CN104127957B - 一种电磁谐波发送目标板及电磁谐波细胞修复治疗设备 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种电磁谐波发送目标板及基于所述电磁谐波发送目标板的电磁谐波细胞修复治疗设备，包含若干电磁谐波发送单元，电磁发送单元包含一纳米芯片，纳米芯片封装在金属封装壳内，金属封装壳抵接一半导体反射杯的底部，半导体反射杯在电磁场的作用下发生机械振动并带动纳米芯片的金属外壳产生共振，金属外壳在电磁场中振动产生的电流使纳米芯片启动工作，纳米芯片接受外部输入的脉冲信号，发出特定的电磁谐波，所述的电磁谐波经半导体反射杯向目标体发送，所述的半导体反射杯振动调整电磁谐波的发送角度。实现的电磁谐波发送目标板及基于所述电磁谐波发送目标板的电磁谐波细胞修复治疗设备可以根据病人病情自动调整电磁谐波照射量，且针对病症定向照射，效果好，对其他不需要照射的区域无影响。
Description
技术领域
本发明涉及医疗保健领域，特别是一种电磁谐波发送目标板及基于所述电磁谐波发送目标板的电磁谐波细胞修复治疗设备。
背景技术
经过科学证明，电磁波具有提高机体内各种酶的活性，促进机体对各种缺乏元素的吸收，修复和疏通微循环通道；激发机体自身的免疫功能和抗病能力；促进机体脑啡吩呔的分泌,达到持续镇痛的目的等方面的作用。
1、电磁波治疗仪能有效地推进微循环体系的加快修改，改进患部血液循环血液的流变；
2、电磁波治疗仪能增强机体的抗病能力；
3、电磁波治疗仪能添加患者体内脑啡呔的排泄，有耐久镇痛的效果；4、电磁波治疗仪能促进机体对缺少元素的吸收。
但是目前以电磁波治疗疾病以不定向照射为主，治疗效能不高，对于特定的疾病，例如女性子宫卵巢等疾病，治疗效果有待提高。
现有技术中类似的电磁波照射治疗设备还存在治疗效果返复的问题,治疗后效果不能巩固,或维持时间少于一个月,停止照射后又复发了。
发明内容
本发明提供一种电磁谐波发送目标板及基于所述电磁谐波发送目标板的电磁谐波细胞修复治疗设备，对内脏类疾病可以定向治疗，特别是女性的子宫卵巢疾病，治疗直接、效能高；且本设备可以使患者经治疗后返复期超出一年以上或再不复发。
本发明通过以下技术手段实现：
一种电磁谐波发送目标板，包含若干电磁谐波发送单元，所述的电磁发送单元包含至少一个纳米芯片，所述的纳米芯片封装在金属封装壳内，所述的金属封装壳抵接一半导体反射杯的底部，所述的半导体反射杯包含一杯底和喇叭状的杯身，喇叭口从杯底向上逐渐变大，所述的半导体反射杯在电磁场的作用下发生机械振动并带动纳米芯片的金属外壳产生共振，金属外壳在电磁场中振动产生的电流使纳米芯片启动工作，纳米芯片接受外部输入的脉冲信号，发出特定的电磁谐波，所述的电磁谐波经半导体反射杯向目标体发送，所述的半导体反射杯振动调整电磁谐波的发送角度。
进一步的，所述的被封装的纳米芯片设置在由两个金属电极形成的支架上，所述的金属电极分别为阳极和阴极；所述的半导体反射杯也被嵌装在所述的支架的顶部，并使半导体反射杯的喇叭口向外。
进一步的，所述的被封装的纳米芯片、金属电极用于固定纳米芯片和半导体反射杯的顶部、半导体反射杯被环氧树脂或玻璃封装。
进一步的，所述的电磁谐波发送单元按照矩形阵列方式布设在一块PCB板上，所述的PCB板设有信号输入单元。
进一步的，所述的纳米芯片封装在金属电极的阴极管内，所述半导体反射杯嵌在阴极管的顶端。
进一步的，所述半导体反射杯使电磁谐波发送的角度在5-120度之间变化，所述发送的电磁谐波的波长在0.1um-80um之间。
最后，所述的每个电磁谐波发送单元内包含2-21个纳米芯片。
一种基于上述目标板的电磁谐波细胞治疗修复设备，包含两个所述的目标板，一个控制机，所述的目标板接受控制机发出的控制信号并向外发出对应的电磁谐波；所述的控制机内包含一个脉冲变压器，一个主控板，以及一个以上脉冲信号输出单元，所述的脉冲变压器与脉冲信号输出端口与主控板电连接。
进一步的，所述的主控板根据外部输入的控制信号调整输出的脉冲信号，所述的控制机主控板输出的脉冲信号经过信号输出单元及信号线传输到目标板上的纳米芯片。
