CN104216177A - 一种显示面板、显示装置以及显示面板的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及显示技术领域，公开一种显示面板、显示装置以及显示面板的制备方法，其中，所述显示面板包括：相对设置的阵列基板和对向基板；所述阵列基板设有显示模式切换单元，所述显示模式切换单元包括：模式切换电极；由电致变色材料制备、且根据所述模式切换电极的电压改变反射率的反射率调整膜层。上述显示面板可以通过改变模式切换电极的电压实现对反射率调整膜层反射率的调整，进而实现对显示面板显示模式的调整。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种显示面板、显示装置以及显示面板的制备方法。
背景技术
现有的半透半反型液晶显示器，是一种适合在室外等强光环境下和室内缺乏外界光的场所下所使用的视觉显示终端，而且，现有的半透半反型液晶显示器大都是通过采用在液晶显示面板的下衬底基板上贴附一层半透半反膜，从而达到半透半反光的效果。但是，半透半反膜对光的透过率和反射率是固定的，因此，现有的半透半反型液晶显示器不能根据外界光强的变化调整显示模式。
发明内容
本发明提供了一种显示面板、显示装置以及显示面板的制备方法，其中，所述显示面板可以根据外界光强大小调整其显示模式。
为达到上述目的，本发明提供以下技术方案：
一种显示面板，包括：相对设置的阵列基板和对向基板；所述阵列基板设有显示模式切换单元，所述显示模式切换单元包括：
模式切换电极；
由电致变色材料制备、且根据所述模式切换电极的电压改变反射率的反射率调整膜层。
上述显示面板中，阵列基板设有显示模式切换单元，显示模式切换单元中，模式切换电极可以为反射率调整膜层提供电压，反射率调整膜层可以根据电压的连续变化而实现反射率的连续变化；因此，随着模式切换电极的电压变化， 反射率调整膜层可以实现完全反射、半透射半反射和完全透射几种模式的变化，从而可以使显示面板实现反射显示模式、半透半反显示模式和透射显示模式之间的切换，因此，上述显示面板可以随着外界光强度的变化调整显示模式。
优选地，
所述显示模式切换单元位于阵列基板的衬底基板背离所述对向基板的一侧；或者，
所述显示模式切换单元位于阵列基板的衬底基板朝向所述对向基板的一侧。
优选地，当所述显示模式切换单元位于阵列基板的衬底基板朝向所述对向基板的一侧时：
所述显示模式切换单元位于阵列基板的衬底基板与所述阵列基板的驱动电路之间；或者，
所述显示模式切换单元位于阵列基板的驱动电路朝向所述对向基板的一侧。
优选地，所述阵列基板设有的显示模式切换单元中：
所述反射率调整膜层位于所述模式切换电极与阵列基板的衬底基板之间；或者，
所述模式切换电极位于所述反射率调整膜层与阵列基板的衬底基板之间。
优选地，制备所述反射率调整膜层的电致变色材料为双稳态电致变色材料。
优选地，所述双稳态电致变色材料为：
有机电致变色材料；或者，
无机电致变色材料；或者，
有机材料和无机材料的混合物。
本发明还提供一种显示装置，包括上述技术方案中提供的任意一种显示面板。
优选地，所述显示装置还包括：
用于感测显示器件外部光强度的光传感器；
控制器，所述控制器与所述光传感器和所述模式切换电极信号连接。
本发明还提供一种显示面板的制备方法，包括以下步骤：
在衬底基板上形成显示模式切换单元，以形成阵列基板，其中，所述显示模式切换单元包括：模式切换电极；由电致变色材料制备、且根据所述模式切换电极的电压改变反射率的反射率调整膜层；
连接阵列基板和对向基板，以形成显示面板。
优选地，所述形成阵列基板，包括：
在所述阵列基板的衬底基板与对向基板相对的一侧表面形成驱动电路；
在所述驱动电路上形成保护层；
在所述衬底基板背离对向基板的一侧表面形成所述显示模式切换单元；
剥离所述保护层。
优选地，所述形成阵列基板，包括：
在所述阵列基板的衬底基板背离对向基板的一侧表面形成所述显示模式切换单元；
在所述显示模式切换单元上形成保护层；
在所述衬底基板与对向基板相对的一侧表面形成驱动电路；
剥离所述保护层。
优选地，所述形成阵列基板，包括：
在所述阵列基板的衬底基板与对向基板相对的一侧表面形成驱动电路；
在所述驱动电路上形成绝缘层；
在所述绝缘层上形成所述显示模式切换单元。
优选地，所述形成阵列基板，包括：
在所述阵列基板的衬底基板与对向基板相对的一侧表面形成所述显示模式切换单元；
在所述显示模式切换单元上形成绝缘层；
在所述绝缘层上形成驱动电路。
优选地，所述形成显示模式切换单元，包括：
形成所述模式切换电极；在所述模式切换电极上形成所述反射率调整膜层；或者，
形成所述反射率调整膜层；在所述反射率调整膜层上形成所述模式切换电极。
优选地，所述形成所述模式切换电极为：
采用溅射工艺或者印刷工艺形成所述模式切换电极。
优选地，所述形成所述反射率调整膜层为：
