CN103743254B - 基板加热装置和方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种基板加热装置,包括加热炉、置放在该加热炉中的平台和置放在平台上待加热的基板,以及设置在基板上方用于加热基板的多个间隔设置的加热器,还包括分别固定在多个加热器上方反射片,以及固定在加热炉的炉壁的内表面上用于控制反射片转动的转动控制器。本发明还公开了一种基板加热方法。采用本发明所公开的方案,使基板上各区域的温度达到均匀,从而实现了精确控制基板温度的均匀性。
Description
技术领域
本发明涉及液晶显示技术领域,尤其涉及一种加热装置和方法。
背景技术
目前,通过大世代高温炉对基板进行加热时,通过设置在加热炉内不同区域的加热器对基板的不同受热点进行加热,并通过对每个加热器的功率进行独立控制,以调整基板加热温度的均匀性,达到使基板各区域温度基本均匀的效果。但是,这种只通过加热器对基板温度均匀性进行控制的方法,只能使基板各区域的温度基本均匀,而不能达到对基板温度均匀性进行精确控制的效果。
上述内容仅用于辅助理解本发明的技术方案,并不代表承认上述内容是现有技术。
发明内容
本发明的主要目的在于提供加热装置和方法,旨在精确控制基板温度的均匀性,使基板各区域温度达到均匀。
为实现上述目的,本发明提供的一种基板加热装置,包括加热炉、置放在该加热炉中的平台和置放在平台上待加热的基板,以及设置在所述基板上方用于加热基板的多个间隔设置的加热器,还包括分别固定在多个所述加热器上方的反射片,以及固定在所述加热炉的炉壁的内表面上用于控制所述反射片转动的转动控制器。
优选地,基板加热装置还包括设置在所述加热炉的炉壁外侧的多个测温控制器,该测温控制器用于测量多个所述加热器在基板上的受热点的加热温度,所述测温控制器通过测温线与所述基板连接。
优选地,所述转动控制器通过转动控制线与对应的测温控制器连接,根据所述测温控制器发送的控制信号控制对应的反射片的转动角度。
优选地,所述平台上设置有用于将所述基板定位在所述加热器的加热区域范围内的支撑脚。
本发明进一步提供一种基板加热方法,包括以下步骤:
加热器对置放在平台上的基板进行加热;
测温控制器测量对应的加热器在基板上的受热点的加热温度,根据该加热温度得到基板的温度均匀性,根据所述温度均匀性生成控制信号,并反馈至转动控制器;
转动控制器根据所述控制信号控制反射片转动相应的角度,以调整所述基板的温度均匀性。
优选地,所述测温控制器测量对应的加热器在基板上的受热点的加热温度,根据该加热温度得到基板的温度均匀性,根据所述温度均匀性生成控制信号,并反馈至转动控制器的步骤包括:
测温控制器通过测温线测量对应的加热器在基板上的受热点的加热温度,将该加热温度转换成相应的电信号;
将转换后的所述加热温度输出,并接收根据所述加热温度计算出的基板的温度均匀性,根据该温度均匀性生成控制所述反射片转动的控制信号;
通过转动控制线将生成的所述控制信号反馈至所述转动控制器。
优选地,在所述转动控制器根据所述控制信号控制反射片转动相应的角度的步骤之后,还包括步骤:
反射片根据所述转动控制器的控制,转动相应的角度,将所述加热器的上方发出的热量反射至所述基板上相应的位置,调整所述基板的温度均匀性。
优选地,在所述加热器对置放在平台上的基板进行加热的步骤之前,还包括步骤:
将基板置放在平台上,通过所述平台上设置的支撑脚将所述基板定位在所述加热器的加热区域范围内。
本发明通过在多个加热器上方固定用于将加热器上方产生的热量反射至基板上相应的位置的反射片,以及在加热炉的炉壁内侧上固定用于控制反射片转动的转动控制器,当通过测温控制器检测到每个加热器在基板上的受热点的加热温度后,计算基板的温度均匀性,测温控制器根据该温度均匀性产生控制信号反馈至转动控制器,转动控制器根据该控制信号控制反射片的转动角度,以使基板上各区域的温度达到均匀,从而实现了精确控制基板温度的均匀性。
附图说明
图1为本发明基板加热装置一实施例的流程示意图;
图2为本发明基板加热方法第一实施例的流程示意图;
图3为本发明基板加热方法中测温控制器反馈控制信号至转动控制器的流程示意图;
图4为本发明基板加热方法第二实施例的流程示意图;
图5为本发明基板加热方法第三实施例的流程示意图。
本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例,参照附图做进一步说明。
具体实施方式
应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
本发明提供一种基板加热装置。
参照图1,图1为图1为本发明基板加热装置一实施例的流程示意图。
在一实施例中,该基板加热装置包括加热炉10、平台20和待加热的基板30,以及多个加热器40。其中,基板30置放在平台20上,平台20和基板30置放在加热炉10中;多个加热器40间隔设置在加热炉10中,并位于基板30的上方,通过这多个加热器40对基板30进行加热,加热器40的间隔距离可以根据实际需要设置为等间距,也可以设置为非等间距,保证通过多个加热器40的加热区域范围能够覆盖整个基板30的表面。本实施例中,平台20上设置有支撑脚(图中未示出),当基板30置放在平台20上后,通过该支撑脚对基板30进行定位,即将基板30固定在加热器40的加热区域范围内。在本实施例中,基板加热装置还包括反射片50和转动控制器60,反射片50的数量与加热器40的数量相对应,并且分别固定在多个加热器40上方,用于将加热器40上方产生的热量反射至基板30上相应的位置;转动控制器60固定在加热炉10的炉壁内侧上,用于控制反射片50转动。
