CN104237924B - 网格模具、包括该网格模具的检测器和发射成像设备 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种网格模具、包括该网格模具的检测器和发射成像设备。该网格模具包括：多个横向壁和多个纵向壁，其分别沿着横向和纵向延伸，以形成以m×n矩阵排列的用于容纳所述检测器的闪烁晶体的多个网格槽，其中m和n均为正整数，且在所述网格槽的侧壁中开设有光能够穿透所述侧壁的透光窗口；以及光反射层，其设置在所述侧壁的除所述透光窗口以外的区域上。本发明提供的网格模具获得闪烁晶体的反应深度(DOI)信息，利于提高发射成像设备的空间分辨率和系统检测灵敏度。

Description

网格模具、包括该网格模具的检测器和发射成像设备

技术领域

本发明涉及发射成像系统，具体地，涉及一种用于发射成像设备的检测器的网格模具、包括该网格模具的检测器以及包括该检测器的发射成像设备。

背景技术

包括正电子发射成像设备的发射成像设备已经被用于医疗诊断。以正电子发射成像设备为例，其利用正电子同位素衰变产生出的正电子与人体内负电子发生泯灭效应的现象，通向人体内注射带有正电子同位素标记的化合物，采用复合探测的方法，利用检测器探测泯灭效应所产生的γ光子。

该检测器主要包括三部分，如图1所示，即由离散的闪烁晶体组成的晶体矩阵110、玻璃光导层120和光电倍增管(PMT)矩阵130。每个闪烁晶体除了面向PMT矩阵130的面(即底面)之外都包覆有光反射材料。泯灭效应产生的511keV的高能光子(即γ光子)在晶体矩阵110内部发生反应，被转换为可见光子群。由于除了底面外都包覆有光反射材料，可见光子群只能从闪烁晶体的底面射出并穿过玻璃光导层120进入PMT矩阵130。通过PMT矩阵130中，各PMT单元采集到的可见光信号的大小，用重心算法(Anger Logic)，可以计算出γ光子在晶体矩阵110中的哪一个闪烁晶体内部发生的反应。这一过程称为晶体解码。这样，可以得到人体内同位素的分布信息，由计算机进行重建组合运算，从而得到人体内标记化合物分布的三维断层图像。

然而，晶体矩阵110中的闪烁晶体一般比较细长。上述基于重心算法的解码方法，只能够确认γ光子在哪个闪烁晶体中发生反应，不能提供反应深度(Depth OfInteraction，DOI)的信息。DOI对正电子发射成像设备的空间分辨率具有很大的影响。如图1所示，闪烁晶体均具有一定的长度以便更好的接收γ光子，而γ光子在闪烁晶体内部的反应位置具有随机性。图2A-2B分别为现有的平板式和环式正电子发射成像设备的截面图。其中实线代表γ光子的实际飞行路径，虚线代表系统根据探测的信号生成的响应直线段。没有DOI测量功能的正电子发射成像设备，无法精确确认γ光子的真实位置，只能默认闪烁晶体210的特定位置(例如前端中心)为响应直线段的两个端点，而造成一定的误差。这种由γ光子转换为可见光子的位置在晶体深度范围内的不确定性产生的误差，会导致重建图像的空间分辨率的降低。

从以上分析可见，如果闪烁晶体的长度(深度)越大，DOI越明显，越不利于空间分辨率。另一方面，为了提高系统检测灵敏度，希望闪烁晶体有更大的深度，从而能检测到更多的γ光子。因此，有必要提出一种用于发射成像设备的检测器的网格模具、包括该网格模具的检测器以及包括该检测器的发射成像设备，以取得闪烁晶体的反应深度信息，提高成像系统的空间分辨率。

发明内容

根据本发明的一个方面，提供一种用于发射成像设备的检测器的网格模具，包括：多个横向壁和多个纵向壁，其分别沿着横向和纵向延伸，以形成以m×n矩阵排列的用于容纳所述检测器的闪烁晶体的多个网格槽，其中m和n均为正整数，且在所述网格槽的侧壁中开设有光能够穿透所述侧壁的透光窗口；以及光反射层，其设置在所述侧壁的除所述透光窗口以外的区域上。

