CN103841743A - 电感耦合等离子体处理装置及其控制方法 - Google Patents
电感耦合等离子体处理装置及其控制方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103841743A CN103841743A CN201310323747.6A CN201310323747A CN103841743A CN 103841743 A CN103841743 A CN 103841743A CN 201310323747 A CN201310323747 A CN 201310323747A CN 103841743 A CN103841743 A CN 103841743A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- action
- variable capacitor
- minimum value
- motor
- controller
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 title abstract description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 106
- 230000009471 action Effects 0.000 claims description 88
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 claims description 51
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 43
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 43
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 43
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims description 14
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims description 10
- 230000008450 motivation Effects 0.000 claims description 9
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 7
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/38—Impedance-matching networks
- H03H7/40—Automatic matching of load impedance to source impedance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
- H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
- H01L21/02312—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a gas or vapour
- H01L21/02315—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a gas or vapour treatment by exposure to a plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Abstract
电感耦合等离子体处理装置具备：可变电容器控制装置，包括安装在源线圈上控制源线圈阻抗的可变电容器、使可变电容器自动旋转的电机及检测电机旋转的外部编码器；多个从控制器，对各个可变电容器控制装置分组并按组控制；主计算机，网络连接从控制器以控制从控制器，从控制器从主计算机接收分组后的可变电容器的动作最小值或设定最小值后储存，从主计算机接收起始序列动作命令后，驱动电机使可变电容器以动作最小值或设定最小值动作后达到动作设定值。本发明的电感耦合等离子体控制装置及其控制方法，通过电机精密控制连接在源线圈上调节阻抗的可变电容器的动作，有效控制多个源线圈阻抗，能够对多个可变电容器进行精密自动控制。
Description
技术领域
本发明涉及电感耦合等离子体处理装置及其控制方法，更具体地说，能够自动进行阻抗控制的电感耦合等离子体处理装置及其控制方法。
背景技术
