CN104019918A - 电缆接头温度监测装置 - Google Patents

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CN104019918A
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temperature sensor
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张广新
王敏珍
高源�
陈令宏
孙媛
张妍妍
龙宣辰
陆晓青
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CHANGCHUN SHENGDE TECHNOLOGY Co Ltd
State Grid Corp of China SGCC
State Grid Liaoning Electric Power Co Ltd
Changchun Institute Technology
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CHANGCHUN SHENGDE TECHNOLOGY Co Ltd
State Grid Corp of China SGCC
State Grid Liaoning Electric Power Co Ltd
Changchun Institute Technology
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Abstract

本发明涉及一种电缆接头温度监测装置,其特征在于丝状热电偶缠绕在电缆外表面,半导体温度传感器粘贴在电缆上,丝状热电偶和半导体温度传感器连接发射器的输入端,发射器的输出端连接接收器的输入端,接收器的输出端连接微处理器的输入端,微处理器的输出端连接闪光灯和扬声器;所述的发射器内设有信号滤波器和发射定时器;所述的接收器的内设有接收定时器。当高压电缆接头、母线连接处因过电流、接触不良等原因发生过热时,能发光报警,便于巡检人员及时查明故障原因以免故障范围扩大,减少人工排查时间,提高了工作效率,降低了成本。

Description

电缆接头温度监测装置
技术领域
本发明涉及一种电力系统监测装置,尤其涉及一种电缆接头温度监测装置。
背景技术
电缆温度过高会导致电缆绝缘破坏,引起事故,因此,对电缆的温度监测尤为重要,目前对电缆接头温度的监测仍然采用人工定期测量的方法,由于不能连续监视,有些故障隐患不能被及时发现,仍有发生故障的危险。而且人工成本高,排查问题效率低。
发明内容
本发明针对上述现有技术中存在的问题,提供了一种电缆接头温度监测装置,解决了现有技术中不能连续监视电缆温度的问题,而且降低了成本,提高了效率。
本发明的技术方案如下:
丝状热电偶缠绕在电缆外表面,半导体温度传感器粘贴在电缆上,丝状热电偶和半导体温度传感器连接发射器的输入端,发射器的输出端连接接收器的输入端,接收器的输出端连接微处理器的输入端,微处理器的输出端连接闪光灯和扬声器;所述的发射器内设有信号滤波器和发射定时器;所述的接收器的内设有接收定时器。
所述的丝状热电偶直径为2mm。
所述的丝状热电偶通过补偿导线与发射器连接。
所述的微处理器为MSP430F448芯片。
所述的半导体温度传感器为DS18B20半导体温度传感器。
本发明的优点效果如下:
1、采用热电偶和半导体温度传感器同时监测,监测精准,减少失误率,并且一旦其中一个传感器信号出现问题,或出现掉线等情况,另一个可以正常运行,保证可靠性。
2、采用定时器,可以每间隔1分钟发送一次信号,或根据实际需要设定间隔时间,不发射信号时低功耗运行,即保证了连续监测,也降低了功耗。
3、采用2mm热电偶丝,监测温度精准,提高可靠性。
综述,当高压电缆接头、母线连接处因过电流、接触不良等原因发生过热时,能发光报警,便于巡检人员及时查明故障原因以免故障范围扩大,减少人工排查时间,提高了工作效率,降低了成本。
附图说明
图1为本发明的结构示意框图。
具体实施方式
以下参照附图,结合具体实施例,详细描述本发明。
实施例
如图1所示,直径为2mm丝状热电偶缠绕在电缆外表面,缠绕间隙2mm,半导体温度传感器粘贴在电缆上,丝状热电偶和半导体温度传感器连接发射器的输入端,发射器的输出端连接接收器的输入端,接收器的输出端连接微处理器的输入端,微处理器的输出端连接闪光灯和扬声器;所述的发射器内设有信号滤波器和发射定时器;所述的接收器的内设有接收定时器。所述的丝状热电偶通过补偿导线与发射器连接。所述的微处理器为MSP430F448芯片。所述的半导体温度传感器为DS18B20半导体温度传感器。

Claims (5)

1.电缆接头温度监测装置,其特征在于丝状热电偶缠绕在电缆外表面,半导体温度传感器粘贴在电缆上,丝状热电偶和半导体温度传感器连接发射器的输入端,发射器的输出端连接接收器的输入端,接收器的输出端连接微处理器的输入端,微处理器的输出端连接闪光灯和扬声器;所述的发射器内设有信号滤波器和发射定时器;所述的接收器的内设有接收定时器。
2.根据权利要求1所述的电缆接头温度监测装置,其特征在于所述的丝状热电偶直径为2mm。
3.根据权利要求1所述的电缆接头温度监测装置,其特征在于所述的丝状热电偶通过补偿导线与发射器连接。
4.根据权利要求1所述的电缆接头温度监测装置,其特征在于所述的微处理器为MSP430F448芯片。
5.根据权利要求1所述的电缆接头温度监测装置,其特征在于所述的半导体温度传感器为DS18B20半导体温度传感器。
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PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

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