优选地，所述透光窗口开设在所述侧壁中对应闪烁晶体的上部的位置处。

优选地，每个所述网格槽具有两个所述透光窗口，分别开设在对应于同一网格槽的相邻的两个侧壁中。

优选地，所述网格模具还包括顶部反射层，所述顶部反射层覆盖在所述多个网格槽的顶部。

优选地，在网格槽(m，n)的侧壁中的前侧壁和右侧壁中开设有所述透光窗口，其中m+n为偶数。

优选地，在网格槽(1，n)的侧壁中的后侧壁中开设有所述透光窗口，其中n为偶数；在网格槽(m_max，n)的侧壁中的前侧壁中开设有所述透光窗口，其中m_max为最大行数，且n为偶数；在网格槽(m，1)的侧壁中的左侧壁中开设有所述透光窗口，其中m为偶数；在网格槽(m，n_max)的侧壁中的右侧壁中开设有所述透光窗口，其中n_max为最大列数，且m为偶数。

优选地，所述横向壁和所述纵向壁从所述网格模具的外周到所述网格模具的中心具有逐渐减小的高度，所述横向壁和所述纵向壁的上端对齐，且所述网格槽由所述横向壁和所述纵向壁的上部形成。

优选地，每个所述网格槽具有四个所述透光窗口，分别开设在对应于同一网格槽的四个侧壁中，且分别位于侧壁的不同高度处。

此外，本发明还提供一种用于发射成像设备的检测器，所述检测器包括：多个闪烁晶体；如上所述的任一种网格模具，多个所述闪烁晶体分别插入在多个所述网格槽中；光传感器层，所述光传感器层连接至所述网格模具的底部，所述光传感器层包括多个光传感器。

优选地，所述检测器还包括光导材料，所述光导材料填充在所述网格模具内，位于多个所述闪烁晶体与所述光传感器层之间。

优选地，每个所述网格槽具有四个所述透光窗口，分别开设在对应于同一网格槽的四个侧壁中，且分别位于侧壁的不同高度处，所述光传感器与所述闪烁晶体的一一对应。

另外，还提供一种发射成像设备，所述发射成像设备包括如上所述的任一种检测器。

本发明提供的网格模具获得闪烁晶体的反应深度信息，利于提高空间分辨率和系统检测灵敏度。

在发明内容中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

以下结合附图，详细说明本发明的优点和特征。

附图说明

本发明的下列附图在此作为本发明的一部分用于理解本发明。附图中示出了本发明的实施方式及其描述，用来解释本发明的原理。在附图中，

图1为现有的用于正电子发射成像设备的检测器的示意图；

图2A和2B分别为现有的平板式和环式正电子发射成像设备的截面图；

图3为根据发明一个实施例制作的网格模具的示意图；

图4为具有根据发明的网格模具的检测器的剖视图；

图5A为未设置可透光区域的情况下光斑与闪烁晶体的示意图；

图5B为设置可透光区域的情况下光斑与闪烁晶体的示意图；

图5C为未设置可透光区域和设置有可透光区域的光斑的对比示意图；

图6A-6C为根据发明一个实施例制作网格模具的示意图；

图7A和7B分别为根据本发明一个实施例的网格模具的示意图及光斑示意图；以及

图8A和8B分别为根据本发明另一个实施例的网格模具的示意图及光斑示意图；

图9为基于SiPM的高能光子反应深度测量的设计方案的示意图。

具体实施方式

在下文的描述中，提供了大量的细节以便能够彻底地理解本发明。然而，本领域技术人员可以了解，如下描述仅涉及本发明的较佳实施例，本发明可以无需一个或多个这样的细节而得以实施。此外，为了避免与本发明发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。

本发明提供一种用于发射成像设备的检测器的网格模具。如图3所示，该网格模具包括多个横向壁310和多个纵向壁320。横向壁310相互平行地沿着横向延伸，纵向壁320相互平行地沿着纵向延伸。多个横向壁310和多个纵向壁320形成了以m×n矩阵排列的多个网格槽，其中m和n均为正整数。这些网格槽用于容纳检测器的闪烁晶体410，参见图4，为采用该网格模具的检测器的示意图。横向壁310和纵向壁320可以通过任意方式来形成，并且横向壁310和纵向壁320可以是单层或多层结构。闪烁晶体可以为活性铊碘化钠晶体、锗酸铋晶体、硅酸镥晶体、硅酸镥-钇晶体中的一种。