在本实施例中,基板加热装置还包括测温控制器70,该测温控制器70的数量与加热器40的数量对应,该测温控制器70设置在加热炉10的炉壁外侧,分别通过测温线71连接在基板30上对每个加热器40加热区域的受热点,每个测温控制器70用于测量与其对应的加热器40在基板30上的受热点的加热温度,并根据计算出的温度均匀性产生控制信号反馈至转动控制器60,该控制信号用于指示反射片50需要转动的角度;转动控制器60通过转动控制线61与对应的测温控制器70连接,在接收到测温控制器70发送的控制信号后,根据该控制信号控制对应的反射片50的转动角度。
在对置放在平台20上的待加热的基板30进行加热时,首先通过设置在基板30上方的多个加热器40进行加热,通过测温线71与基板30的连接,测温控制器70检测每个加热器40在基板30上的受热点的加热温度,并将所测量到的加热温度输出至计算装置,供计算装置根据加热温度计算基板30的温度均匀性。在计算装置计算出温度均匀性后,会向相应的测温控制器70发送计算的结果,而测温控制器70接收到温度均匀性后,生成一用于控制转动控制器60的控制信号并反馈至转动控制器60,以供转动控制器60根据该控制信号控制反射片50的转动角度,以通过反射片50反射相应的加热器40上方产生的热量,使基板30上温度较低的位置得到补充,从而使基板30的温度更为均匀。
本实施例通过在多个加热器40上方固定用于将加热器40上方产生的热量反射至基板30上相应的位置的反射片50,以及在加热炉10的炉壁内侧上固定用于控制反射片50转动的转动控制器60,当通过测温控制器70检测到每个加热器40在基板30上的受热点的加热温度后,计算基板30的温度均匀性,测温控制器70根据该温度均匀性产生控制信号反馈至转动控制器60,转动控制器60根据该控制信号控制反射片50的转动角度,以使基板30上各区域的温度达到均匀,从而实现了精确控制基板30温度的均匀性。
本发明还提供一种基板加热方法。
参照图2,图2为本发明基板加热方法第一实施例的流程示意图。
在一实施例中,该基板加热方法包括:
步骤S10,加热器对置放在平台上的基板进行加热;
在对置放在平台20上的待加热的基板30进行加热时,首先通过设置在基板30上方的多个加热器40进行加热。本实施例中,多个加热器40间隔设置在加热炉10中,并位于基板30的上方,通过这多个加热器40对基板30进行加热,加热器40的间隔距离可以根据实际需要设置为等间距,也可以设置为非等间距,保证通过多个加热器40的加热区域范围能够覆盖整个基板30的表面。
步骤S20,测温控制器测量对应的加热器在基板上的受热点的加热温度,根据该加热温度得到基板的温度均匀性,根据温度均匀性生成控制信号,并反馈至转动控制器;
在加热器40对基板30加热的过程中,通过测温线71与基板30的连接,测温控制器70检测每个加热器40在基板30上的受热点的加热温度,当测温控制器70根据该加热温度得到温度均匀性后,根据该温度均匀性生成一用于控制转动控制器60的控制信号并反馈至转动控制器60,以供转动控制器60根据该控制信号控制反射片50的转动角度。本实施例中,测温控制器70的数量与加热器40的数量对应,测温控制器70设置在加热炉10的炉壁外侧,分别通过测温线71连接在基板30上对每个加热器40加热区域的受热点。
请一并参照图3,图3为本发明基板加热方法中测温控制器反馈控制信号至转动控制器的流程示意图。
在本实施例中,步骤S20具体包括:
步骤S21,测温控制器通过测温线测量对应的加热器在基板上的受热点的加热温度,将该加热温度转换成相应的电信号;
通过测温控制器70对应检测每个加热器40在基板30上的受热点处的加热温度,并将该加热温度转换成相应的电信号,以将加热温度以电信号的形式输出至用于计算温度均匀性的计算装置,本实施例中,该计算装置可以为与多个测温控制器70连接并且可相互通信的电脑或计算机等。
步骤S22,将转换后的加热温度输出,并接收根据加热温度计算出的基板的温度均匀性,根据该温度均匀性生成控制反射片转动的控制信号;
步骤S23,通过转动控制线将生成的控制信号反馈至转动控制器。
测温控制器70将加热温度转换成的电信号输出至计算装置,计算装置根据加热温度计算基板30的温度均匀性,在计算机计算出温度均匀性后,会向相应的测温控制器70发送计算的结果,而测温控制器70接收到基板30的温度均匀性后,根据该温度均匀性生成控制反射片50转动的控制信号,并通过转动控制线61将生成的控制信号反馈至转动控制器60,该控制信号用于转动控制器60反射片50需要转动的角度。
步骤S30,转动控制器根据控制信号控制反射片转动相应的角度,以调整基板的温度均匀性。
在转动控制器60接收到测温控制器70发送的控制信号后,根据该控制信号控制对应的反射片50的转动角度,以通过反射片50反射相应的加热器40上方产生的热量,使基板30上温度较低的位置得到补充,从而使基板30的温度更为均匀。
本实施例通过在多个加热器40上方固定用于将加热器40上方产生的热量反射至基板30上相应的位置的反射片50,以及在加热炉10的炉壁内侧上固定用于控制反射片50转动的转动控制器60,当通过测温控制器70检测到每个加热器40在基板30上的受热点的加热温度后,计算基板30的温度均匀性,测温控制器70根据该温度均匀性产生控制信号反馈至转动控制器60,转动控制器60根据该控制信号控制反射片50的转动角度,以使基板30上各区域的温度达到均匀,从而实现了精确控制基板30温度的均匀性。
参照图4,图4为本发明基板加热方法第二实施例的流程示意图。
在本发明基板加热方法第一实施例的基础上,执行步骤S30之后,还包括:
步骤S40,反射片根据转动控制器的控制,转动相应的角度,将加热器的上方发出的热量反射至基板上相应的位置,调整基板的温度均匀性。
本实施例中,在转动控制器60接收到测温控制器70发送的控制信号后,根据该控制信号控制反射片50,而反射片50根据转动控制器60的控制,转动所设定的相应的角度,将加热器40的上方所发出的热量反射至基板30上需要进行温度补充的位置,以使基板30的温度更为均匀,从而达到调整基板30的温度均匀性的效果。
参照图5,图5为本发明基板加热方法第三实施例的流程示意图。
在本发明基板加热方法第一实施例的基础上,执行步骤S10之前,还包括:
步骤S50,将基板置放在平台上,通过平台上设置的支撑脚将基板定位在加热器的加热区域范围内。
本实施例中,在通过加热器40对基板30进行加热前,首先将基板30置放在平台20上,并且通过设置在平台20上的支撑脚对基板30进行定位,即将基板30固定在加热器40的加热区域范围内,使得基板30的固定更为牢靠。
以上仅为本发明的优选实施例,并非因此限制本发明的专利范围,凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其他相关的技术领域,均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (4)
1.一种基板加热装置,包括加热炉、置放在该加热炉中的平台和置放在平台上待加热的基板,以及设置在所述基板上方用于加热基板的多个间隔设置的加热器,其特征在于,还包括分别固定在多个所述加热器上方的反射片,以及固定在所述加热炉的炉壁的内表面上用于控制所述反射片转动的转动控制器;
所述基板加热装置还包括设置在所述加热炉的炉壁外侧的多个测温控制器,该测温控制器用于测量多个所述加热器在基板上的受热点的加热温度,所述测温控制器通过测温线与所述基板连接;
所述转动控制器通过转动控制线与对应的测温控制器连接,根据所述测温控制器发送的控制信号控制对应的反射片的转动角度。
2.如权利要求1所述的基板加热装置,其特征在于,所述平台上设置有用于将所述基板定位在所述加热器的加热区域范围内的支撑脚。
3.一种基于权利要求1所述的基板加热装置的基板加热方法,其特征在于,包括以下步骤:
加热器对置放在平台上的基板进行加热;
测温控制器测量对应的加热器在基板上的受热点的加热温度,根据该加热温度得到基板的温度均匀性,根据所述温度均匀性生成控制信号,并反馈至转动控制器;
转动控制器根据所述控制信号控制反射片转动相应的角度,以调整所述基板的温度均匀性;
所述测温控制器测量对应的加热器在基板上的受热点的加热温度,根据该加热温度得到基板的温度均匀性,根据所述温度均匀性生成控制信号,并反馈至转动控制器的步骤包括:
测温控制器通过测温线测量对应的加热器在基板上的受热点的加热温度,将该加热温度转换成相应的电信号;
将转换后的所述加热温度输出,并接收根据所述加热温度计算出的基板的温度均匀性,根据该温度均匀性生成控制所述反射片转动的控制信号;
通过转动控制线将生成的所述控制信号反馈至所述转动控制器;
在所述转动控制器根据所述控制信号控制反射片转动相应的角度的步骤之后,还包括步骤:
反射片根据所述转动控制器的控制,转动相应的角度,将所述加热器的上方发出的热量反射至所述基板上相应的位置,调整所述基板的温度均匀性。
4.如权利要求3所述的基板加热方法,其特征在于,在所述加热器对置放在平台上的基板进行加热的步骤之前,还包括步骤:
将基板置放在平台上,通过所述平台上设置的支撑脚将所述基板定位在所述加热器的加热区域范围内。
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Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI601926B (zh) * | 2014-10-24 | 2017-10-11 | Dong-Ming Li | Increase the number of independent temperature control within the pre-baking oven structure |
CN113539893A (zh) * | 2021-05-11 | 2021-10-22 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种用于半导体工艺腔室的加热装置和半导体设备 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101748390A (zh) * | 2008-12-18 | 2010-06-23 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 加热装置及半导体加工设备 |
CN102576676A (zh) * | 2009-10-09 | 2012-07-11 | 应用材料公司 | 用于改善控制加热和冷却基板的设备与方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2878191A (en) * | 1956-10-22 | 1959-03-17 | Dow Chemical Co | Non-corrodent aqueous media |
US4319125A (en) * | 1979-07-20 | 1982-03-09 | Prince Fred J | Infra-red radiant heater system |
JPS6451619A (en) * | 1987-08-21 | 1989-02-27 | Dainippon Screen Mfg | Heat treatment equipment for substrate |
US5889258A (en) * | 1996-12-12 | 1999-03-30 | Lubomirski; Dimitri | High temperature heating apparatus |
US6080965A (en) * | 1997-09-18 | 2000-06-27 | Tokyo Electron Limited | Single-substrate-heat-treatment apparatus in semiconductor processing system |
JP2000058423A (ja) * | 1998-08-12 | 2000-02-25 | Toshiba Corp | 熱処理方法及び熱処理装置 |
US6191399B1 (en) * | 2000-02-01 | 2001-02-20 | Asm America, Inc. | System of controlling the temperature of a processing chamber |
CN1453526A (zh) * | 2002-04-26 | 2003-11-05 | 葛贤育 | 自然对焦的太阳能聚光加热装置 |
CN101008074A (zh) * | 2006-01-24 | 2007-08-01 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 加热装置及采用该加热装置的真空镀膜设备 |
US7725012B2 (en) * | 2007-01-19 | 2010-05-25 | Asm America, Inc. | Movable radiant heat sources |
US7501292B2 (en) * | 2007-07-19 | 2009-03-10 | Asm Japan K.K. | Method for managing UV irradiation for curing semiconductor substrate |
US7933059B2 (en) * | 2007-11-16 | 2011-04-26 | Silicon Quest Kabushiki-Kaisha | Mirror device accommodated by liquid-cooled package |
US8426778B1 (en) * | 2007-12-10 | 2013-04-23 | Novellus Systems, Inc. | Tunable-illumination reflector optics for UV cure system |
TWI494174B (zh) * | 2012-05-16 | 2015-08-01 | Kern Energy Entpr Co Ltd | 基板表面處理設備 |
-
2013
- 2013-12-31 CN CN201310752561.2A patent/CN103743254B/zh active Active
-
2014
- 2014-01-13 US US14/235,797 patent/US20150226487A1/en not_active Abandoned
- 2014-01-13 WO PCT/CN2014/070503 patent/WO2015100790A1/zh active Application Filing
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101748390A (zh) * | 2008-12-18 | 2010-06-23 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 加热装置及半导体加工设备 |
CN102576676A (zh) * | 2009-10-09 | 2012-07-11 | 应用材料公司 | 用于改善控制加热和冷却基板的设备与方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20150226487A1 (en) | 2015-08-13 |
CN103743254A (zh) | 2014-04-23 |
WO2015100790A1 (zh) | 2015-07-09 |
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