电感耦合等离子体处理装置是在半导体和显示器制造工艺中用于进行蚀刻工艺或沉积工艺的装置。用于进行蚀刻工艺的电感耦合等离子体处理装置，与反应性离子蚀刻装置或电容耦合等离子体蚀刻装置相比，其蚀刻效果非常好。
但是，电感耦合等离子体处理装置难以对大面积基板进行蚀刻。通常，天线设在电感耦合等离子体处理装置的真空腔室上部。为了能够有效地对大面积基板进行蚀刻，天线的配置和阻抗的控制是非常重要的技术要素。
此外，无论多么有效地配置天线，由于复杂而长度较长的天线结构，不能有效地进行阻抗控制。进一步，为了对大面积基板进行蚀刻，需要按区域分别设置天线。
此外，为了处理更大面积的基板，需要将这些螺旋天线配置在多个彼此不同区域而使用，但是这种天线的结构和用于处理大面积基板的阻抗控制上，存在更大的困难。
在先技术文献
专利文献
韩国公开专利第10-2010-0053253号，“电感耦合等离子体天线”
发明内容
本发明的目的是提供一种电感耦合等离子体处理装置，其利用电机驱动可变电容器，从而能够同时精密地控制多个可变电容器的阻抗。
本发明的电感耦合型等离子体处理装置，其包括：腔室；多个源线圈，其设置在所述腔室的上部的电介质窗的外侧；可变电容器控制装置，其包括安装在各个所述源线圈上用于控制各个所述源线圈的阻抗的可变电容器、使所述可变电容器自动旋转的电机以及用于检测所述电机的旋转的外部编码器；多个从控制器，其对设置在各个所述源线圈上的各个所述可变电容器控装置进行分组后，按组进行控制；主计算机，其通过网络与所述从控制器连接，以便控制所述多个从控制器，所述从控制器从所述主计算机接收被分组的所述可变电容器的动作最小值或设定最小值并储存，所述从控制器从所述主计算机接收起始序列动作命令时，驱动所述电机使相应的所述可变电容器以动作最小值或设定最小值进行动作后，达到动作设定值。
所述设定最小值为，由用户设定的、所述可变电容器的最小电容量与最大电容量之间的值。
在所述起始序列动作时，所述从控制器驱动所述电机，使所述可变电容器的电容量依次被设定为，大于所述设定最小值的恢复设定值、所述动作最小值、所述设定最小值、所述动作设定值。
所述从控制器具备：中央处理器；存储器，其储存由所述从控制器控制的所述可变电容器的规格信息、即所述动作最小值、所述预设值、所述恢复设定值、所述动作设定值，以及由所述外部编码器传送的所述检测值的信息；运算器，其生成电机驱动值后传送到所述电机，并接收从所述外部编码器传送的检测值。
通过比较所述电机驱动值和从外部编码器传送的检测值来判断电机的动作异常。所述电机的动作发生异常时，进行所述起始序列动作。
本发明涉及一种电感耦合型等离子体处理装置的控制方法，所述电感耦合型等离子体处理装置具备：可变电容器控制装置，其包括安装在各个源线圈上用于控制所述源线圈的阻抗的可变电容器、使所述可变电容器自动旋转的电机以及检测所述电机的旋转的外部编码器；多个从控制器，其对设置在所述各个所述源线圈上的各个所述可变电容器控装置进行分组并按组进行控制；主计算机，其通过网络与所述从控制器连接，以便控制所述多个从控制器，所述方法的特征在于，各个所述从控制器从所述主计算机接收分组后的所述可变电容器的动作最小值或设定最小值后储存，所述从控制器从所述主计算机接收起始序列（Home sequence）动作命令时，驱动电机使相应的可变电容器以动作最小值或设定最小值进行动作后，达到动作设定值。
所述设定最小值为由用户设定的所述可变电容器的最小电容量与最大电容量之间的值。
在所述起始序列动作时，所述从控制器驱动所述电机使所述可变电容器的电容量依次被设定为，大于所述设定最小值的恢复设定值、所述动作最小值、所述设定最小值、所述动作设定值。
所述从控制器具备：中央处理器；存储器，其储存所述从控制器控制的所述可变电容器的规格信息、即所述动作最小值、所述预设值、所述恢复设定值、所述动作设定值，以及由所述外部编码器传送的所述检测值；运算器，其生成所述电机驱动值后传送到所述电机，并接收从所述外部编码器传送的检测值。
通过比较所述电机驱动值和从外部编码器传送的检测值来判断所述电机的动作异常。所述电机动作发生异常时，进行所述起始序列动作。
本发明的电感耦合等离子体处理装置及其控制方法具有以下效果：能够利用电机精密地控制连接在各个源线圈用于调节阻抗的可变电容器的动作，以便能够有效地控制多个源线圈的阻抗，并且能够对多个可变电容器进行精密的自动控制。
附图说明：
图1是本发明实施例的电感耦合等离子体处理装置的图。
图2是本发明实施例的电感耦合等离子体处理装置的源线圈的立体图。
图3是本发明实施例的设置在电感耦合等离子体处理装置的一个区域上的可变电容器控制装置的设置状态示意图。
图4是本发明实施例的电感耦合等离子体处理装置的可变电容器控制装置的图。
图5是本发明实施例的用于控制电感耦合等离子体处理装置的可变电容器的网络构成图。
图6是本发明实施例的用于控制电感耦合等离子体处理装置的从控制器的方框图。
图7是本发明实施例的用于说明电感耦合等离子体处理装置的控制方法的图。
附图标记：
20、源线圈 100、可变电容器控制装置 110、电机 120、外部编码器 140、可变电容器 200、设备网 210、从控制器 220、主计算机
具体实施方式
下面，参照附图说明本发明涉及的电感耦合等离子体处理装置的实施例。但是，本发明并不限定于下面公开的实施例，可以以各种形式实现，下面说明的实施例仅用于充分公开本发明，以便本领域的技术人员充分了解发明的保护范围。
图1是示出本发明的实施例涉及的电感耦合等离子体处理装置的图。如图1所示，本发明涉及的电感耦合等离子体处理装置具备腔室10，该腔室10具备闸门14，并形成有使工艺空间内部被抽成真空所需的排气孔11。在腔室10内部具有用于放置基板（晶片或不同尺寸的透明基板）的工作台12。在工作台12的上部设置有用于卡紧基板的静电卡盘13。
腔室10上部设置有电介质窗15，电介质窗15的上部设置有RF天线、即源线圈20。源线圈20设置在划分成单独空间的源线圈设置部16内。源线圈设置部16的上部设有电气组件部17，在该电气组件部17安装有RF电源等的电控制装置。
图2是本发明实施例的电感耦合等离子体处理装置源线圈结构的立体图。
如图2所示，本发明的电感耦合等离子体处理装置的源线圈设置部16被划分为9个区域A1～A9，每个区域内都设置有源线圈20。其中，位于角落部分的4个区域A1～A4内的源线圈20与第一高频电源30连接。位于其余5个区域A5～A9内的源线圈20与第二高频电源31连接。第一高频电源30与第二高频电源31分别发射13.56MHz的高频。
设置在每个区域A1～A9内的源线圈20又被分为第一～第四源线圈21、22、23、24等4个，并向同一方向卷绕。各源线圈21、22、23、24的端部设置有可变电容器控制装置100。
图3是本发明实施例的设置在电感耦合等离子体处理装置的一个区域中的可变电容器控制装置的设置状态的图。
如图3所示，可变电容器控制装置100设置在分布在各个区域上的源线圈21、22、23、24的末端或中间部位。可变电容器控制装置100也可以设置在源线圈21、22、23、24的中间或始端部位。这些可变电容器控制装置100固定安装在划分各个区域A1～A9的隔壁16a上。
图4是本发明实施例的电感耦合等离子体处理装置的可变电容器控制装置的图。
如图4所示，可变电容器控制装置100包括：电机110；外部编码器120，其设置在从电机110延伸出的旋转轴上；绝缘法兰130，其经过外部编码器120并延伸；可变电容器（VVC：Vacuum Variable Capacitor）140，其从绝缘法兰130延伸，且驱动轴与绝缘法兰130连接；冷却部150，其设置在可变电容器140的端部。
电机110采用步进电机110。外部编码器120包含：圆盘121，在圆盘121上设有沿圆周以每隔7.2度形成的共有50个检测孔121a；检测传感器122，在圆盘121外周的上部和下部分别设有发光部和受光部，以便能够检测圆盘121上的检测孔121a。可变电容器140同时具有Z-扫描传感器（未图示）。
如图3所示，上述结构的可变电容器控制装置100分别安装在位于一个区域内的源线圈21、22、23、24上。因此，为了处理大面积的基板而配置天线时，可能需要使用数十个可变电容器控制装置100。本发明的实施例共使用36个可变电容器控制装置100。
所有可变电容器控制装置100为了控制阻抗而动作，以便个别地控制可变电容器140以保持均匀的等离子体。为此，各可变电容器140需要个别控制，而且被控制成彼此间的关联动作有效协调，要由用户一一手动调节这些可变电容器140来调节阻抗，效率非常低。
因此，在本发明中，在电感耦合等离子体处理装置内部通过网络构建控制可变电容器140的设备网（Devicenet）200，以便同时自动控制所有的可变电容器140。
图5是本发明实施例的用于控制可变电容器的电感耦合等离子体处理装置的网络构成图。
如图5所示，位于各个区域内的第一～第四可变电容器控制装置100连接到第一从控制器（slave controller）211，第n-3～第n可变电容器控制装置100连接到第M从控制器212。其中，M和n为自然数。
因此，本发明实施例的可变电容器控制装置100，可以根据源线圈20的数量进行大量设置，同时，网络范围可以扩展至所述可变电容器控制装置100需要控制的范围。
另外，从控制器211、212确保通信线路用于将外部编码器120和Z-扫描传感器检测的检测值传送到主计算机220。
主计算机220可以连接显示器，该显示器上结合有作为输入输出部230的触摸板。输入输出部230具备：输入部，其用于输入可变电容器140的动作最小值、预设值、动作设定值；作为输出部的显示器，输出可变电容器140及步进电机110的动作相关的信息。
其中，动作设定值是为控制阻抗而由用户设定的可变电容器140的电容量值；动作最小值(或是负向极限值，“-limit”)可以是该可变电容器140的最小电容量值。
另外，设定最小值可以是由用户设定的可变电容器140的最小电容量和最大电容量之间的值，而动作设定值可被设定为略大于最小电容量的值。如此设定最小值的原因是，一方面，如果使用可变电容器140的最小电容量值和最大电容量值范围之间的所有的值，由于频繁的动作会使可变电容器140的寿命变短；另一方面，所有可变电容器140都具有10%左右的误差（Tolerance），即所有的可变电容器140的最小电容量（capacitance）并非是“0pF（皮法）”，而是具有数～数十pF等不同的动作最小值，所以设置在多个源线圈20上的所有的可变电容器140的动作最小值都会不同。因此，先检测这些可变电容器140的所有的动作最小值以后，再预设一个大于所有动作最小值的统一的值作为预设值，以使用为操作可变电容器140的动作基准。
图6是本发明实施例的用于控制电感耦合等离子体处理装置的从控制器的方框图。如图6所示，从控制器211具有通过设备网200连接至主计算机的中央处理器（CPU）211a。本发明实施例的中央处理器211a可具备ARM（Advance RISC Machines）处理器。
从控制器211生成驱动步进电机110的脉冲，还具备：FPGA（现场可编程门阵列）211b，其与发送和接收外部编码器120、Z-扫描传感器、步进电机110的信息的输入输出部230连接；存储器211c，其储存可变电容器的规格数据、各种设定信息、外部编码器120的检测值等数据。
存储器211c可以是在电源断开的状态下也能够储存信息的EPROM（可擦可编程只读存储器）模式的存储器。储存在该存储器211c内的可变电容器140的规格信息为动作最小值、预设值、恢复设定值、动作设定值。其中，恢复设定值是略大于设定最小值的电容量值。
以下说明如前述构成的本发明实施例的电感耦合型等离子体处理装置的控制方法。
基板被搬运至腔室10内部，安装在静电卡盘上13。然后，向腔室10内部供应工艺气体，而且腔室10内部通过排气设备维持在预设的压力。随后，打开高频电源以规定RF功率输出用于生成等离子体的高频，该RF功率被提供至源线圈20。由此，源线圈20的磁力线穿过电介质窗15后横跨腔室10内部处理空间，形成感应电场。
由于该感应电场，工艺气体分解为分子或原子并相互碰撞而生成等离子体。该等离子体以原子团或离子的形态在工艺空间内部扩散。此时，原子团等方性地射入基板上，而离子由于直流偏压的作用，向基板移动，从而对基板进行蚀刻等的处理。
另一方面，为了进行有效的所述等离子体处理工艺，等离子体密度需要均匀。为了形成密度均匀的等离子体，需要调节源线圈20的阻抗。因此，需要利用设置在每个源线圈20上的可变电容器控制装置100来调节每个源线圈20的阻抗。
例如，如图2所述，9个区域A1～A9上分散设置有源线圈20，此时，即便设置在所有区域的源线圈20上流过相同的高频电流，也不能确保等离子体密度或基板处理的均匀性。
即根据工艺环境，需要对设置在9个区域A1～A9上的每个源线圈20固有的阻抗调节。因此，为了确保各个区域A1～A9上的相应的阻抗，需要利用可变电容器控制装置100来调节每个源线圈20的阻抗。
另一方面，本发明实施例的可变电容器140的操作动作通过步进电机进行。但是由于不可预测的原因，步进电机110有发生失步（step out）的情况。如果步进电机110发生失步，即使为了可变电容器140的动作而向步进电机110输入规定的动作设定值，步进电机110实际上也不按照输入的动作设定值动作。这种情况下，由于无法控制阻抗，因此无法调节需要的等离子体的均匀度，继而无法实现有效的基板处理。
为了解决这些问题，为步进电机110的动作而输入的值以脉冲值表示，步进电机110的实际动作由外部编码器120检测后以脉冲值表示实际输出值。然后比较为步进电机110的动作而输入的脉冲形态的电机驱动值和由外部编码器120检测后输出的脉冲形态的检测值，如果显示两个值不等同或者在设定的范围内不相同时，可以判断为发生了失步。
图7是本发明实施例用于说明电感耦合等离子体处理装置的控制方法的图。如图7所示，主计算机220通过设备网200以数据包的形式向每个从控制器211传输可变电容器的动作设定值（S10）。该动作设定值是为了每个可变电容器140的动作而设定的值，也是为每个源线圈20所需的阻抗而设定的电容量。
从控制器211从主计算机220接收动作设定值后，生成与该动作设定值匹配的用于旋转步进电机110的步进电机驱动用脉冲，并传送至步进电机（S11）。接收该脉冲的对应的步进电机110进行旋转，从而驱动对应的可变电容器140。
另外，在步进电机110旋转期间，外部编码器120检测步进电机110的旋转，将该检测结果发送至从控制器211。然后，从控制器211比较为驱动步进电机110而提供的步进电机驱动用的脉冲值和由外部编码器120检测的旋转脉冲值，以判断失步与否，即判断步进电机110是否正常动作（S13）。根据该结果判断是否发生失步。而不管是否发生失步，从控制器211通过设备网向主计算机220报告步进电机动作的异常与否（S14）。
