利要求8所述的用于交流直接驱动型LED芯片的荧光粉、具有余辉特性的发光材料、用于白光LED芯片的荧光粉、或蓝色余辉发光材料与黄色发光材料的混合物,其特征在于,所述LED芯片是蓝光LED芯片或紫光LED芯片或紫外LED芯片,其中,
所述蓝光LED芯片的发射波长为460纳米,
所述紫光LED芯片的发射波长为400纳米,
所述紫外LED芯片的发射波长为365纳米。
11.如权利要求10所述的用于交流直接驱动型LED芯片的荧光粉、具有余辉特性的发光材料、用于白光LED芯片的荧光粉、或蓝色余辉发光材料与黄色发光材料的混合物,其特征在于,所述蓝色余辉发光材料A和所述黄色发光材料B经过500目筛子筛选。
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