采用涂布、印刷或打印及固化工艺制程形成反射率调整膜层；或者，
采用CVD工艺制程形成反射率调整膜层；
采用溅射工艺制程形成反射率调整膜层。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种显示面板结构示意图；
图2为本发明实施例提供的另一种显示面板结构示意图；
图3为本发明实施例提供的另一种显示面板结构示意图；
图4为本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参考图1、图2和图3，图1为本发明实施例提供的一种显示面板结构 示意图；图2为本发明实施例提供的另一种显示面板结构示意图；图3为本发明实施例提供的另一种显示面板结构示意图。
如图1、图2和图3所示，本发明提供的显示面板，包括：相对设置的阵列基板2和对向基板1；所述阵列基板2设有显示模式切换单元20，所述显示模式切换单元20包括：
模式切换电极201；
由电致变色材料制备、且根据所述模式切换电极201的电压改变反射率的反射率调整膜层202。
上述显示面板可以为液晶显示面板、或者OLED显示面板。
如图1所示，上述显示面板为液晶显示面板时，包括液晶层3，显示面板可以为有源驱动，也可以为无源驱动。当上述显示面板为有源驱动时，阵列基板设有的驱动电路包括薄膜晶体管阵列。
上述显示面板中，阵列基板2设有显示模式切换单元20，显示模式切换单元20中，模式切换电极201可以为反射率调整膜层202提供电压，反射率调整膜层202可以根据电压的连续变化而实现反射率的连续变化；因此，随着模式切换电极201的电压变化，反射率调整膜层202可以实现完全反射、半透射半反射和完全透射几种模式的变化，从而可以使显示面板实现反射显示模式、半透半反显示模式和透射显示模式之间的切换，因此，上述显示面板可以随着外界光强度的变化调整显示模式。
一种具体的实施例中，显示面板可以为以下几种设置方式：
方式一，如图1所示，显示模式切换单元20位于阵列基板2的衬底基板21背离对向基板1的一侧。
在上述方式一的基础上，一种优选实施方式中，如图1所示，显示模式切换单元20中的反射率调整膜层202位于模式切换电极201与阵列基板2的衬底基板21之间；另一种优选实施方式中，显示模式切换单元20中的模式切换电极201位于反射率调整膜层202与阵列基板2的衬底基板21之间。
方式二，显示模式切换单元20位于所述阵列基板2的衬底基板21朝向所述对向基板1的一侧。
在上述方式二的基础上，一种优选实施方式中，如图2所示，显示模式切换单元20位于阵列基板2的衬底基板21与阵列基板2的驱动电路22之间。其中，显示模式切换单元20中，如图2所示，反射率调整膜层202位于模式切换电极201与阵列基板2的衬底基板21之间，或者，模式切换电极201位于反射率调整膜层202与阵列基板2的衬底基板21之间。
在上述方式二的基础上，另一种优选实施方式中，如图3所示，显示模式切换单元20位于阵列基板2的驱动电路22与对向基板1之间。其中，显示模式切换单元20中，如图3所示，反射率调整膜层202位于模式切换电极201与驱动电路22之间，或者，模式切换电极201位于反射率调整膜层202与驱动电路22之间。
在上述实施例的基础上，一种优选的实施例中，
制备反射率调整膜层202的电致变色材料为双稳态电致变色材料。
优选地，双稳态电致变色材料可以为：
有机电致变色材料；例如，导电聚合物，也可以是吡咯、噻吩、苯胺、呋喃、咔唑、甘菊环、吲哚合成的相应聚合物。
无机电致变色材料；例如，MoO3，V2O5，Nb2O5，Ir(OH)3等过渡金属氧化物，也可以是普鲁士蓝。
有机材料和无机材料的混合物；例如，紫罗精与二氧化钛、氧化钡、锌钡白中的一种或一种以上的混合物。
本发明实施例提供的一种显示装置，包括上述任意一种实施例提供的显示面板。
一种优选的实施例中，上述显示装置还包括：
用于感测显示器件外部光强度的光传感器；
控制器，控制器与光传感器和模式切换电极201信号连接。
光传感器感测到显示器件外部的光强度信号并传输到控制器，控制器可以根据接收到的外界的光强度信号控制模式切换电极201的电压变化，当外界的光强度信号增强时，控制器控制模式切换电极201的电压升高，反射率调整膜层202的反射率随着电压的升高而增大，从而可以使显示面板的显示模式发生变化，因此可以实现自动控制显示模式切换。
以下请参考图1、图2、图3和图4，图4为本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法流程图。
如图4所示，本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法，包括以下步骤：
步骤S101，在衬底基板21上形成显示模式切换单元20，以形成阵列基板2，其中，显示模式切换单元20包括：模式切换电极201；由电致变色材料制备、且根据所述模式切换电极201的电压改变反射率的反射率调整膜层202；