当判断为步进电机110发生异常，即判断为电机发生失步时，主计算机220将自动或手动开始起始序列（Home sequence）动作，并向从控制器211发出起始序列动作命令（S15）。从控制器211接收起始序列动作命令后执行起始序列动作（S16）。
起始序列动作调节步进电机110的动作速度以使可变电容器140维持稳定状态，继而使得可变电容器140以动作设定值迅速动作。因此，起始序列动作先以恢复设定值快速旋转步进电机110。如果此时发生失步，将反复传达命令使步进电机110进行动作，以便找到恢复设定值。
达到恢复设定值以后慢速驱动步进电机110，使可变电容器140处于动作最小值，继续以设定最小值慢速驱动步进电机110，最后快速驱动步进电机110使其达到动作设定值，如此，可以在不发生可变电容器140的动作过载的情况下平稳地设定成动作设定值。外部编码器120持续检测动作过程中是否发生失步，并将检测值传送至从控制器211，从控制器211将其结果传送至主计算机220。因此，由输入输出部230实时显示其结果，能够显示可变电容器140的动作有无异常，并能迅速地对动作异常进行控制。
如上所述，本发明的实施例，并不应该解释为用于限定本发明的技术思想。本发明的保护范围仅以权利要求书的记载为准，对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，可以将本发明的技术思想进行各种形式的改进变更。因此，这些改进和变更对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说是显而易见的，属于本发明的保护范围内。
Claims (10)
1.一种电感耦合型等离子体处理装置，其特征在于，具备：
腔室；
多个源线圈，其设置在所述腔室的上部的电介质窗外侧；
可变电容器控制装置，其包括安装在各个所述源线圈上用于控制所述源线圈的阻抗的可变电容器、使所述可变电容器自动旋转的电机以及检测所述电机的旋转的外部编码器；
多个从控制器，其对设置在各个所述源线圈上的各个所述可变电容器控装置进行分组后，按组进行控制；
主计算机，其通过网络与所述从控制器连接，以便控制所述多个从控制器，
所述从控制器从所述主计算机接收被分组的所述可变电容器的动作最小值或设定最小值并储存，
所述从控制器从所述主计算机接收起始序列动作命令时，驱动所述电机使相应的所述可变电容器以动作最小值或设定最小值进行动作后，达到动作设定值。
2.根据权利要求1所述的电感耦合型等离子体处理装置，其特征在于，
所述设定最小值为，由用户设定的、所述可变电容器的最小电容量与最大电容量之间的值。
3.根据权利要求1所述的电感耦合型等离子体处理装置，其特征在于，
在所述起始序列动作时，所述从控制器驱动所述电机以使所述可变电容器的电容量依次被设定为，大于所述设定最小值的恢复设定值、所述动作最小值、所述设定最小值、所述动作设定值。
4.根据权利要求1所述的电感耦合型等离子体处理装置，其特征在于，所述从控制器具备：
中央处理器；
存储器，其储存由所述从控制器控制的所述可变电容器的规格信息、即所述动作最小值、所述预设值、所述恢复设定值、所述动作设定值，以及由所述外部编码器传送的所述检测值；
运算器，其生成所述电机驱动值并传送到所述电机，且接收从所述外部编码器传送的检测值。
5.根据权利要求4所述的电感耦合型等离子体控制装置，其特征在于，
通过比较所述电机驱动值和从所述外部编码器传送的检测值来判断所述电机的动作异常，而所述电机的动作发生异常时，进行所述起始序列动作。
6.一种电感耦合型等离子体处理装置的控制方法，该电感耦合型等离子体处理装置具备：可变电容器控制装置，其包括安装在每个所述源线圈上用于控制所述源线圈的阻抗的可变电容器、使所述可变电容器自动旋转的电机以及检测所述电机的旋转的外部编码器；多个从控制器，其对设置在各个所述源线圈上的各个可变电容器控装置进行分组后按组进行控制；主计算机，其通过网络连接所述从控制器，以便控制所述多个从控制器，
所述控制方法，其特征在于，
各个所述从控制器从所述主计算机接收分组后的所述可变电容器的动作最小值或设定最小值并储存，
所述从控制器从所述主计算机接收起始序列动作命令时，驱动电机以使相应的所述可变电容器以动作最小值或设定最小值进行动作后，达到动作设定值。
7.根据权利要求6所述的电感耦合型等离子体处理装置的控制方法，其特征在于，
所述设定最小值为，由用户设定的、所述可变电容器的最小电容量与最大电容量之间的值。
8.根据权利要求6所述的电感耦合型等离子体处理装置的控制方法，其特征在于，
在所述起始序列动作时，所述从控制器驱动电机以使所述可变电容器的电容量依次被设定为，大于设定最小值的恢复设定值、所述动作最小值、所述设定最小值、所述动作设定值。
