CN104217888B - 用于中频电流实验系统的纵向磁场的励磁装置 - Google Patents
用于中频电流实验系统的纵向磁场的励磁装置 Download PDFInfo
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Abstract
本发明公开了一种用于中频电流实验系统的纵向磁场的励磁装置,是在真空灭弧室的平板开关触头上产生可调节的纵向磁场,同时保证所述可调节磁场与真空灭弧室的开关触头产生的纵向磁场的相位相同;采用的技术手段是在真空灭弧室的平板开关触头外绕制亥姆霍兹线圈,使用一个或多个电流互感器采集可调磁场振荡回路的电流,以二次电流作为励磁电流,产生调节磁场。本发明设计的纵向磁场的励磁装置使得中频电流实验系统,能够进行与纵向磁场同相位的调节磁场下的中频真空电弧特性的研究。
Description
技术领域
本发明涉及中频电流实验系统,更特别地说,是指一种用于中频电流实验系统的纵向磁场的励磁装置。通过励磁装置来向真空灭弧室的开关触头加载纵向磁场,研究中频真空电弧的特性。
背景技术
2009年9月5日第29卷第25期《中国电机工程学报》中公开了“纵向磁场下中频真空电弧的实验研究”,作者王景,武建文。在图1中介绍了中频电流实验系统,电容C1、双向晶闸管VT1、电感L1、真空灭弧室VI、分流器R2组成振荡回路,电解电容C2、电力二极管VD1、限流电阻R1、晶闸管VT2、电感L1、真空灭弧室VI、分流器R2组成直流引弧回路,引弧电流约80A,电阻R3和电容C3作为调频电路用来调节恢复电压参数。充电电压约600V,对应交流有效值为380V的电压等级,恢复电压特性满足该交流电压和电流等级下的要求。数字示波器记录真空灭弧室VI的开关触头两端(阴阳极)电压和分流器R2两端电压。控制系统用于控制产生中频电流的时序。电容C1的充电电压高于电解电容C2的充电电压。充电完毕后,在真空灭弧室VI闭合的情况下触发晶闸管VT2,再打开真空灭弧室VI的开关触头,产生直流电弧,然后触发双向晶闸管VT1,引入中频电流,晶闸管VT2在双向晶闸管VT1导通后因承受反向电压而关断。双向晶闸管VT1触发信号一直持续到实验结束。
纵向磁场吹弧发展于20世纪70年代,是目前使用最广泛的磁场控制电弧技术。施加纵向磁场的主要方式有通过给灭弧室外绕线圈和设计纵向磁场结构触头。
外绕线圈中通直流电时,纵向磁场不受触头结构参数变化的影响,在触头间隙内近似均匀分布;线圈中通交流电时,触头间隙内的纵向磁场与交流电流的波形和幅值有关。有的利用永磁体产生外施磁场,通过改变永磁体与触头组的间隙来设置不同的磁吹弧强度,研究电弧运动。外施磁场的方法便于调节参数,可以获得不同条件下的实验数据和现象。但是外施磁场与真实电流产生的磁场相比存在失真性:直流电产生的纵向磁场是恒定的,不能表现随电流变化的磁场对电弧产生的影响;外施的交变纵向磁场,需要调节建立时间,使其与真实电流产生的磁场一致。
在“纵向磁场下中频真空电弧的实验研究”中,是将杯状纵向磁场真空灭弧室应用到中频电流实验系统中。纵向磁场是由流经真空灭弧室VI的开关触头本身的交流电产生的。一旦真空灭弧室VI的开关触头的结构确定后,在相同电流下,磁场强度不再改变,无法分析磁场变化对电弧的影响。
也有的中频电流实验系统中应用的真空灭弧室的开关触头为平板开关触头,所述平板开关触头在加载电流的情况下,是不产生纵向磁场的。
发明内容
