CN103804085B - 一种哈密瓜栽培基质及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种哈密瓜栽培基质,包括以下体积百分比的原料:树皮40%~60%,滤泥10%~30%,炭灰10%~30%,木糠10%~30%。本发明先用木糠和滤泥混合并加入好氧发酵菌发酵一段时间,再与树皮混合发酵,加入树皮之后有利于滤泥和木糠的更好的发酵,最后与炭灰混合得到哈密瓜栽培基质,用本发明的哈密瓜栽培基质培育的种苗成活率高、长势好;利用的树皮和木糠是生产加工产生的有机固体废弃物,不仅解决了有机固体废弃物料的处理问题,还更加环保,同时降低了生产成本;哈密瓜栽培基质制备工艺简单、操作方便、适宜推广应用。

Description

一种哈密瓜栽培基质及其制备方法
技术领域
本发明涉及农业育苗栽培技术领域,尤其涉及一种哈密瓜栽培基质及其制备方法。
背景技术
我国开发用于哈密瓜的栽培基质大多为有机无机复合基质,或为配方较复杂、以草炭为主要成分的复合基质,使用成本较高。常用的栽培基质中大多以草炭作为主要原料,而草炭主要产于我国东北,受地域限制且为不可再生资源,原料的开采加工对环境造成了很大的破坏和污染,使用草炭成本较高过度开采必然会造成资源枯竭,破坏生态平衡。针对以上问题,寻找一种新型的基质代替不可再生资源是十分必要的。目前,我国正在研究的新型栽培基质,主要以农业生产的废弃物作为目标筛选基质,其优势是成本低、材料合成本土化,是经济型、可再生型、环保型的有机栽培基质。
发明内容
鉴于上述问题,本发明要解决的技术问题在于提供一种哈密瓜栽培基质,为改善土壤环境,为栽培植物提供丰富、全面的营养元素,同时充分利用加工木材过程中产生的废弃物—树皮作为基质的主要原料,使资源得到充分的利用。
为实现上述发明目的,本发明的技术方案:
一种哈密瓜栽培基质,包括以下体积百分比的原料:树皮40%~60%,滤泥10%~30%,炭灰10%~30%,木糠10%~30%。
优选的是,所述的哈密瓜栽培基质,其特征在于,包括以下体积百分比的原料:树皮50%,滤泥20%,炭灰15%,木糠15%。
优选的是,所述的树皮长度为5cm以下,所述的树皮为松树树皮。
一种哈密瓜栽培基质的制备方法,包括如下步骤:
(1)将滤泥和木糠混合均匀,然后加入好氧发酵菌,条垛式或大堆在温度为60~65℃条件下发酵35~45天,得到混合发酵物;
(2)将树皮与步骤(1)制得的混合发酵物混合均匀,条垛式或大堆在温度为60~65℃条件下发酵40~50天,至含水量为15~30%,得到生物基料;
(3)将步骤(2)中的生物基料与炭灰混合均匀得到哈密瓜栽培基质。
优选的是,所述步骤(1)和(2)发酵期间,每隔4~6天翻动一次。
优选的是,所述的好氧发酵菌为VT发酵菌、EM发酵菌中的一种或两种,其用量为木糠质量的0.05~0.1%。
本发明的有益效果:
(1)先用木糠和滤泥混合并加入好氧发酵菌发酵一段时间,再与树皮混合发酵,加入树皮之后有利于滤泥和木糠的更好的发酵,最后与炭灰混合得到哈密瓜栽培基质,用本发明的哈密瓜栽培基质培育的种苗成活率高、长势好。
(2)利用的树皮和木糠是生产加工产生的有机固体废弃物,不仅解决了有机固体废弃物料的处理问题,还更加环保,同时降低了生产成本。
(3)基质制备工艺简单、操作方便、适宜推广应用。
具体实施方式
以下参照具体实施方式来进一步描述本发明,以令本领域技术人员参照说明书文字能够据以实施,本发明保护范围并不受制于本发明的实施方式。
实施例1
一种哈密瓜栽培基质,包括以下体积百分比的原料:树皮50%,树皮长度为5cm以下,滤泥20%,炭灰15%,木糠15%。
一种哈密瓜栽培基质的制备方法,包括如下步骤:
(1)按配比准备生产哈密瓜栽培基质的原料
(2)将滤泥和木糠混合均匀,然后加入好氧发酵菌,条垛式或大堆在温度为60℃条件下发酵40天,得到混合发酵物;
(3)将树皮与步骤(2)制得的混合发酵物混合均匀,条垛式或大堆在温度为60℃条件下发酵45天,至含水量为26%,得到生物基料;
(4)将步骤(3)中的生物基料与炭灰混合均匀得到哈密瓜栽培基质。
实施例2
一种哈密瓜栽培基质,包括以下体积百分比的原料:树皮40%,树皮长度为5cm以下,滤泥30%,炭灰20%,木糠10%。
一种哈密瓜栽培基质的制备方法,包括如下步骤:
(1)按配比准备生产哈密瓜栽培基质的原料
(2)将滤泥和木糠混合均匀,然后加入好氧发酵菌,条垛式或大堆在温度为62℃条件下发酵45天,得到混合发酵物;
(3)将树皮与步骤(2)制得的混合发酵物混合均匀,条垛式或大堆在温度为60℃条件下发酵50天,至含水量为15%,得到生物基料;
(4)将步骤(3)中的生物基料与炭灰混合均匀得到哈密瓜栽培基质。
实施例3
一种哈密瓜栽培基质,包括以下体积百分比的原料:树皮45%,树皮长度为5cm以下,滤泥25%,炭灰15%,木糠15%。
一种哈密瓜栽培基质的制备方法,包括如下步骤:
(1)按配比准备生产哈密瓜栽培基质的原料
(2)将滤泥和木糠混合均匀,然后加入好氧发酵菌,条垛式或大堆在温度为65℃条件下发酵50天,得到混合发酵物;
(3)将树皮与步骤(2)制得的混合发酵物混合均匀,条垛式或大堆在温度为60℃条件下发酵50天,至含水量为30%,得到生物基料;
(4)将步骤(3)中的生物基料与炭灰混合均匀得到哈密瓜栽培基质。
实施例4
一种哈密瓜栽培基质,包括以下体积百分比的原料:树皮60%,树皮长度为5cm以下,滤泥10%,炭灰10%,木糠20%。
一种哈密瓜栽培基质的制备方法,包括如下步骤:
(1)按配比准备生产哈密瓜栽培基质的原料
(2)将滤泥和木糠混合均匀,然后加入好氧发酵菌,条垛式或大堆在温度为60℃条件下发酵45天,得到混合发酵物;
(3)将树皮与步骤(2)制得的混合发酵物混合均匀,条垛式或大堆在温度为61℃条件下发酵40天,至含水量为28%,得到生物基料;
(4)将步骤(3)中的生物基料与炭灰混合均匀得到哈密瓜栽培基质。
实施例5
一种哈密瓜栽培基质,包括以下体积百分比的原料:树皮55%,树皮长度为5cm以下,滤泥25%,炭灰10%%,木糠10%%。
一种哈密瓜栽培基质的制备方法,包括如下步骤:
(1)按配比准备生产哈密瓜栽培基质的原料
(2)将滤泥和木糠混合均匀,然后加入好氧发酵菌,条垛式或大堆在温度为65℃条件下发酵45天,得到混合发酵物;
(3)将树皮与步骤(2)制得的混合发酵物混合均匀,条垛式或大堆在温度为65℃条件下发酵45天,至含水量为30%,得到生物基料;
(4)将步骤(3)中的生物基料与炭灰混合均匀得到哈密瓜栽培基质。
使用情况:
按照实施例1-5分别制备出了基质1、基质2、基质3、基质4、基质5。
实施例1-5的哈密瓜栽培基质与常规栽培基质(含草炭)的各项物化参数及所栽培的哈密瓜幼苗的生长指标(除了基质不同,其他栽培条件完全相同)对照,如表1:
表1的数据表明,本发明的哈密瓜栽培基质的有机质含量、饱和持水量(保水性能)均高于常规基质。而且,使用本发明的哈密瓜栽培基质所栽培的哈密瓜幼苗的生长指标和常规基质的哈密瓜生长指标相近,成活率较高。
尽管本发明的实施方案已公开如上,但其并不仅仅限于说明书和实施方式中所列运用,它完全可以被适用于各种适合本发明的领域,对于熟悉本领域的人员而言,可容易地实现另外的修改,因此在不背离权利要求及等同范围所限定的一般概念下,本发明并不限于特定的细节和这里示出与描述的实施例。

Claims (6)

1.一种哈密瓜栽培基质,其特征在于,由以下体积百分比的原料组份组成:树皮40%~60%,滤泥10%~30%,炭灰10%~30%,木糠10%~30%。
2.根据权利要求1所述的哈密瓜栽培基质,其特征在于,由以下体积百分比的原料组份组成:树皮50%,滤泥20%,炭灰15%,木糠15%。
3.根据权利要求2所述的哈密瓜栽培基质,其特征在于,所述的树皮长度为5cm以下,所述的树皮为松树树皮。
4.一种如权利要求1所述哈密瓜栽培基质的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1)将滤泥和木糠混合均匀,然后加入好氧发酵菌,条垛式或大堆在温度为60~65℃条件下发酵35~45天,得到混合发酵物;
(2)将树皮与步骤(1)制得的混合发酵物混合均匀,条垛式或大堆在温度为60~65℃条件下发酵40~50天,至含水量为15~30%,得到生物基料;
(3)将步骤(2)中的生物基料与炭灰混合均匀得到哈密瓜栽培基质。
5.根据权利要求4所述的哈密瓜栽培基质的制备方法,其特征在于,步骤(1)和(2)发酵期间,每隔4~6天翻动一次。
6.根据权利要求4所述的哈密瓜栽培基质的制备方法,其特征在于,所述的好氧发酵菌为VT发酵菌、EM发酵菌中的一种或两种,其用量为木糠质量的0.05~0.1%。
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