9.根据权利要求6所述的电感耦合型等离子体处理装置的控制方法，其特征在于，所述从控制器具备：
中央处理器；
存储器，其储存所述从控制器控制的所述可变电容器的规格信息、即所述动作最小值、所述预设值、所述恢复设定值、所述动作设定值，以及由所述外部编码器传送的所述检测值；
运算器，其生成所述电机驱动值后传送到所述电机，并接收从所述外部编码器传送的检测值。
10.根据权利要求9所述的电感耦合型等离子体处理装置的控制方法，其特征在于，
通过比较所述电机驱动值和从外部编码器传送的检测值来判断所述电机的动作异常，而所述电机动作发生异常时，进行所述起始序列动作。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020120133759A KR20140066483A (ko) | 2012-11-23 | 2012-11-23 | 유도 결합 플라즈마 처리 장치 및 그 제어방법 |
| KR10-2012-0133759 | 2012-11-23 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103841743A true CN103841743A (zh) | 2014-06-04 |
| CN103841743B CN103841743B (zh) | 2017-10-20 |
Family
ID=50804749
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201310323747.6A Active CN103841743B (zh) | 2012-11-23 | 2013-07-30 | 电感耦合等离子体处理装置及其控制方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20140066483A (zh) |
| CN (1) | CN103841743B (zh) |
| TW (1) | TWI479534B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112293889A (zh) * | 2020-10-28 | 2021-02-02 | 维沃移动通信有限公司 | 一种戒指及其控制方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101602135B1 (ko) * | 2013-12-30 | 2016-03-11 | 엘아이지인베니아 주식회사 | 유도결합 플라즈마를 이용한 기판 처리장치 |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20030098127A1 (en) * | 2001-11-27 | 2003-05-29 | Alps Electric Co., Ltd. | Plasma processing apparatus |
| JP2005204402A (ja) * | 2004-01-15 | 2005-07-28 | Pearl Kogyo Co Ltd | モータ制御装置およびそれを用いた半導体プラズマ処理装置 |
| CN101277578A (zh) * | 2007-03-30 | 2008-10-01 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理装置、高频电源的校正方法、高频电源 |
| JP2008300322A (ja) * | 2007-06-04 | 2008-12-11 | Canon Anelva Corp | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法、整合器、及び整合器の動作方法 |
| CN201174575Y (zh) * | 2008-03-03 | 2008-12-31 | 广东中玉科技有限公司 | 一种自动消弧线圈成套装置 |
| CN101389179A (zh) * | 2007-09-10 | 2009-03-18 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理装置、等离子体处理方法以及存储介质 |
| JP2009064865A (ja) * | 2007-09-05 | 2009-03-26 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
| US20100300620A1 (en) * | 2009-05-29 | 2010-12-02 | Agilent Technologies, Inc. | Atmospheric Inductively Coupled Plasma Generator |
