CN103869410B - 一种具有兼容性的小弯曲半径单模光纤 - Google Patents

一种具有兼容性的小弯曲半径单模光纤 Download PDF

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Abstract

一种具有兼容性的小弯曲半径单模光纤，涉及单模光纤领域，包括由内至外同心设置的芯层渐变层、掺锗芯层、第一过渡层、第一包层、第二过渡层、第二包层、第三过渡层和第三包层；芯层渐变层的相对折射率差为Δn1，以实现，第一过渡层的相对折射率差为Δn3，以实现，第二过渡层的相对折射率差为Δn5，以实现，所述第三过渡层的相对折射率差为Δn7，以实现，本发明实现弯曲半径达2mm以下的超强抗弯曲能力，同时可实现与常规单模光纤的良好兼容。

Description

一种具有兼容性的小弯曲半径单模光纤
技术领域
本发明涉及单模光纤领域，具体来讲是一种具有兼容性的小弯曲半径单模光纤。
背景技术
目前通信网络的建设带动了光纤入户和ODN技术的飞速发展，这二者都对光纤的抗弯曲性能提出了很高的要求。光纤在弯曲条件下，会发生光信号的衰减，这是由于光纤弯曲后有部分功率的光泄漏了出去，这些泄漏出的光将会被涂层材料等吸收从而发热。有研究发现常规G.652D单模光纤做成的跳线，当在弯曲半径15mm条件下长时间工作时，由于持续的发热，会造成其两个连接端点间的损坏，造成接续损耗的持续降低，并带来不可恢复的损害。对于ODN中小配线盒内将大量光纤弯曲布线而言，由于光纤弯曲带来的光功率泄漏造成的发热将会给ODN的通信稳定带来严重影响。
光纤的抗弯曲性能的提升不仅有利于保证光信号传输的高质量，而且可以减小其所在通信系统的整体发热量，提升该系统的整体性能。世界各先进光纤企业针对通信网络的热点技术ODN技术对超强抗弯光纤技术的需求，展开了深入的研究。我国的光纤光缆企业目前主要集中在ITUT-G.657所要求的弯曲半径10mm或更小的小弯曲半径单模光纤如G.657B2/3的技术研究。
但是随着ODN技术为适应光纤网络和3G网络的建设对占地空间的要求，往往需要在极小的配线盒内布置大量的设备，此时留给用于设备间高速、高带宽通信连接的光纤的空间将更为狭小，其对光纤的弯曲性能要求越来越高，越来越多的应用需要弯曲半径小于3mm乃至2mm以下的超强抗弯单模光纤。同时，这种超强抗弯单模还需要与普通单模光纤具有良好的兼容性，二者之间的单点熔接损耗需要控制在一个可以接受的较小范围内。
对于光纤入户而言，其所选用的光纤事实上需要具有两个关键特性，其一是抗弯曲能力，即小弯曲半径低损耗的光信号传输，这是其根本特性；其二是需要与常规G.652光纤具有一定的兼容特性。因为在当前骨干网和城域网乃至接入网的前端，大量铺设的光纤基本都是G.652光纤，如果在光纤入户段选用的光纤与其兼容特性差，即使其具有良好的弯曲性能，但是由于其在与常规G.652光纤熔接时损耗大，也会造成光信号在二者对接时大量损耗，从而额外需要更大的光增益，或者入户端干脆仍选用G.652光纤。因此，虽然当前已有抗弯曲光纤，但是由于其与常规G.652光纤兼容性能差，并不能满足光纤入户市场的大量采用。
发明内容
针对现有技术中存在的缺陷，本发明的目的在于提供一种具有兼容性的小弯曲半径单模光纤，实现弯曲半径达2mm以下的超强抗弯曲能力，同时可实现与常规单模光纤的良好兼容。
为达到以上目的，本发明采取的技术方案是：一种具有兼容性的小弯曲半径单模光纤，包括同心设置的芯层渐变层、掺锗芯层，以及由内至外同心设置的第一包层、第二包层和第三包层，所述掺锗芯层与第一包层之间设有第一过渡层，第一包层和第二包层之间设有第二过渡层，第二包层和第三包层之间设有第三过渡层；所述芯层渐变层的相对折射率差为Δn1，是以实现，其中x1为芯层渐变层内任一点到其中轴线的距离；a1为芯层渐变层的渐变系数，b1为芯层渐变层的渐变稳定系数，a1的取值范围为0.5％～2％，b1的取值范围为0～0.2％；所述第一过渡层的相对折射率差为Δn3，是以实现，其中x3为第一过渡层3内任一点所处的以光纤中心为圆心的同心圆与掺锗芯层2外边缘之间的距离，a3、b3为过渡系数，a3的取值范围为0.3～0.8，b3的取值范围为0.3％～0.8％；所述第二过渡层的相对折射率差为Δn5，是以实现，其中x5为第二过渡层5内任一点所处的以光纤中心为圆心的同心圆与第一包层4外边缘之间的距离，a5、b5为过渡系数，a5的取值范围为-1.0％～-0.3％，b5的取值范围为0～0.1％；所述第三过渡层的相对折射率差为Δn7，是以实现，其中x7为第三过渡层7内任一点所处的以光纤中心为圆心的同心圆与第二包层6外边缘之间的距离，a7、b7为过渡系数，a7的取值范围为0.1％～0.4％，b7的取值范围为-1.3％～-0.3％。
在上述技术方案的基础上，所述掺锗芯层的厚度与第一包层的厚度比值范围在0.5～2.0之间。
在上述技术方案的基础上，所述掺锗芯层的厚度与第二包层的厚度比值范围在0.2～1.0之间。
在上述技术方案的基础上，所述掺锗芯层的相对折射率差的范围是0.2％～0.8％。
在上述技术方案的基础上，所述第一包层的相对折射率差的范围是0～0.1％。
在上述技术方案的基础上，所述第二包层的相对折射率差的范围是-1.3％～-0.3％。
在上述技术方案的基础上，所述第三包层的直径为80μm或125μm，为石英包层。
在上述技术方案的基础上，当工作波长在1550nm时，所述小弯曲半径单模光纤衰减在0.2dB/km以下，弯曲半径在2mm时，附加损耗在0.35dB以下。
本发明的有益效果在于：
1、所述惨锗芯层外面设有多个包层，低掺锗含量的第一包层、深掺氟含量的第二包层和由石英包层组成的第三包层，从而形成了一种山形波导结构，从减少宏弯损耗和微弯损耗两个方面来加强光纤的抗弯曲能力。
2、掺锗芯层与第一包层、第一包层与第二包层、第二包层与第三包层之间均设立过渡层，并在掺锗芯层内采用芯层渐变层，从而优化光纤的模式特性和应力特性，从而小弯曲半径单模光纤与常规G.652单模光纤熔接时，其熔接点的损耗可以控制到很小的程度，与常规单模光纤的良好兼容特性，从而为光纤入户、ODN技术用光纤奠定基础。
附图说明
图1为本发明具有兼容性的小弯曲半径单模光纤端面结构示意图；
图2为本发明具有兼容性的小弯曲半径单模光纤波导结构示意图；
图3为具有兼容性的小弯曲半径单模光纤模场控制示意图；
图4为图1中包层直径125μm时的光纤弯曲附加损耗；
图5为图1中包层直径80μm时的光纤弯曲附加损耗。
具体实施方式
以下结合附图对本发明作进一步详细说明。
如图1所示，本发明具有兼容性的小弯曲半径单模光纤，包括由内至外同心设置的芯层渐变层1、掺锗芯层2、第一过渡层3、第一包层4、第二过渡层5、第二包层6、第三过渡层7和第三包层8。其中，芯层渐变层1在掺锗芯层2的内部，第一过渡层3位于掺锗芯层2与第一包层间4之间，第二过渡层5位于第一包层4与第二包层6之间，第三过渡层7位于第二包层6与第三包层8之间。所述掺锗芯层2的厚度L2与第一包层4的厚度L4比值范围在0.5～2.0之间。所述掺锗芯层2的厚度L2与第二包层6的厚度L6比值范围在0.2～1.0之间。所述第三包层8为石英包层，其直径D8为80μm或125μm，涂覆后本发明小弯曲半径单模光纤直径为200μm或245μm。
如图2所示，所述芯层渐变层1的折射率为n1，掺锗芯层2的折射率为n2，第一过渡层3的折射率为n3，第一包层4的折射率为n4，第三过渡层5的折射率为n5，第二包层6的折射率为n6，第三过渡层7的折射率为n7，第三包层8的折射率为n8；选取第三包层8的折射率n8为等效石英包层的折射率n。在实现上述折射率时，采用相对折射率差的办法，以石英包层的折射率n为基准，各波导层与石英包层之间有一个相对折射率差，以此为标准来测算并实现本发明的山形波导结构所包括的各层折射率。相对折射率差采用公式为：