最后，所述的纳米芯片被感应供电启动后触发npn或pnp半导体，在纳米芯片到振动环杯底部使半导体的两极接近于短路所述的脉冲变压器的输出信号经过场效应管、水泥电阻到达所述主控板的信号输出单元，信号输入目标板以及处于正负目标板之间的导电介质,在正负目标板，水泥电阻,场效应管,脉冲变压器之间形成回路,目标板内的半导体反射杯产生机械微振动并改变电磁场方向,发出电磁谐波。
以上实现的电磁谐波发送目标板及基于所述电磁谐波发送目标板的电磁谐波细胞治疗修复设备可以根据病人病情自动调整电磁谐波量，且针对病症定向照射，效果好，对其他不需要照射的区域无影响。
附图说明
图1为纳米芯片安装支架示意图；
图2为纳米芯片安装支架剖视图；
图3是纳米芯片安装位置示意图；
图4是纳米芯片对发送电磁谐波方向调节的示意图；
图5是改变电磁谐波电子粒方向示意图；
图6为纳米芯片改变电场、磁场方向示意图；
图7为目标板正向示意图；
图8为目标板侧向示意图；
图9为细胞治疗修复设备结构组成示意图。
具体实施方式
以下将结合附图对本发明具体的实施方式进行详细描述。
在本发明中，电磁谐波为包含射线在内的高频电波。
一种电磁谐波发送目标板，包含若干电磁谐波发送单元，所述的电磁谐波反射单元包含如图1所示的金属支架，所述的支架包含阴极1和阳极2，其中阴极1较长；在金属支架的阴极端部设有如图2所示的半导体反射杯3，所述的半导体反射杯3呈喇叭形，所述的半导体反射杯3包含一杯底和喇叭状的杯身，喇叭口从杯底向上逐渐变大，在所述半导体反射杯下方设有一封装在金属封装壳内的纳米芯片，在本发明中，所述的纳米芯片封装在阴极电极金属内并设置于所述半导体反射杯3的下方，并且使所述的纳米芯片封装后抵接在半导体反射杯3的底部，形成如图3所示的结构与位置关系。所述的每个电磁谐波发送单元内包含2-21个纳米芯片。本实施例中每个电磁谐波发射单元中有1个纳米芯片。
如图3所示，所述的被封装的纳米芯片、金属电极用于固定纳米芯片和半导体反射杯的顶部、半导体反射杯一起被环氧树脂5或玻璃封装。
如图4所示，所述的半导体反射杯3在控制机内脉冲变压器产生磁场的作用下发生机械振动并带动纳米芯片的金属外壳产生共振，金属外壳在电磁场中振动产生的电流使纳米芯片启动工作，并发出电磁谐波，纳米芯片启动后接受输入机输入的信号，并在输入信号的控制下继续振动发出电磁谐波，如图4图5和图6所示，所述电磁谐波的波长介于0.1um-80um之间，所述的电磁谐波经半导体反射杯3向目标体发送，所述的半导体反射杯随着纳米芯片发出电磁谐波的不同调整振动的幅度，进而调整经其反射的电磁谐波的发送角度，所述电磁谐波的发送角度介于15-120度之间，具体来说，所述电磁谐波发送的角度有5、10、15、30、45、60、90、120度。
本实施例中，所述纳米芯片的大小为10*25*5，实际可以选用介于60*60-7*7之间的合适大小的纳米芯片。所述的电磁谐波发送单元按照矩形阵列方式布设在一块PCB板上，如图7和图8所示，优选9*16的阵列或者9*8的阵列，所述的PCB板设有信号输入单元，所述的PCB板上的纳米芯片在输入单元输入的信号控制下调整产生的电磁谐波的波长和半导体反射杯反射电磁谐波的角度。
一种电磁谐波细胞治疗修复设备，如图9所示，包含两个所述的目标板，一个控制机，所述的目标板接受控制机发出的控制信号并促使半导体反射杯振动产生电磁谐波；所述的控制机内包含一个脉冲变压器，一个主控板，以及一个以上脉冲信号输出单元，所述的脉冲变压器与脉冲信号输出端口与主控板电连接。
所述的主控板根据外部输入的控制信号调整输出的信号，所述的外部输入信号由专业人员根据病人情况设定，所述的控制机主控板输出的信号经过信号输出单元及信号线传输到目标板上的纳米芯片。
