CN104038707A - 一种便携式太赫兹被动式彩色照相机 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种便携式太赫兹被动式彩色照相机，包括太赫兹多波束准光混频器，太赫兹多波束准光混频器包括N1×N2个像素，太赫兹多波束准光混频器将收到的太赫兹射频信号和太赫兹本振信号进行混频，产生N1×N2路混频输出信号，N1、N2为≥1的自然数，每一路混频输出信号对应一个像素。采用太赫兹多波束准光混频器作为主要的接收与变频元件，集成度高，十分适用于二维大规模成阵，整体的接收机体积和重量小，能在复杂背景环境下提高目标的识别能力，实时成像，具有较好的分辨率和较高的灵敏度。

Description

一种便携式太赫兹被动式彩色照相机

技术领域

本发明涉及太赫兹成像技术领域，具体涉及一种便携式太赫兹被动式彩色照相机。

背景技术

太赫兹(Terahertz，THz)波通常指的是频率在0.1THz～10THz(波长3mm～30μm)范围内的电磁辐射(1THz＝10¹²Hz)，它在电磁波谱中介于微波和红外辐射之间。太赫兹波辐射在成像应用中可具有如下特点：太赫兹波辐射可以穿透很多普通的非金属遮掩材料，探测到隐匿物体；太赫兹波的波长足够短，可获得较高的成像空间分辨率，或实现危险物高精度定位；太赫兹频率的电磁波辐射对有机体是非电离的，因此在适当的强度下使用，对人体比较安全；相比于微波毫米波成像系统，同样的图像分辨率下，太赫兹成像系统体积更小。太赫兹辐射的上述特点决定了太赫兹成像具有广阔的应用前景，是国际上的研究热点之一。

但是目前的太赫兹成像设备存在一些问题：

1、通常工作在一个频率。采用单一太赫兹频率，虽然可以有效发现目标并对目标实现成像，但是由于目标辐射特性的复杂性，在有效的目标辐射强度或特征识别上存在问题。

2、.通常采用单像素扫描结构，不能实时成像，分辨率有待提高。

3、.通常采用直接检波方式，或者较少像素的外差接收方式。如果采用直接检波方式，虽然可以较容易的实现大规模阵列的焦平面成像，但是灵敏度较低且缺失了相位信息；如果采用外差接收方式，每个通道均需要本振信号，因此中频电路复杂且体积较大，不适宜便携式使用。

4、在现有的太赫兹多像素系统中，通常采用喇叭天线结构和准光透镜的两种形式。对于喇叭天线结构，由于频率高，因此加工难度大，且一致性难以保证；另外，像素间距受到喇叭天线尺寸的约束。对于准光透镜，由于采用一个大透镜，因此位于透镜不同半径处的像素所接收的信号相位有差别，不能有效利用相位信息；且随着像素个数(阵列规模)的增加，透镜尺寸增加，不利于小型化。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是克服现有技术的上述缺点，提供一种便携式太赫兹被动式彩色照相机，采用太赫兹多波束准光混频器作为主要的接收与变频元件，集成度高，十分适用于二维大规模成阵，整体的接收机体积和重量小，能在复杂背景环境下提高目标的识别能力，实时成像，具有较好的分辨率和较高的灵敏度。

根据本发明的第一方面，提供了一种太赫兹多波束准光混频器，包括N1×N2个像素，太赫兹多波束准光混频器将收到的太赫兹射频信号和太赫兹本振信号进行混频，产生N1×N2路混频输出信号，N1、N2为≥1的自然数，每一路混频输出信号对应一个像素，每一路混频输出信号称为每一像素混频输出信号。

可选择地，太赫兹多波束准光混频器包括高阻介质透镜和混频天线芯片，混频天线芯片包括相同结构的N1×N2个混频天线，排列成N1行，N2列；高阻介质透镜采用复眼透镜，复眼透镜包括小透镜阵列和扩展底座，小透镜阵列位于扩展底座上，小透镜通过扩展底座与混频天线实现信号间的传输；小透镜阵列包括N1×N2个小透镜，小透镜与混频天线一一对应，小透镜的中心与其对应的混频天线的中心位于同一轴线上，一个像素包括一个混频天线和一个小透镜。