步骤S102，连接阵列基板2和对向基板1，以形成显示面板。
一种具体的实施例中，如图4所示，步骤S101中，形成阵列基板2，可以通过多种方式实现，如：
如图1所示的显示面板，显示面板中显示模式切换单元20中的反射率调整膜层202位于模式切换电极201与阵列基板2的衬底基板21之间，上述步骤S101具体包括：
步骤S201，在阵列基板2的衬底基板21与对向基板1相对的一侧表面形成驱动电路22；
步骤S202，在驱动电路22上形成保护层；可以防止后续工艺中对上述形成的驱动电路22造成损伤；
步骤S203，在衬底基板21背离对向基板1的一侧表面形成反射率调整膜层202；
步骤S204，在反射率调整膜层202上形成模式切换电极201；
步骤S205，剥离保护层。
上述步骤中形成驱动电路22的步骤和形成模式切换单元20的步骤之间的先后顺序可以互换，此时，步骤S101具体包括：
步骤S301，在阵列基板2的衬底基板21背离对向基板1的一侧表面形成反射率调整膜层202；
步骤S302，在反射率调整膜层202上形成模式切换电极201；
步骤S303，在模式切换电极201上形成保护层；可以防止后续工艺中对上述形成的模式切换电极201造成损伤；
步骤S304，在衬底基板21与对向基板1相对的一侧表面形成驱动电路22；
步骤S305，剥离保护层。
当上述显示面板中显示模式切换单元20中的模式切换电极201位于反射率调整膜层202与阵列基板2的衬底基板21之间时，上述步骤S101具体包括：
步骤S401，在阵列基板2的衬底基板21与对向基板1相对的一侧表面形成驱动电路22；
步骤S402，在驱动电路22上形成保护层；可以防止后续工艺中对上述形成的驱动电路22造成损伤；
步骤S403，在衬底基板21背离对向基板1的一侧表面形成模式切换电极201；
步骤S404，在模式切换电极201上形成反射率调整膜层202；
步骤S405，剥离保护层。
上述步骤中形成驱动电路22的步骤和形成模式切换单元20的步骤之间的先后顺序可以互换，此时，步骤S101具体包括：
步骤S501，在阵列基板2的衬底基板21背离对向基板1的一侧表面形成模式切换电极201；
步骤S502，在模式切换电极201上形成反射率调整膜层202；
步骤S503，在反射率调整膜层202上形成保护层；可以防止后续工艺中对上述形成的反射率调整膜层202造成损伤；
步骤S504，在衬底基板21与对向基板1相对的一侧表面形成驱动电路22；
步骤S505，剥离保护层。
如图2所示的显示面板，显示面板中显示模式切换单元20中的反射率调整膜层202位于模式切换电极201与阵列基板2的衬底基板21之间，上述步骤S101具体包括：
步骤S601，在阵列基板2的衬底基板21与对向基板1相对的一侧表面形成反射率调整膜层202；
步骤S602，在反射率调整膜层202上形成模式切换电极201；
步骤S603，在模式切换电极201上形成绝缘层23；
步骤S604，在绝缘层上形成驱动电路22。
当上述显示面板中显示模式切换单元20中的模式切换电极201位于反射率调整膜层202与阵列基板2的衬底基板21之间时，上述步骤S101具体包括：
步骤S701，在阵列基板2的衬底基板21与对向基板1相对的一侧表面形成模式切换电极201；
步骤S702，在模式切换电极201上形成反射率调整膜层202；
步骤S703，在反射率调整膜层202上形成绝缘层23；
步骤S704，在绝缘层上形成驱动电路22。
如图3所示的显示面板，显示面板中显示模式切换单元20中的反射率调整膜层202位于模式切换电极201与驱动电路22之间，上述步骤S101具体包括：
步骤S801，在阵列基板2的衬底基板21与对向基板1相对的一侧表面形成驱动电路22；
步骤S802，在驱动电路22上形成绝缘层23；
步骤S803，在绝缘层23上形成反射率调整膜层202；
步骤S804，在反射率调整膜层202上形成模式切换电极201。
当上述显示面板中显示模式切换单元20中的模式切换电极201位于反射 率调整膜层202与驱动电路22之间时，上述步骤S101具体包括：
步骤S901，在阵列基板2的衬底基板21与对向基板1相对的一侧表面形成驱动电路22；
步骤S902，在驱动电路22上形成绝缘层23；
步骤S903，在绝缘层23上形成模式切换电极201；
步骤S904，在模式切换电极201上形成反射率调整膜层202。
在上述实施例的基础上，优选地，在制备上述模式切换单元时：
可以采用溅射工艺或者印刷工艺形成模式切换电极201；
可以采用涂布、印刷、打印及固化工艺制程形成反射率调整膜层202；或者，
采用CVD工艺制程形成反射率调整膜层202；
采用溅射工艺制程形成反射率调整膜层202。
显然，本领域的技术人员可以对本发明实施例进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (16)
1.一种显示面板，包括：相对设置的阵列基板和对向基板；其特征在于，所述阵列基板设有显示模式切换单元，所述显示模式切换单元包括：
模式切换电极；
由电致变色材料制备、且根据所述模式切换电极的电压改变反射率的反射率调整膜层。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述显示模式切换单元位于阵列基板的衬底基板背离所述对向基板的一侧；或者，
所述显示模式切换单元位于阵列基板的衬底基板朝向所述对向基板的一侧。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，当所述显示模式切换单元位于所述阵列基板的衬底基板朝向所述对向基板的一侧时：
所述显示模式切换单元位于阵列基板的衬底基板与阵列基板的驱动电路之间；或者，
所述显示模式切换单元位于阵列基板的驱动电路朝向所述对向基板的一侧。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板设有的显示模式切换单元中：
所述反射率调整膜层位于所述模式切换电极与阵列基板的衬底基板之间；或者，
所述模式切换电极位于所述反射率调整膜层与阵列基板的衬底基板之间。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，制备所述反射率调整膜层的电致变色材料为双稳态电致变色材料。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述双稳态电致变色材料为：
有机电致变色材料；或者，
无机电致变色材料；或者，
有机材料和无机材料的混合物。
7.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1～6任一项所述的显示面板。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于，还包括：
用于感测显示器件外部光强度的光传感器；
控制器，所述控制器与所述光传感器和所述模式切换电极信号连接。
9.一种如权利要求1～6任一项所述的显示面板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在衬底基板上形成显示模式切换单元，以形成阵列基板，其中，所述显示模式切换单元包括：模式切换电极；由电致变色材料制备、且根据所述模式切换电极的电压改变反射率的反射率调整膜层；
连接阵列基板和对向基板，以形成显示面板。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述形成阵列基板，包括：
在所述阵列基板的衬底基板与对向基板相对的一侧表面形成驱动电路；
在所述驱动电路上形成保护层；
在所述衬底基板背离对向基板的一侧表面形成所述显示模式切换单元；
剥离所述保护层。
11.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述形成阵列基板，包括：
在所述阵列基板的衬底基板背离对向基板的一侧表面形成所述显示模式切换单元；
在所述显示模式切换单元上形成保护层；
在所述衬底基板与对向基板相对的一侧表面形成驱动电路；
剥离所述保护层。
12.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述形成阵列基板，包括：
在所述阵列基板的衬底基板与对向基板相对的一侧表面形成驱动电路；
在所述驱动电路上形成绝缘层；
在所述绝缘层上形成所述显示模式切换单元。
13.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述形成阵列基板，包括：
在所述阵列基板的衬底基板与对向基板相对的一侧表面形成所述显示模式切换单元；
在所述显示模式切换单元上形成绝缘层；
在所述绝缘层上形成驱动电路。
14.根据权利要求10～13任一项所述的制备方法，其特征在于，所述形成显示模式切换单元，包括：
形成所述模式切换电极；在所述模式切换电极上形成所述反射率调整膜层；或者，
形成所述反射率调整膜层；在所述反射率调整膜层上形成所述模式切换电极。
15.根据权利要求14所述的制备方法，其特征在于，所述形成所述模式切换电极为：
采用溅射工艺或者印刷工艺形成所述模式切换电极。
16.根据权利要求14所述的制备方法，其特征在于，所述形成所述反射率调整膜层为：
采用涂布、印刷、打印及固化工艺制程形成反射率调整膜层；或者，
采用CVD工艺制程形成反射率调整膜层；
采用溅射工艺制程形成反射率调整膜层。
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