CN103743789B - Mems传感器 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了MEMS传感器,属于微机械传感器的技术领域。所述传感器包括三层单晶硅片制成的基板,第二空腔、第一通孔、第三空腔、第二通孔构成气体流通的唯一路径,在气体流通路径中最狭窄的部位布局测量电阻以及加热电阻,提高了微机械传感器的灵敏度。利用这种微机械传感器可测量降水粒子。
Description
技术领域
本发明公开了MEMS传感器,属于微机械传感器的技术领域。
背景技术
测量降水是气象测量中重要的组成部分。传统的测量降水的方法主要使用翻斗式或量筒式雨量计。但传统雨量计存在浸润误差,当仅有少量降水粒子时,浸润误差可能使得仪器不能发现降水粒子。同时传统雨量计不能测量雨滴的质量,也不能区分雨滴或者冰雹。
现在的基于光学散射原理的雨滴谱仪,可以测量雨滴的质量,也可以避免浸润误差。但这种雨滴谱仪价格昂贵,难以大规模使用,其生产工艺也与微电子工艺不兼容。基于光学原理的仪器还容易受到周围环境的影响,例如灰尘遮挡住镜头,会对测量产生影响。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对上述背景技术的不足,提供了MEMS传感器。
本发明为实现上述发明目的采用如下技术方案:
MEMS传感器,包括:单晶硅片制成的第一基板、第二基板、第三基板,第三基板为具有三层基板的微机械传感器的底座,第二基板置于第三基板上方且与第三基板连接,第一基板置于第二基板上方且与第二基板连接,其中,
第一基板经过MEMS工艺处理得到开口向上的第一空腔以及开口向下的第二空腔,所述第一空腔与所述第二空腔之间的部分第一基板构成第一膜片,
第二基板开有第一通孔,第一通孔与所述第二空腔连通,
第三基板经过MEMS工艺处理得到开口向上的第三空腔以及开口向下的第四空腔,所述第三空腔与所述第四空腔之间的部分第三基板构成第二膜片,所述第二膜片上开有第二通孔,所述第三空腔与所述第一通孔连通,所述第二膜片上固定有加热电阻、分别置于加热电阻两侧的第一测量电阻、第二测量电阻。
作为MEMS传感器的进一步优化方法,所述第二膜片朝向第三空腔的表面上有一层隔热层,所述加热电阻、第一测量电阻、第二测量电阻固定在隔热层的有限区间上,有限区间从第二空腔与第一通孔的连通处到第二通孔。
作为MEMS传感器的进一步优化方案,所述具有三层基板的微机械MEMS传感器上固定有烘干电阻。
本发明采用上述技术方案,具有以下有益效果:
(1)不仅可以测量粒子质量,还能分辨粒子相态;
(2)传感器使用MEMS工艺,成本较低,工艺质量易于控制,工艺兼容性好,减小了传感器体积;
(3)三层基板结构可以避免粒子撞击膜片时,膜片对测量电阻以及加热电阻的损坏;
(4)固定测量电阻以及加热电阻的膜片有隔热层,有效降低电阻散热,降低传感器功耗,防止漏电;
(5)第一膜片与第二基板的距离缩短,使第二基板可以更好的提供过载保护,提高传感器的可靠性;
(6)利用三层基板以及空腔结构构建气体流通的唯一路径,在气体流通路径中最狭窄的部位布局测量电阻以及加热电阻,提高了微机械传感器的灵敏度。
附图说明
图1为测量粒子的微机械传感器的结构图。
图中标号说明:101、第一基板,102、第一膜片,103、第一空腔,104、第二空腔,201、第二基板,202、第一通孔,301、第三基板,302、第三空腔,303、第四空腔,304、第二膜片,305、第一测量电阻,306、加热电阻,307、第二测量电阻,308、第二通孔,309、焊盘,310、烘干电阻。
具体实施方式
下面结合附图对发明的技术方案进行详细说明:
如图1所示的MEMS传感器,包括:单晶硅片制成的第一基板101、第二基板201、第三基板301,第三基板301为MEMS微机械传感器的底座,第二基板201置于第三基板301上方且与第三基板301连接,第一基板101置于第二基板201上方且与第二基板201连接。
第一基板101经过MEMS工艺处理得到开口向上的第一空腔103以及开口向下的第二空腔104,第一空腔103与第二空腔104之间的部分第一基板构成第一膜片102,
第二基板201开有第一通孔202,第一通孔202与第二空腔104连通。
第三基板301经过MEMS工艺处理得到开口向上的第三空腔302以及开口向下的第四空腔303,第三空腔302与第四空腔303之间的部分第三基板构成第二膜片304,第二膜片304上开有第二通孔308,第二空腔302与第一通孔202连通,第二膜片304上固定有加热电阻306、分别置于加热电阻306两侧的第一测量电阻305、第二测量电阻307。第一空腔103、第一通孔202、第二空腔302、第二通孔308构成气体流动的唯一通道。
由于第一基板101使用第一空腔103和第二空腔104,使得第一膜片102与第二基板201的距离缩短,使第二基板201可以更好的提供过载保护,提高传感器的可靠性。
第二基板201与第三空腔302之间形成的狭窄通道,提高了气体流动速度,进而提高微机械传感器测量流速的灵敏度。第二膜片304的作用是降低狭窄通道内热量的散发,提高微机械传感器测量流速的灵敏度。为了进一步降低狭窄通道内热量的散发,第二膜片304与第三空腔302的接触面上有一层隔热层,隔热层的材料可选聚酰亚胺、二氧化硅。加热电阻306、第一测量电阻305、第二测量电阻307固定在隔热层上。同时由于单晶硅片表面的自然氧化层的厚度只有纳米级,第一测量电阻305、加热电阻306、第二测量电阻307直接和单晶硅片接触,容易漏电,设置隔热层还可以防止漏电。
加热电阻306、第一测量电阻305、第二测量电阻307固定在第二膜片304的有限区间上,有限区间从第三空腔302和第一通孔202连通处到第二通孔308:当第一通孔202在左侧时,第一测量电阻305、加热电阻306、第二测量电阻307在第一通孔202的右侧,同时又位于第二通孔308的左侧;当第一通孔202在右侧时,第一测量电阻305、加热电阻306、第二测量电阻307在第一通孔202的左侧,同时又位于第二通孔308的右侧。
加热电阻306可以起到烘干微机械传感器的作用,但由于体积比较小,功率不高,因此需要增加一个或多个烘干电阻310,进一步烘干微机械传感器。烘干电阻310可以设置在微机械传感器的第一基板101,或者第二基板201,或者第三基板301上。在本实施例中,设置了一个烘干电阻310,烘干电阻310设置在第三基板301上。
在传感器制备过程中,需要制备焊盘309,本实施例将焊盘309制备在第三基板301上,并在第一基板101和第二基板201上分别制备一个通孔,便于焊接引线。在制备时,第一基板101、第二基板201、第三基板301的长度相同,三个基板采用用圆片级封装,可以提高封装加工效率。
在本发明中,提供制备焊盘309的备选方案:采用圆片级封装制备第一基板101和第二基板201,第三基板301采用芯片级封装单独制备。第三基板301为微机械传感器的底座,将焊盘309、第二基板201分别置于第三基板301上方与第三基板301连接,并且避免焊盘309与第二基板201接触。第一基板101置于第二基板201上方且与第二基板201连接。该备选方案第一基板101、第二基板201和第三基板301的长度不同,节约了材料。在大规模生产时,第一基板101和第二基板201采用圆片级封装,第三基板301则需要采用芯片级封装,会降低封装加工效率。
利用具有三层基板的微机械传感器测量粒子的方法,利用如下原理:粒子撞击第一膜片102时,第一膜片102会上下地振动。第一膜片102的振动导致狭窄通道内的气流流速发生改变,气体的流动会使第一测量电阻305、第二测量电阻307上的温度不同。由于温度变化会导致第一测量电阻305、第二测量电阻307上的电压发生改变,因此可根据第一测量电阻305、第二测量电阻307的电压差来测量粒子。
测量第一测量电阻305和第二测量电阻307的电压差可使用电桥测量、模数转换器测量等多种测量方法。本实施例中采用电桥的方法来测量电压差,从而测量粒子。利用具有三层基板的微机械传感器测量粒子的方法,包括如下步骤:
步骤1,对加热电阻306施加电压;
步骤2,在没有粒子撞击第一膜片102时,测量第一测量电阻305、第二测量电阻307的电压差U0;
步骤3,继续测量第一测量电阻305、第二测量电阻307的电压差U1,比较电压差U1和电压差U0的幅值,如电压差U1与电压差U0的幅值不相等,则判断有降水粒子。
步骤4,根据电压差U1,测量降水粒子:
步骤4.1:根据电压差U1的幅值来测量粒子的质量:粒子撞击第一膜片102时,由于不同粒子的质量不同,第一膜片102上下振动的程度也会不同。导致第一测量电阻305、第二测量电阻307上的电压差U1的幅值不同,因此可根据电压差U1的幅值来测量粒子的质量。
步骤4.2:根据电压差U1的频率来测量粒子的相态:固态粒子和液态粒子撞击第一膜片102时,其撞击方式不同,分别为弹性碰撞和非弹性碰撞,从而第一膜片102上下振动的频率不同,导致第一测量电阻305、第二测量电阻307上的电压差U1的变化频率不同,因此可以根据电压差U1的正负变化频率来测量粒子的相态。
综上所述,本发明具有以下有益效果:
(1)不仅可以测量粒子质量,还能分辨粒子相态;
(2)传感器使用MEMS工艺,成本较低,工艺质量易于控制,工艺兼容性好,减小了传感器体积;
(3)三层基板结构可以避免粒子撞击膜片时,膜片对测量电阻以及加热电阻的损坏;
(4)固定测量电阻以及加热电阻的膜片有隔热层,有效降低电阻散热,降低传感器功耗,防止漏电;
(5)第一膜片与第二基板的距离缩短,使第二基板可以更好的提供过载保护,提高传感器的可靠性;
(6)利用三层基板以及空腔结构构建气体流通的唯一路径,在气体流通路径中最狭窄的部位布局测量电阻以及加热电阻,提高了微机械传感器的灵敏度。
Claims (3)
1.MEMS传感器,包括:第一基板(101)、第二基板(201)、第三基板(301),第三基板(301)为MEMS传感器的底座,第二基板(201)置于第三基板(301)上方且与第三基板(301)连接,第一基板(101)置于第二基板(201)上方且与第二基板(201)连接,
其特征在于,
第一基板(101)、第二基板(201)、第三基板(301)由单晶硅片制成,
第一基板(101)经过MEMS工艺处理得到开口向上的第一空腔(103)以及开口向下的第二空腔(104),所述第一空腔(103)与所述第二空腔(104)之间的部分第一基板构成第一膜片(102),
第二基板(201)开有第一通孔(202),第一通孔(202)与所述第二空腔(104)连通,
第三基板(301)经过MEMS工艺处理得到开口向上的第三空腔(302)以及开口向下的第四空腔(303),所述第三空腔(302)与所述第四空腔(303)之间的部分第三基板构成第二膜片(304),所述第二膜片(304)上开有第二通孔(308),所述第三空腔(302)与所述第一通孔(202)连通,所述第二膜片(304)上固定有加热电阻(306)、分别置于加热电阻(306)两侧的第一测量电阻(305)、第二测量电阻(307)。
2.根据权利要求1所述的MEMS传感器,其特征在于,所述第二膜片(304)朝向第三空腔(302)的表面有一层隔热层,所述加热电阻(306)、第一测量电阻(305)、第二测量电阻(307)固定在隔热层的有限区间上,有限区间从第三空腔(302)与第一通孔(202)的连通处到第二通孔(308)。
3.根据权利要求1或2所述的MEMS传感器,其特征在于,所述MEMS传感器上固定有烘干电阻(310)。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201410001233.3A CN103743789B (zh) | 2014-01-03 | 2014-01-03 | Mems传感器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201410001233.3A CN103743789B (zh) | 2014-01-03 | 2014-01-03 | Mems传感器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103743789A CN103743789A (zh) | 2014-04-23 |
CN103743789B true CN103743789B (zh) | 2016-03-23 |
Family
ID=50500827
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201410001233.3A Expired - Fee Related CN103743789B (zh) | 2014-01-03 | 2014-01-03 | Mems传感器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN103743789B (zh) |
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C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
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