CN103809111B - 芯片的测试电路及其测试方法 - Google Patents

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Abstract

一种芯片的测试电路，包括：电源电压提供单元，适于获得核心电源电压；输入焊盘，适于输入基准电压；电压比较单元，适于获得所述核心电源电压和基准电压的电压值比较结果；输出焊盘，适于输出所述电压值比较结果。本发明技术方案提供的测试电路可以直接通过输出焊盘输出基准电压和核心电源电压的电压值比较结果，通过电压值比较结果可以获得核心电源电压的电压值。这样无需降低芯片的电源电压，芯片的核心电路使用核心电源电压进行测试，并且也无需检测核心电源电压的电压值，只需在电压值比较结果发生变化时进行测试，这对于在有限量测硬件单元和低端测试机上可以实现高速高效的同测方案，极大的提高了检测效率。

Description

芯片的测试电路及其测试方法
技术领域
本发明涉及集成电路领域，尤其涉及一种芯片的测试电路及其测试方法。
背景技术
影响SoC设计成败的因素很多，影响SoC良率的关键因素已经成为嵌入式Flash的良率问题。为了提高嵌入式Flash的良率，保证Flash核心电路（IP核）的性能和可测性，需要从测试入手，通过外部设备高效的测试嵌入式Flash。
对SoC芯片进行测试，实质上是对嵌入式FlashIP核的测试。在IC设计之初，就需要对嵌入式FlashIP核的性能进行测试、分析与论证，保证芯片满足实际需要。
FlashIP核的电源电压由低压差线性稳压器（lowdropoutregulator，LDO）提供，LDO根据芯片的电源电压产生稳定的FlashIP核的电源电压，当芯片的电源电压发生变化时，LDO可以维持FlashIP核的电源电压不变。
为了测试FlashIP核在不同电源电压下的性能，现有技术存在一种停止使用LDO（bypassLDO）输出FlashIP核的电源电压的测试方法，即直接使用芯片的电源电压为FlashIP核供电，通过改变芯片的电源电压达到改变FlashIP核的电源电压的目的。为了防止FlashIP核被过高的电源电压损坏，就需要降低芯片的电源电压。但是，降低芯片的电源电压会降低芯片的IO（外围）电路的驱动能力。
发明内容
本发明解决的问题是，现有FlashIP核的测试方法会降低芯片的IO电路的驱动能力。
为解决上述问题，本发明提供一种芯片的测试电路，包括：
电源电压提供单元，适于获得核心电源电压；
输入焊盘，适于输入基准电压；
电压比较单元，适于获得所述核心电源电压和基准电压的电压值比较结果；
输出焊盘，适于输出所述电压值比较结果。
所述芯片的测试电路还包括：性能测试单元，适于检测所述芯片的核心电路在所述核心电源电压下的性能参数。
所述芯片为Flash，所述性能参数为所述核心电路在所述核心电源电压下进行擦除、写或读取操作时的性能参数。
所述电源电压提供单元为LDO电路。
所述电源电压提供单元适于根据所述芯片的电源电压获得核心电源电压。
本发明还提供一种使用上述芯片的测试电路的测试方法，包括：
对输入焊盘施加基准电压；
改变电源电压提供单元获得的核心电源电压的电压值；
检测输出焊盘输出的电压值比较结果；
在当前电压值比较结果较前一电压值比较结果发生变化时，检测所述芯片的核心电路在所述核心电源电压下的性能参数。
所述电压值比较结果包括第一阈值和第二阈值，所述当前电压值比较结果较前一电压值比较结果发生变化包括：当前电压值为第一阈值且前一电压值比较结果为第二阈值，或者当前电压值为第二阈值且前一电压值比较结果为第一阈值。
所述芯片为Flash，所述性能参数为所述核心电路在所述核心电源电压下进行擦除、写或读取操作时的性能参数。
所述电源电压提供单元为LDO电路，所述改变所述电源电压提供单元获得的核心电源电压的电压值包括：使用所述LDO电路的校正功能改变所述核心电源电压的电压值。
所述测试方法还包括：在当前电压值比较结果较前一电压值比较结果未发生变化时，继续改变所述核心电源电压的电压值。
与现有技术相比，本发明技术方案提供的测试电路可以直接通过输出焊盘输出基准电压和核心电源电压的电压值比较结果，通过电压值比较结果可以获得核心电源电压的电压值。在当前电压值比较结果较前一电压值比较结果发生变化时，即核心电源电压与输出基准电压的电压值相等，检测所述芯片的核心电路的性能参数。这样无需降低芯片的电源电压，芯片的核心电路使用核心电源电压进行测试，并且也无需检测核心电源电压的电压值，只需在电压值比较结果发生变化时进行测试，这对于在有限量测硬件单元和低端测试机上可以实现高速高效的同测方案，极大的提高了检测效率。
附图说明
图1是本发明实施例的测试电路的一结构示意图；
图2是本发明实施例的测试电路的另一结构示意图；
图3是本发明实施例的测试方法的流程示意图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
如图1所示，本发明实施例提供一种芯片的测试电路，包括：电源电压提供单元11、输入焊盘12、电压比较单元13和输出焊盘14。
电源电压提供单元11适于获得核心电源电压Vdd。输入焊盘12适于输入基准电压Vpp。电压比较单元13适于获得所述核心电源电压Vdd和基准电压Vpp的电压值比较结果V1。输出焊盘14适于输出所述电压值比较结果V1。
电源电压提供单元11可以根据所述芯片的电源电压VDD获得核心电源电压Vdd。电源电压提供单元11可以为LDO电路，所述LDO电路具有校正（trimming）功能。本实施例所述的LDO电路及其校正功能的具体实现方式可以参考现有技术，此处不再赘述。
电压比较单元13可以为电压比较器或多路选择器。电压比较单元13输出的电压值比较结果V1可以为第一阈值或第二阈值。第一阈值和第二阈值可以分别为逻辑1或逻辑0。逻辑1和逻辑0可以分别表示核心电源电压Vdd的电压值大于基准电压Vpp的电压值和核心电源电压Vdd的电压值小于基准电压Vpp的电压值。
本实施例所述芯片的测试电路可以集成在所述芯片中，输入焊盘12和输出焊盘14可以采用所述芯片的IO焊盘实现。
如图2所示，本实施例的测试电路还可以包括性能测试单元15。性能测试单元15适于检测所述芯片的核心电路16在核心电源电压Vdd下的性能参数。所述芯片可以为Flash，所述性能参数可以为Flash核心电路在所述核心电源电压Vdd下进行擦除、写或读取操作时的性能参数。
如图3所示，本发明实施例还提供一种使用上述测试电路的测试方法，所述测试方法包括：
步骤S1，对输入焊盘施加基准电压；
步骤S2，改变电源电压提供单元获得的核心电源电压的电压值；
步骤S3，检测输出焊盘输出的电压值比较结果；
步骤S4，判断当前电压值比较结果较前一电压值比较结果是否发生变化；
若发生变化，则执行步骤S5检测所述芯片的核心电路在所述核心电源电压下的性能参数；
若未发生变化，则继续执行步骤S2。
在步骤S1中，所述基准电压与预测试的核心电路的电源电压的电压值相等。为了测试芯片的核心电路在不同电源电压下的性能，可以对输入焊盘施加多个具有不同电压值的基准电压。
例如，预测试芯片的核心电路在1.35V和1.65V下的性能，则对输入焊盘分别施加1.35V和1.65V的基准电压；若只需测试芯片的核心电路在1.35V下的性能，也可以只对输入焊盘分别施加1.35V的基准电压。
电源电压提供单元可以为LDO电路，在步骤S2中，使用所述LDO电路的校正功能改变所述核心电源电压的电压值。
在步骤S3中，检测到的电压值比较结果可以包括第一阈值和第二阈值。所述第一阈值和第二阈值可以分别为逻辑1和逻辑0。逻辑1和逻辑0可以分别表示核心电源电压Vdd的电压值大于基准电压Vpp的电压值和核心电源电压Vdd的电压值小于基准电压Vpp的电压值。例如，逻辑1表示核心电源电压Vdd的电压值大于基准电压Vpp的电压值，逻辑0表示核心电源电压Vdd的电压值小于基准电压Vpp的电压值。
所述当前电压值比较结果较前一电压值比较结果发生变化包括：当前电压值为第一阈值且前一电压值比较结果为第二阈值，或者当前电压值为第二阈值且前一电压值比较结果为第一阈值。例如，在当前电压值比较结果为逻辑1且前一电压值比较结果为逻辑0时，当前电压值比较结果较前一电压值比较结果发生变化。
当前电压值比较结果较前一电压值比较结果发生变化表示电源电压提供单元获得的核心电源电压的电压值与基准电压的电压值相等，此时执行步骤S5，检测所述芯片的核心电路在所述核心电源电压下的性能参数。
当前电压值比较结果较前一电压值比较结果未发生变化表示电源电压提供单元获得的核心电源电压的电压值与基准电压的电压值不相等，此时继续执行步骤S2，改变电源电压提供单元获得的核心电源电压的电压值。
使用LDO电路校正功能输出的核心电源电压的电压值通常是不准确的，所以，现有技术为了保证LDO输出电压的准确性，通常需要频繁测试LDO的输出电压。采用本发明提供的测试电路进行测试，无需检测电源电压提供单元获得的核心电源电压的电压值，只需在电压值比较结果发生变化时进行核心电路的测试，极大的提高了检测效率。
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (5)

1.一种使用芯片的测试电路的测试方法，所述芯片的测试电路包括：电源电压提供单元，适于获得核心电源电压；输入焊盘，适于输入基准电压；电压比较单元，适于获得所述核心电源电压和基准电压的电压值比较结果；输出焊盘，适于输出所述电压值比较结果；其特征在于，所述测试方法包括：
对输入焊盘施加基准电压；
改变电源电压提供单元获得的核心电源电压的电压值；
检测输出焊盘输出的电压值比较结果；
在当前电压值比较结果较前一电压值比较结果发生变化时，检测所述芯片的核心电路在所述核心电源电压下的性能参数。
2.如权利要求1所述的测试方法，其特征在于，所述电压值比较结果包括第一阈值和第二阈值，所述当前电压值比较结果较前一电压值比较结果发生变化包括：当前电压值比较结果为第一阈值且前一电压值比较结果为第二阈值，或者当前电压值比较结果为第二阈值且前一电压值比较结果为第一阈值。
3.如权利要求1所述的测试方法，其特征在于，所述芯片为Flash，所述性能参数为所述核心电路在所述核心电源电压下进行擦除、写或读取操作时的性能参数。
4.如权利要求1所述的测试方法，其特征在于，所述电源电压提供单元为LDO电路，所述改变所述电源电压提供单元获得的核心电源电压的电压值包括：使用所述LDO电路的校正功能改变所述核心电源电压的电压值。
5.如权利要求1所述的测试方法，其特征在于，还包括：在当前电压值比较结果较前一电压值比较结果未发生变化时，继续改变所述核心电源电压的电压值。
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