| JP2012129222A (ja) * | 2010-12-13 | 2012-07-05 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001091543A (ja) * | 1999-09-27 | 2001-04-06 | Hitachi Ltd | 半導体検査装置 |
| DE10024883A1 (de) * | 2000-05-19 | 2001-11-29 | Bosch Gmbh Robert | Plasmaätzanlage |
| KR100462584B1 (ko) * | 2001-07-06 | 2004-12-17 | 주성엔지니어링(주) | 플라즈마 공정장치 |
| TWI239794B (en) * | 2002-01-30 | 2005-09-11 | Alps Electric Co Ltd | Plasma processing apparatus and method |
| US8144438B2 (en) * | 2008-10-03 | 2012-03-27 | General Electric Company | Motor control center communication system |
| JP5399151B2 (ja) * | 2008-10-27 | 2014-01-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 誘導結合プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び記憶媒体 |
| KR101017101B1 (ko) * | 2008-11-12 | 2011-02-25 | 세메스 주식회사 | 유도결합 플라즈마 안테나 |
| JP5694721B2 (ja) * | 2009-10-27 | 2015-04-01 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| JP5632626B2 (ja) * | 2010-03-04 | 2014-11-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 自動整合装置及びプラズマ処理装置 |
| KR20120077509A (ko) * | 2010-12-30 | 2012-07-10 | 세메스 주식회사 | 가변 커패시터, 플라즈마 임피던스 매칭 장치 및 그 방법 |
-
2012
- 2012-11-23 KR KR1020120133759A patent/KR20140066483A/ko not_active Application Discontinuation
-
2013
- 2013-07-30 CN CN201310323747.6A patent/CN103841743B/zh active Active
- 2013-08-05 TW TW102127986A patent/TWI479534B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20030098127A1 (en) * | 2001-11-27 | 2003-05-29 | Alps Electric Co., Ltd. | Plasma processing apparatus |
| JP2005204402A (ja) * | 2004-01-15 | 2005-07-28 | Pearl Kogyo Co Ltd | モータ制御装置およびそれを用いた半導体プラズマ処理装置 |
| CN101277578A (zh) * | 2007-03-30 | 2008-10-01 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理装置、高频电源的校正方法、高频电源 |
| JP2008300322A (ja) * | 2007-06-04 | 2008-12-11 | Canon Anelva Corp | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法、整合器、及び整合器の動作方法 |
| JP2009064865A (ja) * | 2007-09-05 | 2009-03-26 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
| CN101389179A (zh) * | 2007-09-10 | 2009-03-18 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理装置、等离子体处理方法以及存储介质 |
| CN201174575Y (zh) * | 2008-03-03 | 2008-12-31 | 广东中玉科技有限公司 | 一种自动消弧线圈成套装置 |
| US20100300620A1 (en) * | 2009-05-29 | 2010-12-02 | Agilent Technologies, Inc. | Atmospheric Inductively Coupled Plasma Generator |
| JP2012129222A (ja) * | 2010-12-13 | 2012-07-05 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112293889A (zh) * | 2020-10-28 | 2021-02-02 | 维沃移动通信有限公司 | 一种戒指及其控制方法 |
| CN112293889B (zh) * | 2020-10-28 | 2023-03-31 | 维沃移动通信有限公司 | 一种戒指及其控制方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI479534B (zh) | 2015-04-01 |
| CN103841743B (zh) | 2017-10-20 |
| KR20140066483A (ko) | 2014-06-02 |
| TW201421532A (zh) | 2014-06-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP7072354B2 (ja) | メインｒｆ発生器およびエッジｒｆ発生器を同期させることによってプラズマチャンバ内のエッジ領域に関連する予め定められた要素を達成するためのシステムおよび方法 | |
| JP7166746B2 (ja) | 結合リング内に電極を使用することによってエッジ領域におけるイオンの方向性を制御するためのシステム | |
| US9918376B2 (en) | Hybrid impedance matching for inductively coupled plasma system | |
| TWI705477B (zh) | 電漿處理系統之匹配網路中用以校正可變電容之轉換模型與進行可變電容之位置轉換的系統及方法 | |
| CN103619117B (zh) | 可实现快速阻抗匹配的射频电源系统 | |
| CN104752139A (zh) | 一种射频脉冲系统及其阻抗匹配方法 | |
| CN103841743A (zh) | 电感耦合等离子体处理装置及其控制方法 | |
| CN103813610A (zh) | 电感耦合等离子体处理装置及其控制方法 | |
| CN103021774B (zh) | 快速精密射频自动匹配装置 | |
| US11749506B2 (en) | Systems and methods for repetitive tuning of matching networks | |
| WO2023009245A1 (en) | Systems and methods for variable gain tuning of matching networks | |
| CN115497800A (zh) | 一种用于等离子体处理系统中匹配单元的控制器 | |
| US20240152114A1 (en) | Radio frequency impedance matching network with flexible tuning algorithms | |
| KR101468657B1 (ko) | 유도 결합 플라즈마 처리 장치 | |
| CN113437690B (zh) | 高压配电柜智能化装配系统 | |
| KR102124940B1 (ko) | 유도 결합 플라즈마 처리 장치 및 그 제어방법 | |
| CN110301029A (zh) | 在等离子体反应器中提供寄生成分的分流消除系统和方法 | |
| CN114762978A (zh) | 机器人伺服电机驱动控制系统 | |
| CN114008735A (zh) | 用于确定电容器故障的早期预警系统和方法 | |
| CN104425208A (zh) | 一种阻抗匹配方法 | |
| CN102545750A (zh) | 步进电机的控制方法和装置、匹配器及等离子体加工设备 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |