CN104253210A - 磁传感装置的制造工艺 - Google Patents

Abstract

本发明揭示了一种磁传感装置的制造工艺，包括：在基底上形成介质材料层；沉积磁性材料及保护材料；通过曝光、刻蚀工艺形成磁性材料的阵列；沉积阻挡材料；沉积导电材料；通过半导体工艺曝光、刻蚀，形成金属电极，由于阻挡材料的保护作用，金属刻蚀工艺会停留在阻挡材料上方，保障磁传感器件的性能；去除磁性材料之间残留的阻挡层材料；沉积介质层材料，配合化学机械抛光进行平坦化，并通过光刻工艺打开通孔，沉积第二层金属，并进行光刻形成金属连线。本发明采用阻挡层保护磁性材料，避免了此层介质材料层的采用，还可以减少一层光刻层，降低了成本。此外，本发明工艺有助于提升金属与磁性材料保护层的接触，从而提高器件性能，提升良率。

Description

磁传感装置的制造工艺

技术领域

本发明属于半导体工艺技术领域，涉及一种磁传感装置，尤其涉及一种磁传感装置的制造工艺。

背景技术

磁传感器按照其原理，可以分为以下几类：霍尔元件，磁敏二极管，各项异性磁阻元件（AMR），隧道结磁阻(TMR)元件及巨磁阻(GMR)元件、感应线圈、超导量子干涉磁强计等。

电子罗盘是磁传感器的重要应用领域之一，随着近年来消费电子的迅猛发展，除了导航系统之外，还有越来越多的智能手机和平板电脑也开始标配电子罗盘，给用户带来很大的应用便利，近年来，磁传感器的需求也开始从两轴向三轴发展。两轴的磁传感器，即平面磁传感器，可以用来测量平面上的磁场强度和方向，可以用X和Y轴两个方向来表示。

以下介绍现有磁传感器的工作原理。磁传感器采用各向异性磁致电阻（AnisotropicMagneto-Resistance）材料来检测空间中磁感应强度的大小。这种具有晶体结构的合金材料对外界的磁场很敏感，磁场的强弱变化会导致AMR自身电阻值发生变化。

在制造、应用过程中，将一个强磁场加在AMR单元上使其在某一方向上磁化，建立起一个主磁域，与主磁域垂直的轴被称为该AMR的敏感轴，如图1所示。为了使测量结果以线性的方式变化，AMR材料上的金属导线呈45°角倾斜排列，电流从这些导线和AMR材料上流过，如图2所示；由初始的强磁场在AMR材料上建立起来的主磁域和电流的方向有45°的夹角。

当存在外界磁场Ha时，AMR单元上主磁域方向就会发生变化而不再是初始的方向，那么磁场方向M和电流I的夹角θ也会发生变化，如图3所示。对于AMR材料来说，θ角的变化会引起AMR自身阻值的变化，如图4所示。

通过对AMR单元电阻变化的测量，可以得到外界磁场。在实际的应用中，为了提高器件的灵敏度等，磁传感器可利用惠斯通电桥检测AMR阻值的变化，如图5所示。R1/R2/R3/R4是初始状态相同的AMR电阻，当检测到外界磁场的时候，R1/R2阻值增加ΔR而R3/R4减少ΔR。这样在没有外界磁场的情况下，电桥的输出为零；而在有外界磁场时，电桥的输出为一个微小的电压ΔV。

目前的三轴传感器是将一个平面（Ｘ、Ｙ两轴）传感部件与Ｚ方向的磁传感部件进行系统级封装组合在一起，以实现三轴传感的功能（可参考美国专利US5247278、US5952825、US6529114、US7126330、US7358722）；也就是说需要将平面传感部件及Ｚ方向磁传感部件分别设置于两个圆晶或芯片上，最后通过封装连接在一起。目前，在单圆晶/芯片上无法同时实现三轴传感器的制造。

此外，在磁性传感器的实际应用中，在磁性材料阵列形成后，普遍采用介质层进行覆盖，随后在介质层上进行开口，但是此步工艺非常容易在打开的窗口区域出现接触问题，这种接触问题轻则会提高接触电阻影响器件性能，重则会使金属与磁性材料连接失效，导致器件无法工作，因此使磁性传感器制造中面临的严峻问题。

有鉴于此，如今迫切需要设计一种新的磁传感装置的制造工艺，以克服现有工艺的上述缺陷。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：提供一种磁传感装置的制造工艺，可提高器件性能，提升良率。

