CN103928611B - 一种记忆存储器及其制备方法 - Google Patents
一种记忆存储器及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103928611B CN103928611B CN201410172981.8A CN201410172981A CN103928611B CN 103928611 B CN103928611 B CN 103928611B CN 201410172981 A CN201410172981 A CN 201410172981A CN 103928611 B CN103928611 B CN 103928611B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- metal nano
- noble metal
- nano particles
- conducting polymer
- electrodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 230000015654 memory Effects 0.000 title abstract description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 32
- 239000002322 conducting polymer Substances 0.000 claims abstract description 27
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims abstract description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 23
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 14
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 4
- 230000001343 mnemonic effect Effects 0.000 claims description 27
- 239000002082 metal nanoparticle Substances 0.000 claims description 24
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 claims description 20
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 18
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 15
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 8
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 8
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 4
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 3
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 claims description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 2
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 2
- 239000006228 supernatant Substances 0.000 claims description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims 4
- 238000010790 dilution Methods 0.000 claims 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 claims 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000004044 response Effects 0.000 abstract description 4
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 abstract 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 230000005055 memory storage Effects 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 239000003643 water by type Substances 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- SJUCACGNNJFHLB-UHFFFAOYSA-N O=C1N[ClH](=O)NC2=C1NC(=O)N2 Chemical compound O=C1N[ClH](=O)NC2=C1NC(=O)N2 SJUCACGNNJFHLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 Technique of Nano Pd Chemical compound 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 230000005476 size effect Effects 0.000 description 1
- NLJMYIDDQXHKNR-UHFFFAOYSA-K sodium citrate Chemical compound O.O.[Na+].[Na+].[Na+].[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O NLJMYIDDQXHKNR-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000001509 sodium citrate Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/20—Organic diodes
- H10K10/29—Diodes comprising organic-inorganic heterojunctions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
本发明涉及一种记忆存储器及其制备方法，它包括半导体基板、相隔设置于半导体基板上的两个电极、连接两个电极的薄膜层，所述的薄膜层由包覆有导电聚合物的贵金属纳米粒子组成。为了制备该记忆存储器，包括以下步骤：（a）在半导体基板上旋涂一层光刻胶，并刻出空腔；（b）在空腔内沉积金属形成相隔的两个电极；（c）制备贵金属纳米粒子/导电聚合物复合材料；（d）将复合材料用去离子水稀释后滴入所述相隔的两个电极之间。通过在两个电极间连接薄膜层，该薄膜层由包覆有导电聚合物的贵金属纳米粒子组成，使得记忆存储器结构简单、尺寸小、集成度高、成本低、高响应信号、高稳定性。
Description
技术领域
本发明属于有机微电子材料领域，具体涉及一种记忆存储器及其制备方法。
背景技术
数码相机、手机、MP3播放器等器件在这几年来的成长十分迅速，使得消费者对储存媒体的需求也急速增加。记忆存储器是这些储存媒体的重要组成部分，具有数据非易失性、省电、体积小，以及无机械结构等特性。
导电聚合物以及以导电聚合物为基础的电子器件被广泛研究，其具有制作过程简单、成本低、高响应信号、高稳定性等优点。这些电子器件包括发光二极管、场效应晶体管、太阳能电池等。聚吡咯(即PPy)是一种常见的导电聚合物，具有共轭链氧化、对应阴离子掺杂结构，其电导率可达102～103S/cm，拉伸强度可达50～100MPa，以及很好的电化学氧化-还原可逆性。近年来，导电聚合物与金属纳米粒子复合材料由于同时具备导电聚合物的耐高温、光电性质以及纳米材料的量子尺寸效应和小尺寸效应，因此一直是科技研究的热点。
传统的记忆存储器由半导体材料制成，例如公告授权号为CN 100340000C的中国发明专利公开了一种记忆性半导体储存器，它包括半导体基板、相隔设置于半导体基板上的位元区、源极区、信道、浮动闸极、控制闸极、形成于位元区与源极区间的半导体基板上的第一介电层；浮动闸极呈上尖下宽的中空火山口状；依浮动闸极设有覆盖于浮动闸极上方周围的第二介电层及与第二介电层结合的第三介电层；其中第二介电层顺应性地覆盖浮动闸极的火山口内侧及外侧，且第三介电层的高度低于浮动闸极的尖端；浮动闸极的底面与下方的源极区部分重叠；控制闸极设置于第二、第三介电层上。该记忆性半导体储存器虽然节省芯片上空间且控制阀极的宽度不受光学微影术限制，但是其成本昂贵、制作工艺复杂、半导体材料难以控制。
此外，负微分电阻一般指n型的GaAs和InP等双能谷半导体中由于电子转移效应而产生的一种效果—电压增大、电流减小所呈现的电阻。负微分电阻效应常常出现在半导体以及有机聚合物电子器件中，例如在负阻区，半导体中载流子浓度局部的微小涨落即可引起非平衡多数载流子的大量积累而产生空间电荷。负微分电阻器件可用于许多电路应用，包括多重-数值逻辑电路、静态存储(SRAM)元件、闩锁电路以及振荡器等。因此，可控的负微分电阻效应显得尤为重要。
发明内容
本发明的目的是为了克服现有技术的不足而提供一种成本低、稳定性高且具有负微分电阻效应的记忆存储器。
为解决以上技术问题，本发明采取的一种技术方案是：一种记忆存储器，它包括半导体基板、相隔设置于半导体基板上的两个电极、连接两个电极的薄膜层，所述的薄膜层由包覆有导电聚合物的贵金属纳米粒子组成。
优化地，所述半导体基板上涂覆有光刻胶层，所述光刻胶层上设有与电极及薄膜层相对应的空腔。
进一步地，所述电极与半导体基板间镀有金属铬层。
进一步地，所述的导电聚合物为聚吡咯、聚苯胺或聚噻吩，所述的贵金属纳米粒子为纳米金、纳米银、纳米钯、纳米铂，所述的电极为金电极。
进一步地，所述的金属铬层厚度为3～8纳米，所述的电极厚度为15～30纳米，所述的贵金属纳米粒子直径为10～15纳米。
