CN103856172A - 电子系统、射频功率放大器及其温度补偿方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种电子系统、射频功率放大器及其温度补偿方法，射频功率放大器包括加法电路、输出级电路与差动电路。加法电路具有第一比值与第二比值，加法电路接收参考电压与反馈电压并予以运算后输出加法电压，其中反馈电压为负温度系数的电压，参考电压为具有正温度系数的第一电压与具负温度系数的第二电压的总合。输出级电路用以提供反馈电压。差动电路具有一第一乘数因子，将加法电压乘以第一乘数因子后提供输出电压至输出级电路。射频功率放大器通过调整参考电压的温度系数以稳定输出电流。

Description

电子系统、射频功率放大器及其温度补偿方法

技术领域

本发明有关于一种射频功率放大器，且特别是关于一种具有温度补偿的射频功率放大器。

背景技术

在无线通信手持设备中，主要的直流功率消耗来自于射频功率放大器。因此，使射频功率放大器既能具有高线性度而不致让放大信号失真，并能同时具有高效率以延长通信时间，一直是射频功率放大器设计的研究重点。尤其在无线通信系统中所广为采用的正交频分多工(OFDM)数字调制技术具有明显的时变波包特性，其峰值与平均功率比值常数(PAPR)远较现有的无线通信系统为高，换句话说，其波包对时间变化较为剧烈，因此对射频功率放大器的线性度要求也会比较高。

在现有技艺中，利用能带隙参考电路来作为功率放大器中的偏压电路，虽然可以提供具有接近零温度系数的参考电压，但是因为功率放大器中的功率放大器晶体管为双极结型晶体管，其电流增益(Beta)具有负温度系数的特性，所以电流增益(Beta)会随着温度的上升而递减，进而可能会导致输出电流与输出功率下降的问题，故存在着功率放大器的线性度衰减以至使放大信号失真的隐忧。

发明内容

本发明的目的在于提供一种射频功率放大器，射频功率放大器包括加法电路、输出级电路与差动电路。加法电路具有一第一比值与一第二比值，所述加法电路接收参考电压与反馈电压并予以运算后输出加法电压，其中反馈电压为负温度系数的电压，参考电压为具有正温度系数的第一电压与具负温度系数的第二电压的总合，并且加法电压为参考电压乘以第一比值与反馈电压乘以第二比值的总合。输出级电路耦接加法电路，输出级电路用以提供反馈电压。差动电路电性连接加法电路，差动电路具有第一乘数因子，用以将所接收的加法电压乘以第一乘数因子后提供输出电压至输出级电路。当参考电压为零温度系数的电压，则输入电流为零温度系数的电流，或者当参考电压为正温度系数的电压且输出级电路的输入电流与输出电流间的比值常数为具负温度系数的特性，则输出电流为零温度系数的电流。

本发明另一目的在于提供一种电子系统，电子系统包括射频功率放大器与负载。射频功率放大器接收射频输入信号且输出射频输出信号。负载耦接射频功率放大器，所述负载接收射频功率放大器所输出的射频输出信号。

本发明实施例再提供一种温度补偿方法。

本发明实施例所提出的电子系统、射频功率放大器及其温度补偿方法，能够提供优良的温度补偿效应，使得功率放大器的输出功率与输出电流相对于温度变化时仍然保持稳定，进而维持高线性度不致让放大信号失真。

为使能更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，但是此等说明与所附图式仅用来说明本发明，而非对本发明的权利要求范围作任何的限制。