可选择地，混频天线芯片的衬底材料紧贴高阻介质透镜的扩展底座，高阻介质透镜的相对介电常数εr＝(1±0.1)×εr1，εr1为混频天线芯片衬底的相对介电常数，高阻介质透镜的形式为半球透镜、椭球透镜、超半球透镜、扩展半球透镜之一。

可选择地，太赫兹多波束准光混频器的混频天线芯片包含相同结构竖直方向的N1×N2个混频天线，排列成N1行，N2列，各混频天线中心线行间距和列间距均为d，相邻两行向左或向右错开d/2间距，其中，d＝1.22λF/M，λ为太赫兹射频信号的波长，F为太赫兹多波束准光混频器的焦距与高阻介质透镜口径的比值，M为采样次数，采样次数M≥2。

可选择地，混频天线包括片上天线和反向平行二极管对，反向平行二极管对置于片上天线的馈电端口，反向平行二极管对由反向平行并联的第一肖特基二极管和第二肖特基二极管组成，其中，第一肖特基二极管的阳极与第二肖特基二极管的阴极连接，第一肖特基二极管的阴极与第二肖特基二极管的阳极连接。

可选择地，混频天线芯片的外延材料采用三层结构，自底向上依次为半绝缘GaAs层、N+层GaAs和N-层GaAs，其中，N+层GaAs和N-层GaAs均为在GaAs中掺杂Si形成，

可选择地，第一肖特基二极管包括第一肖特基接触和第一欧姆接触；第二肖特基二极管包括第二肖特基接触和第二欧姆接触；半绝缘GaAs层上具有两块N+层，两块N+层之间形成沟道，两块N+层上均分别覆盖一层欧姆接触金属，分别为右侧的第一欧姆接触金属和左侧的第二欧姆接触金属；第一欧姆接触金属靠近沟道的一边有第一大半圆豁口，第一大半圆豁口内留有第一N-层，第一N-层形成在N+层上，在第一N-层上形成第一肖特基金属，第二欧姆接触金属靠近沟道的一边有第二大半圆豁口，第二大半圆豁口内留有第二N-层，第二N-层形成在N+层上，在第二N-层上形成第二肖特基金属，第一肖特基金属不与第一欧姆接触金属连通，第二肖特基金属不与第二欧姆接触金属连通；第一肖特基金属与第一N-层接触后形成右侧的第一肖特基接触，第二肖特基金属与第二N-层接触后形成左侧的第二肖特基接触，所述欧姆接触金属通过合金工艺与其下的N+层分别形成右侧的第一欧姆接触和左侧的第二欧姆接触；第一电桥连接第一肖特基接触金属和第二欧姆接触金属，第二电桥连接第二肖特基接触金属和第一欧姆接触金属，实现第一肖特基二极管的阳极与第二肖特基二极管的阴极连接以及第二肖特基二极管的阳极与第一肖特基二极管的阴极连接。

可选择地，第一肖特基接触与第二肖特基接触是通过在N-层GaAs上依次生长Ti、Pt、Au形成，第一欧姆接触和第二欧姆接触是通过在N+层GaAs上依次生长Au、Ge、Ni、Au并经过高温快速退火形成。

可选择地，片上天线包括片上天线第一电极、片上天线第二电极、第一天线桥和第二天线桥，材料为Au；片上天线第一电极和片上天线第二电极均位于半绝缘GaAs层上，片上天线第一电极通过第一天线桥与第一欧姆接触金属连接；片上天线第二电极通过第二天线桥与第二欧姆接触金属连接。

可选择地，N-层GaAs掺杂Si的浓度为1E17cm^-3～2E17cm^-3，N-层GaAs的厚度为不大于肖特基结零偏置时耗尽层厚度的1.1倍，N+层GaAs的掺杂浓度为7E18cm^-3～9E18cm^-3，N+层GaAs的厚度X2不小于本振频率下的趋肤深度，X2满足：

$X2\≥\sqrt{1/\left({\mathrm{\πf}}_{\mathrm{LO}}{\mathrm{\μ}}_0{\mathrm{\μ}}_r{\mathrm{\σ}}_{n+\mathrm{GaAs}}\right)}$

