CN103837839B - 二次电源单粒子效应测试方法 - Google Patents

二次电源单粒子效应测试方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103837839B
CN103837839B CN201210483969.XA CN201210483969A CN103837839B CN 103837839 B CN103837839 B CN 103837839B CN 201210483969 A CN201210483969 A CN 201210483969A CN 103837839 B CN103837839 B CN 103837839B
Authority
CN
China
Prior art keywords
power supply
signal
voltage signal
secondary power
processing module
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201210483969.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN103837839A (zh
Inventor
王群勇
阳辉
陈宇
钟征宇
白桦
陈冬梅
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BEIJING SAN-TALKING TESTING ENGINEERING ACADEMY Co Ltd
Original Assignee
BEIJING SAN-TALKING TESTING ENGINEERING ACADEMY Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BEIJING SAN-TALKING TESTING ENGINEERING ACADEMY Co Ltd filed Critical BEIJING SAN-TALKING TESTING ENGINEERING ACADEMY Co Ltd
Priority to CN201210483969.XA priority Critical patent/CN103837839B/zh
Publication of CN103837839A publication Critical patent/CN103837839A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103837839B publication Critical patent/CN103837839B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Abstract

本发明涉及电源单粒子效应测试技术领域，公开了一种二次电源单粒子效应测试方法，包括：S1、DSP处理模块在接收到控制信号之后，启动A/D转换模块和FPGA模块；S2、A/D转换模块采集被测二次电源所输入的电压信号，并将采集到的电压信号进行模数转换后输入FPGA模块；被测二次电源所输入的电压信号由单粒子照射所触发；S3、FPGA模块将接收到的电压信号进行处理，并根据处理后得到的信号判断被测二次电源所输入的电压信号是否有波动，若是，则将接收到的电压信号输入到DSP处理模块；S4、DSP处理模块对接收到的信号进行处理之后发送给上位机进行显示。本发明能够有效地、灵敏地检测出高密度单粒子对二次电源的影响。