更进一步地，所述两个电极的间隔为2～5微米。
本发明还提供一种记忆存储器的制备方法，包括以下步骤：
(a)在半导体基板上旋涂一层光刻胶，置于80～120℃下加热3～5分钟后在光刻胶上刻出空腔；
(b)在所述的空腔内沉积金属形成相隔的两个电极；
(c)在反应容器中依次加入去离子水、三氯化铁溶液、导电聚合物单体溶液，反应10～60分钟后加入贵金属纳米粒子溶液，离心得贵金属纳米粒子/导电聚合物复合材料；
(d)将所述的贵金属纳米粒子/导电聚合物复合材料用去离子水稀释后滴入所述相隔的两个电极之间，蒸发除水形成薄膜层即可。
优化地，所述步骤(b)中，在空腔内沉积金属形成相隔的两个电极前先沉积形成金属铬层。
优化地，步骤(c)中，所述的贵金属纳米粒子通过在贵金属纳米粒子前驱体溶液中加入还原剂制备。
优化地，步骤(c)中，步骤(c)中，所述贵金属纳米粒子、三氯化铁、导电聚合物单体的质量比1～2:3×104～6×104：1×102～1×103。
由于上述技术方案运用，本发明与现有技术相比具有下列优点：本发明记忆存储器，通过在两个电极间连接薄膜层，该薄膜层由包覆有导电聚合物的贵金属纳米粒子组成，一方面使得记忆存储器结构简单、尺寸小、集成度高，具有很大的工业化潜力，另一方面使得记忆存储器成本低、高响应信号、高稳定性的优点，具有显著的负微分电阻效应。
附图说明
附图1为本发明记忆存储器的结构示意图；
附图2为本发明记忆存储器各组成部分拆解示意图；
附图3为聚吡咯厚度为3nm存储器的电压-电流曲线特性图；
附图4为聚吡咯厚度为3nm存储器的读写特性测试数据图；
附图5为实施例1中金纳米粒子/聚吡咯复合材料中聚吡咯具有不同厚度对应记忆存储器的电压-电流特性曲线；
其中，1、半导体基板；2、光刻胶层；21、空腔；3、电极；4、薄膜层；5、金属铬层。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明优选实施方案进行详细说明：
实施例1
本实施例提供一种记忆存储器，如图1和图2所示，主要包括半导体基板1、电极3和薄膜层4。其中，电极3为两个，相隔设置于半导体基板1上平面；薄膜层4也设置于半导体基板1上平面且连接在两个电极3之间，薄膜层4由包覆有导电聚合物的贵金属纳米粒子组成(即贵金属纳米粒子/导电聚合物复合材料)。利用该复合材料形成薄膜层4，使得记忆存储器结构简单、尺寸小、集成度高，具有很大的工业化潜力，而且记忆存储器成本低、高响应信号、高稳定性的优点，具有显著的负微分电阻效应。
在本实施例中，半导体基板1的成分为SiO2/Si；电极3为金电极，厚度优选为15～30nm，两个电极3之间的间隔优选为2～5μm，间隔太大不利于形成均匀的薄膜层4；半导体基板1的上平面(即设置电极3的表面)涂覆有光刻胶层2，并且光刻胶层2上设有与电极3及薄膜层4相对应的空腔21，这样可以以该空腔21为模板在热蒸镀或磁控溅射技术下沉积形成形状规则的电极3；为了增加电极3与半导体基板1的粘附性，电极3与半导体基板1间镀有金属铬层5，厚度优选为3～8nm。
导电聚合物可以使用常规的那些，如聚吡咯、聚苯胺或聚噻吩，贵金属纳米粒子可以为常规的那些，其直径优选为10～15nm，例如纳米金(Au)、纳米银(Ag)、纳米钯(Pd)、纳米铂(Pt)。在本实施例中，导电聚合物为聚吡咯，贵金属纳米粒子是直径为13nm的纳米Au粒子；而且通过调节纳米Au粒子外包裹的聚吡咯厚度可以改变记忆存储器的电流-电压特性，分别选取聚吡咯厚度为1.9nm、3nm、3.9nm、4.8nm时制备的记忆存储器，使用半导体参数分析仪对其电流-电压特性曲线、读写特性进行测试。图3是聚吡咯厚度为3nm的记忆存储器(简写为金/金纳米粒子@3nm PPy/金)的电流电压曲线图，(a)是从0V至5V，5V至0V的循环曲线；(b)是从0V至-5V，-5V至0V的循环曲线图，图4该记忆存储器的读写特性曲线。而图5中(a)至(d)对应于聚吡咯厚度分别为1.9nm、3nm、3.9nm、4.8nm的记忆存储器电流电压特性，从(a)至(d)中可以看出，随着聚吡咯厚度增加，电流逐渐减小，记忆存储性能在聚吡咯厚度为3nm时最好，具有明显的负微分电阻效应。
实施例2
本实施例提供一种实施例1中记忆存储器的制备方法，包括以下步骤：
(a)在半导体基板上旋涂一层光刻胶，置于80～120℃下加热1～3分钟后在光刻胶上刻出空腔；
(b)采用光刻技术或磁控溅射技术在空腔内先沉积3～8nm厚的金属铬层，再沉积15～30nm厚的金层，形成相隔的两个金电极，随后置于丙酮中超声清洗30分钟左右；
(c)向90.5mL去离子水中加入3.6mL0.004g/mL的氯金酸溶液搅拌加热至沸腾，随后加入5mL0.0114g/mL的柠檬酸钠溶液，保持沸腾15min制得13nm的金纳米粒子溶液；
在250mL锥形瓶中依次加入25mL去离子水、5mL浓度为0.125g/mL的三氯化铁溶液、50微升吡咯溶液(0.967g/mL)，搅拌反应10～60分钟后加入2mL离心过的13nm的金纳米粒子溶液(浓度约为7.34×10-9mol/L)(先用两个1.5mL的离心管取13nm金粒子溶液离心，经8000～15000转/分钟转速离心10～30分钟后取出上清液，加入去离子水至1.5mL，合并两个离心管中溶液，总体积3mL，取出2mL加入反应液中)，立即离心得贵金属纳米粒子/导电聚合物复合材料(实施例1中1.9nm、3nm、3.9nm、4.8nm厚度的聚吡咯分别是在反应容器中加入25mL去离子水、5mL0.025g/mL三氯化铁溶液和50微升0.967g/mL吡咯溶液后，与金纳米粒子溶液分别反应10、25、33、40分钟后得到)；