其中，μ₀和μr分别是真空磁导率和GaAs的相对磁导率；σn+GaAs为N+层GaAs的电导率；f_LO为太赫兹本振信号的频率。

可选择地，肖特基接触的面积≤3.14μm²。

根据本发明的第二方面，提供了一种便携式太赫兹被动式彩色照相机，包括如上所述的太赫兹多波束准光混频器。

本发明的便携式太赫兹被动式彩色照相机相对于现有技术具有如下有益效果：

1、采用太赫兹多波束准光混频器作为照相机的主要的接收与变频元件，集成度高，十分适用于二维大规模成阵；采用光学加工工艺制作透镜，采用半导体技术制作混频天线芯片，加工精度高，能够满足各通道间的一致性，保证成像质量。由于透镜是复眼透镜，因此在具体的成像应用时，布阵结构更为灵活，可以适用于大视场或者远焦距成像等场合。另外采用LTCC作为封装，并采用倒装焊工艺结合，集成度高，适用于二维阵列，因此整体的接收机的体积和重量小。

2、相比较需要扫描的单像素照相机，本发明的多像素照相机具有如下的优点：1)能够实时成像，可对快速运动目标成像；2)具有较好的分辨率和较高灵敏度，因为采用焦平面凝视阵列，天线不需要扫描，光学部分便可以做得大一些，从而可以得到较好的分辨率；因为积分时间不受扫描速度限制，故有可能获得较高灵敏度。

3、本发明的照相机可以工作在多个频率，由于接收一个目标的多个频率辐射信号，可以实现在复杂背景环境下(例如在目标与背景辐射强度对比度很低的情况下或者在阳光等辐射/反射干扰下)提高目标的识别能力。

4、本发明采用高阻介质透镜可以避免混频天线表面波的产生，提高天线的增益，减小表面波损耗，并可以提高天线的方向性，。

5、混频天线为竖直方向有利于减小混频天线间的像素耦合。

6、本发明选取N-层GaAs掺杂Si的浓度为1E17cm^-3～2E17cm^-3，N-层GaAs的厚度为不大于肖特基结零偏置时耗尽层厚度的1.1倍，既能保证N-层GaAs引入的体电阻较小，同时也不会导致反向击穿电压过低。选取N+层GaAs的掺杂浓度为7E18cm^-3～9E18cm^-3，N+层GaAs的厚度X₂满足：既保证了较高的电子迁移率，并且形成电阻率较小的欧姆接触电阻，也防止由于掺杂过大引起的N-层GaAs反型(变成N+层GaAs外延层)，降低N+层GaAs中的体电阻。

7、肖特基接触面积≤3.14μm²，从而实现低变频损耗，降低本振功率。

8、本发明在半绝缘GaAs层上生长金属的方式制作片上天线电极，可以实现微小电极的制作，减小了制作难度，有利于实现更小尺寸更高频率的天线

附图说明

应说明的是，下面描述中的附图仅示意地示出了一些实施例，并没有包括所有可能的实施例。

图1为太赫兹被动式彩色焦平面照相机的实施例的示意图；

图2为太赫兹多波束准光混频器的实施例的示意图；

图3为混频天线芯片的结构的实施例的示意图；

图4为混频天线的拓扑示意图；

图5(a)为混频天线沿第一电桥的剖面结构示意图，图5(b)为混频天线沿第二电桥的剖面结构示意图，图5(c)为混频天线俯视结构示意图；

图6(a)为第一肖特基二极管的局部放大图；图6(b)为第二肖特基二极管的局部放大图。

具体实施方式

下面将结合附图描述本发明的示例性实施例的技术方案。显然，所描述的实施例只是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。所描述的实施例仅用于图示说明，而不是对本发明范围的限制。基于本发明的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

为了叙述方面，本文中所称的“左”、“右”与附图5a本身的左、右方向一致，但并不对本发明的结构起限定作用。

尽管本申请中使用了词语第一、第二等来描述多个元件或构成部分，这些元件或构成部分不应受这些词语的限制。这些词语仅用于区分一个元件或构成部分和另一元件或构成部分，而不包含“顺序”。因此，将下面讨论的第一元件或构成部分称为第二元件或构成部分也没有超出本发明的构思和范围。

图1示出了一种便携式太赫兹被动式彩色照相机的实施例的示意图。如图1所示，一种便携式太赫兹被动式彩色照相机包括天馈模块、太赫兹焦平面多通道相参接收模块、中频信号处理模块、本振参考源、模/数转换与存储处理模块、数字信号处理模块、显示与控制模块和电源模块。