Description

二次电源单粒子效应测试方法
技术领域
本发明涉及电源单粒子效应测试技术领域，特别是涉及一种二次电源单粒子效应测试方法。
背景技术
公开号为CN102332307的中国专利申请中提出了一种测试SRAM型FPGA单粒子效应试验系统及方法，此测试系统包括：单片机处理器、RS232接口电路、USB接口电路、测试FPGA以及存储单元，可以用于SRAM型FPGA的配置存储器和BRAM的故障注入试验，实现SRAM型FPGA的单粒子功能中断检测、单粒子锁定检测和单粒子翻转检测，包括配置存储区、BRAM和触发器的单粒子翻转检测。
类似于上述测试系统的现有技术能够有效地检测出FPGA单粒子效应，但是并不能测试出单粒子对二次电源的影响，并且对于高密度的单粒子流也不能实现实时数据的输出。对于实时性要求高的场所，这种设计不能够满足实际需要。
发明内容
（一）要解决的技术问题
本发明首先要解决的技术问题是：如何设计一种能够灵敏地检测出单粒子对二次电源的影响的系统及方法。
（二）技术方案
为了解决上述技术问题，本发明提供一种二次电源单粒子效应测试方法，包括以下步骤：
S1、DSP处理模块在接收到控制信号之后，启动A/D转换模块和FPGA模块工作；
S2、A/D转换模块采集被测二次电源所输入的电压信号，并将采集到的电压信号进行模数转换后输入FPGA模块；所述被测二次电源所输入的电压信号由单粒子照射所触发；
S3、所述FPGA模块将接收到的电压信号进行处理，并根据处理后得到的信号判断被测二次电源所输入的电压信号是否有波动，若是，则将接收到的电压信号输入到DSP处理模块；
S4、DSP处理模块对接收到的信号进行处理之后发送给上位机进行显示。
优选地，在步骤S3中，若判断被测二次电源所输入的电压信号没有波动，则FPGA模块将接收到的电压信号进行阻断，不发送给DSP处理模块。
优选地，在步骤S3中，所述FPGA模块将接收到的电压信号进行处理，并根据处理后得到的信号判断被测二次电源所输入的电压信号是否有波动的步骤具体为：所述FPGA模块将接收到的电压信号通过编程转化为相应的整型数字信号，将所述整型数字信号与预设的电压值相比较，如果超过预设的电压值，则判定被测二次电源所输入的电压信号有波动。
优选地，步骤S4具体为：DSP处理模块将接收到的信号进行降速处理，并利用FIR滤波器对信号的噪声进行处理，然后发送给所述上位机，所述上位机通过编程将数据通过图形显示出来。
优选地，在步骤S4中，DSP处理模块利用FIR滤波器对信号的噪声进行处理后先输入到DSP处理模块的USB接口的缓冲区，在USB接口的缓冲区被数据填满后触发发送信号中断，然后再将处理后的信号向上位机的传送。
优选地，在步骤S4之后还包括：上位机发送结束信号给DSP处理模块，DSP处理模块接收到结束信号后，将控制关闭的信号输入到FPGA模块和A/D转换模块中，使FPGA模块和A/D转换模块结束工作，等待更换被测二次电源，待被测二次电源换完毕后，通过上位机对DSP处理模块重新发送控制信号，返回步骤S1。
优选地，所述DSP处理模块为TMS320C5535A10芯片。
优选地，所述FPGA模块为PS1SGX10C芯片。
优选地，所述A/D转换模块为ADC081000芯片。
（三）有益效果
上述技术方案具有如下优点：本发明所设计的方法能够有效地、灵敏地检测出高密度单粒子对二次电源的影响，并实时的将数据显示出来，可以给电源设计师提供具有参考数据。
附图说明
图1是本发明的方法总流程图；
图2是本发明的方法的详细流程图；
图3是本发明的系统结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
如图1~图3所示，本发明提供了一种二次电源单粒子效应测试方法，包括以下步骤：
S0、在开始测试之前，先进行相应的初始化操作，上电后DSP处理模块、FPGA模块和A/D转换模块自动完成程序的加载和初始化；
S1、DSP处理模块在接收到控制信号之后，通过程序启动A/D转换模块和FPGA模块工作；
S2、A/D转换模块采集被测二次电源所输入的电压信号，并将采集到的电压信号进行模数转换后输入FPGA模块；所述被测二次电源所输入的电压信号由单粒子照射所触发；
S3、所述FPGA模块将接收到的电压信号进行处理，并根据处理后得到的信号判断被测二次电源所输入的电压信号是否有波动，若是，则将接收到的电压信号输入到DSP处理模块；
在步骤S3中，若判断被测二次电源所输入的电压信号没有波动，则FPGA模块将接收到的电压信号进行阻断，不发送给DSP处理模块。所述FPGA模块将接收到的电压信号进行处理，并根据处理后得到的信号判断被测二次电源所输入的电压信号是否有波动的步骤具体为：所述FPGA模块将接收到的电压信号通过编程转化为相应的整型数字信号，将所述整型数字信号与预设的电压值相比较，如果超过预设的电压值，则判定被测二次电源所输入的电压信号有波动。
S4、DSP处理模块对接收到的信号进行处理之后发送给上位机进行显示。
步骤S4具体为：DSP处理模块将接收到的信号进行降速处理，并利用FIR滤波器对信号的噪声进行处理，然后发送给所述上位机，所述上位机通过编程将数据通过图形显示出来。
在步骤S4中，DSP处理模块利用FIR滤波器对信号的噪声进行处理后先输入到DSP处理模块的USB接口的缓冲区，在USB接口的缓冲区被数据填满后触发发送信号中断，然后再将处理后的信号向上位机的传送。
在步骤S4之后还包括：上位机发送结束信号给DSP处理模块，DSP处理模块接收到结束信号后，将控制关闭的信号输入到FPGA模块和A/D转换模块中，使FPGA模块和A/D转换模块结束工作，等待更换被测二次电源，待被测二次电源换完毕后，通过上位机对DSP处理模块重新发送控制信号，返回步骤S1。
所述DSP处理模块为TMS320C5535A10芯片，可以方便地实现FIR滤波算法，同时满足高速、高可靠的特点。
所述FPGA模块为PS1SGX10C芯片，此芯片包含了10,570个逻辑元件，提供可达3.1875-Gbps的双向数据传输，有效地满足高速采样下数据的处理与传输。
所述A/D转换模块为ADC081000芯片，它的最高采样频率可以达到1.6GSPS，可以满足对被测电源的高速采样要求，有效地观察被测二次电源在单粒子条件下的电压波动。
图3中，电源模块用于给其它模块提供电源，并给A/D转换模块提供基准电压（即所述预设的电压值）。
由以上实施例可以看出，本发明采用了高速数据采样模块及处理芯片，因而可以有效地、灵敏地检测出高密度单粒子对二次电源的影响，并实时的将数据显示出来，可以给电源设计师提供具有参考数据。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和替换，这些改进和替换也应视为本发明的保护范围。

Claims (9)

1.一种二次电源单粒子效应测试方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、DSP处理模块在接收到控制信号之后，启动A/D转换模块和FPGA模块工作；
S2、A/D转换模块采集被测二次电源所输入的电压信号，并将采集到的电压信号进行模数转换后输入FPGA模块；所述被测二次电源所输入的电压信号由单粒子照射所触发；
S3、所述FPGA模块将接收到的电压信号进行处理，并根据处理后得到的信号判断被测二次电源所输入的电压信号是否有波动，若是，则将接收到的电压信号输入到DSP处理模块；
S4、DSP处理模块对接收到的信号进行处理之后发送给上位机进行显示。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤S3中，若判断被测二次电源所输入的电压信号没有波动，则FPGA模块将接收到的电压信号进行阻断，不发送给DSP处理模块。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，在步骤S3中，所述FPGA模块将接收到的电压信号进行处理，并根据处理后得到的信号判断被测二次电源所输入的电压信号是否有波动的步骤具体为：所述FPGA模块将接收到的电压信号通过编程转化为相应的整型数字信号，将所述整型数字信号与预设的电压值相比较，如果超过预设的电压值，则判定被测二次电源所输入的电压信号有波动。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S4具体为：DSP处理模块将接收到的信号进行降速处理，并利用FIR滤波器对信号的噪声进行处理，然后发送给所述上位机，所述上位机通过编程将数据通过图形显示出来。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，在步骤S4中，DSP处理模块利用FIR滤波器对信号的噪声进行处理后先输入到DSP处理模块的USB接口的缓冲区，在USB接口的缓冲区被数据填满后触发发送信号中断，然后再将处理后的信号向上位机传送。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤S4之后还包括：上位机发送结束信号给DSP处理模块，DSP处理模块接收到结束信号后，将控制关闭的信号输入到FPGA模块和A/D转换模块中，使FPGA模块和A/D转换模块结束工作，等待更换被测二次电源，待被测二次电源换完毕后，通过上位机对DSP处理模块重新发送控制信号，返回步骤S1。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述DSP处理模块为TMS320C5535A10芯片。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述FPGA模块为PS1SGX10C芯片。
9.如权利要求1～8中任一项所述的方法，其特征在于，所述A/D转换模块为ADC081000芯片。
CN201210483969.XA 2012-11-23 2012-11-23 二次电源单粒子效应测试方法 Active CN103837839B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210483969.XA CN103837839B (zh) 2012-11-23 2012-11-23 二次电源单粒子效应测试方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210483969.XA CN103837839B (zh) 2012-11-23 2012-11-23 二次电源单粒子效应测试方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103837839A CN103837839A (zh) 2014-06-04
CN103837839B true CN103837839B (zh) 2016-07-06

Family

ID=50801543

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210483969.XA Active CN103837839B (zh) 2012-11-23 2012-11-23 二次电源单粒子效应测试方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103837839B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106855613A (zh) * 2015-12-07 2017-06-16 上海精密计量测试研究所 一种用于二次电源模块单粒子辐射效应测试的装置
CN108226748B (zh) * 2017-12-05 2020-01-31 上海精密计量测试研究所 用于SoC片上系统的单粒子效应测试方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7036059B1 (en) * 2001-02-14 2006-04-25 Xilinx, Inc. Techniques for mitigating, detecting and correcting single event upset effects in systems using SRAM-based field programmable gate arrays
CN1971651A (zh) * 2006-11-30 2007-05-30 浙江大学 一体化自动集成测试系统
CN102332307A (zh) * 2011-07-28 2012-01-25 中国空间技术研究院 Sram型fpga单粒子效应试验系统及方法
CN102332311A (zh) * 2011-10-18 2012-01-25 中国航天科技集团公司第五研究院第五一〇研究所 一种基于fpga的nand flash器件单粒子效应测试方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7673202B2 (en) * 2006-09-28 2010-03-02 Cisco Technology, Inc. Single event upset test circuit and methodology

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7036059B1 (en) * 2001-02-14 2006-04-25 Xilinx, Inc. Techniques for mitigating, detecting and correcting single event upset effects in systems using SRAM-based field programmable gate arrays
CN1971651A (zh) * 2006-11-30 2007-05-30 浙江大学 一体化自动集成测试系统
CN102332307A (zh) * 2011-07-28 2012-01-25 中国空间技术研究院 Sram型fpga单粒子效应试验系统及方法
CN102332311A (zh) * 2011-10-18 2012-01-25 中国航天科技集团公司第五研究院第五一〇研究所 一种基于fpga的nand flash器件单粒子效应测试方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN103837839A (zh) 2014-06-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102945652B (zh) 一种解决显示屏显示异常的方法及系统
CN103440185A (zh) 一种dsp器件单粒子翻转效应检测方法
CN103837839B (zh) 二次电源单粒子效应测试方法
CN104459493A (zh) 一种开关柜局部放电在线监测系统
CN103645794A (zh) 一种通过边沿检测电路实现睡眠模式唤醒的芯片及方法
CN106019350A (zh) 一种核脉冲信号采集装置及系统
CN103049361A (zh) 具有嵌入式逻辑分析功能的fpga及逻辑分析系统
CN107102713A (zh) 一种降低功耗的方法及装置
CN206057425U (zh) 容限范围可调的直流电压检测系统
CN102650564B (zh) 振动试验开环状态快速判断方法及保护装置
CN104914359B (zh) 变压器套管局部放电检测装置和方法
US10184963B2 (en) Power quality diagnosis for power conditioning
CN109766028B (zh) 一种红外触摸屏触控分管系统和方法
CN205160355U (zh) 一种浪涌保护电路、igbt电路和加热器
CN103344893A (zh) 基于变频串联谐振耐压试验的分布式电缆局放测量方法
CN203433507U (zh) 一种计算机主板的故障检测装置
CN105973997A (zh) 一种超声波收发器
CN207216012U (zh) 一种电压波动与闪变检测装置
CN205941462U (zh) 一种基于振动响应分析的gis盆式绝缘子裂纹损伤的无损检测系统
CN205375020U (zh) 一种双电机过载自动切换系统
CN102788943A (zh) 一种局部放电在线监测数据的自动侦测方法
CN203385640U (zh) 微粉粒度检测系统
CN208012754U (zh) 一种适用于光纤振动传感的数据采集卡
CN203027290U (zh) 计算机网络安全控制系统
CN203658992U (zh) 一种计算机取证装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant