CN103970245A - 内存供电电路 - Google Patents

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Abstract

一种内存供电电路，包括PWM控制器、第一及第二场效应管、第一至第三电阻、第一及第二电感及电子开关。上述内存供电电路可根据需要调节输出至内存的电压值为第一输出电压或者第二输出电压。

Description

内存供电电路
技术领域
本发明涉及一种内存供电电路。
背景技术
在个人计算机中，内存的工作电压一般来讲都是固定的，如DDR2的工作电压范围是1.8V+/-0.1V。然而，由于市面上的内存质量不同，最佳工作电压亦相应不同，如A公司的内存工作在1.8V时能获得最佳性能，B公司的内存工作在1.88V时能获得最佳性能。现在的做法只能固定一个工作电压1.8V或1.88V，这样的话，在组装系统时内存的选择范围将大大减少，较为不便。
发明内容
鉴于上述状况，有必要提供一种能根据需要调节输出至内存的电压值的内存供电电路。
一种内存供电电路，包括PWM控制器、第一及第二场效应管、第一至第三电阻、第一及第二电感及电子开关，该PWM控制器的电源引脚与电压源相连，高门槛引脚与第一场效应管的栅极相连，低门槛引脚与第二场效应管的栅极相连，相位引脚与第一场效应管的源极及第二场效应管的漏极相连，该第一场效应管的漏极通过第一电感与电压源相连，该第二场效应管的漏极与第一场效应管的源极之间的节点还依序通过第二电感及第一电阻与PWM控制器的反相输入引脚相连，该PWM控制器的反相输入引脚还直接通过第二电阻接地以及通过第三电阻与电子开关的第一端相连，该电子开关的第二端接地，控制端与主板上的通用输入输出引脚相连，该第二电感与第一电阻之间的节点用于输出第一电压或第二电压至内存以为内存提供工作电压，其中该第一至第三电阻的电阻值与第一及第二电压满足以下公式：Vout1=0.8*(1+r1/(r3/(r2+r3))、Vout2=0.8*(1+r1/r2)，其中Vout1及Vout2分别表示第一及第二电压，r1表示第一电阻的电阻值，r2表示第二电阻的电阻值，r3表示第三电阻的电阻值。
上述内存供电电路通过调节通用输入输出引脚所输出的电平信号来控制电子开关的导通或截止，以使得第三电阻是否与第二电阻并联连接，进而改变输出电压。上述内存供电电路可根据需要调节输出至内存的电压值为第一输出电压或者第二输出电压。
附图说明
图1是本发明内存供电电路的较佳实施方式的电路图。
主要元件符号说明
PWM控制器 U1
电阻 R1-R3
场效应管 Q1-Q3
电感 L1、L2
电容 C1、C2
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
请参阅图1，本发明内存供电电路用于为一内存提供工作电压。该内存供电电路的较佳实施方式包括PWM控制器U1、场效应管Q1-Q3、电阻R1-R3、电感L1、L2、电容C1及C2。
该PWM控制器U1的电源引脚VCC与电压源Vin（+5V）相连，高门槛引脚UGATE与场效应管Q1的栅极相连，低门槛引脚LGATE与场效应管Q2的栅极相连，相位引脚PHASE与场效应管Q1的源极及场效应管Q2的漏极相连。该场效应管Q1的漏极通过电感L1与电压源Vin相连，还通过电容C1接地。该场效应管Q2的漏极与场效应管Q1的源极之间的节点还依序通过电感L2及电阻R1与PWM控制器U1的反相输入引脚FB相连。
该PWM控制器U1的反相输入引脚FB还直接通过电阻R2接地以及通过电阻R3与场效应管Q3的漏极相连，该场效应管Q3的源极接地，栅极与主板上的通用输入输出（GPIO）引脚相连。
该电感L2与电阻R1之间的节点还用于输出电压Vout至内存以为内存提供工作电压。另外，该电感L2与电阻R1之间的节点还通过电容C2接地，该电容C2起到滤波的作用。
下面将对上述内存供电电路的工作原理进行说明：
根据PWM控制器U1的规范可知，输出电压Vout满足下述公式：
Vout=0.8*(1+r1/r2A)，其中r1表示电阻R1的电阻值，r2A表示电阻R2及R3的等效电阻值。
本实施方式中，假设电阻R1的电阻值r1为125欧姆，电阻R2的电阻值r2为100欧姆，电阻R3的电阻值为1328欧姆。代入上述公式之后即可得到：Vout=0.8+r1/r2A。
此时，若GPIO引脚输出高电平信号，则场效应管Q3导通，电阻R3接地，即电阻R2与电阻R3并联连接，此时，r2A=r3/(r2+r3)，其中r3为电阻R3的电阻值，r2为电阻R2的电阻值。计算可得等效电阻值r2A等于93欧姆，即输出电压Vout等于1.88V。
若GPIO引脚输出低电平信号，则场效应管Q3截止，电阻R3悬空，此时，r2A=r2。计算可得输出电压Vout等于1.8V。
从上面的描述可以看出，只需将电阻R1-R3的电阻值分别设定为125欧姆、100欧姆以及1328欧姆，然后再通过控制GPIO引脚所输出的电平信号，即可实现输出电压Vout为1.88V或者1.8V。当然，上述1.88V或1.8V仅为一个示例，其它实施方式中，设计者亦可根据需要来输出不同的电压值，并对应确定电阻R1-R3的电阻值，只需满足：Vout1=0.8*(1+r1/(r3/(r2+r3))、Vout2=0.8*(1+r1/r2)，其中Vout1及Vout2为内存供电电路所能提供的两种输出电压。
另外，上述场效应管Q3仅为一电子开关，其它实施方式中，该场效应管Q3亦可采用其它电子开关来代替，比如三极管，其中场效应管Q3的栅极、漏极及源极分别对应三极管的基极、集电极及发射极。