天馈模块包括反射面天线和天线伺服模块，反射面天线用于接收被探测目标发出的太赫兹射频信号，反射面天线在天线伺服模块的控制下扫描被测目标的太赫兹射频信号。太赫兹焦平面多通道相参接收模块位于反射面天线的焦平面上，被探测目标发出的太赫兹射频信号经反射面天线反射，聚焦于太赫兹焦平面多通道相参接收模块。

太赫兹焦平面多通道相参接收模块包括波束分离器、太赫兹多波束准光混频器和太赫兹本振倍频器。太赫兹本振倍频器用于产生太赫兹本振信号，本振参考源产生的本振信号通过太赫兹本振倍频器倍频后，产生太赫兹本振信号；波束分离器用于控制太赫兹本振信号的空间传播方向，透射太赫兹射频信号并且反射太赫兹本振信号，使太赫兹射频信号和太赫兹本振信号共同传递给太赫兹多波束准光混频器，太赫兹多波束准光混频器输出多路混频信号。

中频信号处理模块包括二次变频模块，二次变频模块对每一路混频输出信号依次进行处理，输出中频信号。

模/数转换与存储处理模块对中频信号处理模块输出的中频信号进行采样、量化、编码，将中频信号变换成中频数字信号并进行存储，同时将中频数字信号输出给数字信号处理模块。

数字信号处理模块根据原始采集数据，按照定标方程将每个通道输出的中频数字信号转换成辐射温度值，并最终转换成图像灰度数据，并将图像灰度数据传送给显示与控制模块。

显示与控制模块用于显示灰度值图像，并控制天线伺服模块，实现空间波束的机械扫描。

电源模块用于给天线伺服模块、太赫兹本振倍频器、本振参考源、中频信号处理模块、模/数转换与存储处理模块，以及显示与控制模块提供电流或者电压。

太赫兹多波束准光混频器和中频信号处理模块采用LTCC封装工艺集成，实现了一体化三维立体封装。虽然随着芯片集成技术的不断发展，很多射频有源电路都可以实现小型化单片集成，但是无源器件尚且不能在集成电路内部实现集成，成为占据电路二维版图面积的主要器件。本设备充分利用LTCC工艺，具有三维立体化封装特点，中频信号处理模块的二次变频模块埋置于基于LTCC的封装的下表面空腔中或者表贴在LTCC下表面基板上，太赫兹多波束准光混频器的混频天线芯片位于LTCC基板顶部。采用三维立体封装设计方式，实现了传统电路的二维平面结构到三维立体化封装结构的转变，极大地减小了设备的体积和重量。除此之外，由于采用了一体化集成工艺，避免了原有分立的系统所必须的繁琐的组装和调试过程，从而提高了系统的整体可靠性。

如图2所示，太赫兹多波束准光混频器的实施例包括多个像素，例如太赫兹多波束准光混频器包括N1×N2个像素。太赫兹多波束准光混频器将收到的太赫兹射频信号和太赫兹本振信号进行混频，产生N1×N2路混频输出信号；N1、N2为≥1的自然数，每一路混频输出信号对应一个像素，每一路混频输出信号称为每一像素混频输出信号。

可选择地，太赫兹多波束准光混频器包括高阻介质透镜和混频天线芯片，如图2所示。混频天线芯片包括相同结构的N1×N2个混频天线，排列成N1行，N2列。高阻介质透镜采用复眼透镜，复眼透镜包括小透镜阵列和扩展底座，小透镜阵列位于扩展底座上，小透镜通过扩展底座与混频天线实现信号间的传输。小透镜阵列包括N1×N2个小透镜，小透镜与混频天线一一对应，每一个小透镜对应一个混频天线芯片中的混频天线，小透镜的中心与其对应的混频天线的中心位于同一轴线上，一个像素包括一个混频天线和一个小透镜。

高阻介质透镜可以避免半绝缘GaAs上表面波的产生，提高天线的增益，减小表面波损耗。当透镜的相对介电常数εr＝(1±0.1)×εr1时，εr1为混频天线芯片衬底的相对介电常数，混频天线芯片和透镜之间的光学特性基本连续，能够消除天线的介质表面波。另外，电磁波趋向于在高介电常数介质中传播，因此，可以提高天线的方向性。

高阻介质透镜的形式可以为半球透镜、椭球透镜、超半球透镜和扩展半球透镜。

可选择地，混频天线芯片包括相同结构竖直方向的N1×N2个混频天线，排列成N1行，N2列，其中，各混频天线中心线行间距和列间距均为d，相邻两行向左或向右错开d/2间距，如图3所示。其中，d＝1.22λF/M，λ为太赫兹射频信号的波长，F为太赫兹多波束准光混频器的F数，即太赫兹多波束准光混频器的焦距与高阻介质透镜口径的比值，M为采样次数。根据奈奎斯特采样定理，为了对焦平面上的信号进行恢复重建，采样次数M≥2。混频天线为竖直方向有利于减小混频天线间的像素耦合，并且在不影响耦合的情况下可以实现更多的空间采样点。

本发明采用了准光混频结构，即太赫兹多波束准光混频器，包括复眼结构的高阻介质透镜和混频天线芯片。其中复眼结构的高阻介质透镜是一个宽频带响应器件，因此，太赫兹多波束准光混频器的响应频率主要取决于混频天线芯片的响应频率。为了实现目标辐射出来的多个频率信号的接收，混频天线芯片中每个像素所采用的片上天线形式采用宽频带的天线形式，例如螺旋天线、对数周期天线等；或者采用能够在几个频率上响应的天线结构。

所述混频天线包括片上天线和反向平行二极管对，反向平行二极管对置于片上天线的馈电端口。反向平行二极管对由反向平行并联的第一肖特基二极管和第二肖特基二极管组成，其中，第一肖特基二极管的阳极与第二肖特基二极管的阴极连接，第一肖特基二极管的阴极与第二肖特基二极管的阳极连接，如图4所示。

混频天线芯片的外延材料采用三层结构，自底向上依次为半绝缘GaAs层、N+层GaAs和N-层GaAs。其中，N+层GaAs和N-层GaAs均为在GaAs中掺杂Si形成。图5(a)和图5(b)分别为混频芯片的剖视图，剖视位置为两个电桥。这两个视图并非实际结构视图，而是原理性示图，目的是为了说明混频天线芯片的组成部件之间的连接关系和片上天线的位置。

本发明就是在该三层结构上制备肖特基二极管对和片上天线。图5(a)、图5(b)、5(c)、图6(a)、图6(b)示出了制备结果。如图5(a)和图5(b)所示，第一肖特基二极管包括第一肖特基接触和第一欧姆接触；第二肖特基二极管包括第二肖特基接触和第二欧姆接触。经制备，半绝缘GaAs层上具有两块N+层，两块N+层之间形成沟道。两块N+层上均覆盖一层欧姆接触金属，分别为右侧的第一欧姆接触金属和左侧的第二欧姆接触金属。从俯视图5(c)上看，两个欧姆接触金属靠近沟道的一边留出一个大半圆豁口，该豁口内设有N-层，N-层上有肖特基金属，且肖特基金属不与本侧的欧姆接触金属连通，即，第一肖特基金属不与第一欧姆接触金属连通，第二肖特基金属不与第二欧姆接触金属连通。沟道两侧的肖特基金属分别与N-层接触后，形成右侧的第一肖特基接触与左侧的第二肖特基接触。而两侧的欧姆接触金属通过合金工艺与其下的N+层形成右侧的第一欧姆接触和左侧的第二欧姆接触。其中，第一肖特基接触与第二肖特基接触是通过在N-层GaAs上依次生长Ti、Pt、Au形成，第一欧姆接触和第二欧姆接触是通过在N+层GaAs上依次生长Au、Ge、Ni、Au并经过高温快速退火形成。

第一电桥连接第一肖特基接触和第二欧姆接触；第二电桥连接第二肖特基接触和第一欧姆接触。第一肖特基接触通过第一电桥与第二欧姆接触相连，即实现第一肖特基二极管的阴极与第二肖特基二极管的阳极连接；第二肖特基接触通过第二电桥与第一天线电极相连，即实现第二肖特基二极管的阴极与第一肖特基二极管的阳极连接。

片上天线包括片上天线第一电极、片上天线第二电极、第一天线桥和第二天线桥，材料为Au。其中，片上天线第一电极和片上天线第二电极均位于半绝缘GaAs层上，第一肖特基接触、第一欧姆接触与片上天线第一电极位于同一侧；第二肖特基接触、第二欧姆接触与片上天线第二电极位于同一侧，如图6所示。片上天线第一电极通过第一天线桥与第一欧姆接触连接；片上天线第二电极通过第二天线桥与第二欧姆接触连接，从而实现了二极管与片上天线的连接。

为了降低二极管的级联电阻，特别是降低半导体外延材料中的体电阻，提高二极管的截止频率，需要对半导体的材料的浓度和厚度进行优化。选取N-层GaAs掺杂Si的浓度为1E17cm^-3～2E17cm^-3，N-层GaAs的厚度为不大于肖特基结零偏置时耗尽层厚度的1.1倍，既能保证N-层引入的体电阻较小，同时也不会导致反向击穿电压过低。N+层GaAs的掺杂浓度为7E18cm^-3～9E18cm^-3，既保证了较高的电子迁移率，并且形成电阻率较小的欧姆接触电阻，也防止由于掺杂过大引起的N-层GaAs反型(变成N+层GaAs外延层)；为了降低N+层GaAs中的体电阻，N+层GaAs的厚度不小于本振频率下的趋肤深度，即其厚度X2满足：

$X2\≥\sqrt{1/\left({\mathrm{\πf}}_{\mathrm{LO}}{\mathrm{\μ}}_0{\mathrm{\μ}}_r{\mathrm{\σ}}_{n+\mathrm{GaAs}}\right)}$

其中，μ₀和μr分别是真空磁导率和GaAs的相对磁导率；σn+GaAs为N+层GaAs的电导率；f_LO为太赫兹本振信号的频率。

为实现低变频损耗，同时降低本振功率，肖特基二极管的截止频率不低于工作频率最高值的5倍，即肖特基接触的面积≤3.14μm²。

传统工艺通常将天线电极做在N+层GaAs上，而本发明将天线电极做在半绝缘GaAs层上，有利于实现更小尺寸更高频率的天线。天线电极的尺寸越小，天线响应频率越高，直接在半绝缘GaAs层上生长金属的方式可以实现微小电极的制作，减小了制作难度。

以上对本发明的实施例的描述仅用于说明本发明的技术方案，而不是对本发明范围的限制，本发明并不限于所公开的这些实施例，本领域的技术人员可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换，而这些修改或替换都应落入本发明的保护范围。

Claims (12)

1.一种太赫兹多波束准光混频器，包括N1×N2个像素，太赫兹多波束准光混频器将收到的太赫兹射频信号和太赫兹本振信号进行混频，产生N1×N2路混频输出信号，N1、N2为≥1的自然数，每一路混频输出信号对应一个像素，每一路混频输出信号称为每一像素混频输出信号。

2.如权利要求1所述的太赫兹多波束准光混频器，其特征在于：太赫兹多波束准光混频器包括高阻介质透镜和混频天线芯片，混频天线芯片包括相同结构的N1×N2个混频天线，排列成N1行，N2列；高阻介质透镜采用复眼透镜，复眼透镜包括小透镜阵列和扩展底座，小透镜阵列位于扩展底座上，小透镜通过扩展底座与混频天线实现信号间的传输；小透镜阵列包括N1×N2个小透镜，小透镜与混频天线一一对应，小透镜的中心与其对应的混频天线的中心位于同一轴线上，一个像素包括一个混频天线和一个小透镜。

3.如权利要求2所述的太赫兹多波束准光混频器，其特征在于：混频天线芯片的衬底材料紧贴高阻介质透镜的扩展底座，高阻介质透镜的相对介电常数εr＝(1±0.1)×εr1，εr1为混频天线芯片衬底的相对介电常数，高阻介质透镜的形式为半球透镜、椭球透镜、超半球透镜、扩展半球透镜之一。

4.如权利要求2或3所述的太赫兹多波束准光混频器，其特征在于：混频天线芯片包含相同结构竖直方向的N1×N2个混频天线，排列成N1行，N2列，各混频天线中心线行间距和列间距均为d，相邻两行向左或向右错开d/2间距，其中，d＝1.22λF/M，λ为太赫兹射频信号的波长，F为太赫兹多波束准光混频器的焦距与高阻介质透镜口径的比值，M为采样次数，采样次数M≥2。

5.如权利要求1-4的任一权利要求所述的太赫兹多波束准光混频器，其特征在于：混频天线包括片上天线和反向平行二极管对，反向平行二极管对置于片上天线的馈电端口，反向平行二极管对由反向平行并联的第一肖特基二极管和第二肖特基二极管组成，其中，第一肖特基二极管的阳极与第二肖特基二极管的阴极连接，第一肖特基二极管的阴极与第二肖特基二极管的阳极连接。

6.如权利要求5所述的太赫兹多波束准光混频器，其特征在于：混频天线芯片的外延材料采用三层结构，自底向上依次为半绝缘GaAs层、N+层GaAs和N-层GaAs，其中，N+层GaAs和N-层GaAs均为在GaAs中掺杂Si形成。

7.如权利要求5或6所述的太赫兹多波束准光混频器，其特征在于：第一肖 特基二极管包括第一肖特基接触和第一欧姆接触；第二肖特基二极管包括第二肖特基接触和第二欧姆接触；

半绝缘GaAs层上具有两块N+层，两块N+层之间形成沟道，两块N+层上均分别覆盖一层欧姆接触金属，分别为右侧的第一欧姆接触金属和左侧的第二欧姆接触金属；第一欧姆接触金属靠近沟道的一边有第一大半圆豁口，第一大半圆豁口内留有第一N-层，第一N-层形成在N+层上，在第一N-层上形成第一肖特基金属，第二欧姆接触金属靠近沟道的一边有第二大半圆豁口，第二大半圆豁口内留有第二N-层，第二N-层形成在N+层上，在第二N-层上形成第二肖特基金属，第一肖特基金属不与第一欧姆接触金属连通，第二肖特基金属不与第二欧姆接触金属连通；第一肖特基金属与第一N-层接触后形成右侧的第一肖特基接触，第二肖特基金属与第二N-层接触后形成左侧的第二肖特基接触，所述欧姆接触金属通过合金工艺与其下的N+层分别形成右侧的第一欧姆接触和左侧的第二欧姆接触；

第一电桥连接第一肖特基接触金属和第二欧姆接触金属，第二电桥连接第二肖特基接触金属和第一欧姆接触金属，实现第一肖特基二极管的阳极与第二肖特基二极管的阴极连接以及第二肖特基二极管的阳极与第一肖特基二极管的阴极连接。

8..如权利要求7所述的太赫兹多波束准光混频器，其特征在于：第一肖特基接触与第二肖特基接触是通过在N-层GaAs上依次生长Ti、Pt、Au形成，第一欧姆接触和第二欧姆接触是通过在N+层GaAs上依次生长Au、Ge、Ni、Au并经过高温快速退火形成。

9..如权利要求5-8的任一权利要求所述的太赫兹多波束准光混频器，其特征在于：

片上天线包括片上天线第一电极、片上天线第二电极、第一天线桥和第二天线桥，材料为Au；

片上天线第一电极和片上天线第二电极均位于半绝缘GaAs层上，片上天线第一电极通过第一天线桥与第一欧姆接触金属连接；片上天线第二电极通过第二天线桥与第二欧姆接触金属连接。

10..如权利要求6-9的任一权利要求所述的太赫兹多波束准光混频器，其特征在于：N-层GaAs掺杂Si的浓度为1E17cm^-3～2E17cm^-3，N-层GaAs的厚度为 不大于肖特基结零偏置时耗尽层厚度的1.1倍，N+层GaAs的掺杂浓度为7E18cm^-3～9E18cn^-3，N+层GaAs的厚度X2不小于本振频率下的趋肤深度，X2满足：

其中，μ₀和μr分别是真空磁导率和GaAs的相对磁导率；σn+GaAs为N+层GaAs的电导率；f_LO为太赫兹本振信号的频率。

11.如权利要求7-10的任一权利要求所述的太赫兹多波束准光混频器，其特征在于：肖特基接触的面积≤3.14μm²。

12.一种便携式太赫兹被动式彩色照相机，包括如权利要求1-11中任何一个权利要求所述的太赫兹多波束准光混频器。