CN103840242A - 一种谐振子及其腔体滤波器和电磁波设备 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种谐振子，包括至少一个介质片和附着在至少一个所述介质片表面上的响应单元；所述响应单元为导电材料制成的具有几何图案的结构，每个所述介质片上的不同响应单元的等效折射率随其与介质片表面中心点的距离的递增而递增。本发明还涉及具有该谐振子的腔体滤波器和具有该腔体滤波器的电磁波设备。本发明的谐振子由于具有正的等效折射率，能有效提高谐振子的等效介电常数和等效磁导率，从而降低谐振腔的谐振频率，因此在实现相同谐振频率时谐振腔的体积可明显减小，进而使得具有该谐振子的腔体滤波器或双工器等滤波器件及其电磁波设备具有很好的小型化优势。

Description

一种谐振子及其腔体滤波器和电磁波设备

技术领域

本发明涉及射频器件领域，更具体地说，涉及一种谐振子及其腔体滤波器和电磁波设备。

背景技术

谐振子，又称介质谐振器，具有介电常数高、电磁损耗低得有点，广泛应用在各种微波射频器件中，例如腔体滤波器、腔体滤波器构成的双工器等。通常谐振子为圆柱形，由微波介质陶瓷一体烧结而成。

虽然微波介质陶瓷也具有介电常数高、电磁损耗低、耐受功率高等优点从而符合谐振子的要求，但是随着科技的发展、产品集成度的不断提高，人们对滤波器、双工器的小型化需求进一步提高。现有技术中，腔体滤波器、双工器的体积与谐振频率是成反比的，如果直接对其谐振腔腔体减小体积，则其对应的谐振频率会增大，从而不能满足滤波器的滤波功能。如何既能实现小型化，又不影响正常的腔体滤波器和双工器的使用功能，是目前研发人员共同急需解决的问题。

发明内容

本发明的目的在于，针对现有技术的上述缺陷，提供一种实现小型化同时不影响谐振频率和其他性能的谐振子及其腔体滤波器和电磁波设备。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：构造一种谐振子，包括至少一个介质片和附着在至少一个所述介质片表面上的响应单元；所述响应单元为导电材料制成的具有几何图案的结构，每个所述介质片上的不同响应单元的等效折射率随其与介质片表面中心点的距离的递增而递增。

在本发明所述的谐振子中，所述响应单元在所述谐振子的工作频率对应的电磁场中呈现正等效折射率。

在本发明所述的谐振子中，在所述谐振子的工作频率对应的电磁场中所述响应单元的介电常数和磁导率均为正值。

在本发明所述的谐振子中，附着在至少一个所述介质片表面上的响应单元有多个且互不电连接。

在本发明所述的谐振子中，每个所述介质片上的不同响应单元的尺寸随其与介质片表面中心点的距离的递增而递增。

在本发明所述的谐振子中，所述谐振子包括多个依次叠加的所述介质片，至少其中一个所述介质片的表面上附着有所述响应单元。

在本发明所述的谐振子中，所述响应单元附着在位于堆叠而成的谐振子两端的一个或多个介质片上。

在本发明所述的谐振子中，所述谐振子的工作频率低于所述响应单元的谐振频率或高于所述响应单元的等离子体频率。

在本发明所述的谐振子中，所述响应单元的尺寸小于所述谐振子的工作频率所对应的电磁波波长。

在本发明所述的谐振子中，所述响应单元的尺寸小于所述谐振子的工作频率所对应的电磁波波长的二分之一。

在本发明所述的谐振子中，所述响应单元的尺寸小于所述谐振子的工作频率所对应的电磁波波长的五分之一。

在本发明所述的谐振子中，所述响应单元的尺寸小于所述谐振子的工作频率所对应的电磁波波长的十分之一。

在本发明所述的谐振子中，所述介质片由介电常数大于1、损耗角正切值小于0.1的材料制成。

在本发明所述的谐振子中，所述介质片由介电常数大于30、损耗角正切值小于0.01的材料制成。

在本发明所述的谐振子中，所述介质片由微波介质陶瓷制成。

在本发明所述的谐振子中，所述导电材料为金属材料。

在本发明所述的谐振子中，所述导电材料为金、银、铜，或者所述导电材料为含有金、银或铜的合金。

在本发明所述的谐振子中，所述导电材料为非金属材料。

在本发明所述的谐振子中，所述导电材料为铟锡氧化物、掺铝氧化锌或导电石墨。

在本发明所述的谐振子中，所述响应单元为各向异性结构。

在本发明所述的谐振子中，所述响应单元有多个，且成环形阵列或矩形阵列的方式排布在所述介质片上。

在本发明所述的谐振子中，所述响应单元为网状，包括一金属片，且所述金属片上镂空有多个孔洞。

在本发明所述的谐振子中，所述响应单元为扇形金属片，且多个所述扇形金属片以一点为圆心成圆周排布。

在本发明所述的谐振子中，所述响应单元为方片形，两方片形响应单元并排间隔设置构成一个响应单元对，多个所述响应单元对以一点为圆心成圆周排布。

本发明还涉及一种腔体滤波器，包括至少一个谐振腔和位于至少一个所述谐振腔内的谐振子，所述谐振子包括至少一个介质片和附着在至少一个所述介质片表面上的响应单元；所述响应单元为导电材料制成的具有几何图案的结构。

在本发明所述的腔体滤波器中，所述腔体滤波器的第一模式为TE模式，且所述响应单元设置在平行于所述TE模式的电场的平面上。

在本发明所述的腔体滤波器中，所述谐振子的响应单元位于所附着的介质片表面的部分区域上，所述部分区域的各个点上的磁场沿垂直于所述介质片表面的分量小于预设值。

在本发明所述的腔体滤波器中，所述介质片表面的部分区域位于所述介质片表面的边缘上。

在本发明所述的腔体滤波器中，所述腔体滤波器为带通滤波器、带阻滤波器、高通滤波器、低通滤波器或多频段滤波器。

本发明还涉及一种电磁波设备，包括信号发射模块、信号接收模块以及腔体滤波器，所述腔体滤波器的输入端与所述信号发射模块连接，输出端与所述信号接收模块连接，所述腔体滤波器包括谐振腔和位于所述谐振腔内的谐振子，所述谐振子包括至少一个介质片和附着在至少一个所述介质片表面上的响应单元；所述响应单元为导电材料制成的具有几何图案的结构。

在本发明所述的电磁波设备中，所述电磁波设备为基站。

在本发明所述的电磁波设备中，所述基站包括双工器，所述双工器包括发信带通滤波器和收信带通滤波器，所述发信带通滤波器和收信带通滤波器中至少一个为所述腔体滤波器。

在本发明所述的电磁波设备中，所述电磁波设备为飞机或雷达或卫星。

采用本发明的谐振子及其腔体滤波器和电磁波设备，具有以下有益效果：本发明的谐振子由于具有正的等效折射率，能有效提高谐振子的等效介电常数和等效磁导率，从而降低谐振腔的谐振频率，因此在实现相同谐振频率时谐振腔的体积可明显减小，进而使得具有该谐振子的腔体滤波器或双工器等滤波器件及其电磁波设备具有很好的小型化优势。

附图说明

下面将结合附图及实施例对本发明作进一步说明，附图中：

图1是本发明第一实施例的谐振子的结构示意图；

图2是一响应单元的结构示意图；

图3是图2所示响应单元的等效折射率-频率关系曲线；

图4是另一响应单元的结构示意图；

图5是图4所示响应单元的等效折射率-频率关系曲线；

图6是本发明的谐振子的响应单元可能的结构形状；

图7是第二实施例的谐振子的结构示意图；

图8是具有图7所示谐振子的谐振腔的结构示意图；

图9是TM模式的电场分布图；

图10是TM模式的磁场分布图；

图11是第三实施例的谐振子的结构示意图；

图12是第四实施例的谐振子的结构示意图；

图13是本发明的电磁波设备为基站时的结构示意图。

具体实施方式

本发明涉及一种谐振子，如图1所示，包括介质3片和附着介质片3表面上的响应单元4。每个谐振子包括一个介质片3，也可包括多个介质片3，如图1所示多个介质片3叠加到一起并通过粘接、紧固件连接等方式连接为一体。本文中的介质片3，尤指适用于腔体滤波器中可作为介质谐振子的材料，这些材料具有介电常数高、损耗角正切值低的特点，在谐振子的工作频率下，其介电常数通常高于30，而损耗角正切值低于0.01。符合要求的常用材料为微波介质陶瓷，例如BaTi₄O₉、Ba₂Ti₉O₂₀、MgTiO₃-CaTiO₃、BaO-Ln₂O₃-TiO₂系、Bi₂O₃-ZnO-Nb₂O₅系等。当然，除陶瓷的符合要求的其他材料也可以用来作为本发明的介质片，只要介电常数大于1、损耗角正切值小于0.1的材料即可，例如聚四氟乙烯、环氧树脂等。

介质片3的形状可以为任意形状，例如方柱形、方片形、圆环形、圆筒形、圆柱形、不规则形状等。根据所应用的谐振腔的形状的不同，介质片3的形状也不同，只要是现有技术中有的介质谐振子的形状，都可作为本发明的介质片3的形状。优选地，介质片为规则的对称结构，例如方柱形或圆柱形，最常见的为圆柱形。

上文中的谐振子的工作频率，是指该谐振子应用在一腔体滤波器或双工器的谐振腔内、所对应的腔体滤波器或双工器所需要的工作频率，例如为各自第一模式（主模式）所对应的电磁场的谐振频率；该谐振频率通常与谐振子的介质片3的谐振频率相当。

响应单元4附着在至少一个介质片3表面上。具体地，附着在任一介质片3表面上的响应单元4有一个或多个，当响应单元4有多个时，它们互相独立、互不电连接，成为一个个响应单体。每个响应单元4为导电材料制成的具有几何图案的结构。

本文中的导电材料可以是金属或金属的合金，例如银、铜、铜或含有金、银、铜其中一种或两种的合金等，也可以是能导电的非金属，例如导电石墨、掺铝氧化锌、铟锡氧化物等。

要使得响应单元4在电磁场中具有各自独立的电磁响应，其尺寸应处于亚波长范围，即尺寸小于谐振子的工作频率所对应的电磁波波长，一半小于二分之一，越小越好，优选小于五分之一，最佳是小于十分之一。本文中，响应单元4的尺寸，是指构成其外轮廓的曲线上，任取两点连成的线段中最长的那条线段的长度。

响应单元4可随机地排布在介质片3表面上，优选以一定的规律排布在介质片表面上，例如矩形阵列排布、环形阵列排布等。当介质片3为圆环形时，优选环形阵列排布，以实现结构上的对称性。

本发明的第一发明点在于，满足上述尺寸要求的响应单元4，还必须满足在谐振子的工作频率所对应的电磁场中呈现正等效折射率。或者说，在频率与介质片3所对应的介质材料的谐振频率相当的电磁场中，响应单元4呈现正等效折射率。

每个响应单元4的等效折射率是一条跟频率有关的曲线，任意给定一响应单元，例如图2所示，各标注的单位是毫米（mm），导电材料为铜箔。限定其附着的介质片的介电常数和损耗角正切值，取一定厚度例如2mm，将该响应单元及其介质片部分在仿真软件中仿真，得到其等效折射率与频率的关系曲线，如图3所示。由图3可知，该响应单元在全频段范围内其等效折射率均为正值，因此可使用在本发明的谐振子中。更具体的对响应单元的等效折射率的算法，可参见Ruopeng Liu、Tie Jun Cui、Da Huang、Bo Zhao和David R.Smith共同撰写并于2007年发表的论文《Description and explanation ofelectromagnetic behaviors in artificial metamaterials based on effective mediumtheory》。

图4给出了另一个响应单元，为开口谐振环结构，这种结构是实现负磁导率、负折射的典型结构。该开口谐振环的等效折射率与频率的响应曲线如图5所示。其中，等效折射率由正值转为负值时为0的频点为谐振频率f₀，等效折射率由负值转为正值时为0的频点为等离子体频率f₁。要满足等效折射率为正，要求谐振子的工作频率小于谐振频率f₀或大于等离子体频率f₁。

因此，对于等效折射率在全频率范围内存在负值的响应单元，要使响应单元在谐振子的工作频率所对应的电磁场中呈现正等效折射率，该谐振子的工作频率应低于所述响应单元的谐振频率或高于所述响应单元的等离子体频率。

当响应单元的等效折射率关于频率的曲线具有多个谐振频率和等离子体频率时，则谐振子的工作频率小于最小的谐振频率或者大于最大的等离子体频率或者在前一等离子体频率和该等离子体频率随后的高阶谐振频率之间的频率范围内。

正等效折射率意味着介电常数和磁导率均为正值，只要介电常数和磁导率中其中一个值为负值，则为负等效折射率。将正等效折射率的响应单元应用在谐振子上，等效为提高了谐振子的平均介电常数。已知介电常数越高，谐振子所应用的谐振腔的谐振频率越低，实现相同谐振频率时的腔体体积越小，从而实现进一步的小型化。

当然，本发明的谐振子中的响应单元4并不限定是图2所示的形状，其可以是任意形状，例如实心的片状、空心的环状或网状、雪花形、树杈形、多边形、圆形或者其他任意不规则形状。优选响应单元4具有一个旋转对称中心，使得该响应单元4以该旋转对称中心任意旋转90度后与原响应单元重合，例如圆形、正方形、十字形等。

图6示出了响应单元4可能的几种平面形状，第一个为圆环形；第二个为网状，其为一金属片上镂空有多个孔洞而形成的，孔洞可以是图中的矩形，也可以是圆形或其他不规则形状，这些孔洞可以如图中所示的规则排布，也可随机排布，这种形状的响应单元可以减小损耗；第三个为任意不规则曲线构成的环形；第四个为三角形金属片；第五个为ELC结构，可以用来实现负磁导率；第六个为“工”字形的变形，两个大的“工”字形结构垂直正交，并在每个末端连接一个小的“工”字形，显然，每个小的“工”字形的末端还可继续连接更小的“工”字形。此外，响应单元还可以是扇形金属片，为由两段共圆心的圆弧和连接在两圆弧两端的两段直线围成的金属片，多个这样的扇形金属片以一点为圆心成圆周排布。其他响应单元的实施例本文不再赘述。

因此，如图8所示，本发明还保护一种腔体滤波器，包括至少一个谐振腔2和至少位于其中一个谐振腔2内的谐振子。这里的腔体滤波器可以是带通滤波器、带阻滤波器、高通滤波器、低通滤波器或多频段滤波器。下面为了简化示意，只画出其中一个谐振腔和该谐振腔内的谐振子。本领域的人员很容易想到，腔体滤波器可能具有四个谐振腔、六个谐振腔、八个谐振腔或更多的谐振腔。可以在其中一个谐振腔中放置本发明的谐振子，其他腔内采用传统介质谐振子或金属谐振子；也可以在其中几个谐振腔或所有谐振腔内都采用本发明的谐振子。

下面将结合具体实验数据说明，采用本发明的谐振子，能有效降低谐振频率。

将响应单元4按照图7所示的环形阵列排布方式置于一介质片3上，其中响应单元为方片形，两方片形响应单元并排间隔设置构成一个响应单元对，多个响应单元对以一点为圆心成圆周排布。每个响应单元4包括两个并排设置的正方形方片，共12个这样的响应单元4以半径14mm的圆周等间距排布；介质片采用系介质陶瓷，形状为内径8mm、外径24mm、厚度5mm的圆环形。两个相同的介质片3将响应单元夹在中间，构成本发明一实施例的谐振子，谐振子置于谐振腔正中央，如图8所示，谐振腔的腔内为圆柱形，腔内壁镀银。谐振子底部可设置支承座5，顶部可设置调谐盘。

利用仿真软件对上述腔体滤波器进行仿真，测得该滤波器的第一模式为TE模式，该模式的谐振频率（也即腔体滤波器的谐振频率）为2.265GHz，Q值为10498。而上述腔体滤波器中，不设置响应单元4，其他条件均不改变，也即为传统的介质腔体滤波器，仿真得出该滤波器的谐振频率为2.385GHz，Q值为10990。本发明的谐振子能直接降频近120MHz，而Q值影响不大。由此可见，采用本发明的谐振子，能有效降低腔体滤波器的谐振频率。在实现相同谐振频率的情况下，谐振腔的体积可以做得更小。

在上述TE模式中，如图9所示，箭头方向和大小表明电场的方向和大小。由图9可知，电场绕谐振子的中心轴水平环绕（谐振子的中心轴方向为竖直方向），因此，优选响应单元设置在平行于所述TE模式的电场线所环绕的平面上，使得等效介电常数达到最大，最大化地降低腔体滤波器的谐振频率。TE模式的磁场如图10所示，箭头表示磁场的方向。磁场线自谐振子的中心轴向外环绕。

因此本发明中，优选响应单元设置于所附着的平行于TE模式电场的介质片表面的部分区域上，该部分区域的各个点上的磁场沿垂直于该介质片表面的分量小于预设值。换句话说，磁场穿过设置有响应单元的一介质片表面，则介质片表面的每一个点都对应有特定的磁场强度，每个磁场强度在垂直于该介质片表面的方向上的分量互不相同并且其中有一个最大值，上述预设值是小于所述最大值的50%的一个取值，预设值越小越好。所有小于所述预设值的分量所对应的点的集合构成了上述表面的部分区域。响应单元位于这个区域内，既可有效降低谐振频率，还可避免损耗牺牲大而造成Q值太低。

由图10可知，这个部分区域基本上介质片3表面的边缘上，所述边缘为该介质片3表面轮廓和该轮廓以介质片表面的中心点为缩放中心同比缩小50%后的曲线之间的区域范围。由图10可知，最优的是，响应单元4设置在所述介质片表面轮廓和该轮廓以介质片表面的中心点为缩放中心同比缩小30%后的曲线之间的表面区域上。

参照图7、图8所示的谐振子和腔体滤波器，其他条件均不改动，将介质片3上的响应单元4以半径为7mm的圆周等间距排布，测得该新的实施例中腔体滤波器的谐振频率为2.194GHz，Q值为7942。而图8所示实施例中的谐振频率已知为2.265GHz，Q值为10498。可见，有针对性地将响应单元设置在介质片表面的边缘上，能有效提高Q值。

对于形状几何相似的响应单元4，其等效折射率与它们的尺寸成正比，尺寸越大，等效折射率也越大。因此，上述谐振子中，当响应单元的形状均几何相似或相近时，随着响应单元4到介质片3表面中心点的距离的增大，响应单元的尺寸而随之增大或者至少不减小。

例如，在图7、图8所示谐振子和腔体滤波器中，其他条件不变，在上述圆周分布的响应单元内部再设置两圈尺寸依次减小的响应单元，如图11所示，仿真测得，该滤波器的谐振频率为2.183GHz，Q值为8278。

当内部两圈依次采用如图12所示，测得谐振频率为2.122GHz，Q值则降为3417。对比可得，采用较大的响应单元，虽然降频更明显一点，但差别不大，而Q值则急剧降低。因此，优选采用响应单元越靠近中心尺寸越小的分布形式。

另外，本发明中，优选所述响应单元4为各向异性结构。本文中的各向异性，是各向同性的对立面。各向同性，是指一个立体结构，具有三个两两互相垂直的对称面，该立体结构以其中任一对称面对称，同时该立体结构被这三个对称面切分的八块部分完全相同并且绕任两个对称面的交界线旋转90度后与相邻的一块部分重合。不符合这种要求的结构极为各向异性结构，例如厚度很薄、近似为平面的结构必然为各向异性结构。由于电场是水平环绕的，因此优选响应单元4为扁平的各向异性结构。

本发明还涉及一种具有上述腔体滤波器的电磁波设备，该电磁波设备可以是飞机、基站、雷达、卫星等各种需要用到腔体滤波器的设备。这些电磁波设备会接收和发送信号，并在接收之后或发送之前进行滤波，以使所接收或发送的信号满足需求，因此电磁波设备至少还包括与腔体滤波器的输入端连接的信号发射模块、与腔体滤波器的输出端连接的信号接收模块。

例如，如图13所示，电磁波设备为基站，基站包括作为滤波器件的双工器，双工器包括发信带通滤波器和收信带通滤波器。发信带通滤波器的输入端连接发信机，输出端连接基站天线；收信带通滤波器的输入端连接基站天线，输出端连接收信机。

则对于发信带通滤波器，其信号发射模块为发信机，信号接收模块为基站天线。而对于收信带通滤波器，其信号发射模块为基站天线，信号接收模块为收信机。发信带通滤波器和收信带通滤波器中至少有一个为具有本发明的谐振子的腔体滤波器。采用这样的腔体滤波器，可大大减小滤波器的体积，有利于基站的小型化。

上面结合附图对本发明的实施例进行了描述，但是本发明并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，而不是限制性的，本领域的普通技术人员在本发明的启示下，在不脱离本发明宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可做出很多形式，这些均属于本发明的保护之内。

Claims (31)

1.一种谐振子，其特征在于，所述谐振子包括：

至少一个介质片；

附着在至少一个所述介质片表面上的响应单元；

其中，所述响应单元为导电材料制成的具有几何图案的结构，每个所述介质片上的不同响应单元的等效折射率随其与介质片表面中心点的距离的递增而递增。

2.根据权利要求1所述的谐振子，其特征在于，所述响应单元在所述谐振子的工作频率对应的电磁场中呈现等效正等效折射率。

3.根据权利要求1所述的谐振子，其特征在于，附着在至少一个所述介质片表面上的响应单元有多个且互不电连接。

4.根据权利要求1所述的谐振子，其特征在于，每个所述介质片上的不同响应单元的尺寸随其与介质片表面中心点的距离的递增而递增。

5.根据权利要求1所述的谐振子，其特征在于，所述谐振子包括多个依次叠加的所述介质片，至少其中一个所述介质片的表面上附着有所述响应单元。

6.根据权利要求5所述的谐振子，其特征在于，所述响应单元附着在位于堆叠而成的谐振子两端的一个或多个介质片上。

7.根据权利要求1所述的谐振子，其特征在于，所述谐振子的工作频率高于所述响应单元的等离子体频率或低于所述等离子体频率之后的高阶谐振频率。

8.根据权利要求1所述的谐振子，其特征在于，所述响应单元的尺寸小于所述谐振子的工作频率所对应的电磁波波长。

9.根据权利要求1所述的谐振子，其特征在于，所述响应单元的尺寸小于所述谐振子的工作频率所对应的电磁波波长的二分之一。

10.根据权利要求1所述的谐振子，其特征在于，所述响应单元的尺寸小于所述谐振子的工作频率所对应的电磁波波长的五分之一。

11.根据权利要求1所述的谐振子，其特征在于，所述介质片由介电常数大于1、损耗角正切值小于0.1的材料制成。

12.根据权利要求1所述的谐振子，其特征在于，所述介质片由介电常数大于30、损耗角正切值小于0.01的材料制成。

13.根据权利要求1所述的谐振子，其特征在于，所述介质片由微波介质陶瓷制成。

14.根据权利要求1所述的谐振子，其特征在于，所述导电材料为金属材料。

15.根据权利要求14所述的谐振子，其特征在于，所述导电材料为金、银、铜，或者所述导电材料为含有金、银或铜的合金。

16.根据权利要求1所述的谐振子，其特征在于，所述导电材料为非金属材料。

17.根据权利要求16所述的谐振子，其特征在于，所述导电材料为铟锡氧化物、掺铝氧化锌或导电石墨。

18.根据权利要求1所述的谐振子，其特征在于，所述响应单元为各向异性结构。

19.根据权利要求1所述的谐振子，其特征在于，所述响应单元有多个，且成环形阵列或矩形阵列的方式排布在所述介质片上。

20.根据权利要求1所述的谐振子，其特征在于，所述响应单元为网状，包括一金属片，且所述金属片上镂空有多个孔洞。

21.根据权利要求1所述的谐振子，其特征在于，所述响应单元为扇形金属片，且多个所述扇形金属片以一点为圆心成圆周排布。

22.根据权利要求1所述的谐振子，其特征在于，所述响应单元为方片形，两方片形响应单元并排间隔设置构成一个响应单元对，多个所述响应单元对以一点为圆心成圆周排布。

23.一种腔体滤波器，其特征在于，包括至少一个谐振腔和位于至少一个所述谐振腔内的谐振子，所述谐振子为权利要求1至22任一项所述的谐振子。

24.根据权利要求23所述的腔体滤波器，其特征在于，所述腔体滤波器的第一模式为TE模式，且所述响应单元设置在平行于所述TE模式的电场的平面上。

25.根据权利要求24所述的腔体滤波器，其特征在于，所述谐振子的响应单元位于所附着的介质片表面的部分区域上，所述部分区域的各个点上的磁场沿垂直于所述介质片表面的分量小于预设值。

26.根据权利要求25所述的腔体滤波器，其特征在于，所述介质片表面的部分区域位于所述介质片表面的边缘上。

27.根据权利要求23所述的腔体滤波器，其特征在于，所述腔体滤波器为带通滤波器、带阻滤波器、高通滤波器、低通滤波器或多频段滤波器。

28.一种电磁波设备，其特征在于，包括信号发射模块、信号接收模块以及如权利要求23至27任一项所述的腔体滤波器，所述腔体滤波器的输入端与所述信号发射模块连接，输出端与所述信号接收模块连接。

29.根据权利要求28所述的电磁波设备，其特征在于，所述电磁波设备为基站。

30.根据权利要求29所述的电磁波设备，其特征在于，所述基站包括双工器，所述双工器包括发信带通滤波器和收信带通滤波器，所述发信带通滤波器和收信带通滤波器中至少一个为所述腔体滤波器。

31.根据权利要求28所述的电磁波设备，其特征在于，所述电磁波设备为飞机或雷达或卫星。

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