Claims (5)

1.一种内存供电电路，包括PWM控制器、第一及第二场效应管、第一至第三电阻、第一及第二电感及电子开关，所述PWM控制器的电源引脚与电压源相连，高门槛引脚与第一场效应管的栅极相连，低门槛引脚与第二场效应管的栅极相连，相位引脚与第一场效应管的源极及第二场效应管的漏极相连，所述第一场效应管的漏极通过第一电感与电压源相连，所述第二场效应管的漏极与第一场效应管的源极之间的节点还依序通过第二电感及第一电阻与PWM控制器的反相输入引脚相连，所述PWM控制器的反相输入引脚还直接通过第二电阻接地以及通过第三电阻与电子开关的第一端相连，所述电子开关的第二端接地，控制端与主板上的通用输入输出引脚相连，所述第二电感与第一电阻之间的节点用于输出第一电压或第二电压至内存以为内存提供工作电压，其中所述第一至第三电阻的电阻值与第一及第二电压满足以下公式：Vout1=0.8*(1+r1/(r3/(r2+r3))、Vout2=0.8*(1+r1/r2)，其中Vout1及Vout2分别表示第一及第二电压，r1表示第一电阻的电阻值，r2表示第二电阻的电阻值，r3表示第三电阻的电阻值。
2.如权利要求1所述的内存供电电路，其特征在于：所述电子开关包括第三场效应管，所述电子开关的控制端、第一及第二端分别对应第三场效应管的栅极、漏极及源极。
3.如权利要求1所述的内存供电电路，其特征在于：所述内存供电电路还包括第一电容，所述第一电容连接于第一场效应管的漏极与大地之间。
4.如权利要求1所述的内存供电电路，其特征在于：所述内存供电电路还包括第二电容，所述第二电容连接于第二电感与第一电阻之间的节点与大地之间。
5.如权利要求1所述的内存供电电路，其特征在于：Vout1=1.88V，Vout2=1.8V，r1=125欧姆，r2=100欧姆，r3=1328欧姆。
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