发明内容
本发明的目的是为了克服现有技术中的不足之处,提供一种使用成本低,遇到瞬间强光照射时能延时熄灭,节能环保的变频LED感应驱动器。
为了达到上述目的,本发明采用以下方案:
一种变频LED感应驱动器,其特征在于:包括能防止LED灯在遇到瞬间强光照射时立即熄灭的延时熄灭和光控休眠电路,还包括有当物体触发感应延时开关时能使LED灯加亮照明的LED变频控制电路,还包括有根据环境的光照度能使非光照度监控电路在白天或光照强时处于休眠状态的光控休眠控制电路。
如上所述的一种变频LED感应驱动器,其特征在于所述延时熄灭和光控休眠电路为与非门延时休眠电路,所述与非门延时休眠电路包括有光敏电阻CDS,所述光敏电阻CDS上串接有与非门U1A,在所述与非门U1A一端上串接有与非门U1B,在所述与非门U1B上串接有二极管D1,在所述二极管D1一端上串接有与非门U1C,在所述与非门U1C输入端上连接有电阻R2,在所述电阻R2上并接有电容C1,所述电阻R2一端与光敏电阻CDS相连接,在所述与非门U1C输出端上串接有电阻R4,在所述电阻R4一端上连接有三极管Q3,在所述三极管Q3的集电极上串接有电阻R5,在所述电阻R5一端上串接有三极管Q4,在所述三极管Q4的基极上串接有二极管Z1,所述二极管Z1的一端与三极管Q3的发射极相连接,在所述三极管Q3上并接有电容C2,所述电容C2并接在二极管Z1两端上,在所述三极管Q4的发射极上连接有天线电源接口,在所述与非门U1C输入端上连接与非门U1D,在所述与非门U1D的输出端上连接有电阻R3,在所述电阻R3一端上连接有三极管Q2,在所述三极管Q2的集电极上连接有发光LED,在所述三极管Q2的集电极与发射极之间并接二极管D3,所述三极管Q2的发射极与光敏电阻CDS相连接,所述发光二极管与电容C5并联。
如上所述的一种变频LED感应驱动器,其特征在于在所述与非门U1D与三极管Q2之间串接有二极管D2。
如上所述的一种变频LED感应驱动器,其特征在于在所述三极管Q2上连接有三极管Q1,所述三极管Q1的基极与二极管D2相连接,所述三极管Q1的发射极与三极管Q2的基极相连接,所述三极管Q1的集电极与三极管Q2的集电极相连接。
如上所述的一种变频LED感应驱动器,其特征在于所述延时熄灭和光控休眠电路为非门延时休眠电路,所述非门延时休眠电路包括有光敏电阻CDS,所述光敏电阻CDS上串接有非门U1A,在所述非门U1A一端上串接有非门U1B,在所述非门U1B上串接有二极管D1,在所述二极管D1一端上串接有非门U1C,在所述非门U1C输入端上连接有电阻R2,在所述电阻R2上并接有电容C1,所述电阻R2一端与光敏电阻CDS相连接,在所述非门U1C输出端上串接有电阻R4,在所述电阻R4一端上连接有三极管Q3,在所述三极管Q3的集电极上串接有电阻R5,在所述电阻R5一端上串接有三极管Q4,在所述三极管Q4的基极上串接有二极管Z1,所述二极管Z1的一端与三极管Q3的发射极相连接,在所述三极管Q3上并接有电容C2,所述电容C2并接在二极管Z1两端上,在所述三极管Q4的发射极上连接有天线电源接口,在所述非门U1C输入端上连接非门U1D,在所述非门U1D的输出端上连接有电阻R3,在所述电阻R3一端上连接有三极管Q2,在所述三极管Q2的集电极上连接有发光LED,在所述三极管Q2的集电极与发射极之间并接二极管D3,所述三极管Q2的发射极与光敏电阻CDS相连接,所述发光二极管与电容C5并联。
如上所述的一种变频LED感应驱动器,其特征在于在所述非门U1D与三极管Q2之间串接有二极管D2。
如上所述的一种变频LED感应驱动器,其特征在于在所述三极管Q2上连接有三极管Q1,所述三极管Q1的基极与二极管D2相连接,所述三极管Q1的发射极与三极管Q2的基极相连接,所述三极管Q1的集电极与三极管Q2的集电极相连接。
如上所述的一种变频LED感应驱动器,其特征在于所述光控休眠控制电路包括有与光敏电阻CDS一端连接的三极管Q1,在所述三极管Q1的的集电极上连接有电阻R3,在所述电阻R3一端与三极管Q2的集电极相连接,在所述三极管Q1的集电极与电阻R3之间设有电容C1和二极管Z1,所述三极管Q2的基极上和发射极上连接有二极管Z2,在所述三极管Q2的集电极上连接有电阻R5,所述电阻R5的一端上与三极管Q3的集电极相连接,所述三极管Q3的基极与三极管Q2的集电极相连接,在所述三极管Q3的发射极与二极管Z2之间串接有电容C2和电容C3,在所述三极管Q3的发射极与天线电源接口相连接,在所述三极管Q3的发射极与电容C3之间分别设有电阻R6和电阻R7,所述电阻R7一端与三极管Q4的基极相连接,在所述三极管Q4的集电极上连接有发光LED,在所述发光LED上并接有电容C5,在所述电容C5与三极管Q4的发射极上串接有二极管D2。
如上所述的一种变频LED感应驱动器,其特征在于所述光控休眠控制电路包括有与光敏电阻CDS一端连接的三极管Q1,在所述三极管Q1的的集电极上连接有电阻R3,在所述电阻R3一端与三极管Q2的集电极相连接,在所述电阻R3与三极管Q2的基极之间设有电容C1和二极管Z1,所述三极管Q2的基极上和发射极上连接有二极管Z2,在所述三极管Q2的集电极上连接有电阻R5,所述电阻R5的一端上与三极管Q3的集电极相连接,所述三极管Q3的基极与三极管Q2的集电极相连接,在所述三极管Q3的发射极与二极管Z2之间串接有电容C2和电容C3,在所述三极管Q3的发射极与天线电源接口相连接,在所述三极管Q3的发射极与电容C3之间分别设有电阻R6和电阻R7,所述电阻R7一端与三极管Q4的基极相连接,在所述三极管Q4的集电极上连接有发光LED,在所述发光LED上并接有电容C5,在所述电容C5与三极管Q4的发射极上串接有二极管D2。
如上所述的一种变频LED感应驱动器,其特征在于所述LED加亮变频控制电路包括有光耦U1,所述光耦U1输入端上通过电阻R1与信号输入端相连接,在所述光耦U1上连接有MOS管,在所述MOS管上串有电阻S2,在所述电阻S2,MOS管上并接有电阻S1,在所述电阻S2一端上串接有恒流控制集成电路U2,在所述光耦U1输入端上连接有二极管Z1和电阻R3,所述二极管Z1和电阻R3分别于电阻S1相连接。
综上所述,本发明相对于现有技术其有益效果是:
本发明中白天或光照强时本发明驱动器处于低功耗休眠状态,晚上或光照度弱时,变频LED感应驱动器,实现30%左右的低亮度照明,当有物体在延时感应开关的感应区内移动式或噪声的级别达到了设定的级别,变频感应开关触发,通过改变在LED恒流驱动采样电路的阻值,改变采样参数,调节变频感应驱动器的振荡频率,实现LED灯变频加亮照明,在此延时时间段内,LED足功率照明。物体离开延时开关的感应区或噪声的级别没有达到计定的级别,延时之后,恒流LED驱动器恢复到原取样参数,振荡频率恢复到暗亮时的频率,LED灯为暗亮状态。采用光感电阻识别昼夜或光照强度,白天关闭部分控制电路,使其进入休眠状态,晚上开启电源进入工作状态。这样可以及时开启和关闭LED灯并且晚上在满足加亮照明的条件下,实现提供高亮度照明。方便人们的出行,晚上无人时LED灯暗亮,节约电能。
具体实施方式
下面结合附图说明和具体实施方式对本发明作进一步描述:
如图1至15所示的一种变频LED感应驱动器,包括能防止LED灯在遇到瞬间强光照射时立即熄灭的延时熄灭和光控休眠电路1,还包括有当物体触发感应开关时能使LED灯加亮照明的LED加亮控制电路2,还包括有能使光控电路在白天或光照强时处于休眠状态的光控休眠控制电路3。
本发明中所述延时熄灭和光控休眠电路1的第一种实施方式,如图1所示,所述延时熄灭和光控休眠电路1为与非门延时休眠电路,所述与非门延时休眠电路包括有光敏电阻CDS,所述光敏电阻CDS上串接有与非门U1A,在所述与非门U1A一端上串接有与非门U1B,在所述与非门U1B上串接有二极管D1,在所述二极管D1一端上串接有与非门U1C,在所述与非门U1C输入端上连接有电阻R2,在所述电阻R2上并接有电容C1,所述电阻R2一端与光敏电阻CDS相连接,在所述与非门U1C输出端上串接有电阻R4,在所述电阻R4一端上连接有三极管Q3,在所述三极管Q3的集电极上串接有电阻R5,在所述电阻R5一端上串接有三极管Q4,在所述三极管Q4的基极上串接有二极管Z1,所述二极管Z1的一端与三极管Q3的发射极相连接,在所述三极管Q3上并接有电容C2,所述电容C2并接在二极管Z1两端上,在所述三极管Q4的发射极上连接有天线电源接口4,在所述与非门U1C输入端上连接与非门U1D,在所述与非门U1D的输出端上连接有电阻R3,在所述电阻R3一端上连接有三极管Q2,在所述三极管Q2的集电极上连接有发光LED5,在所述发光LED并联电容C5,在所述三极管Q2的集电极与发射极之间并接二极管D3,所述三极管Q2的发射极与光敏电阻CDS相连接。
本发明中所述延时熄灭和光控休眠电路1的第二种实施方式,如图2所示,在图1所述电路的基材上,本发明在所述与非门U1D与三极管Q2之间串接有二极管D2,所述的二极管D2设置在与非门U1D与电阻R3之间。
本发明中所述延时熄灭和光控休眠电路1的第三种实施方式,如图3所示,在图1所述电路的基材上,本发明在所述与非门U1D与三极管Q2之间串接有二极管D2,所述的二极管D2设置在三极管Q2与电阻R3之间。
本发明中所述延时熄灭和光控休眠电路1的第四种实施方式,如图4所示,在图1的电路基础上,本发明中在所述三极管Q2上连接有三极管Q1,所述三极管Q1的基极与二极管Z1相连接,所述三极管Q1的发射极与三极管Q2的基极相连接,所述三极管Q1的集电极与三极管Q2的集电极相连接。
本发明中所述延时熄灭和光控休眠电路1的第五种实施方式,如图5所示,在图2的电路基础上,本发明中在所述三极管Q2上连接有三极管Q1,所述三极管Q1的基极与二极管Z1相连接,所述三极管Q1的发射极与三极管Q2的基极相连接,所述三极管Q1的集电极与三极管Q2的集电极相连接。
本发明中所述延时熄灭和光控休眠电路1的第六种实施方式,如图6所示,在图3的电路基础上,本发明中在所述三极管Q2上连接有三极管Q1,所述三极管Q1的基极与二极管Z1相连接,所述三极管Q1的发射极与三极管Q2的基极相连接,所述三极管Q1的集电极与三极管Q2的集电极相连接。
本发明中与非门LED延时、休眠电路为LED灯开、关电路,在白天和强光照射时,光敏电阻CDS处于低阻状态,与非门U1A输入端处于低电平,输出端为高电平,与非门U1B输出低电平,与非门U1C输出高电平,U1C通过R4驱动三极管Q3,三极管Q3导通,三极管Q4的基极为低电平0V,三极管Q4截止,三极管Q4发射极无电压输出,此电源为雷达天线、延时开关非光照度监控电路供电,由于关闭了电源,这些电路进入休眠状态。与非门U1D输入端为高电平,输出则为低电平,三极管Q1和Q2组成的达林顿管或单三极管Q2截止,LED灯处于关闭状态。在晚上和弱光照射时,光敏电阻CDS处于高阻状态,与非门U1A输入端处于高电平,输出端为低电平,与非门U1B输出高电平,UIB通过二极管D2给电容C1充电,电阻R2为放电电阻,与非门U1C输出低电平,三极管Q3截止,三极管Q4的基极为高电平,三极管Q4导通,输出电源,此电源给雷达天线、延时开关非光照度监控电路供电,接通了电源,这些电路进入了工作状态。与非门U1D输入端为低电平,输出则为高电平,驱动三极管Q1和Q2组成的达林顿管或单三极管Q2导通,LED灯亮。如果,光敏电阻受到瞬间强光照射或天亮了,由于C1中充了电,U1C的输入端维持高电平,与非门U1D输出高电平,LED灯继续处于开启状态,只有当C1通过R2放电,直到U1C的输入端的电平跌至低电平,LED灯才熄灭即延时熄灭功能。
本发明所述延时熄灭和光控休眠电路1的第七种实施方式,如图7所示,所述延时熄灭和光控休眠电路1为非门延时休眠电路,所述非门延时休眠电路包括有光敏电阻CDS,所述光敏电阻CDS上串接有非门U1A,在所述非门U1A一端上串接有非门U1B,在所述非门U1B上串接有二极管D1,在所述二极管D1一端上串接有非门U1C,在所述非门U1C输入端上连接有电阻R2,在所述电阻R2上并接有电容C1,所述电阻R2一端与光敏电阻CDS相连接,在所述非门U1C输出端上串接有电阻R4,在所述电阻R4一端上连接有三极管Q3,在所述三极管Q3的集电极上串接有电阻R5,在所述电阻R5一端上串接有三极管Q4,在所述三极管Q4的基极上串接有二极管Z1,所述二极管Z1的一端与三极管Q3的发射极相连接,在所述三极管Q3上并接有电容C2,所述电容C2并接在二极管Z1两端上,在所述三极管Q4的发射极上连接有天线电源接口4,在所述非门U1C输入端上连接非门U1D,在所述非门U1D的输出端上连接有电阻R3,在所述电阻R3一端上连接有三极管Q2,在所述三极管Q2的集电极上连接有发光LED5,在所述三极管Q2的集电极与发射极之间并接二极管D3,所述三极管Q2的发射极与光敏电阻CDS相连接。
本发明所述延时熄灭和光控休眠电路1的第八种实施方式,如图8所示,在图7的电路基础上,本发明中在所述非门U1D与三极管Q2之间串接有二极管D2,所述的二极管D2设置在非门U1D与电阻R3之间。
本发明中所述延时熄灭和光控休眠电路1的第九种实施方式,如图9所示,在图7所述电路的基材上,本发明在所述非门U1D与三极管Q2之间串接有二极管D2,所述的二极管D2设置在三极管Q2与电阻R3之间。
本发明中所述延时熄灭和光控休眠电路1的第十种实施方式,如图10所示,在图7的电路基础上,本发明中在所述三极管Q2上连接有三极管Q1,所述三极管Q1的基极与二极管Z1相连接,所述三极管Q1的发射极与三极管Q2的基极相连接,所述三极管Q1的集电极与三极管Q2的集电极相连接。
本发明中所述延时熄灭和光控休眠电路1的第十一种实施方式,如图11所示,在图8的电路基础上,本发明中在所述三极管Q2上连接有三极管Q1,所述三极管Q1的基极与二极管Z1相连接,所述三极管Q1的发射极与三极管Q2的基极相连接,所述三极管Q1的集电极与三极管Q2的集电极相连接。
本发明中所述延时熄灭和光控休眠电路1的第十二种实施方式,如图12所示,在图9的电路基础上,本发明中在所述三极管Q2上连接有三极管Q1,所述三极管Q1的基极与二极管Z1相连接,所述三极管Q1的发射极与三极管Q2的基极相连接,所述三极管Q1的集电极与三极管Q2的集电极相连接。
本发明中非门LED延时、休眠电路为LED灯开、关电路,在白天和强光照射时,光敏电阻CDS处于低阻状态,非门U1A输入端处于低电平,输出端为高电平,非门U1B输出低电平,非门U1C输出高电平,U1C通过R4驱动三极管Q3,三极管Q3导通,三极管Q4的基极为低电平0V,三极管Q4截止,三极管Q4发射极无电压输出,此电源为雷达天线、延时开关非光照度监控电路供电,由于关闭了电源,这些电路进入休眠状态。非门U1D输入端为高电平,输出则为低电平,三极管Q1和Q2组成的达林顿管或单三极管Q2截止,LED灯处于关闭状态。电阻R6输出端为低电平,将热释红外控制电路、声光控控制电路的光敏电阻检测端设置成禁止触发状态,保证热释放红外控制电路、声光控等延时开关控制电路在白天或光照度足够时,禁止触发。在晚上和弱光照射时,光敏电阻CDS处于高阻状态,非门U1A输入端处于高电平,输出端为低电平,非门U1B输出高电平,UIB通过二极管D2给电容C1充电,电阻R2为放电电阻,非门U1C输出低电平,三极管Q3截止,三极管Q4的基极处于高电平,三极管Q4导通,输出电源,此电源给雷达天线供电、延时开关中非光照度监控电路供电,由于开启了电源,这些电进入工作状态。电阻R5输出端为高电平,光敏电阻CDS检测端为高电平,热释红外控制电路、声光控延时控制等延时开关控制电路允许触发。这个状态下,非门U1D输入端为低电平,输出则为高电平,驱动三极管Q1和Q2组成的达林顿管或单三极管Q2导通,LED灯处于开启状态。如果,光敏电阻受到瞬间强光照射或天亮了,由于C1中充了电,U1C的输入端继续维持高电平,非门输出高电平,LED灯维持在开启状态,C1通过R2放电,直到U1C的输入端电平跌至低电平,LED灯才熄灭,即延时熄灭功能。
本发明所述光控休眠控制电路3的第一种实施方法,如图13所示,所述光控休眠控制电路3包括有与光敏电阻CDS一端连接的三极管Q1,在所述三极管Q1的的集电极上连接有电阻R3,在所述电阻R3一端与三极管Q2的集电极相连接,在所述三极管Q1的集电极与电阻R3之间设有电容C1和二极管Z1,所述三极管Q2的基极上和发射极上连接有二极管Z2,在所述三极管Q2的集电极上连接有电阻R5,所述电阻R5的一端上与三极管Q3的集电极相连接,所述三极管Q3的基极与三极管Q2的集电极相连接,在所述三极管Q3的发射极与二极管Z2之间串接有电容C2和电容C3,在所述三极管Q3的发射极与天线电源接口4相连接,在所述三极管Q3的发射极与电容C3之间分别设有电阻R6和电阻R7,所述电阻R7一端与三极管Q4的基极相连接,在所述三极管Q4的集电极上连接有发光LED5,在所述发光LED5上并接有电容C5,在所述电容C5与三极管Q4的发射极上串接有二极管D2。
本发明所述光控休眠控制电路3的第二种实施方法,如图14所示,所述光控休眠控制电路3包括有与光敏电阻CDS一端连接的三极管Q1,在所述三极管Q1的的集电极上连接有电阻R3,在所述电阻R3一端与三极管Q2的集电极相连接,在所述电阻R3与三极管Q2的基极之间设有电容C1和二极管Z1,所述三极管Q2的基极上和发射极上连接有二极管Z2,在所述三极管Q2的集电极上连接有电阻R5,所述电阻R5的一端上与三极管Q3的集电极相连接,所述三极管Q3的基极与三极管Q2的集电极相连接,在所述三极管Q3的发射极与二极管Z2之间串接有电容C2和电容C3,在所述三极管Q3的发射极与天线电源接口4相连接,在所述三极管Q3的发射极与电容C3之间分别设有电阻R6和电阻R7,所述电阻R7一端与三极管Q4的基极相连接,在所述三极管Q4的集电极上连接有发光LED5,在所述发光LED5上并接有电容C5,在所述电容C5与三极管Q4的发射极上串接有二极管D2。
本发明中在白天或强光照度时,光敏电阻为低电阻值,Q1截止,Q1的集电极为高电平,通过R3限流,三极管Q2饱和导通,三极管Q3无电源输出,关闭变频LED驱动器非光照度监控电路的电源,使变频LED感应驱动进入休眠状态。在夜间或光照度弱时,光敏电阻为高电阻值,Q1饱和导通,Q1的集电极为低电平,三极管Q2截止,三极管Q3导通,输出电源,启动变频LED驱动器。为了防止瞬间的强光,如雷电光或汽车照明灯等强光照射到变频LED灯,导致变频LED灯熄灭,电阻R2对C1充电,由于C1的电压不能跳变,所用RC充电延时时间,延时之后关闭电源,防止灯瞬间熄灭。稳压二级管Z1保护三极管Q1,防止电容的电源冲击损坏。
如图15所示,本发明中所述LED加亮控制电路2包括有光耦U1,所述光耦U1输入端上通过电阻R1与信号输入端6相连接,在所述光耦U1上连接有MOS管,在所述MOS管上串有电阻S2,在所述电阻S2,MOS管上并接有电阻S1,在所述电阻S2一端上串接有恒流控制集成电路U2,在所述光耦U1输入端上连接有二极管Z1和电阻R3,所述二极管Z1和电阻R3分别于电阻S1相连接。
本发明中晚上或光亮度弱时,雷达线路和延时开关的所有电路处于工作状态,如果感应区内有人走动或物体移动、噪声级别大于设定值,允许触发控制电路,红外热释放控制电路、声控等电子延时开关输出高电平信号,通过电阻R1施加给光耦的输入端,光耦的输出端导通,MOS管导通,电阻S2并入电流采样电路中,电阻S2与采样电阻S1并联,采样电阻值减小,恒流控制集成电路U2改变振荡频率,加大恒流的电流输出值,LED灯加亮。经过延时时间后,控制信号转为低电平,光耦的输出端截止,电阻S2从采样电路中移除,采样电流值恢复到暗亮水平,LED暗亮。
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解,本发明不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理,在不脱离本发明精神和范围的前提下,本发明还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。