为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：

一种磁传感装置的制造工艺，所述制造工艺包括如下步骤：

步骤S1、在基底上形成介质材料层；

步骤S2、沉积磁性材料及保护材料，形成磁性材料层及保护层；

步骤S3、通过曝光、刻蚀工艺形成磁性材料的阵列；

步骤S4、沉积阻挡材料，形成阻挡层，用以保护磁性材料阵列；

步骤S5、沉积导电材料，形成金属层，金属层为单层或者多层结构；

步骤S6、通过半导体工艺曝光、刻蚀，形成金属电极，由于阻挡材料的保护作用，金属刻蚀工艺会停留在阻挡材料上方，从而保护磁性材料在金属刻蚀工艺中不受破坏，保障磁传感器件的性能；

步骤S7、去除磁性材料之间残留的阻挡层材料；

步骤S8、沉积介质层材料，配合化学机械抛光进行平坦化，并通过光刻工艺打开通孔，沉积第二层金属，并进行光刻形成金属连线。

作为本发明的一种优选方案，步骤S1中，所述介质材料层的材料为含氧化硅或者是含氮化硅材料，该层介质材料层为单层材料，或为多层材料；所述基底上依次为氧化硅、第一氮化硅层以及第二氮化硅层，第一氮化硅层的厚度大于第二氮化硅层的厚度。

作为本发明的一种优选方案，步骤S3中，所述刻蚀工艺为单步，或者多步；采用的方法为反应离子刻蚀，或为等离子轰击，或为两种方法的组合。

作为本发明的一种优选方案，步骤S4中，阻挡材料能够阻挡后续金属层刻蚀的刻蚀工艺，即对于金属层刻蚀工艺的刻蚀速率很慢，并且也能够阻挡后续湿法工艺中采用的溶液对于相关材料的腐蚀和破坏，从而在金属刻蚀和湿法过程中保护磁性材料。

作为本发明的一种优选方案，步骤S5中，沉积的导电材料为含Al材料、含Cu材料、Ti、TiN、W、TiW中的一种或多种，一层或者多层。

作为本发明的一种优选方案，步骤S7中，在不破坏磁性材料的情况下，采用等离子轰击或者反应刻蚀工艺。

作为本发明的一种优选方案，所述制造工艺还包括步骤S9：形成更多层次的介质层和金属层，后续的金属层可用于SET/RESET、自检测以及外围电路连接等。

作为本发明的一种优选方案，步骤S4所述的阻挡材料与步骤S2所述的保护材料含有相同的元素，或者不同的元素。

一种磁传感装置的制造工艺，所述制造工艺包括Z轴磁传感装置制造方法，具体包括如下步骤：

步骤1、在基底上形成沟槽，并沉积介质层材料，形成介质材料层；

步骤2、随后沉积磁性材料及保护材料，形成磁性材料层及保护层；

步骤3、通过曝光、刻蚀工艺形成Z轴磁传感器；所述Z轴磁传感器包括导磁部件及磁检测部件，导磁部件及磁检测部件之间有缝隙，不连接；导磁部件的主体部分设置于沟槽内，用以实现Z轴方向的磁信号收集和引导，并将该磁场信号输出；磁检测部件用以接收所述导磁部件输出的Z轴方向的磁信号，并根据该磁信号测量出Z轴方向对应的磁场强度及磁场方向；

步骤4、沉积阻挡材料，形成阻挡层，用以保护磁性材料阵列；

步骤5、沉积导电材料，形成金属层，金属层为单层或者多层结构；

步骤6、通过半导体工艺曝光、刻蚀，形成金属电极，由于阻挡材料的保护作用，金属刻蚀工艺会停留在阻挡材料上方，保护磁性材料不受刻蚀工艺破坏，保障磁传感器件的性能；

步骤7、去除磁性材料之间残留的阻挡层材料；

步骤8、沉积介质层材料，配合化学机械抛光进行平坦化，并通过光刻工艺打开通孔，沉积第二层金属，并进行光刻形成金属连线。

作为本发明的一种优选方案，所述制造工艺用以制造三轴传感器，所述制造工艺进一步包括XY轴磁传感装置制造方法，具体包括如下步骤：

步骤S1、在基底上形成介质材料层；

步骤S2、沉积磁性材料及保护材料，形成磁性材料层及保护层；

步骤S3、通过曝光、刻蚀工艺形成磁性材料的阵列；

步骤S4、沉积阻挡材料，形成阻挡层，用以保护磁性材料阵列；

步骤S5、沉积导电材料，形成金属层，金属层为单层或者多层结构；

步骤S6、通过半导体工艺曝光、刻蚀，形成金属电极，由于阻挡材料的保护作用，金属刻蚀工艺会停留在阻挡材料上方，保护磁性材料不受刻蚀工艺破坏，保障磁传感器件的性能；

步骤S7、去除磁性材料之间残留的阻挡层材料；

步骤S8、沉积介质层材料，配合化学机械抛光进行平坦化，并通过光刻工艺打开通孔，沉积第二层金属，并进行光刻形成金属连线。

作为本发明的一种优选方案，步骤1中，所述介质材料层的材料为含氧化硅或者是含氮化硅材料，该层介质材料层为单层材料，或为多层材料；所述基底上依次为氧化硅、氮化硅以及氮化硅，氮化硅层的厚度大于氮化硅的厚度。

作为本发明的一种优选方案，步骤3中，所述刻蚀工艺为单步，或者多步；采用的方法为反应离子刻蚀，或为等离子轰击，或为两种方法的组合。

作为本发明的一种优选方案，步骤4中，阻挡材料能够阻挡后续金属层刻蚀的刻蚀工艺，即对于金属层刻蚀工艺的刻蚀速率很慢，并且也能够阻挡后续湿法工艺中采用的溶液对于相关材料的腐蚀和破坏，从而在金属刻蚀和湿法过程中保护磁性材料。

作为本发明的一种优选方案，步骤5中，沉积的导电材料为含Al材料、含Cu材料、Ti、TiN、W、TiW中的一种或多种。

作为本发明的一种优选方案，步骤7中，在不破坏磁性材料的情况下，采用等离子轰击或者反应刻蚀工艺。

作为本发明的一种优选方案，所述制造工艺还包括步骤9：形成更多层次的介质层和金属层。

作为本发明的一种优选方案，步骤4所述的阻挡材料与步骤2所述的保护材料含有相同的元素，或者不同的元素。

本发明的有益效果在于：本发明提出的磁传感装置的制造工艺，采用阻挡层保护磁性材料，避免了此层介质材料层的采用，还可以减少一层光刻层，降低了成本。此外，由于本发明工艺不需要打开上述的接触窗口，有助于提升金属与磁性材料保护层的接触，从而提高器件性能，提升良率。

附图说明

图1为现有磁传感装置的磁性材料的示意图。

图2为现有磁传感装置的磁性材料及导线的结构示意图。

图3为磁场方向和电流方向的夹角示意图。

图4为磁性材料的θ-R特性曲线示意图。

图5为惠斯通电桥的连接图。

图6为实施例一中本发明制造工艺步骤S1后的示意图。

图7为实施例一中本发明制造工艺步骤S2后的示意图。

图8为实施例一中本发明制造工艺步骤S3后的示意图。

图9为实施例一中本发明制造工艺步骤S4后的示意图。

图10为实施例一中本发明制造工艺步骤S5后的示意图。

图11为实施例一中本发明制造工艺步骤S6后的示意图。

图11-2为图11的俯视示意图。

图12为实施例一中本发明制造工艺步骤S7后的示意图。

图12-2为图12的俯视示意图。

图13为实施例一中本发明制造工艺步骤S8中沉积介质材料后的示意图。

图14为实施例一中本发明制造工艺步骤S8后的示意图。

图15为实施例二中本发明制造工艺步骤1后的示意图。

图16为实施例二中本发明制造工艺步骤2后的示意图。

图17为实施例二中本发明制造工艺步骤3后的示意图。

图18为实施例二中本发明制造工艺步骤4后的示意图。

图19为实施例二中本发明制造工艺步骤6后的示意图。

图20为实施例二中本发明制造工艺步骤7后的示意图。

具体实施方式

下面结合附图详细说明本发明的优选实施例。

实施例一

本发明揭示了一种磁传感装置的制造工艺，本制造工艺适用于制造两轴磁传感器（XY轴磁传感器），所述制造工艺具体包括如下步骤：

步骤S1：请参阅图6，在基底101上形成有介质材料层102；介质材料层的材料可以为氧化硅或者是氮化硅，介质材料层为单层材料，或为多层材料。本实施例中，介质材料层102从下往上可以依次为氧化硅、较厚氮化硅层以及较薄氮化硅层。

步骤S2：随后沉积磁性材料103及保护材料104，如图7所示。

步骤S3：通过曝光、刻蚀工艺形成磁性材料阵列，其截面的结构如图8所示，从俯视图上形成的是磁性材料的阵列。所述刻蚀工艺为单步，或者多步；采用的方法为反应离子刻蚀，或为等离子轰击，或为上述两种方法的组合。

步骤S4：沉积阻挡材料，形成阻挡层105，用以保护磁性材料阵列，如图9所示。阻挡层105能够阻挡后续金属层刻蚀的刻蚀工艺（即对于金属层刻蚀工艺的刻蚀速率很慢），并且也能够阻挡后续湿法工艺中采用的溶液对于相关材料的腐蚀和破坏，从而起到在金属刻蚀和湿法过程中保护磁性材料的目的。所述阻挡材料与步骤S2所述的保护材料含有相同的元素，或者不同的元素。

步骤S5：沉积导电材料，形成金属层106，如图10所示，金属层106为单层或者多层结构，通常金属层为含Al材料，也可以是Ti，TiN，或者W，TiW，或者含Cu材料等，通常金属层都是多层材料，如TiN/Al/TiN。

步骤S6：通过半导体工艺曝光、刻蚀，形成金属电极，如图11所示，由于阻挡层105的保护作用，金属刻蚀工艺会停留在阻挡层105上方，对于磁性材料没有任何的损坏，从而保障了磁传感器件的性能。图11-2所示的是单根磁传感器检测单元的俯视图。

步骤S7：去除残留的阻挡层105，采用等离子等轰击，或者反应刻蚀工艺，前提是不破坏磁性材料，如图12所示，俯视图如图12-2所示。阻挡层材料通常是导电材料，因此必须要将各根磁传感检测单元之间的阻挡层去除，否则有可能将其连通起来，造成器件的失效。

步骤S8：沉积介质层材料，配合化学机械抛光进行平坦化，并通过光刻工艺打开通孔，沉积第二层金属，并进行光刻形成金属连线，如图13、图14所示。

步骤S9：根据实际的需要，可以按照上述步骤形成更多层次的介质层和金属层，在此不再赘述。

实施例二

本实施例中，本发明磁传感装置的制造工艺适用于制造三轴磁传感器，所述制造工艺包括Z轴磁传感装置制造方法及XY轴传感装置制造方法。XY轴传感装置制造方法即为实施例一的描述，以下主要介绍Z轴磁传感装置制造方法。

Z轴磁传感装置制造方法具体包括如下步骤：

步骤1：在基底201上形成沟槽202，并沉积介质材料，形成介质材料层203，介质材料可以为氧化硅或者是氮化硅，该层介质材料层为单层材料，或为多层材料，例如是从下往上依次为氧化硅、较厚氮化硅以及较薄氮化硅，如图15所示。

步骤2：随后沉积磁性材料204及保护材料205，如图16所示。

步骤3：通过曝光、刻蚀工艺形成如图17所示的截面结构，此结构为Z轴磁传感器。本制造方法主要描述Z轴磁传感装置的制造方法，结合实施例一所提到的两轴传感装置的制造方法，从而可以同时制造三轴传感器。本发明所述的Z轴磁传感器的特点是：Z方向的磁信号收集和引导部件与磁检测部件之间有缝隙206，即不连接。上述的刻蚀工艺为单步，或者多步；采用的方法为反应离子刻蚀，或为等离子轰击，或为两种方法的组合。具体地，所述Z轴磁传感器包括导磁部件及磁检测部件；导磁部件的主体部分设置于沟槽内，用以实现Z轴方向的磁信号收集和引导，并将该磁场信号输出；磁检测部件用以接收所述导磁部件输出的Z轴方向的磁信号，并根据该磁信号测量出Z轴方向对应的磁场强度及磁场方向。

步骤4：沉积阻挡材料，形成阻挡层207，用以保护磁性材料阵列，如图18所示；阻挡层207能够阻挡后续金属层刻蚀的刻蚀工艺（即对于金属层刻蚀工艺的刻蚀速率很慢），并且也能够阻挡后续湿法工艺中采用的清洗溶液对于相关材料的腐蚀和破坏，从而起到在金属刻蚀和湿法过程中保护磁性材料的目的。阻挡层材料207可以与保护材料205相同或者不同，或者具有相同的元素组成但是不同的成份含量。

步骤5：沉积金属材料，形成金属层；金属层为单层或者多层结构，通常金属层为含Al材料，也可以是Ti，TiN，或者W，TiW，或者含Cu材料等。

步骤6：通过半导体工艺曝光、刻蚀，形成金属电极208，因为阻挡材料207的保护作用，金属刻蚀工艺会停留在阻挡材料207上方，对于磁性材料没有任何的损坏，也就保障了磁传感器件的性能，如图19所示。

步骤7：去除磁性材料之间残留的阻挡层材料207，采用等离子等轰击，或者反应刻蚀工艺，前提是不破坏磁性材料，如图20所示。

步骤8：沉积介质层材料，配合化学机械抛光进行平坦化，并通过光刻工艺打开通孔，沉积第二层金属，并进行光刻形成金属连线。

步骤9：根据实际的需要，可以按照上述步骤形成更多层次的介质层和金属层，在此不再赘述。

综上所述，本发明提出的磁传感装置的制造工艺，采用阻挡层保护磁性材料，避免了此层介质材料层的采用，还可以减少一层光刻层，降低了成本。此外，由于本发明工艺不需要打开上述的接触窗口，有助于提升金属与磁性材料保护层的接触，从而提高器件性能，提升良率。

这里本发明的描述和应用是说明性的，并非想将本发明的范围限制在上述实施例中。这里所披露的实施例的变形和改变是可能的，对于那些本领域的普通技术人员来说实施例的替换和等效的各种部件是公知的。本领域技术人员应该清楚的是，在不脱离本发明的精神或本质特征的情况下，本发明可以以其它形式、结构、布置、比例，以及用其它组件、材料和部件来实现。在不脱离本发明范围和精神的情况下，可以对这里所披露的实施例进行其它变形和改变。

Claims (17)

1.一种磁传感装置的制造工艺，其特征在于，所述制造工艺包括如下步骤：

步骤S1、在基底上形成介质材料层；

步骤S2、沉积磁性材料及保护材料，形成磁性材料层及保护层；

步骤S3、通过曝光、刻蚀工艺形成磁性材料的阵列；

步骤S4、沉积阻挡材料，形成阻挡层，用以保护磁性材料阵列；

步骤S5、沉积导电材料，形成金属层，金属层为单层或者多层结构；

步骤S6、通过半导体工艺曝光、刻蚀，形成金属电极，由于阻挡材料的保护作用，金属刻蚀工艺会停留在阻挡材料上方，保护磁性材料不受刻蚀工艺破坏，保障磁传感器件的性能；

步骤S7、去除磁性材料之间残留的阻挡层材料；

步骤S8、沉积介质层材料，配合化学机械抛光进行平坦化，并通过光刻工艺打开通孔，沉积第二层金属，并进行光刻形成金属连线。

2.根据权利要求1所述的磁传感装置的制造工艺，其特征在于：

步骤S1中，所述介质材料层的材料为含氧化硅或者是含氮化硅材料，该层介质材料层为单层材料，或为多层材料；

所述基底上依次为氧化硅、第一氮化硅层以及第二氮化硅层，第一氮化硅层的厚度大于第二氮化硅层的厚度。

3.根据权利要求1所述的磁传感装置的制造工艺，其特征在于：

步骤S3中，所述刻蚀工艺为单步，或者多步；采用的方法为反应离子刻蚀，或为等离子轰击，或为两种方法的组合。

4.根据权利要求1所述的磁传感装置的制造工艺，其特征在于：

步骤S4中，阻挡材料能够阻挡后续金属层刻蚀的刻蚀工艺，即对于金属层刻蚀工艺的刻蚀速率很慢，并且也能够阻挡后续湿法工艺中采用的溶液对于相关材料的腐蚀和破坏，从而在金属刻蚀和湿法过程中保护磁性材料。

5.根据权利要求1所述的磁传感装置的制造工艺，其特征在于：

步骤S5中，沉积的导电材料为含Al材料、含Cu材料、Ti、TiN、W、TiW中的一种或多种。

6.根据权利要求1所述的磁传感装置的制造工艺，其特征在于：

步骤S7中，在不破坏磁性材料的情况下，采用等离子轰击或者反应刻蚀工艺。

7.根据权利要求1所述的磁传感装置的制造工艺，其特征在于：

所述制造工艺还包括步骤S9：形成更多层次的介质层和金属层。

8.根据权利要求1所述的磁传感装置的制造工艺，其特征在于：

步骤S4所述的阻挡材料与步骤S2所述的保护材料含有相同的元素，或者不同的元素。

9.一种磁传感装置的制造工艺，其特征在于，所述制造工艺包括Z轴磁传感装置制造方法，具体包括如下步骤：

步骤1、在基底上形成沟槽，并沉积介质层材料，形成介质材料层；

步骤2、随后沉积磁性材料及保护材料，形成磁性材料层及保护层；

步骤3、通过曝光、刻蚀工艺形成Z轴磁传感器；所述Z轴磁传感器包括导磁部件及磁检测部件，导磁部件及磁检测部件之间有缝隙，不连接；导磁部件的主体部分设置于沟槽内，用以实现Z轴方向的磁信号收集和引导，并将该磁场信号输出；磁检测部件用以接收所述导磁部件输出的Z轴方向的磁信号，并根据该磁信号测量出Z轴方向对应的磁场强度及磁场方向；

步骤4、沉积阻挡材料，形成阻挡层，用以保护磁性材料阵列；

步骤5、沉积导电材料，形成金属层，金属层为单层或者多层结构；

步骤6、通过半导体工艺曝光、刻蚀，形成金属电极，由于阻挡材料的保护作用，金属刻蚀工艺会停留在阻挡材料上方，保护磁性材料不受刻蚀工艺损坏，保障磁传感器件的性能；

步骤7、去除磁性材料之间残留的阻挡层材料；

步骤8、沉积介质层材料，配合化学机械抛光进行平坦化，并通过光刻工艺打开通孔，沉积第二层金属，并进行光刻形成金属连线。

10.根据权利要求9所述的磁传感装置的制造工艺，其特征在于：

所述制造工艺用以制造三轴传感器，所述制造工艺进一步包括X、Y轴磁传感装置制造方法，具体包括如下步骤：

步骤S1、在基底上形成介质材料层；

步骤S2、沉积磁性材料及保护材料，形成磁性材料层及保护层；

步骤S3、通过曝光、刻蚀工艺形成磁性材料的阵列；

步骤S4、沉积阻挡材料，形成阻挡层，用以保护磁性材料阵列；

步骤S5、沉积导电材料，形成金属层，金属层为单层或者多层结构；

步骤S6、通过半导体工艺曝光、刻蚀，形成金属电极，由于阻挡材料的保护作用，金属刻蚀工艺会停留在阻挡材料上方，保护磁性材料不受刻蚀工艺损坏，保障磁传感器件的性能；

步骤S7、去除磁性材料之间残留的阻挡层材料；

步骤S8、沉积介质层材料，配合化学机械抛光进行平坦化，并通过光刻工艺打开通孔，沉积第二层金属，并进行光刻形成金属连线。

11.根据权利要求9所述的磁传感装置的制造工艺，其特征在于：

步骤1中，所述介质材料层的材料为含氧化硅或者是含氮化硅材料，该层介质材料层为单层材料，或为多层材料；

所述基底上依次为氧化硅、第一氮化硅层以及第二氮化硅层，第一氮化硅层的厚度大于第二氮化硅层的厚度。

12.根据权利要求9所述的磁传感装置的制造工艺，其特征在于：

步骤3中，所述刻蚀工艺为单步，或者多步；采用的方法为反应离子刻蚀，或为等离子轰击，或为两种方法的组合。

13.根据权利要求9所述的磁传感装置的制造工艺，其特征在于：

步骤4中，阻挡材料能够阻挡后续金属层刻蚀的刻蚀工艺，即对于金属层刻蚀工艺的刻蚀速率很慢，并且也能够阻挡后续湿法工艺中采用的溶液对于相关材料的腐蚀和破坏，从而在金属刻蚀和湿法过程中保护磁性材料。

14.根据权利要求9所述的磁传感装置的制造工艺，其特征在于：

步骤5中，沉积的导电材料为含Al材料、含Cu材料、Ti、TiN、W、TiW中的一种或多种，一层或者多层。

15.根据权利要求9所述的磁传感装置的制造工艺，其特征在于：

步骤7中，在不破坏磁性材料的情况下，采用等离子轰击或者反应刻蚀工艺。

16.根据权利要求9所述的磁传感装置的制造工艺，其特征在于：

所述制造工艺还包括步骤9：形成更多层次的介质层和金属层。

17.根据权利要求9或10所述的磁传感装置的制造工艺，其特征在于：

步骤4所述的阻挡材料与步骤2所述的保护材料含有相同的元素，或者不同的元素。