所述的纳米芯片被感应供电启动后触发npn或pnp半导体，在纳米芯片到振动环杯底部使半导体的两极接近于短路所述的脉冲变压器的输出信号经过场效应管、水泥电阻到达所述主控板的信号输出单元，信号输入目标板以及处于正、负目标板之间的导电介质,在正、负目标板，水泥电阻,场效应管,脉冲变压器之间形成回路,目标板内的半导体反射杯产生机械微振动并改变电磁场方向,发出电磁谐波。电磁谐波波长可从0.1um至80um任意变化，但纳米芯片在适当参数下才能共振起动工作。由目标板产生的电磁谐波可进入人体器官8.5CM，振动传递4.25CM，半径9CM,场磁力线能达有效范围6CM。共振后产生温度，综合可知电磁谐波加机械脉冲振动能量改变体内细胞电子排布，光波可对人体浅层皮肤有效。
以上实现的目标板及控制器，使用时，一块目标板设置于身体或腹部等器官上方，一块设置于身体相应部分对应的下方，目标板的正、负极为相对概念。启动控制机对目标板施加控制信号，目标板内的电磁谐波发送单元被启动，然后接收控制机控制信号的作用下产生特定的信号输出并带动半导体反射杯产生信号对应的机械振动，机械振动传递于身体的接触部位，并且改变电磁谐波照射的方向，在电磁谐波的定向作用及机械振动下，身体的细胞内的电子重新排布，进而使细胞逐步恢复正常状态，达到治愈疾病的目的，整个过程针对不同的病情施以相应的治疗，更有定向性与目标性，效果更确切。
Claims (10)
1.一种电磁谐波发送目标板，包含若干电磁谐波发送单元，所述的电磁谐波发送单元包含至少一个纳米芯片，所述的纳米芯片封装在金属封装壳内，所述的金属封装壳抵接一半导体反射杯的底部，所述的半导体反射杯包含一杯底和喇叭状的杯身，喇叭口从杯底向上逐渐变大，所述的半导体反射杯在电磁场的作用下发生机械振动并带动纳米芯片的金属外壳产生共振，金属外壳在电磁场中振动产生的电流使纳米芯片启动工作，纳米芯片接受外部输入的脉冲信号，发出电磁谐波，所述的电磁谐波经半导体反射杯向目标体发送，所述的半导体反射杯振动调整电磁谐波的发送角度。
2.根据权利要求1所述的电磁谐波发送目标板，其特征在于：所述的被封装的纳米芯片设置在由两个金属电极形成的支架上，所述的金属电极分别为阳极和阴极；所述的半导体反射杯也被嵌装在所述的所述的支架的顶部，并使半导体反射杯的喇叭口向外。
3.根据权利要求2所述的电磁谐波发送目标板，其特征在于：所述的被封装的纳米芯片、金属电极用于固定纳米芯片和半导体反射杯的顶部、半导体反射杯被环氧树脂或玻璃封装。
4.根据权利要求1所述的电磁谐波发送目标板，其特征在于：所述的电磁谐波发送单元按照矩形阵列方式布设在一块PCB板上，所述的PCB板设有信号输入单元。
5.根据权利要求1所述的电磁谐波发送目标板，其特征在于：所述的纳米芯片封装在金属电极的阴极管内，所述半导体反射杯嵌在阴极管的顶端。
6.根据权利要求1所述的电磁谐波发送目标板，其特征在于：所述半导体反射杯使电磁谐波发送的角度在5-120度之间变化，所述发送的电磁谐波的波长在0.1um-80um之间。
7.根据权利要求1所述的电磁谐波发送目标板，其特征在于：所述的每个电磁谐波发送单元内包含2-21个纳米芯片。
8.一种基于权利要求1的目标板的电磁谐波细胞修复治疗设备，包含两个所述的目标板，一个控制机，所述的目标板接受控制机发出的控制信号并向外发出对应的电磁谐波；所述的控制机内包含一个脉冲变压器，一个主控板，以及一个以上脉冲信号输出单元，所述的脉冲变压器与脉冲信号输出端口与主控板电连接。
9.根据权利要求8所述的细胞修复治疗设备，其特征在于：所述的主控板根据外部输入的控制信号调整输出的脉冲信号，所述的控制机主控板输出的脉冲信号经过信号输出单元及信号线传输到目标板上的纳米芯片。
10.根据权利要求8所述的细胞修复治疗设备，其特征在于：所述的纳米芯片被感应供电启动后触发npn或pnp半导体，使半导体的两极接近于短路所述的脉冲变压器的输出信号经过场效应管、水泥电阻到达所述主控板的信号输出单元，信号输入目标板以及处于正负目标板之间的导电介质,在正负目标板，水泥电阻,场效应管,脉冲变压器之间形成回路,目标板内的半导体反射杯产生机械微振动并改变电磁场方向,发出电磁谐波。
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