Δn＝(n′-n)/(n′+n)×100％公式(1)
其中，n为石英包层的折射率，即本发明对应为第三包层8的折射率n8，n′为与之相比较的对应层的折射率。
对本发明而言，当计算芯层渐变层1的折射率与石英包层相对折射率差时，公式中n′取值纤芯折射率n1；当计算掺锗芯层折射率与石英包层相对折射率差时，公式中n′取值纤芯折射率n2；当计算第一过渡层3芯层与石英包层的相对折射率差时，式中n′取值第一过渡层折射率n3；当计算第一包层4与石英包层的相对折射率差时，式中n′取值第一包层折射率n4；当计算第二过渡层5与石英包层的相对折射率差时，式中n′取值第二过渡层折射率n5；当计算第二包层6与石英包层的折射率差时，式中n′取值掺氟包层的折射率n6；当计算第三过渡层7与石英包层的折射率差时，式中n′取值第三过渡层的折射率n7。
则由公式(1)可以分别得到芯层渐变层1的相对折射率差Δn1，掺锗芯层2的相对折射率差为Δn2，第一过渡层3的相对折射率差为Δn3，第一包层4的相对折射率差为Δn4，第二过渡层5的相对折射率差为Δn5，第二包层6的相对折射率差为Δn6，第三过渡层7的相对折射率差为Δn7。所述掺锗芯层2的相对折射率差的范围是0.2％～0.8％；所述第一包层4的相对折射率差的范围是0～0.1％，为微掺锗包层；所述第二包层6的相对折射率差的范围是-1.3％～-0.3％，为深掺氟包层。
所述芯层渐变层1的相对折射率差为Δn1，是以 实现，其中x1为芯层渐变层1内任一点到其中轴线的距离；a1为芯层渐变层1的渐变系数，b1为芯层渐变层1的渐变稳定系数；a1的取值范围为0.5％～2％，b1的取值范围为0～0.2％。
所述第一过渡层3的相对折射率差为Δn3，是以 实现，其中x3第一过渡层3内任一点所处的以光纤中心为圆心的同心圆与掺锗芯层2外边缘之间的距离，a3、b3为过渡系数；a3的取值范围为0.3～0.8，b3的取值范围为0.3％～0.8％。
所述第二过渡层5的相对折射率差为Δn5，是以实现，其中x5为第二过渡层5内任一点所处的以光纤中心为圆心的同心圆与第一包层4外边缘之间的距离，a5、b5为过渡系数；a5的取值范围为-1.0％～-0.3％，b5的取值范围为0～0.1％。
所述第三过渡层7的相对折射率差为Δn7，是以实现，其中a7为第三过渡层7内任一点所处的以光纤中心为圆心的同心圆与第二包层6外边缘之间的距离，a7、b7为过渡系数；a7的取值范围为0.1％～0.4％，b7的取值范围为-1.3％～-0.3％。
如图3所示，本发明通过掺锗纤芯2、第一包层4、第二包层6和第三包层8对小弯曲半径光纤的模场进行了三重控制，并通过纤芯渐变层1、第一过渡层3、第二过渡层5和第三过渡层7对模场特性进行了适应G.652的优化，其外延模场近似G.652光纤模场，其核心模场则为小弯曲半径光纤的特性模场。
下面通过具体实施例对本发明做进一步说明。
实施例1：
本实施例中小弯曲半径单模光纤的第三包层8的直径D8为125μm，芯层渐变层1的相对折射率差为Δn1，以 实现，其中x1为芯层渐变层1内任一点到其中轴线的距离；a1为芯层渐变层1的渐变系数，b1为芯层渐变层1的渐变稳定系数；a1的取值范围为0.5％，b1的取值范围为0。
掺锗芯层2的相对折射率Δn2保持稳定，恒定为0.2％。
所述第一过渡层3的相对折射率差为Δn3，以 实现，其中x3第一过渡层3内任一点所处的以光纤中心为圆心的同心圆与掺锗芯层2外边缘之间的距离，a3、b3为过渡系数；a3的取值范围为0.8，b3的取值范围为0.3％。
所述第一包层4的相对折射率差Δn4保持稳定，恒定为0％，掺锗芯层2的厚度L2与第一包层4的厚度L4的比值为2.0。
所述第二过渡层5的相对折射率差为Δn5，以实现，其中x5为第二过渡层5内任一点所处的以光纤中心为圆心的同心圆与第一包层4外边缘之间的距离，a5、b5为过渡系数；a5的取值范围为-0.65％，b5的取值范围为0.05％。
所述第二包层6的相对折射率差Δn6保持稳定，恒定为-0.8％，掺锗芯层2的厚度L2与第二包层6的厚度L4的比值在1.0。
所述第三过渡层7的相对折射率差为Δn7，以实现，其中a7为第三过渡层7内任一点所处的以光纤中心为圆心的同心圆与第二包层6外边缘之间的距离，a7、b7为过渡系数；a7的取值范围为0.25％，b7的取值范围为-0.8％。
由图4中可知，本实施例中，小弯曲半径单模光纤的1550nm衰减为0.191dB/km，其与常规G.652光纤的熔接损耗达到0.08dB，其在2mm弯曲半径下的附加损耗为0.345dB。
实施例2：
本实施例与实施例1结构基本相同，所述第三包层8的直径D8为125μm，芯层渐变层1的相对折射率差为Δn1，以 实现，其中x1为芯层渐变层1内任一点到其中轴线的距离；a1为芯层渐变层1的渐变系数，b1为芯层渐变层1的渐变稳定系数；a1的取值范围为1％，b1的取值范围为0.2％。
掺锗芯层2的相对折射率Δn2保持稳定，恒定为0.5％。
所述第一过渡层3的相对折射率差为Δn3，以 实现，其中x3第一过渡层3内任一点所处的以光纤中心为圆心的同心圆与掺锗芯层2外边缘之间的距离，a3、b3为过渡系数；a3的取值范围为0.5，b3的取值范围为0.5％。
所述第一包层4的相对折射率差Δn4保持稳定，恒定为0.05％，掺锗芯层2的厚度L2与第一包层4的厚度L4的比值为1.0。
所述第二过渡层5的相对折射率差为Δn5，以实现，其中x5为第二过渡层5内任一点所处的以光纤中心为圆心的同心圆与第一包层4外边缘之间的距离，a5、b5为过渡系数；a5的取值范围为-0.3％，b5的取值范围为0.1％。
所述第二包层6的相对折射率差Δn6保持稳定，恒定为-0.3％，掺锗芯层2的厚度L2与第二包层6的厚度L4的比值在0.5。
所述第三过渡层7的相对折射率差为Δn7，以实现，其中a7为第三过渡层7内任一点所处的以光纤中心为圆心的同心圆与第二包层6外边缘之间的距离，a7、b7为过渡系数；a7的取值范围为0.1％，b7的取值范围为-0.3％。
由图4中可知，本实施例中，小弯曲半径单模光纤的1550nm衰减为0.193dB/km，其与常规G.652光纤的熔接损耗达到0.11dB，其在2mm弯曲半径下的附加损耗为0.332dB。
实施例3：
本实施例与实施例1结构基本相同，所述第三包层8的直径D8为125μm，芯层渐变层1的相对折射率差为Δn1，以 实现，其中x1为芯层渐变层1内任一点到其中轴线的距离；a1为芯层渐变层1的渐变系数，b1为芯层渐变层1的渐变稳定系数；a1的取值范围为2％，b1的取值范围为0.1％。
掺锗芯层2的相对折射率Δn2保持稳定，恒定为0.8％。
所述第一过渡层3的相对折射率差为Δn3，以 实现，其中x3第一过渡层3内任一点所处的以光纤中心为圆心的同心圆与掺锗芯层2外边缘之间的距离，a3、b3为过渡系数；a3的取值范围为0.3，b3的取值范围为0.8％。
所述第一包层4的相对折射率差Δn4保持稳定，恒定为0.1％，掺锗芯层2的厚度L2与第一包层4的厚度L4的比值为0.5。
所述第二过渡层5的相对折射率差为Δn5，以实现，其中x5为第二过渡层5内任一点所处的以光纤中心为圆心的同心圆与第一包层4外边缘之间的距离，a5、b5为过渡系数；a5的取值范围为-1.3％，b5的取值范围为0％。
所述第二包层6的相对折射率差Δn6保持稳定，恒定为-1.3％，掺锗芯层2的厚度L2与第二包层6的厚度L4的比值在0.2。
所述第三过渡层7的相对折射率差为Δn7，以实现，其中a7为第三过渡层7内任一点所处的以光纤中心为圆心的同心圆与第二包层6外边缘之间的距离，a7、b7为过渡系数；a7的取值范围为0.4％，b7的取值范围为-1.3％。
由图4中可知，本实施例中，小弯曲半径单模光纤的1550nm衰减为0.194dB/km，其与常规G.652光纤的熔接损耗达到0.15dB，其在2mm弯曲半径下的附加损耗为0.311dB。
实施例4：
本实施例所述第三包层8的直径D8为80μm，芯层渐变层1的相对折射率差为Δn1，以实现，其中x1为芯层渐变层1内任一点到其中轴线的距离；a1为芯层渐变层1的渐变系数，b1为芯层渐变层1的渐变稳定系数；a1的取值范围为0.5％，b1的取值范围为0。
掺锗芯层2的相对折射率Δn2保持稳定，恒定为0.2％。
所述第一过渡层3的相对折射率差为Δn3，以 实现，其中x3第一过渡层3内任一点所处的以光纤中心为圆心的同心圆与掺锗芯层2外边缘之间的距离，a3、b3为过渡系数；a3的取值范围为0.8，b3的取值范围为0.3％。
所述第一包层4的相对折射率差Δn4保持稳定，恒定为0，掺锗芯层2的厚度L2与第一包层4的厚度L4的比值为2.0。
所述第二过渡层5的相对折射率差为Δn5，以实现，其中x5为第二过渡层5内任一点所处的以光纤中心为圆心的同心圆与第一包层4外边缘之间的距离，a5、b5为过渡系数；a5的取值范围为-0.75％，b5的取值范围为0.06％。
所述第二包层6的相对折射率差Δn6保持稳定，恒定为-0.9％，掺锗芯层2的厚度L2与第二包层6的厚度L4的比值在1.0。
所述第三过渡层7的相对折射率差为Δn7，以实现，其中a7为第三过渡层7内任一点所处的以光纤中心为圆心的同心圆与第二包层6外边缘以光纤中心为圆心的同心圆间的距离，a7、b7为过渡系数；a7的取值范围为0.3％，b7的取值范围为-0.9％。
由图5中可知，本实施例中，小弯曲半径单模光纤的1550nm衰减为0.195dB/km，其与常规G.652光纤的熔接损耗达到0.13dB，其在2mm弯曲半径下的附加损耗为0.332dB。
实施例5：
本实施例与实施例5结构基本相同，所述第三包层8的直径D8为80μm，芯层渐变层1的相对折射率差为Δn1，以 实现，其中x1为芯层渐变层1内任一点到其中轴线的距离；a1为芯层渐变层1的渐变系数，b1为芯层渐变层1的渐变稳定系数；a1的取值范围为1.3％，b1的取值范围为0.2％。
掺锗芯层2的相对折射率Δn2保持稳定，恒定为0.6％。
所述第一过渡层3的相对折射率差为Δn3，以 实现，其中x3第一过渡层3内任一点所处的以光纤中心为圆心的同心圆与掺锗芯层2外边缘之间的距离，a3、b3为过渡系数；a3的取值范围为0.6，b3的取值范围为0.45％。
所述第一包层4的相对折射率差Δn4保持稳定，恒定为0.05％，掺锗芯层2的厚度L2与第一包层4的厚度L4的比值为0.9。
所述第二过渡层5的相对折射率差为Δn5，以实现，其中x5为第二过渡层5内任一点所处的以光纤中心为圆心的同心圆与第一包层4外边缘之间的距离，a5、b5为过渡系数；a5的取值范围为-0.3％，b5的取值范围为0.1％。
所述第二包层6的相对折射率差Δn6保持稳定，恒定为-0.3％，掺锗芯层2的厚度L2与第二包层6的厚度L4的比值在0.4。
所述第三过渡层7的相对折射率差为Δn7，以实现，其中a7为第三过渡层7内任一点所处的以光纤中心为圆心的同心圆与第二包层6外边缘之间的距离，a7、b7为过渡系数；a7的取值范围为0.1％，b7的取值范围为-0.3％。
由图5中可知，本实施例中，小弯曲半径单模光纤的1550nm衰减为0.197dB/km，其与常规G.652光纤的熔接损耗达到0.16dB，其在2mm弯曲半径下的附加损耗为0.312dB。
实施例6：
本实施例与实施例5结构基本相同，所述第三包层8的直径D8为80μm，芯层渐变层1的相对折射率差为Δn1，以 实现，其中x1为芯层渐变层1内任一点到其中轴线的距离；a1为芯层渐变层1的渐变系数，b1为芯层渐变层1的渐变稳定系数；a1的取值范围为2％，b1的取值范围为0.1％。
掺锗芯层2的相对折射率Δn2保持稳定，恒定为0.8％。
所述第一过渡层3的相对折射率差为Δn3，以 实现，其中x3第一过渡层3内任一点所处的以光纤中心为圆心的同心圆与掺锗芯层2外边缘之间的距离，a3、b3为过渡系数；a3的取值范围为0.3，b3的取值范围为0.8％。
所述第一包层4的相对折射率差Δn4保持稳定，恒定为0.1％，掺锗芯层2的厚度L2与第一包层4的厚度L4的比值为0.5。
所述第二过渡层5的相对折射率差为Δn5，以实现，其中x5为第二过渡层5内任一点所处的以光纤中心为圆心的同心圆与第一包层4外边缘之间的距离，a5、b5为过渡系数；a5的取值范围为-1.3％，b5的取值范围为0。
所述第二包层6的相对折射率差Δn6保持稳定，恒定为-1.3％，掺锗芯层2的厚度L2与第二包层6的厚度L4的比值在0.2。
所述第三过渡层7的相对折射率差为Δn7，以实现，其中a7为第三过渡层7内任一点所处的以光纤中心为圆心的同心圆与第二包层6外边缘之间的距离，a7、b7为过渡系数；a7的取值范围为0.4％，b7的取值范围为-1.3％。
由图5中可知，本实施例中，小弯曲半径单模光纤的1550nm衰减为0.199dB/km，其与常规G.652光纤的熔接损耗达到0.19dB，其在2mm弯曲半径下的附加损耗为0.297dB。
本发明不局限于上述实施方式，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围之内。本说明书中未作详细描述的内容属于本领域专业技术人员公知的现有技术。

Claims (8)

1.一种具有兼容性的小弯曲半径单模光纤，包括同心设置的芯层渐变层、掺锗芯层，以及由内至外同心设置的第一包层、第二包层和第三包层，其特征在于：所述掺锗芯层与第一包层之间设有第一过渡层，第一包层和第二包层之间设有第二过渡层，第二包层和第三包层之间设有第三过渡层；
所述芯层渐变层的相对折射率差为Δn1，是以 实现，其中x1为芯层渐变层内任一点到其中轴线的距离；a1为芯层渐变层的渐变系数，b1为芯层渐变层的渐变稳定系数，a1的取值范围为0.5%～2%，b1的取值范围为0～0.2%；
所述第一过渡层的相对折射率差为Δn3，是以 实现，其中x3为第一过渡层3内任一点所处的以光纤中心为圆心的同心圆与掺锗芯层2外边缘之间的距离，a3、b3为过渡系数，a3的取值范围为0.3～0.8，b3的取值范围为0.3%～0.8%；
所述第二过渡层的相对折射率差为Δn5，是以实现，其中x5为第二过渡层5内任一点所处的以光纤中心为圆心的同心圆与第一包层4外边缘之间的距离，a5、b5为过渡系数，a5的取值范围为-1.0%～-0.3%，b5的取值范围为0～0.1%；
所述第三过渡层的相对折射率差为Δn7，是以实现，其中x7为第三过渡层7内任一点所处的以光纤中心为圆心的同心圆与第二包层6外边缘之间的距离，a7、b7为过渡系数，a7的取值范围为0.1%～0.4%，b7的取值范围为-1.3%～-0.3%。
2.如权利要求1所述具有兼容性的小弯曲半径单模光纤，其特征在于：所述掺锗芯层的厚度与第一包层的厚度比值范围在0.5～2.0之间。
3.如权利要求1所述具有兼容性的小弯曲半径单模光纤，其特征在于：所述掺锗芯层的厚度与第二包层的厚度比值范围在0.2～1.0之间。
4.如权利要求1所述具有兼容性的小弯曲半径单模光纤，其特征在于：所述掺锗芯层的相对折射率差的范围是0.2%～0.8%。
5.如权利要求1所述具有兼容性的小弯曲半径单模光纤，其特征在于：所述第一包层的相对折射率差的范围是0～0.1%。
6.如权利要求1所述具有兼容性的小弯曲半径单模光纤，其特征在于：所述第二包层的相对折射率差的范围是-1.3%～-0.3%。
7.如权利要求1所述具有兼容性的小弯曲半径单模光纤，其特征在于：所述第三包层的直径为80μm或125μm，为石英包层。
8.如权利要求1所述具有兼容性的小弯曲半径单模光纤，其特征在于：当工作波长在1550nm时，所述小弯曲半径单模光纤衰减在0.2dB/km以下，弯曲半径在2mm时，附加损耗在0.35dB以下。
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