附图说明

上文已参考随附图式来详细地说明本发明的具体实施例，藉此可对本发明更为明白，在该等图式中：

图1为根据本发明实施例的射频功率放大器的示意图。

图2为根据本发明另一实施例的射频功率放大器的示意图。

图3为根据本发明实施例的射频功率放大器的具体电路图。

图4A～4C为对应图3的模拟曲线图。

图5为根据本发明实施例的电子系统的区块示意图。

图6为根据本发明实施例的温度补偿方法的流程图。

其中，附图标记说明如下：

100、200、300：射频功率放大器

110：差动电路

120：加法电路

130：输出级电路

140：参考电压产生电路

142：电流源

500：电子系统

510：射频功率放大器

520：负载

n1、n2：节点

C1：第一电容

C2：第二电容

GND：接地电压

I：电流

IB：输入电流

IBE：基射极电流

IC：输出电流

L1：第一电感

OP：放大器

Q1～Q9：晶体管

RB：基极电阻

R1～R9：电阻

RFIN：射频输入信号

RFOUT：射频输出信号

S610～S640：步骤

V1：第一电压

V2：第二电压

VA：加法电压

VCC：系统电压

VF：反馈电压

VO：输出电压

VBE1、VBE2、VBE3、VBE4：基射极电压

VREF：参考电压

具体实施方式

请参照图1，图1为根据本发明实施例的射频功率放大器的区块示意图。如图1所示，射频功率放大器100包括差动电路110、加法电路120、输出级电路130与参考电压产生电路140。

在本实施例中，加法电路120具有第一比值与第二比值，加法电路120接收参考电压VREF与反馈电压VF，并且加法电路120根据所接收的参考电压VREF与反馈电压VF予以进行运算后输出一加法电压VA，其中加法电压VA为参考电压VREF乘以第一比值与反馈电压VF乘以第二比值的总合。所述反馈电压VF为具有负温度系数的电压，且所述参考电压VREF为具有正温度系数的第一电压V1与具有负温度系数的第二电压V2的总合。

输出级电路130用以提供具负温度系数的反馈电压VF至加法电路120。换句话说，射频功率放大器100通过反馈机制从输出级电路130反馈一反馈电压VF至加法电路120。在交流信号模式下，输出级电路130接收射频输入信号RFIN，并且输出射频输出信号RFOUT至下一级电路区块(图1未绘示)，其中输出级电路130的输入端与输出端具有一输入匹配电路(图1未绘示)与输出匹配电路(图1未绘示)，以提供较佳的功率匹配效能。

差动电路110具有第一乘数因子(multiplier factor)，主要作为一乘法运算的电路。差动电路110将所接收的加法电压VA乘以第一乘数因子后提供一输出电压至输出级电路130。差动电路110与加法电路120能够合并在一起以作为一个运算电路，而此运算电路会先进行加法电路120的加法运算，之后再进行差动电路110的乘法运算。其中，参考电压产生电路140可以是能带隙参考电路(band-gap reference circuit)，可以通过调整电阻值或内部的元件物理参数以输出正温度系数或零温度系数的参考电压VREF。

在其它实施例中，设计者可以依据电路设计需求或实际应用需求来进一步设计，当参考电压VREF为零温度系数的电压时，则输出级单元130的输入电流为零温度系数的电流，或者当参考电压VREF为正温度系数的电压且输出级电路130的输入电流与输出电流间的比值常数为具负温度系数的特性时，则输出电流为零温度系数的电流。据此，本揭示内容能够稳定射频功率放大器100的输入电流或输出电流，进而维持射频功率放大器100的高线性度。

本揭示内容所述的正温度系数指示其物理量(如电压值、电流值或电阻值)与温度之间成正比关系，也就是说，当温度上升或下降时，其物理量会随着温度而上升或下降；负温度系数指示其物理量与温度之间成反比关系；零温度系数指示其物理量(如电压值、电流值或电阻值)与温度之间为相互独立的关系，也就是说，当温度上升或下降时，其物理量并不会随着温度而上升或下降。

以下将进一步地教示射频功率放大器100的具体动作。

请继续参照图1，射频功率放大器100利用加法电路120接收来自参考电压产生电路140所产生的参考电压VREF，并且加法电路120接收输出级电路130内部的具负温度系数的反馈电压VF。之后，加法电路120将参考电压VREF与反馈电压VF进行一加法运算，亦即加法电路120将参考电压VREF乘上第一比值并且将反馈电压VF乘上第二比值后进行相加的运算动作，接着，加法电路120将此运算结果(亦即加法电压VA)传送至差动电路110以进行乘法运算。

差动电路110接收到加法电压VA后，会将加法电压VA乘以第一乘数因子，并且将此运算结果(亦即输出电压VO)传送至输出级电路130。在本实施例中，第一比值等于第二比值，并且第一比值与第二比值的总和为1，而第一乘数因子为第一比值的倒数或是第二比值的倒数。因此，差动电路所进行乘法运算的运算结果为输出电压VO等于参考电压VREF与反馈电压VF的总和。如方程式(1)～(4)所示，其中a1为第一比值，a2为第二比值，m1为第一乘数因子。

VA=(a1×VREF)+(a2×VF)        (1)

a1=a2        (2)

a1+a2=1        (3)

VO=m1×VA=VREF+VF        (4)

进一步来说，在一实施例中，输出级电路130为一双极结型晶体管(Bipolar Junction Transi stor,BJT)。双极结型晶体管的基极接收输出电压VO与射频输入信号RFIN，双极结型晶体管的集级耦接至系统电压，且输出一输出电流与射频输出信号，双极结型晶体管的射极耦接接地电压，其中双极结型晶体管的输出电流与输入电流之间的比值常数为具负温度系数的贝塔(β)，亦即电流增益(current gain)，并且双极结型晶体管的基射极电压为具负温度系数的电压，其中反馈电压VF为双极结型晶体管的基射极电压，所以输出电压VO中的反馈电压VF会与双极结型晶体管的基射极电压相消，亦即输出电压VO此时会等于参考电压VREF。当设计者将参考电压VREF调整为具正温度系数的电压，则双极结型晶体管的输入电流会是正温度系数的电流，所以双极结型晶体管的输出电流则会是接近或等于零温度系数的电流。

在另一实施例中，如果先进工艺的技术能使得双极结型晶体管的电流增益(β)的温度系数为接近零温度系数，则设计者可以将参考电压VREF调整为具零温度系数的电压，因此双极结型晶体管的输入电流与输出电流则都会是零温度系数的电流。

为了更清楚说明差动电路110进行乘法运算的作动，以下将特举另一图示来作进一步的教示。请参照图2，图2为根据本发明另一实施例的射频功率放大器的示意图。在本实施例中，差动电路110包括放大器OP、第一电阻R1与第二电阻R2。放大器OP具有正输入端与负输入端，其中正输入端耦接加法电路120以接收加法电压VA。第一电阻R1的一端耦接接地电压GND，第一电阻R1的另一端耦接放大器OP的负输入端。第二电阻R2的一端耦接负输入端，第二电阻R2的另一端耦接放大器OP的输出端。放大器OP的输出端提供输出电压VO至输出级电路130。第一乘数因子为第二电阻R2的电阻值除以第一电阻R1的电阻值，如方程式(5)所示。

m1=R2/R1        (5)

在本实施例中，放大器OP的组态为一非反向负反馈放大器(non-inverting feedback amplifier)。因此，当放大器OP的负输入端接收加法电路120所传送的加法电压VA时，放大器OP会将加法电压VA进行一乘法运算，亦即放大器OP会将加法电压VA乘上第一乘数因子(m1)后输出一输出电压VO至输出级电路130。值得一提的是，在本实施例中，第一电阻R1的电阻值等于第二电阻R2的电阻值，且加法电路中的第一比值与第二比值都是1/2，所以输出电压VO等于参考电压VREF与反馈电压VF的总和。

在接下来的多个实施例中，将描述不同于上述图2实施例的部分，省略部份与图2实施例相同的部份，相似的参考数字或标号指示相似的元件。

请参照图3，与上述图1与图2实施例不同的是，在本实施例中，加法电路120包括第三电阻R3与第四电阻R4。参考电压产生电路140包括第一晶体管Q1、第二晶体管Q2、第三晶体管Q3、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7与电流源142。输出级电路130包括第四晶体管Q4。放大器OP包括第五晶体管Q5、第六晶体管Q6、第七晶体管Q7、第八晶体管Q8、第九晶体管Q9、第八电阻R8与第九电阻R9，其中在本实施例中，晶体管Q5～Q9为假型高速电子移动晶体管(p-HEMT)，并且晶体管Q5及Q6为增强型晶体管，晶体管Q7及Q8为空乏型晶体管，而晶体管Q9可以是增强型晶体管或空乏型晶体管两者其中之一。在另一实施例中，晶体管Q5～Q9为场效晶体管(Field Effect Transistor.FET)、异质结型双极晶体管(Heterojunction Bipolar Transistor,HBT)与双极性场效晶体管(Bipolar Field Effect Transistor,BiFET)的其中一种具砷化镓工艺的晶体管来构成，并不以本实施例为限。

第四电阻R4的一端耦接第三电阻R3，第四电阻R4的另一端接收反馈电压VF，其中第一比值为第四电阻R4的电阻值除以总电阻值，且第二比值为第三电阻R3的电阻值除以总电阻值，其中总电阻值为第三电阻R3的电阻值与第四电阻R4的电阻值的总合。

关于参考电压产生电路140，第一晶体管Q1的射极耦接接地电压GND，其中第一晶体管Q1具有负温度系数的基射极电压VBE1。第二晶体管Q2的基极耦接第一晶体管Q1的基极，其中第二晶体管Q2具有负温度系数的基射极电压VBE2。第五电阻R5一端耦接第一节点n1，另一端耦接第一晶体管Q1的集极与基极，其中第一节点n1输出参考电压VREF至加法电路120。第六电阻R6一端耦接第一节点n1，另一端耦接第二晶体管Q2的集极。第七电阻R7一端耦接第二晶体管Q2的射极，另一端耦接接地电压GND，所述第七电阻R7用以产生具正温度系数的基射极压差电流IBE。其中通过调整第六电阻R6或第七电阻R7的电阻值，以调整参考电压VREF的温度系数。第三晶体管Q3的基极耦接第二电阻R2的另一端，其集极耦接第一节点n1，其射极耦接接地电压GND，其中第三晶体管Q3的基射极电压VBE3为第二电压。电流源142一端耦接系统电压VDD，另一端耦接第一节点n1，电流源142的电流为自系统电压VCC流向第一节点n1，其中基射极压差电流IBE乘以第六电阻R6等于第一电压。

关于输出级单元130，第四晶体管Q4的集极耦接系统电压VCC，其射极耦接接地电压GND，其基极耦接输出电压VO，其中第四晶体管Q4具有负温度系数的基射极电压VBE4。第四晶体管Q4的输出电流IC与输入电流IB之间的比值常数为具负温度系数的电流增益(current gain)，并且第四晶体管Q4的基射极电压VBE4为反馈电压VF。

第五晶体管Q5的栅极为正输入端，用以接收加法电压VA，其漏极耦接系统电压VCC。第六晶体管Q6的栅极为负输入端，耦接第二电阻R2的一端，其源极耦接第五晶体管Q5的源极。第七晶体管Q7的漏极耦接第五晶体管Q5的源极，第七晶体管Q7的栅极耦接接地电压GND，其中第七晶体管Q7为空乏型晶体管。第八电阻R8一端耦接第七晶体管Q7的源极，另一端耦接接地电压GND。第八晶体管Q8的栅极耦接第六晶体管Q6的漏极，第八晶体管Q8的漏极耦接系统电压VCC，其中第八晶体管Q8为空乏型晶体管。第九电阻R9一端耦接第八晶体管Q8的源极，其另一端耦接第六晶体管Q6的漏极。第九晶体管Q9的基极耦接第九电阻R9的另一端，其漏极耦接系统电压VCC，第九晶体管Q9的源极提供输出电压VO至输出级电路130，其中第九晶体管Q9为空乏型晶体管，用以作为缓冲晶体管以便隔离噪声。

射频功率放大器300更包括一基极电阻RB。基极电阻RB的一端接收输出电压VO，另一端耦接晶体管Q4的基极。

以下将进一步说明射频功率放大器300的作动。

晶体管Q1～Q3、电阻R5～R7与电流源142构成典型的能带隙参考电压电路，晶体管Q1的基射极电压VBE1、晶体管Q2的基射极电压VBE2与晶体管Q3的基射极电压VBE3为具负温度系数的电压。电阻R7的跨压为具正温度系数的电压，亦即电阻R7的跨压为晶体管Q1的基射极电压VBE1减去晶体管Q2的基射极电压VBE2，因此，流经电阻R7的基射极压差电流IBE为电阻R7的跨压除以电阻R7的电阻值，如方程式(6)所示，所述基射极压差电流IBE为一具有正温度系数的电流。再者，在忽略晶体管Q1～Q3的基极电流的情况下，第一电压为基射极压差电流IBE乘以电阻R6，第二电压为基射极电压VBE3，如方程式(7)所示。