为了解决真空灭弧室的平板开关触头在不产生纵向磁场的情况下,能够实现对纵向磁场下的中频真空电弧特性的研究,本发明设计了一种用于中频电流实验系统的纵向磁场的励磁装置。是在真空灭弧室的平板开关触头上产生可调节的纵向磁场(即可调节磁场),同时保证所述可调节磁场与真空灭弧室VI的开关触头产生的纵向磁场的相位相同;采用的技术手段是在真空灭弧室的平板开关触头外绕制亥姆霍兹线圈,使用一个或多个电流互感器采集可调磁场振荡回路的电流,以二次电流作为励磁电流,产生调节磁场。本发明设计的纵向磁场的励磁装置使得中频电流实验系统,能够进行与纵向磁场同相位的调节磁场下的中频真空电弧特性的研究。所述中频真空电弧的特性包括有:电弧电压与电流特性、中频电流开断特性。
本发明是一种用于中频电流实验系统的纵向磁场的励磁装置,所述中频电流实验系统中的真空灭弧室为不产生纵向磁场的平板开关触头的真空灭弧室;其特征在于:所述纵向磁场的励磁装置包括有不产生纵向磁场的真空灭弧室、亥姆霍兹线圈(1)和电流互感器组(2);亥姆霍兹线圈(1)安装在不产生纵向磁场的真空灭弧室外部,电流互感器组(2)的副边并联,电流互感器组(2)的原边安装在振荡回路的电容C1与分流器R2之间;
数字示波器用于记录不产生纵向磁场的真空灭弧室VI3的平板开关触头的阴阳极的电压和分流器R2两端电压。不产生纵向磁场的真空灭弧室VI3的阴阳极分别连接在数字示波器的输入2端、输入1端上,分流器R2的1端连接在数字示波器的输入3端上,分流器R2的2端连接在数字示波器的输入4端上;
控制系统用于控制产生中频电流的时序。双向晶闸管VT1的1端连接在控制系统的输出1端上,晶闸管VT2的1端连接在控制系统的输出2端上。
双向晶闸管VT1的2端与电容C1的一端连接,双向晶闸管VT1的3端与电感L1的1端连接。电容C1的另一端与电流互感器组2的原边连接。
电感L1的1端顺次连接晶闸管VT2、限流电阻R1、电力二极管VD1后与电容C1的另一端连接;电感L1的1端顺次连接晶闸管VT2、限流电阻R1、电解电容C2后与电容C1的另一端连接;电感L1的2端顺次连接电容C3、电阻R3后与电容C1的另一端连接;电感L1的2端连接在不产生纵向磁场的真空灭弧室VI3的平板开关触头的阳极上。晶闸管VT2的3端与限流电阻R1的一端连接,限流电阻R1的另一端分别与电力二极管VD1的1端、电解电容C2的正极连接,电力二极管VD1的2端与电容C1的另一端连接,电解电容C2的负极与电容C1的另一端连接。
分流器R2的1端连接在不产生纵向磁场的真空灭弧室VI3的平板开关触头的阴极上,分流器R2的2端连接在电流互感器组2的原边上。
亥姆霍兹线圈(1)、电流互感器组(2)、不产生纵向磁场的真空灭弧室VI3、电容C1、双向晶闸管VT1、电感L1和分流器R2组成可调磁场振荡回路;电解电容C2、电力二极管VD1、限流电阻R1、晶闸管VT2、电感L1、不产生纵向磁场的真空灭弧室VI3、分流器R2组成直流引弧回路。
本发明用于中频电流实验系统的纵向磁场的励磁装置的优点在于:
①通过在不产生纵向磁场的真空灭弧室外绕制亥姆霍兹线圈、在振荡回路中安装电流互感器,能够在真空灭弧室的平板开关触头上产生可调节的纵向磁场。可调节磁场与真空灭弧室VI的开关触头产生的纵向磁场是相位相同的。
②通过设置一个电流互感器、两个电流互感器或者多个电流互感器来个数来调节可调节磁场的磁感应强度。
附图说明
图1是应用杯状纵磁触头的中频电流实验系统结构图。
图2是本发明的中频电流实验系统结构图。
图2A是本发明的中频电流实验系统中的可调节振荡回路及励磁部分的结构图。
图3是本发明设计的亥姆霍兹线圈的结构图。
图3A是本发明设计的亥姆霍兹线圈的分解图。
图4是设置电流频率400Hz,1个电流互感器时本发明系统的电压与实验时间的关系示意图。
图4A是设置电流频率400Hz,1个电流互感器时本发明系统的纵向磁场的磁感应强度与实验时间的关系示意图。
图5是设置电流频率400Hz,2个电流互感器时本发明系统的电压与实验时间的关系示意图。
图5A是设置电流频率400Hz,2个电流互感器时本发明系统的纵向磁场的磁感应强度与实验时间的关系示意图。
图6是设置电流频率800Hz,6个电流互感器时本发明系统的电压与实验时间的关系示意图。
图6A是设置电流频率800Hz,6个电流互感器时本发明系统的纵向磁场的磁感应强度与实验时间的关系示意图。
1.亥姆霍兹线圈 | 11.上线圈骨架 | 11A.AA挡板 |
11A1.AA通孔 | 11B.AB挡板 | 11B1.AB通孔 |
11C.A凹环体 | 11D.AC通孔 | 12.下线圈骨架 |
12A.BA挡板 | 12A1.BA通孔 | 12B.BB挡板 |
12B1.BB通孔 | 12C.B凹环体 | 12D.BC通孔 |
13.支撑柱 | 13A.CA通孔 | 14.上线圈 |
15.下线圈 | 16.长螺钉 | 16A.上垫片 |
16B.下垫片 | 16C.螺母 | 2.电流互感器组 |
具体实施方式
下面将结合附图和实施例对本发明做进一步的详细说明。
在本发明中,是将设计的纵向磁场的励磁装置添加到现有的中频电流实验系统中,且所述中频电流实验系统的真空灭弧室中的触头是不产生纵向磁场的平板开关触头。不产生纵向磁场的真空灭弧室记为VI3,如图2所示。不产生纵向磁场的真空灭弧室VI3选用陕西宝光真空电器股份有限公司生产的TD0131A型号低压真空断路器用真空灭弧室。
参见图2、图2A所示,本发明设计了一种用于中频电流实验系统的纵向磁场的励磁装置,所述纵向磁场的励磁装置包括有不产生纵向磁场的真空灭弧室VI3、亥姆霍兹线圈1和电流互感器组2;亥姆霍兹线圈1安装在不产生纵向磁场的真空灭弧室VI3外部,电流互感器组2的副边并联,电流互感器组2的原边安装在振荡回路的电容C1与分流器R2之间。
在图2中,数字示波器用于记录不产生纵向磁场的真空灭弧室VI3的平板开关触头两端(阴阳极)电压和分流器R2两端电压。不产生纵向磁场的真空灭弧室VT3的阴阳极连接在数字示波器的输入2端、输入1端上,分流器R2的1端连接在数字示波器的输入3端上,分流器R2的2端连接在数字示波器的输入4端上。
控制系统用于控制产生中频电流的时序。双向晶闸管VT1的1端连接在控制系统的输出1端上,晶闸管VT2的1端连接在控制系统的输出2端上。
双向晶闸管VT1的2端与电容C1的一端连接,双向晶闸管VT1的3端与电感L1的1端连接。电容C1的另一端与电流互感器组2的原边连接。
电感L1的1端顺次连接晶闸管VT2、限流电阻R1、电力二极管VD1后与电容C1的另一端连接;电感L1的1端顺次连接晶闸管VT2、限流电阻R1、电解电容C2后与电容C1的另一端连接;电感L1的2端顺次连接电容C3、电阻R3后与电容C1的另一端连接;电感L1的2端连接在不产生纵向磁场的真空灭弧室VI3的平板开关触头的阳极上。晶闸管VT2的3端与限流电阻R1的一端连接,限流电阻R1的另一端分别与电力二极管VD1的1端、电解电容C2的正极连接,电力二极管VD1的2端与电容C1的另一端连接,电解电容C2的负极与电容C1的另一端连接。
分流器R2的1端连接在不产生纵向磁场的真空灭弧室VI3的平板开关触头的阴极上,分流器R2的2端连接在电流互感器组2的原边上。
参见图2A所示,电流互感器组2包括有第一个电流互感器CT1、第二个电流互感器CT2、……、第n个电流互感器CTn。第一个电流互感器CT1、第二个电流互感器CT2、第n个电流互感器CTn的副边并联,第一个电流互感器CT1、第二个电流互感器CT2、第n个电流互感器CTn的原边分别与电容C1的另一端、分流器R2的2端连接。为了实现可调节的纵向磁场加载,电流互感器组2中设置的电流互感器个数为1~6个。在中频电流实验系统中,通过设置不同个数的电流互感器,与亥姆霍兹线圈1、不产生纵向磁场的真空灭弧室VI3的配合,能够稳定电弧,防止电弧集聚,提高电流开断能力。
在本发明中,亥姆霍兹线圈1、电流互感器组2、不产生纵向磁场的真空灭弧室VI3、电容C1、双向晶闸管VT1、电感L1和分流器R2组成可调磁场振荡回路。电解电容C2、电力二极管VD1、限流电阻R1、晶闸管VT2、电感L1、不产生纵向磁场的真空灭弧室VI3、分流器R2组成直流引弧回路。
亥姆霍兹线圈1
参见图3、图3A所示,亥姆霍兹线圈1包括有上线圈骨架11、下线圈骨架12、支撑柱13、上线圈14、下线圈15和长螺钉16,上线圈骨架11与下线圈骨架12的结构相同,上线圈14与下线圈15的结构相同。
上线圈骨架11、下线圈骨架12、支撑柱13和长螺钉16采用不导磁材料加工,如环氧玻璃布板3240。
所述长螺钉16的端部设有螺纹,其余部分为光杆,螺纹段上套接螺母,所述长螺钉16上套接有上垫片16A、下垫片16B和螺母16C,垫片、螺母与长螺钉16的连接为常规方式。
上线圈骨架11的中心设有用于不产生纵向磁场的真空灭弧室VI3穿过的AC通孔11D;上线圈骨架11上设有AA挡板11A、AB挡板11B,AA挡板11A与AB挡板11B之间是A凹环体11C,所述A凹环体11C上用于缠绕漆包线,缠绕的漆包线形成上线圈14;AA挡板11A上设有用于长螺钉16穿过的AA通孔11A1,AB挡板11B上设有用于长螺钉16穿过的AB通孔11B1。
下线圈骨架12的中心设有用于不产生纵向磁场的真空灭弧室VI3穿过的BC通孔12D;下线圈骨架12上设有BA挡板12A、BB挡板12B,BA挡板12A与BB挡板12B之间是B凹环体12C,所述B凹环体12C上用于缠绕漆包线,缠绕的漆包线形成下线圈15;BA挡板12A上设有用于长螺钉16穿过的BA通孔12A1,BB挡板12B上设有用于长螺钉16穿过的BB通孔12B1。
支撑柱13上设有用于长螺钉16穿过的C通孔13A。
在本发明中,亥姆霍兹线圈1的装配为:先在上线圈骨架11的A凹环体11C上缠绕一定圈数的漆包线(即上线圈14)、下线圈骨架12的B凹环体12C上缠绕一定圈数的漆包线(即下线圈15);然后将支撑柱13置于上线圈骨架11与下线圈骨架12之间;最后用长螺钉的螺纹端顺次穿过上垫片16A、上线圈骨架11的AA通孔11A1、AB通孔11B1、支撑柱13上的C通孔13A、下线圈骨架12的BA通孔12A1、BB通孔12B1、下垫片16B后,螺纹连接上螺母16C。
本发明设计的中频电流实验系统的实验过程为:
参见图2、图2A所示,(A)当充电完成后,中频电流实验系统在不产生纵向磁场的真空灭弧室VI3的平板开关触头闭合的情况下,触发晶闸管VT2,直流引弧回路开始工作,而后VI3的平板开关触头打开,由于电解电容C2的放电时间常数很大,引出近似直流电弧,当VI3的平板开关触头打开至额定开距(一般为3mm)后触发双向晶闸管VT1,引入中频电流;
(B)电流互感器组2中的原边流过可调磁场振荡回路中的电流,称为一次电流,电流互感器组2的副边根据所述一次电流感应出的电流,称为二次电流,所述的二次电流作为励磁电流使亥姆霍兹线圈1产生纵向磁场,所述的纵向磁场作用到不产生纵向磁场的真空灭弧室VI3的平板开关触头间的电弧上;
(C)触发晶闸管VT2在双向晶闸管VT1导通后因承受反向电压(即电容C1的充电电压高于电解电容C2的充电电压)而切断直流引弧回路;
(D)双向晶闸管VT1的触发信号一直维持到实验结束。
在本发明设计的中频电流实验系统中,将直流引弧回路与可调磁场振荡回路并联,一方面能够保证各个回路所需的电压和电流值,另一方面也保证了实验的有效性和可靠性,避免了因直接开断实验系统时,开断时间的误差导致开断实验失败。
通过调整电容C1和电感L1,可得到频率在360~800Hz的电流。应用本发明设计的中频电流实验系统进行(B)步骤操作时,通过设置电流互感器组2中电流互感器的个数来调节励磁电流。
实施例1
电流频率为400Hz,设置1个电流互感器。则电压与实验时间的关系如图4所示。图中,纵坐标为分流器R2的两端电压,横坐标为实验时间。一次电流的首半波峰值为11.3kA,是分流器R2两端的电压值除以分流器R2的电阻值1.2mΩ。
纵向磁场的磁感应强度与实验时间的关系如图4A所示。图中,纵坐标为亥姆霍兹线圈轴线中心的纵向磁场的磁感应强度,横坐标为实验时间。首半波峰值为46.1mT。
实施例2
电流频率为400Hz,设置2个电流互感器。则电压与实验时间的关系如图5所示。图中,纵坐标为分流器R2的两端电压,横坐标为实验时间。一次电流的首半波峰值为10.7kA,是分流器R2两端的电压值除以分流器R2的电阻值1.2mΩ。
纵向磁场的磁感应强度与实验时间的关系如图5A所示。图中,纵坐标为亥姆霍兹线圈轴线中心处的纵向磁场的磁感应强度,横坐标为实验时间。首半波峰值为87.2mT。
实施例3
电流频率为800Hz,设置6个电流互感器。则电压与实验时间的关系如图6所示。图中,纵坐标为分流器R2的两端电压,横坐标为实验时间。一次电流的首半波峰值为15.9kA,是分流器R2两端的电压值除以分流器R2的电阻值1.2mΩ。
纵向磁场的磁感应强度与实验时间的关系如图6A所示。图中,纵坐标为亥姆霍兹线圈轴线中心处的纵向磁场的磁感应强度,横坐标为实验时间。首半波峰值为395.8mT。
优化真空灭弧室的触头结构
应用本发明设计的中频电流实验系统进行中频真空电弧实验,获得可调节的纵向磁场的参数(即磁感应强度与电流的比值)。选取最优磁感应强度与电流的比值去优化产生纵向磁场的真空灭弧室VI(如图1所示)的开关触头结构。
例如,BD010低压真空断路器用真空灭弧室(陕西宝光真空电器股份有限公司生产),具体触头结构参数如下:
对型号BD010采用本发明设计的中频电流实验系统进行优化,得到:
优化后,产生纵向磁场的真空灭弧室VI(如图1所示)的开关触头的体积和重量减小,实现产生纵向磁场的真空灭弧室VI的小型化设计。
应用本发明设计的中频电流实验系统能够对产生纵向磁场的低压真空断路器用真空灭弧室进行开关触头的结构优化。
Claims (5)
1.一种用于中频电流实验系统的纵向磁场的励磁装置,所述中频电流实验系统中的真空灭弧室为具有平板开关触头的不产生纵向磁场的的真空灭弧室;其特征在于:所述纵向磁场的励磁装置包括有不产生纵向磁场的真空灭弧室、亥姆霍兹线圈(1)和电流互感器组(2);亥姆霍兹线圈(1)安装在不产生纵向磁场的真空灭弧室外部,电流互感器组(2)的副边并联,电流互感器组(2)的原边安装在振荡回路的电容C1与分流器R2之间;
数字示波器用于记录不产生纵向磁场的真空灭弧室的平板开关触头的阴阳极的电压和分流器R2两端电压;不产生纵向磁场的真空灭弧室的阴阳极分别连接在数字示波器的输入2端、输入1端上,分流器R2的1端连接在数字示波器的输入3端上,分流器R2的2端连接在数字示波器的输入4端上;
控制系统用于控制产生中频电流的时序;双向晶闸管VT1的门极连接在控制系统的输出1端上,晶闸管VT2的门极连接在控制系统的输出2端上;
双向晶闸管VT1的T1主电极与电容C1的一端连接,双向晶闸管VT1的T2主电极与电感L1的1端连接;电容C1的另一端与电流互感器组(2)的原边连接;
电感L1的1端顺次连接晶闸管VT2、限流电阻R1、电力二极管VD1后与电容C1的另一端连接;电感L1的1端顺次连接晶闸管VT2、限流电阻R1、电解电容C2后与电容C1的另一端连接;电感L1的2端顺次连接电容C3、电阻R3后与电容C1的另一端连接;电感L1的2端连接在不产生纵向磁场的真空灭弧室的平板开关触头的阳极上;晶闸管VT2的阳极与限流电阻R1的一端连接,限流电阻R1的另一端分别与电力二极管VD1的阴极、电解电容C2的正极连接,电力二极管VD1的阳极与电容C1的另一端连接,电解电容C2的负极与电容C1的另一端连接;
分流器R2的1端连接在不产生纵向磁场的真空灭弧室的平板开关触头的阴极上,分流器R2的2端连接在电流互感器组(2)的原边上;
亥姆霍兹线圈(1)、电流互感器组(2)、不产生纵向磁场的真空灭弧室、电容C1、双向晶闸管VT1、电感L1和分流器R2组成可调磁场振荡回路;电解电容C2、电力二极管VD1、限流电阻R1、晶闸管VT2、电感L1、不产生纵向磁场的真空灭弧室、分流器R2组成直流引弧回路。
2.根据权利要求1所述的用于中频电流实验系统的纵向磁场的励磁装置,其特征在于:所述电流互感器组(2)包括有第一个电流互感器CT1、第二个电流互感器CT2、第n个电流互感器CTn;第一个电流互感器CT1、第二个电流互感器CT2、第n个电流互感器CTn的副边并联,第一个电流互感器CT1、第二个电流互感器CT2、第n个电流互感器CTn的原边分别与电容C1的另一端、分流器R2的2端连接。
3.根据权利要求1所述的用于中频电流实验系统的纵向磁场的励磁装置,其特征在于:为了实现可调节的纵向磁场加载,电流互感器组(2)中设置的电流互感器个数为1~6个。
4.根据权利要求1所述的用于中频电流实验系统的纵向磁场的励磁装置,其特征在于:亥姆霍兹线圈(1)包括有上线圈骨架(11)、下线圈骨架(12)、支撑柱(13)、上线圈(14)、下线圈(15)和长螺钉(16),上线圈骨架(11)与下线圈骨架(12)的结构相同,上线圈(14)与下线圈(15)的结构相同;
所述长螺钉(16)的端部设有螺纹,其余部分为光杆,螺纹段上套接螺母(16C),所述长螺钉(16)上套接有上垫片(16A)、下垫片(16B)和螺母(16C);
上线圈骨架(11)的中心设有用于不产生纵向磁场的真空灭弧室穿过的AC通孔(11D);上线圈骨架(11)上设有AA挡板(11A)、AB挡板(11B),AA挡板(11A)与AB挡板(11B)之间是A凹环体(11C),所述A凹环体(11C)上用于缠绕漆包线,缠绕的漆包线形成上线圈(14);AA挡板(11A)上设有用于长螺钉(16)穿过的AA通孔(11A1),AB挡板(11B)上设有用于长螺钉(16)穿过的AB通孔(11B1);
下线圈骨架(12)的中心设有用于不产生纵向磁场的真空灭弧室穿过的BC通孔(12D);下线圈骨架(12)上设有BA挡板(12A)、BB挡板(12B),BA挡板(12A)与BB挡板(12B)之间是B凹环体(12C),所述B凹环体(12C)上用于缠绕漆包线,缠绕的漆包线形成下线圈(15);BA挡板(12A)上设有用于长螺钉(16)穿过的BA通孔(12A1),BB挡板(12B)上设有用于长螺钉(16)穿过的BB通孔(12B1);
支撑柱(13)上设有用于长螺钉(16)穿过的C通孔(13A);
先在上线圈骨架(11)的A凹环体(11C)上缠绕一定圈数的漆包线、下线圈骨架(12)的B凹环体(12C)上缠绕一定圈数的漆包线;然后将支撑柱(13)置于上线圈骨架(11)与下线圈骨架(12)之间;最后用长螺钉的螺纹端顺次穿过上垫片(16A)、上线圈骨架(11)的AA通孔(11A1)、AB通孔(11B1)、支撑柱(13)上的C通孔(13A)、下线圈骨架(12)的BA通孔(12A1)、BB通孔(12B1)、下垫片(16B)后,螺纹连接上螺母(16C)。
5.根据权利要求1所述的用于中频电流实验系统的纵向磁场的励磁装置,其特征在于:电流互感器组(2)中的原边流过可调磁场振荡回路中的电流,称为一次电流,电流互感器组(2)的副边根据所述一次电流感应出的电流,称为二次电流,所述的二次电流作为励磁电流使亥姆霍兹线圈(1)产生纵向磁场,所述的纵向磁场作用到具有平板开关触头的不产生纵向磁场的真空灭弧室的电弧上。
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