作为示例，这些横向壁310和多个纵向壁320可以为超薄隔板，主要用来固定闪烁晶体410。在一个实施例中，可以在横向壁310和纵向壁320的侧面预留透光区域，而在侧面的其它区域上形成(例如涂覆、喷涂等)光反射材料，以在除透光窗口以外的区域上形成光反射层。这样在网格槽的侧壁中对应于预留的透光区域处就形成了能使光(例如可见光子群)穿透该侧壁的透光窗口，而在该侧壁的除透光窗口以外的区域上形成了光反射层。

透光窗口主要用来引导可见光子群在传感器层(例如PMT矩阵)中的分布，以达到最佳的晶体解码效果。理想的情况是晶体解码图中的光斑和离散的闪烁晶体的位置一一对应、没有重合，即光斑与网格槽一一对应、没有重合。这种解码图的缺点是只能够确认高能光子在哪一个闪烁晶体中发生了反应，不能提供反应深度(DOI)的信息。透光窗口的设置就是为了使光斑的位置发生偏移，进而获得DOI信息。后文将对引导可见光子群在传感器层中的分布进行详细描述。

在现有的检测器中，闪烁晶体的六个面中有五个面均完全覆盖有反光材料，仅一个面为出光面，参见图1和图4，面向传感器层130和420的面为出光面。本文定义：高能光子从闪烁晶体的顶部进入其内部，出光面位于闪烁晶体的底部，反应产生的可见光子群从位于其底部的出光面离开闪烁晶体。在此情况下，晶体解码图中的光斑落在晶体的中心位置，如图5A所示，光斑510的中心与闪烁晶体410的中心对准，如上所述，这样将无法获得DOI信息。本发明开创性地提出，在闪烁晶体410的侧面留出可以透光的区域，例如图5B中的区域500a和500b。且在闪烁晶体410的侧面的非透光区域均由光反射层包围。可透光区域500a设置在闪烁晶体410的右侧面，可透光区域500b设置在闪烁晶体410的前侧面。与图5A的未设有可透光区域的示例相比，光斑520朝向X轴和Y轴的正向(即可透光区域500a和500b所在的方位)移动。参照图5C，其示出了没有可透光区域和有可透光区域的情况下，光斑510和520的位置。

进一步还发现，高能光子的反应深度位置距离可透光区域500a和500b越近(图5B中的点A位置)，事件产生的光子群的重心位置出现在原光斑的中心位置较远处(点A’)的可能性越大。相反地，高能光子的反应位置距离可透光区域500a和500b越远(图5B中的点B位置)，事件产生的光子群的重心位置偏离原光斑的中心位置较近处(点B’)的可能性越大。

这样，我们可以根据高能光子反应产生的光子群的重心位置离原光斑的中心(或者边沿)位置的距离d来估计高能光子的反应深度位置h。该反应深度位置h和距离d的对应关系取决于晶体的尺寸、光导的厚度和可透光区域的几何形状和大小等。

基于此，可以在网格槽的侧壁中开设光能够穿透该侧壁的透光窗口。网格槽的侧壁是由横向壁310和纵向壁320形成的，因此，在一个优选实施例中，可以直接在横向壁310和纵向壁320上设置透光窗口。在某一闪烁晶体内反应产生的可见光子群将经由该透光窗口进入相邻的闪烁晶体，然后经由与该相邻的闪烁晶体对应的透光窗口进一步辐射到其相邻的闪烁晶体。在图6A-6C所示的实施例中，透光窗口可以在将横向壁310和纵向壁320组装前开设，这种加工方式是非常简单易行的。如图6A-6C所示，每个横向壁310以及每个纵向壁320都可以为可拼接的多个离散的片，多个片相互拼接而形成多个网格槽。

如图6A-6B所示，首先提供薄片310’，该薄片310’可以为超薄金属片、超薄PVC片等等，一般可以为50-120微米。然后，在例如薄片310’的下部的合适位置处设置切槽311，并且在薄片310’的上部的合适位置处设置透光窗口312，以形成横向薄片。每个横向壁310都可以为采用该方法制成的横向薄片。类似地，每个纵向壁也都可以为采用上述方法制成的纵向薄片，不同之处在于纵向薄片上的切槽321(参见图6C)设置在其上部。纵向壁320上的透光窗口322与横向壁310上的透光窗口312的位置可以根据需要设置，图6A-6C所示的实施例仅为示例性的，因此不构成对本发明的限制。作为示例，还可以采用包括3D打印技术在内的各种已知技术来制作图6B中所示的横向壁310以及具有类似结构的纵向壁320(参见图6C)。如图6C所示，横向薄片和纵向薄片上切槽能够使横向薄片和纵向薄片相互插接，这样多个横向薄片和多个纵向薄片在切槽处插接，即可形成多个网格。

需要说明的是，图6A-6C中所图示的横向壁310和纵向壁320仅用于说明该优选实施例的原理，本文不意欲将横向壁310和纵向壁320的数量限定到图示实施例。如上所述的，横向壁310和纵向壁320除了在它们的侧面上形成透光窗口用于晶体解码之外，还起到固定闪烁晶体的作用，因此，在一个实施例中，可以使网格槽的长度和宽度分别与闪烁晶体的长度和宽度相对应(例如网格槽的尺寸相等或略小于闪烁晶体的尺寸)。优选地，在高度方向上，横向壁310和纵向壁320的高度可以高于闪烁晶体的高度，如图4所示。横向壁310和纵向壁320的高出闪烁晶体的部分可以用于代替现有技术中的玻璃光导层中的切槽。横向壁310和纵向壁320从该网格模具的外周到中心具有逐渐减小的高度。横向壁310和纵向壁320的上端对齐，网格槽则由横向壁310和纵向壁320的上部形成。越靠近外围的壁(包括外围的横向壁310和纵向壁320)具有越高的高度，主要为了避免边缘的闪烁晶体的解码位置混在一起。各个壁的高度通常需要通过反复试验来确定。

在图6A-6C所示的实施例中，该光反射层可以是通过在横向壁310和纵向壁320的侧面、除透光窗口以外的区域上喷涂、镀膜(例如喷涂或镀银膜)或粘贴反光材料(例如ESR反光片)而形成的。ESR(Enhanced Specular Reflector)反光片的厚度在40微米左右，例如38微米。作为高效反光片，ESR在整个可见光光谱范围内的反射率都在98％以上，高于目前其他种类的反射片。ESR本身由高分子薄膜层组成，是更加绿色环保的反射片材料。

在本发明的实施例中，该网格模具还可以包括顶部反射层，该顶部反射层覆盖在多个网格槽的顶部。

在一个优选实施例中，透光窗口开设在网格槽的侧壁中、对应于闪烁晶体的上部的位置处。当闪烁晶体插入到网格槽中时，透光窗口对应于闪烁晶体的上部。由于光子群在闪烁晶体中的大体移动方向是自上而下，透光窗口设置在上部可以提高在上部(例如点A附近)发生反应产生的光子群从透光窗口直接离开的概率，避免无法区分在上部和下部发生反应产生的光子群形成的光斑。

在一个优选实施例中，每个网格槽具有两个透光窗口，分别开设在对应于同一网格槽的相邻的两个侧壁中。这样可以使光斑沿着最大可偏移方向(即闪烁晶体的横截面的对角线方向)移动。

当考虑到大量闪烁晶体的晶体矩阵时，使光斑沿着对角线方向偏移能够有效避免相邻的光斑之间的重叠，如图7B所示，光斑A(1，1)沿着对角线偏移。除了考虑最大可偏移方向之外，还可以使位于该对角线方向上的闪烁晶体，例如位于网格槽(1，1)、(2，2)、(3，3)……内的闪烁晶体，的光斑均沿同一方向偏移，且使相邻的对角线方向上的闪烁晶体，例如位于网格槽(1，2)、(2，3)、(3，4)……内的闪烁晶体的光斑，均沿相反的方向偏移。基于此，可以在网格槽(m，n)的侧壁中的前侧壁和右侧壁中开设有透光窗口700，其中m+n为偶数。例如，可以在网格槽(1，1)、(1，3)、(1，5)……；(2，2)、(2，4)、(2，6)……；(3，1)、(3，3)、(3，5)……；……的前侧壁和右侧壁中开设透光窗口。需要说明的是，网格槽(1，1)的右侧壁上的透光窗口也就是相邻的网格槽(2，1)的左侧壁上的透光窗口。

但是，由于部分边缘的网格槽仅包括一个透光窗口，例如网格槽(1，2)，因此，该闪烁晶体对应的光斑A(1，2)沿水平方向向左偏移，所以这两个闪烁晶体对应的光斑A(1，1)和A(1，2)重叠的可能性增加了。在应用网格模具长度设计算法时，可以适当调整算法，使最外围光斑和其相邻行或者列光斑的距离稍微增大一些(而不是所有光斑均匀分布)。虽然这种设置方式增加了部分光斑的重叠概率，但是在实践中是比较实用的，因为在整个晶体矩阵的最外围通常会设置有壳体或光反射材料710等，因此实践中很难在最外围设置透光窗口。因此，此设置方式在实践中会更容易被采用。

如果提供合适的方式，例如在整个晶体矩阵的最外围设置光传导通道，则有可能使在最外围的侧壁上设置透光窗口变得容易，因此提供另一种优选设置方式，除了上述的在网格槽(m，n)的前侧壁和右侧壁中开设的透光窗口700(m+n为偶数)之外，在网格槽(1，n)的侧壁中的后侧壁中开设有透光窗口801，其中n为偶数；在网格槽(m_max，n)的侧壁中的前侧壁中开设有透光窗口802，其中m_max为最大行数，且n为偶数；在网格槽(m，1)的侧壁中的左侧壁中开设有透光窗口803，其中m为偶数；在网格槽(m，n_max)的侧壁中的右侧壁中开设有透光窗口804，其中n_max为最大列数，且m为偶数。如图8B所示，所有的光斑都可能沿着对角线偏移，可以降低光斑重叠的概率。

虽然上述对基于晶体解码图的高能光子反应深度的测量的列举主要基于PMT矩阵，但这种发射成像设备并不依赖于PMT矩阵。该发明构思亦适用于基于位置灵敏型光电倍增管(PS-PMT)，甚至尺寸更小的、例如硅光电倍增管(SiPM)的光传感器矩阵。

针对光传感器的尺寸能够小到与闪烁晶体的尺寸相当(例如SiPM)，以使多个光传感器与多个闪烁晶体一一对应的情况，本发明提供了进一步优选的实施例。参见图9，给出了基于SiPM的高能光子反应深度测量的设计方案的示意图。图中，闪烁晶条900插入网格模具(未示出)后可以与光传感器层910直接耦合，也可以通过光导材料与光传感器层910耦合。在该图中，为了说明原理，仅示出了一个闪烁晶体。离散晶条900与光传感器层910中的光传感器O对应。在该光传感器层910中与光传感器O相邻的还有光传感器A、B、C和D。在固定该闪烁晶体900的网格槽的四个侧壁上的四个透光窗口。闪烁晶条900的面向光传感器A、B、C和D的四个侧面上的可透光区域900a、900b、900c和900d分别对应于这四个透光窗口。可透光区域900a、900b、900c和900d位于不同高度处，即四个透光窗口分别位于对应于同一网格槽的四个侧壁的不同高度处。这样，无论高能光子反应深度如何，闪烁晶条900正对的光传感器O检测到最多的可见光子(信号最强)。因此，当光传感器O检测到最多的可见光子时，可以确定高能光子被其正对的离散晶条所捕获。然后，通过比较光传感器A、B、C和D检测信号的强弱，可以测算高能光子的反应深度。也就是说，光传感器A、B、C和D中信号越强表示反应深度越靠近相应的可透光区域，从而测算反应深度。通过在网格槽的四个侧壁上的不同高度处设置透光窗口，可以获得更加准确的反应深度信息。

此外，本发明还提供一种用于发射成像设备的检测器，参见图4，该检测器包括多个闪烁晶体410、如上所述的任一种网格模具、光传感器层420和光导液体430。

多个闪烁晶体410分别插入在多个网格槽中。闪烁晶体410可以为活性铊碘化钠晶体、锗酸铋晶体、硅酸镥晶体、硅酸镥-钇晶体中的一种。如上所述的，网格槽的横向尺寸可以等于或者略小于闪烁晶体的横向尺寸。安装时，可以先将网格模具稍微加热至网格模具的尺寸略大于闪烁晶体的尺寸时，将闪烁晶体一个个插入网格模具的网格槽之中。然后停止加热，待网格模具冷却收缩后将闪烁晶体固定住。

传感器层连接至网格模具的底部，该光传感器层包括多个光传感器。光传感器包括PMT、PS-PMT或SiPM等。

优选地，光导材料430填充在网格模具内，位于多个闪烁晶体410与光传感器层420之间。光导材料430可以为液体光导，也可以为例如玻璃光导的固体光导。这样，从闪烁晶体410出来的可见光子群直接进入光导液体层430中，然后被光传感器层420捕获，这样可以避免介入的中间层(包括粘合剂和/或气体等介质)对晶体解码产生的影响。其中，光导液体为常温下的液体材料。光导液体优选地具有以下性能要求：化学性质稳定，无毒；420nm光衰减低；光导率较高(1.5左右)；粘滞系数低(low viscosity，防止起泡产生)。作为示例，光导液体可以为满足以上条件的矿物油、Silica(如通用公司的Viscasil系列)等。

进一步地，本发明还提供一种发射成像设备，该发射成像设备包括如上所述的任一种检测器。

本发明已经通过上述实施例进行了说明，但应当理解的是，上述实施例只是用于举例和说明的目的，而非意在将本发明限制于所描述的实施例范围内。此外本领域技术人员可以理解的是，本发明并不局限于上述实施例，根据本发明的教导还可以做出更多种的变型和修改，这些变型和修改均落在本发明所要求保护的范围以内。本发明的保护范围由附属的权利要求书及其等效范围所界定。

Claims (11)

1.一种用于发射成像设备的检测器的网格模具，其特征在于，包括：

多个横向壁和多个纵向壁，其分别沿着横向和纵向延伸，以形成以m×n矩阵排列的用于容纳所述检测器的闪烁晶体的多个网格槽，其中m和n均为正整数，且在所述网格槽的侧壁中开设有光能够穿透所述侧壁的透光窗口；以及

光反射层，其设置在所述侧壁的除所述透光窗口以外的区域上，

其中，在网格槽(m，n)的侧壁中的前侧壁和右侧壁中开设有所述透光窗口，其中m+n为偶数，以使相邻的对角线方向上的闪烁晶体的光斑沿相反的方向偏移。

2.如权利要求1所述的网格模具，其特征在于，所述透光窗口开设在所述侧壁中对应闪烁晶体的上部的位置处。

3.如权利要求1所述的网格模具，其特征在于，每个所述网格槽具有两个所述透光窗口，分别开设在对应于同一网格槽的相邻的两个侧壁中。

4.如权利要求1所述的网格模具，其特征在于，所述网格模具还包括顶部反射层，所述顶部反射层覆盖在所述多个网格槽的顶部。

5.如权利要求1所述的网格模具，其特征在于，在网格槽(1，n)的侧壁中的后侧壁中开设有所述透光窗口，其中n为偶数；在网格槽(m_max，n)的侧壁中的前侧壁中开设有所述透光窗口，其中m_max为最大行数，且n为偶数；在网格槽(m，1)的侧壁中的左侧壁中开设有所述透光窗口，其中m为偶数；在网格槽(m，n_max)的侧壁中的右侧壁中开设有所述透光窗口，其中n_max为最大列数，且m为偶数。

6.如权利要求1所述的网格模具，其特征在于，所述横向壁和所述纵向壁从所述网格模具的外周到所述网格模具的中心具有逐渐减小的高度，所述横向壁和所述纵向壁的上端对齐，且所述网格槽由所述横向壁和所述纵向壁的上部形成。

7.如权利要求1所述的网格模具，其特征在于，每个所述网格槽具有四个所述透光窗口，分别开设在对应于同一网格槽的四个侧壁中，且分别位于侧壁的不同高度处。

8.一种用于发射成像设备的检测器，其特征在于，所述检测器包括：

多个闪烁晶体；

如权利要求1-6中任一项所述的网格模具，多个所述闪烁晶体分别插入在多个所述网格槽中；以及

光传感器层，所述光传感器层连接至所述网格模具的底部，所述光传感器层包括多个光传感器。

9.如权利要求8所述的检测器，其特征在于，所述检测器还包括光导材料，所述光导材料填充在所述网格模具内，位于多个所述闪烁晶体与所述光传感器层之间。

10.如权利要求8所述的检测器，其特征在于，每个所述网格槽具有四个所述透光窗口，分别开设在对应于同一网格槽的四个侧壁中，且分别位于侧壁的不同高度处，所述光传感器与所述闪烁晶体的一一对应。

11.一种发射成像设备，其特征在于，所述发射成像设备包括如权利要求8-10中任一项所述的检测器。