IBE=(VBE1－VBE2)/R7        (6)

VREF=IBE×R6+VBE3        (7)

=V1+V2

在一实施例中，当设计者通过调整第六电阻R6或第七电阻的电阻值以使得参考电压VREF为正温度系数的电压时，则晶体管Q4的输入电流IB会为正温度系数的电流，进而使得输出电流IC为正温度系数的电流。当设计者将电阻R1～R4的电阻值设计为相同时，则第一比值与第二比值都是1/2，且第一乘数因子等于2。接着，当加法电路120接收到参考电压VREF与反馈电压VF时，则加法电路120会输出一加法电压VA至第五晶体管Q5的栅极，其中加法电压VA如方程式(8)所示。接着，在晶体管Q5～Q8与电阻R8～R9的作动下(亦即将加法电压VA乘以第一乘数因子)，会在节点n2产生一电压，其中第八晶体管Q8与电阻R9作为一偏压电流源使用，且第七晶体管Q7与电阻R8亦作为偏压电流源使用。接着，将此电压传送至第九晶体管Q9的栅极。组态成电压随耦器(voltagefollower)的晶体管Q9，用以作为缓冲晶体管使用，以便隔离电源噪声。因此，在晶体管Q9的源极会输出一输出电压VO，如方程式(9)所示。附带一提的是，在节点n2所输出的电压大小实质上等于晶体管Q9的源极所输出的输出电压VO。

VA=(1/2)×VREF+(1/2)×VF        (8)

VO=2×[(1/2)×VREF+(1/2)×VF]        (9)

=VREF+VF

接着，在基极电阻RB上会产生一正温度系数的电流I，此电流的部分电流(亦即输入电流IB)会流入晶体管Q4的基极，其中输入电流IB亦为正温度系数的电流。因为反馈电压VF等于晶体管Q4的基射极电压VBE4，所以电流I如方程式(10)所示。接着，因为晶体管Q4的电流增益(β)为负温度系数，且晶体管Q4的输入电流IB与输出电流IC的关系如方程式(11)所示，因此，晶体管Q4的输出电流IC会是接近或等于零温度系数的电流。值得注意的是，输入电流IB的正温度系数的斜率绝对值须接近或等于电流增益(β)的负温度系数的斜率绝对值，如此一来，才能使输出电流IC或输出功率具有较佳的温度补偿效应。

I=(VO－VBE4)/RB        (10)

IC=×IB        (11)

其中反馈电压VF会与基射极电压VBE4进行一相消的运算，使得输出电压VO只有参考电压VREF，因此可以通过将参考电压VREF弹性地调整为正温度系数或零温度系数，以符合实际应用需求。

请同时参照图4A～4C，其为对应图3的模拟曲线图，各图中的横座标代表温度，且温度范围设为-40℃至+90℃或+100℃。图4A，纵座标代表电流增益(β)，随着环境温度的变化，电流增益(β)的值会随着温度的上升而递减。图4B，纵座标代表参考电压VREF，会随着温度的上升而递增，通过调整电阻R6及R7的电阻值，使得参考电压VREF具有正温度系数的特性。由于反馈电压VF与基射极电压VBE4彼此相消，所以参考电压VREF的曲线可视为输出电压VO的曲线。此外，图4B的曲线斜率绝对值越接近图4A的曲线斜率绝对值，则射频功率放大器300的输出电流IC的温度补偿效应越佳。图4C，纵座标代表输出电流IC，图示显示输出电流IC能够达到接近零温度系数的特性，亦即，随着温度的改变，输出电流IC依然能够保持稳定。

请再参考方程式(6)～(11)，如果先进工艺能使得晶体管Q4的电流增益(β)的温度系数为接近零温度系数，则设计者能够通过调整电阻R6及R7的电阻值来使得参考电压VREF成为接近或等于零温度系数的电压，以提供接近零温度系数的输入电流IB，进而使得输出电流IC或输出功率不随着温度的变化而产生飘移。

在其它实施例中，输出级电路130可更具有第一电感L1、第一电容C1与第二电容C2。第一电容C1的一端耦接晶体管Q4的基极，第一电容C1的另一端耦接射频输入信号RFIN。第一电感L1耦接系统电压VCC与晶体管Q4的集极之间。第二电容C2的一端耦接至第四晶体管Q4的集极，第二电容C2的另一端输出射频输出信号RFOUT。

当射频功率放大器300尚未开始接收射频输入信号RFIN时，电感L1会对直流信号呈现低阻抗状态，例如短路，而电容C1、C2则会对直流信号呈现高阻抗状态，例如断路。当射频功率放大器300开始接收射频输入信号RFIN时，电感L1会对高频信号呈现高阻抗状态，例如断路，而电容C1、C2则会对高频信号呈现低阻抗状态，例如短路。据此，射频功率放大器300能够在直流工作模式与交流工作模式顺利的运作。

请参照图5，图5为根据本发明实施例的电子系统的区块示意图。电子系统500包括射频功率放大器510与负载520。射频功率放大器510接收射频输入信号RFIN且输出射频输出信号RFOUT至负载520，亦即射频功率放大器510在耦接系统电压后，会提供一稳定的输出功率至负载520。射频功率放大器510可以是上述图1～图3实施例中的射频功率放大器100、200与300的其中之一，且用以提供稳定的输出功率给负载520。电子系统500可以是各种类型的电子装置内的系统，电子装置可以是例如手持装置或行动装置等。

请参照图6，图6为根据本发明实施例的温度补偿方法的流程图。本例所述的方法可以在图1～图3所示的射频功率放大器执行，因此请一并照图1～图3以利理解。此方法包括以下步骤：接收参考电压与反馈电压，进行加法运算后输出加法电压(步骤S610)。接收加法电压，并且将加法电压乘以第一乘数因子后输出输出电压，并将输出电压提供至输出级电路(步骤S620)。当参考电压为正温度系数的电压且输出级电路的输入电流与输出电流间的比值常数为具负温度系数的特性，则输出电流为零温度系数的电流(步骤S630)。当参考电压为零温度系数的电压，则输入电流为零温度系数的电流(步骤S640)。其中加法电压为参考电压乘以第一比值与反馈电压乘以第二比值的总合。

图6实施例的各步骤仅为方便说明的须要，不以各步骤彼此间的顺序作为实施本发明的限制条件。

以上所述仅为本发明的实施例，其并非用以局限本发明的专利权利要求范围。

Claims (9)

1.一种射频功率放大器，其特征在于，所述射频功率放大器包括：

加法电路，具有第一比值与第二比值，所述加法电路接收参考电压与反馈电压并予以运算后输出加法电压，其中所述反馈电压为负温度系数的电压，所述参考电压为具有正温度系数的第一电压与具负温度系数的第二电压的总合，并且所述加法电压为所述参考电压乘以所述第一比值与所述反馈电压乘以所述第二比值的总合；

输出级电路，耦接所述加法电路，所述输出级电路用以提供所述反馈电压；以及

差动电路，电性连接所述加法电路，所述差动电路具有第一乘数因子，用以将所接收的所述加法电压乘以所述第一乘数因子后提供输出电压至所述输出级电路，

其中当所述参考电压为零温度系数的电压，则输入电流为零温度系数的电流，或者，当所述参考电压为正温度系数的电压且所述输出级电路的所述输入电流与输出电流间的比值常数为具负温度系数的特性，则所述输出电流为零温度系数的电流。

2.如权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于，所述第一比值等于所述第二比值，并且所述第一乘数因子为所述第一比值或所述第二比值的倒数。

3.如权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于，所述射频功率放大器更包括：

参考电压产生电路，电性连接所述加法电路，所述参考电压产生电路用以提供所述参考电压至所述加法电路。

4.如权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于，所述差动电路包括：

放大器，具有正输入端与负输入端，所述正输入端耦接所述加法电路以接收所述加法电压，其中所述放大器的输出端提供所述输出电压至所述输出级电路；

第一电阻，其一端耦接接地电压，其另一端耦接所述负输入端；以及

第二电阻，其一端耦接所述负输入端，其另一端耦接所述放大器的输出端，

其中所述第一乘数因子等于所述第二电阻的电阻值除以所述第一电阻的电阻值。

5.如权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于，所述加法电路包括：

第三电阻，其一端接收所述参考电压；以及

第四电阻，其一端耦接所述第三电阻，其另一端接收所述反馈电压，

其中所述第一比值为所述第四电阻的电阻值除以总电阻值，且所述第二比值为所述第三电阻的电阻值除以所述总电阻值，其中所述总电阻值为所述第三电阻的电阻值与所述第四电阻的电阻值的总合。

6.如权利要求3所述的射频功率放大器，其特征在于，所述参考电压产生电路包括：

第一晶体管，其射极耦接接地电压；

第二晶体管，其基极耦接所述第一晶体管的基极；

第五电阻，其一端耦接第一节点，其另一端耦接所述第一晶体管的集极与基极，其中所述第一节点输出所述参考电压至所述加法电路；

第六电阻，其一端耦接所述第一节点，其另一端耦接所述第二晶体管的集极；

第七电阻，其一端耦接所述第二晶体管的射极，其另一端耦接所述接地电压，所述第七电阻用以产生具正温度系数的基射极压差电流，其中通过调整所述第六电阻或所述第七电阻的电阻值，以调整所述参考电压的温度系数；

第三晶体管，其基极耦接所述第六电阻的另一端，其集极耦接所述第一节点，其射极耦接所述接地电压，其中所述第三晶体管的基射极电压为所述第二电压；以及

电流源，其一端耦接系统电压，其另一端耦接所述第一节点，其电流为自所述系统电压流向所述第一节点，

其中所述基射极压差电流乘以所述第六电阻为所述第一电压。

7.如权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于，所述输出级电路包括：

第四晶体管，其集极耦接系统电压，其射极耦接接地电压，其基极耦接所述输出电压，

其中所述第四晶体管的输出电流与所述第四晶体管的输入电流之间的比值常数为具负温度系数的电流增益，并且所述第四晶体管的基射极电压为所述反馈电压。

8.如权利要求4所述的射频功率放大器，其特征在于，所述放大器包括：

第五晶体管，其栅极为所述正输入端，用以接收所述加法电压，其漏极耦接系统电压；

第六晶体管，其栅极为所述负输入端，耦接所述第二电阻的一端，其源极耦接所述第五晶体管的源极；

第七晶体管，其漏极耦接所述第五晶体管的源极，其基极耦接所述接地电压，其中所述第七晶体管为空乏型晶体管；

第八电阻，其一端耦接所述第七晶体管的源极，其另一端耦接所述接地电压；

第八晶体管，其栅极耦接所述第六晶体管的漏极，其漏极耦接所述系统电压，其中所述第八晶体管为空乏型晶体管；

第九电阻，其一端耦接所述第八晶体管的源极，其另一端耦接所述第六晶体管的漏极；以及

第九晶体管，其基极耦接所述第九电阻的另一端，其漏极耦接所述系统电压，其源极提供所述输出电压至所述输出级电路，其中所述第九晶体管为空乏型晶体管，用以作为缓冲晶体管以隔离噪声。

9.一种电子系统，其特征在于，所述电子系统包括：

如权利要求1所述的射频功率放大器，所述射频功率放大器接收射频输入信号且输出射频输出信号；

负载，耦接所述功率放大器，所述负载接收所述射频功率放大器所输出的所述射频输出信号。

10一种温度补偿方法，用于射频功率放大器，其特征在于，所述温度补偿方法包括：

接收参考电压与反馈电压，进行加法运算后输出加法电压；

接收所述加法电压，并且将所述加法电压乘以第一乘数因子后输出输出电压，并将所述输出电压提供至输出级电路；

其中，当所述参考电压为正温度系数的电压且所述输出级电路的输入电流与输出电流之间的比值常数为具负温度系数特性，则所述输出电流为零温度系数的电流；或者，

当所述参考电压为零温度系数的电压，则所述输入电流为零温度系数的电流。

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