(d)将金纳米粒子/聚吡咯复合材料用去离子水稀释成不同浓度(5×10-8～3.67×10-7mol/L)，随后用微量注射器滴入相隔的两个电极之间，蒸发除水形成薄膜层即可。
本方法操作简单，只需控制时间即可制备高稳定性的金纳米粒子@PPy复合材料。
上述实施例只为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并据以实施，并不能以此限制本发明的保护范围。凡根据本发明精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种记忆存储器，其特征在于：它包括半导体基板、相隔设置于半导体基板上的两个电极、连接两个电极的薄膜层，所述的薄膜层由包覆有导电聚合物的贵金属纳米粒子组成；所述导电聚合物的厚度为3nm；所述半导体基板上涂覆有光刻胶层，所述光刻胶层上设有与电极及薄膜层相对应的空腔；所述的导电聚合物为聚吡咯，所述的贵金属纳米粒子为纳米金。
2.根据权利要求1所述的记忆存储器，其特征在于：所述电极与半导体基板间镀有金属铬层。
3.根据权利要求2所述的记忆存储器，其特征在于：所述的金属铬层厚度为3~8纳米，所述的电极厚度为15~30纳米，所述的贵金属纳米粒子直径为10~15纳米。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的记忆存储器，其特征在于：所述两个电极的间隔为2~5微米。
5.一种权利要求1中所述记忆存储器的制备方法，包括以下步骤：
（a）在半导体基板上旋涂一层光刻胶，置于80~120℃下加热3~5分钟后在光刻胶上刻出空腔；
（b）在所述的空腔内沉积金属形成相隔的两个电极；
（c）在反应容器中依次加入去离子水、三氯化铁溶液、导电聚合物单体溶液，反应10~60分钟后加入贵金属纳米粒子溶液，离心得贵金属纳米粒子/导电聚合物复合材料；
（d）将所述的贵金属纳米粒子/导电聚合物复合材料用去离子水稀释后滴入所述相隔的两个电极之间，蒸发除水形成薄膜层即可。
6.根据权利要求5所述的记忆存储器的制备方法，其特征在于：所述步骤（b）中，在空腔内沉积金属形成相隔的两个电极前先沉积形成金属铬层。
7.根据权利要求5所述的记忆存储器的制备方法，其特征在于：步骤（c）中，所述的贵金属纳米粒子溶液为在贵金属纳米粒子前驱体溶液中加入还原剂反应后离心得到的上清液。
8.根据权利要求5所述的记忆存储器的制备方法，其特征在于：步骤（c）中，所述贵金属纳米粒子、三氯化铁、导电聚合物单体的质量比1~2：3×104~6×104：1×102~1×103。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410172981.8A CN103928611B (zh) | 2014-04-28 | 2014-04-28 | 一种记忆存储器及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410172981.8A CN103928611B (zh) | 2014-04-28 | 2014-04-28 | 一种记忆存储器及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103928611A CN103928611A (zh) | 2014-07-16 |
| CN103928611B true CN103928611B (zh) | 2017-05-24 |
Family
ID=51146759
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410172981.8A Active CN103928611B (zh) | 2014-04-28 | 2014-04-28 | 一种记忆存储器及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103928611B (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106601912A (zh) * | 2016-12-16 | 2017-04-26 | 深圳大学 | 一种基于高分子复合材料的存储器及其制备方法 |
| CN113532702B (zh) * | 2021-09-14 | 2021-11-26 | 江苏集萃脑机融合智能技术研究所有限公司 | 一种具有记忆功能的压力传感器 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6072716A (en) * | 1999-04-14 | 2000-06-06 | Massachusetts Institute Of Technology | Memory structures and methods of making same |
| US20050270442A1 (en) * | 2004-05-20 | 2005-12-08 | Yang Yang | Nanoparticle-polymer bistable devices |
-
2014
- 2014-04-28 CN CN201410172981.8A patent/CN103928611B/zh active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6072716A (en) * | 1999-04-14 | 2000-06-06 | Massachusetts Institute Of Technology | Memory structures and methods of making same |
| US20050270442A1 (en) * | 2004-05-20 | 2005-12-08 | Yang Yang | Nanoparticle-polymer bistable devices |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| Polymer-Based Resistive Memory Materials and Devices;Wen-Peng Lin et al.;《ADVANCED MATERIALS》;20131216;第26卷(第4期);第570-606页 * |
| 金纳米粒子/聚吡咯微结构复合材料的合成和性能研究;何永洪;《中国优秀硕士学位论文数据库 工程科技I辑》;20070815;第23-25页 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103928611A (zh) | 2014-07-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN106449974B (zh) | 基于MoS2量子点嵌入有机聚合物的阻变存储器及其制备方法 | |
| CN107946470A (zh) | 一种异质结太阳能电池及其制备方法 | |
| CN111192965B (zh) | 柔性透明电极及其制备方法与由其制备的柔性太阳能电池 | |
| CN103035842B (zh) | 一种基于石墨烯量子点掺杂的有机阻变存储器及制备方法 | |
| He et al. | Towards stable silicon nanoarray hybrid solar cells | |
| Ma et al. | Cellulose transparent conductive film and its feasible use in perovskite solar cells | |
| CN105185909B (zh) | 一种有机材料阻变存储元件及其制备方法 | |
| CN106198635A (zh) | 一种基于有机场效应晶体管的湿度传感器及其制备方法 | |
| CN106233483B (zh) | 太阳能电池及其制造方法 | |
| KR20190092577A (ko) | 포르피린 멤리스터 및 그의 제조 방법 | |
| Xu et al. | Metal‐microstructure based flexible transparent electrodes and their applications in electronic devices | |
| Mathews et al. | Oxide nanowire networks and their electronic and optoelectronic characteristics | |
| CN103500701B (zh) | 一种制备纳米器件的方法 | |
| Qian et al. | Architecture of CuS/PbS heterojunction semiconductor nanowire arrays for electrical switches and diodes | |
| CN108962497A (zh) | 一种在图形化衬底上制备银纳米线基透明导电薄膜的方法 | |
| CN104952630A (zh) | 具有高柔性和透明性的微型超级电容器及其大规模制备方法 | |
| CN107565020B (zh) | 一种基于有机场效应管的甲醛传感器及其制备方法 | |
| CN111162173B (zh) | 一种掺杂型电子传输层的有机光电探测器及其制备方法 | |
| CN103928611B (zh) | 一种记忆存储器及其制备方法 | |
| CN104616833A (zh) | 大面积制备银纳米线透明电极的方法及银纳米线透明电极 | |
| CN108281548B (zh) | 一种双极性双稳态忆阻器及其制备方法 | |
| CN105470396B (zh) | 一种基于聚芴阴极界面自组装阳极等离子体共振效应的有机太阳能电池及其制备方法 | |
| CN108447692A (zh) | 一种改进的光阳极以及染料敏化太阳能电池 | |
| Wang et al. | Tunable biological nonvolatile multilevel data storage devices | |
| CN108346741A (zh) | 具有金属海胆纳米结构的钙钛矿太阳能电池及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |