CN103730522A - 光电转换结构、应用其的太阳能电池及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种光电转换结构、应用其的太阳能电池及其制造方法，所述光电转换结构包含基板、第一半导体结构与第二半导体结构。基板具有两相对的第一表面与第二表面。第一表面具有多个微米结构以及多个纳米结构。纳米结构分布于微米结构表面上，且纳米结构的高度为约500纳米至900纳米。第一半导体结构置于基板的第一表面上。第二半导体结构置于基板的第二表面上。因上述光电转换结构先形成纳米结构于微米结构上，因此第一表面可具有抗反射的效果。更进一步地，因在形成纳米结构后，再进一步对纳米结构进行蚀刻，因此纳米结构的表面积的粗糙度可降低，以减少载子在纳米结构的表面复合的机率。

Description

光电转换结构、应用其的太阳能电池及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种光电转换结构、应用其的太阳能电池及其制造方法。
背景技术
随着科技的进步，人类对于能源的需求也日益增加。有鉴于有限的石油资源已渐渐无法应付人类大量的能源需求，业界与科学家们纷纷投入新能源的研究与发展，而太阳能即为大众欲发展的新能源之一。
太阳能电池能够吸收太阳光，并将太阳光的光能转换为电能。为了增加太阳光的提取量，一般而言会形成多个微米与/或纳米结构于太阳能电池的入光面上，以破坏太阳能电池的入光面的反射。然而因形成的纳米结构的表面过于粗糙，使得太阳能电池所产生的载子具有高复合率，如此一来反而会降低太阳能电池的短路电流密度(Jsc)与开路电压(V)。
发明内容
为克服现有技术的缺陷，本发明的一方案提供一种光电转换结构，包含基板、第一半导体结构与第二半导体结构。基板具有两相对的第一表面与第二表面。第一表面具有多个微米结构以及多个纳米结构。纳米结构分布于微米结构表面上，且纳米结构的高度为约500纳米至900纳米。第一半导体结构置于基板的第一表面上。第二半导体结构置于基板的第二表面上。
在本发明一个或多个实施方式中，每一微米结构为金字塔、凹洞或其混合。
在本发明一个或多个实施方式中，每一微米结构的高度为约1微米至20微米。
在本发明一个或多个实施方式中，第一半导体结构为N型半导体层，且第二半导体结构为P型半导体层。或者第一半导体结构为P型半导体层，且第二半导体结构为N型半导体层。
在本发明一个或多个实施方式中，第一半导体结构包含i型半导体层与p型半导体层。i型半导体层置于基板的第一表面，且置于p型半导体层与基板的第一表面之间。第二半导体结构包含i型半导体层与n+型半导体层。i型半导体层置于基板的第二表面，且i型半导体层置于n+型半导体层与基板的第二表面之间。
本发明的另一方案提供一种太阳能电池，包含上述光电转换结构、第一电极结构与第二电极结构。第一半导体结构置于第一电极结构与基板之间。第二半导体结构置于第二电极结构与基板之间。
在本发明一个或多个实施方式中，第一电极结构包含透明导电层与至少一金属电极。第一半导体结构置于透明导电层与基板之间。部分透明导电层置于金属电极与第一半导体结构之间。
在本发明一个或多个实施方式中，第二电极结构为一金属层。
在本发明一个或多个实施方式中，第二电极结构包含透明导电层与至少一金属电极。第二半导体结构置于透明导电层与基板之间。部分透明导电层置于金属电极与第二半导体结构之间。
在本发明一个或多个实施方式中，光电转换结构的基板的第二表面具有多个微米结构，且第二电极结构包含透明导电层与至少一金属电极。第二半导体结构置于透明导电层与基板之间。金属电极全面覆盖透明导电层。
本发明的又一方案提供一种光电转换结构的制造方法，包含下列步骤(应了解到，在本实施方式中所提及的步骤，除特别说明其顺序外，均可依实际需要调整其前后顺序，甚至可同时或部分同时执行)：
提供基板。
形成多个微米结构于基板的第一表面。
蚀刻微米结构，使得每一微米结构表面形成多个纳米结构。
蚀刻纳米结构。
形成第一半导体结构于基板的第一表面上。
形成第二半导体结构于基板的第二表面上。
在本发明一个或多个实施方式中，步骤(4)包含：
(4.1)将纳米结构的高度蚀刻至500纳米至900纳米。
在本发明一个或多个实施方式中，蚀刻纳米结构的方法为各向同性湿式蚀刻。
在本发明一个或多个实施方式中，蚀刻纳米结构的方法为各向异性湿式蚀刻。
在本发明一个或多个实施方式中，步骤(3)包含：
(3.1)形成多个催化剂于微米结构上。
(3.2)借由催化剂蚀刻微米结构，以形成纳米结构于微米结构表面。
在本发明一个或多个实施方式中，步骤(3)包含：
(3.3)一并将催化剂去除。
在本发明一个或多个实施方式中，催化剂为金属纳米粒子。
在本发明一个或多个实施方式中，蚀刻微米结构的方法为各向异性湿式蚀刻。
在本发明一个或多个实施方式中，形成微米结构的方法包含形成第一微米结构，且第一微米结构的形成方法为各向同性湿式蚀刻。
在本发明一个或多个实施方式中，形成微米结构的方法包含形成第二微米结构于第一微米结构上，且第二微米结构的形成方法为各向异性湿式蚀刻。
因上述光电转换结构先形成纳米结构于微米结构上，因此第一表面可具有抗反射的效果。更进一步地，因在形成纳米结构后，再进一步对纳米结构进行蚀刻，因此纳米结构的表面积的粗糙度可降低，以减少载子在纳米结构的表面复合的机率。
附图说明
图1A至图1F为依照本发明一实施方式的光电转换结构的制造流程剖面图。
图2示出应用图1F的光电转换结构的太阳能电池的剖面图。
图3A示出本发明另一实施方式的太阳能电池的剖面图。
图3B示出本发明又一实施方式的太阳能电池的剖面图。
图4为本发明一实施例的太阳能电池以及其比较例的电压电流图。
图5为图4的实施例的太阳能电池以及其比较例的外部量子效率图。
图6A至图6G为本发明另一实施方式的光电转换结构的制造流程剖面图。
附图标记说明如下：
100：光电转换结构                   102：第一表面
104：第二表面                       110：基板
114、114’：纳米结构                116、116’、119’：微米结构
118：第一微米结构                   119：第二微米结构
120：第一半导体结构                 122、132：i型半导体层
124：p型半导体层                    130：第二半导体结构
134：n+型半导体层                   200：第一电极结构
210、310：透明导电层                220、320：金属电极
300：第二电极结构                   400：纳米粒子
T1、T2、T3：高度
具体实施方式
以下将以附图公开本发明的多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本发明。也就是说，在本发明部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化附图起见，一些已知惯用的结构与元件在附图中将以简单示意的方式示出。
图1A至图1F为依照本发明一实施方式的光电转换结构的制造流程剖面图。请先参照图1A。先提供一基板110，基板110具有相对的一第一表面102与一第二表面104。其中基板110的材质为半导体材料，例如：硅，例如为n型单晶硅基板，然而本发明不以此为限。
接着请参照图1B，形成多个微米结构116于基板110的第一表面102。在本实施方式中，可以各向异性湿式蚀刻方法形成微米结构116，举例而言，可以碱性溶液，如氢氧化钾(KOH)溶液与异丙醇(Isopropyl Alcohol,IPA)溶液的混合液，作为蚀刻液以形成微米结构116，所形成的微米结构116例如为金字塔形，如图1B所示。
接下来，进一步蚀刻微米结构116，使得微米结构116表面形成多个纳米结构。举例而言，请参照图1C，可先形成多个催化剂于微米结构116表面上，其中催化剂例如可为纳米粒子400或者厚度为纳米等级的金属层，在此以纳米粒子400作说明。接着请参照图1D，利用纳米粒子400作为催化剂蚀刻微米结构116，以形成多个纳米结构114与微米结构116’，纳米结构114分布于微米结构116’上，而在本步骤所形成的纳米结构114例如为纳米柱结构，其高度T1为约2微米。
在一个或多个实施方式中，催化剂的材质可为金属，例如为银。蚀刻微米结构116的方法可为各向异性湿式蚀刻。其中因蚀刻步骤为各向异性湿式蚀刻，也即蚀刻液以纳米粒子400为催化剂向下蚀刻，以形成多个纳米结构114。
接着请参照图1E，更进一步蚀刻纳米结构114，借由将纳米结构114由高度T1蚀刻至高度T2，约500纳米至900纳米，成为纳米结构114’，使纳米结构114’的表面粗糙度降低，以减少基板110的载子复合率。另一方面，在蚀刻纳米结构114的过程中，原本位于第一表面102上的纳米粒子400(如图1D所示)也可一并去除。换言之，此道工艺不但可降低因纳米结构114所造成的表面粗糙，还可一并去除纳米粒子400，有助于节省工艺工序。
在本实施方式中，蚀刻纳米结构114的方法可为各向同性湿式蚀刻或者各向异性湿式蚀刻。其中各向同性湿式蚀刻例如可以是酸性溶液，如氢氟酸(HF)溶液与硝酸(HNO3)溶液的混合液，进行蚀刻。各向异性湿式蚀刻例如可以是碱性溶液，如氢氧化钾(KOH)与异丙醇(IPA)的混合液，进行蚀刻。然而应注意的是，上述溶液的种类仅为例示，并非用以限制本发明。本领域技术人员，应视实际需要，弹性选择溶液的种类。
接着请参照图1F，形成第一半导体结构120于基板110的第一表面102的纳米结构114’与微米结构116’上，另外形成第二半导体结构130于基板110的第二表面104上。其中第一半导体结构120与第二半导体结构130的材质可为硅，而其形成方法可为物理气相沉积法，如溅镀法，或是化学气相沉积法。
如此一来，因本实施方式的光电转换结构100的基板110表面上已先形成纳米结构114’与微米结构116’，因此第一表面102可具有抗反射的效果。更进一步地，因在形成纳米结构114后，再进一步对纳米结构114进行蚀刻，以形成高度T2约500纳米至900纳米的纳米结构114’，因此纳米结构114’的表面粗糙度可以降低，以减少载子在纳米结构114’的表面复合的机率。
在图1F的工艺后，光电转换结构100的工艺即可完成。从结构上来看，光电转换结构100包含基板110、第一半导体结构120与第二半导体结构130。基板110具有两相对的第一表面102与第二表面104。第一表面102具有多个微米结构116’以及多个纳米结构114’。纳米结构114’分布于微米结构116’上，且纳米结构114’的高度T2为约500纳米至900纳米。第一半导体结构120置于基板110的第一表面102上。第二半导体结构130置于基板110的第二表面104上。
在一个或多个实施方式中，第一表面102可为光电转换结构100的入光面，而第二表面104可为光电转换结构100的背光面。然而在其他的实施方式中，第一表面102与第二表面104可均为光电转换结构100的入光面。也就是说，光电转换结构100可进行双向收光。而在此情况下，第二表面104也可具有微米结构116’。更进一步地，第二表面104还可还具有纳米结构114’于微米结构116’表面上，本发明不以此为限。
在本实施方式中，微米结构116’为金字塔形，而微米结构116’的高度T3可为约1微米至20微米。另一方面，在本实施方式中，第一半导体结构120可为N型半导体层，且第二半导体结构130可为P型半导体层。然而在其他的实施方式中，第一半导体结构120可为P型半导体层，且第二半导体结构130可为N型半导体层，本发明不以此为限。
接着请参照图2，其示出应用图1F的光电转换结构100的太阳能电池的剖面图。在本实施方式中，太阳能电池包含图1F的光电转换结构100、第一电极结构200与第二电极结构300。第一电极结构200形成于第一半导体结构120表面上，使得第一半导体结构120置于第一电极结构200与基板110之间。第二电极结构300形成于第二半导体结构130表面上，使得第二半导体结构130置于第二电极结构300与基板110之间。
因此太阳光可自第一电极结构200所在的一面入射太阳能电池，之后太阳光会在光电转换结构100中转换为第一电荷与第二电荷，其中第一电荷例如为电子，而第二电荷例如为空穴，反之亦可。第一电荷可自第一半导体结构120传至第一电极结构200，而第二电荷可自第二半导体结构130传至第二电极结构300。
在本实施方式中，第一电极结构200可包含透明导电层210与至少一金属电极220。透明导电层210形成于第一半导体结构120表面上，使得第一半导体结构120置于透明导电层210与基板110之间。金属电极220形成于透明导电层210表面，使得部分透明导电层210置于金属电极220与第一半导体结构120之间。其中透明导电层210的材质可为铟锡氧化物(Tin DopedIndium Oxide,ITO)、氧化锡(Tin Oxide,SnO2)、氧化锌(Zinc Oxide,ZnO)、氧化铝锌(Aluminum Doped Zinc Oxide,AZO)、氧化镓锌(Gallium Doped ZincOxide,AZO)、氧化铟锌(Indium Doped Zinc Oxide,IZO)或上述的任意组合，而金属电极220的材质可为钛、银、铝、铜或上述的组合。另一方面，本实施方式的第二电极结构300可为金属层，其材质例如为钛、银、铝、铜或上述的组合。
接着请参照图3A，其示出本发明另一实施方式的太阳能电池的剖面图。本实施方式与图2的实施方式的不同处在于第一半导体结构120、第二半导体结构130与第二电极结构300的构造。在本实施方式中，第一半导体结构120可包含i型半导体层122与p型半导体层124。i型半导体层122置于基板110的第一表面102，且置于p型半导体层124与基板110之间。第二半导体结构130包含i型半导体层132与n+型半导体层134。i型半导体层132置于基板110的第二表面104，且i型半导体层132置于n+型半导体层134与基板110之间。
因此太阳光可自第一电极结构200所在的一面入射太阳能电池。之后太阳光会在光电转换结构100中转换为电子与空穴。空穴可依序穿过i型半导体层122与p型半导体层124而传至第一电极结构200，电子则可依序自i型半导体层132与n+型半导体层134而传至第二电极结构300。
另一方面，本实施方式的第二电极结构300可包含透明导电层310与至少一金属电极320。透明导电层310形成于第二半导体结构130表面，使得第二半导体结构130置于透明导电层310与基板110之间。金属电极320形成于透明导电层310表面，使得部分透明导电层310置于金属电极320与第二半导体结构130之间。至于本实施方式的其他细节因与图2的实施方式相同，因此便不再赘述。
接着请参照图3B，其示出本发明又一实施方式的太阳能电池的剖面图。本实施方式与图3A的实施方式的不同处在于基板100的第二表面104的结构，以及金属电极320的结构。在本实施方式中，第二表面104也具有微米结构116。也就是说，基板100的第二表面104可不限为平坦面。另一方面，在本实施方式中，金属电极320全面覆盖透明导电层310，例如是以溅镀方式覆盖于透明导电层310上。至于本实施方式的其他细节因与图3A的实施方式相同，因此便不再赘述。
接着以实验数据来说明上述太阳能电池的功效。图4为本发明一实施例的太阳能电池以及其比较例的电压电流图，图5为图4的实施例的太阳能电池以及其比较例的外部量子效率图。其中图4与图5的实施例均以太阳能电池全方位量子效率量测仪(Enlitech Quantum Efficiency)，于1太阳常数(1sun)、1.5空气质量(AM1.5)与日照度1000W/m2的条件下进行量测。在本实施例中，太阳能电池的结构如图3B所示，其光电转换结构100的工艺过程则如图1A至图1F所示。详细而言，基板的材质为n型结晶硅(n-type c-Si)，其厚度为160μm。先以各向异性湿式蚀刻方法蚀刻出金字塔形的微米结构，其蚀刻液为氢氧化钾(KOH)溶液与异丙醇(IPA)溶液的混合液。接着再将30nm厚的金属层溅镀在微米结构上，以1.632毫升的氢氟酸(HF)溶液、0.436毫升的过氧化氢(H2O2)溶液与7.932毫升的去离子水(D.I.water)的混合液，于室温下放置30秒以蚀刻微米结构，由此形成纳米结构于微米结构表面上。之后再以各向同性湿式蚀刻进行纳米结构的蚀刻。其蚀刻液为浓度1:50的氢氟酸(HF)溶液与硝酸(HNO3)溶液的混合液，于5oC下浸泡30至90秒蚀刻液以蚀刻纳米结构。而在此步骤后，纳米结构的高度则被蚀刻至500纳米至900纳米。之后再形成第一半导体结构、第二半导体结构、第一电极结构与第二电极结构。其中i型半导体层的材质为i型氢化非晶硅(i-a-Si:H)，p型半导体层的材质为p型氢化非晶硅(p-a-Si:H)，n+型半导体层的材质为n型氢化非晶硅(n-a-Si:H)。第一电极结构的金属电极的材质为银。第二电极结构的金属电极的材质为银。
由图4可知，当基板具有微米结构与纳米结构时，其短路电流密度(Jsc)与开路电压(V)均降低，表示微米结构与纳米结构的粗糙表面使得载子复合率增高。然而在进行纳米结构的蚀刻后，不论蚀刻时间T为30秒(30S)、60秒(60S)或90秒(90S)，其所得到的短路电流密度(Jsc)与开路电压(V)均有升高的趋势，因此可证明进行纳米结构的蚀刻确实能够将微米结构与纳米结构的表面去粗糙化。
另一方面，由图5可知，当基板进行纳米结构的蚀刻后，不论蚀刻时间T为30秒(30S)、60秒(60S)或90秒(90S)，其所量测到的外部量子效率(External Quantum Efficiency,EQE)均有升高的趋势，即可表示在进行纳米结构的蚀刻后，纳米结构依然具有抗反射的功效。
接着请参照图6A至图6G，其为本发明另一实施方式的光电转换结构的制造流程剖面图。请先参照图6A。制造者可先提供一基板110，基板110具有相对的一第一表面102与一第二表面104。其中基板110的材质为半导体材料，例如：硅，然而本发明不以此为限。
接着请参照图6B，于另一实施方式中，形成多个第一微米结构118于基板110的第一表面102。在本实施方式中，可以各向同性湿式蚀刻方法形成第一微米结构118。举例而言，以酸性溶液，如氢氟酸(HF)溶液与硝酸(HNO3)溶液的混合液，作为蚀刻液以形成第一微米结构118，而形成的第一微米结构118可为凹洞形，如图6B所示。
接着请参照图6C，形成多个第二微米结构119于第一微米结构118上。在本实施方式中，可以各向异性湿式蚀刻方法形成第二微米结构119。举例而言，制造者可以碱性溶液，如氢氧化钾(KOH)溶液与异丙醇(IsopropylAlcohol,IPA)溶液的混合液，作为蚀刻液以形成第二微米结构119，而形成的第二微米结构119可为金字塔形，如图6C所示。
接下来，蚀刻第二微米结构119，使得第二微米结构119表面形成多个纳米结构。举例而言，请参照图6D，可先形成多个催化剂于第二微米结构119上。其中催化剂例如可为纳米粒子400或者厚度为纳米等级的金属层，在此以纳米粒子400作说明。接着请参照图6E，以纳米粒子400为催化剂蚀刻第二微米结构119(如图6D所示)，以形成纳米结构114与微米结构119’。纳米结构114分布于微米结构119’上。而在本步骤所形成的纳米结构114的高度T1例如为约2微米，例如为纳米柱结构。
在一个或多个实施方式中，催化剂的材质可为金属，例如为银。蚀刻第二微米结构119的方法可为各向异性湿式蚀刻。其中因蚀刻步骤为各向异性湿式蚀刻，也即蚀刻液以纳米粒子400为催化剂向下蚀刻，以形成多个纳米结构114。
接着请参照图6F。制造者可接着蚀刻纳米结构114，以形成纳米结构114’，具有高度T2约500纳米至900纳米，纳米结构114’的表面的粗糙度降低，以减少基板110的表面载子复合率。另一方面，在蚀刻纳米结构114的过程中，原本位于第一表面102上的纳米粒子400(如图6E所示)也可一并去除。换言之，此道工艺不但可降低因纳米结构114所造成的表面粗糙，还可一并去除纳米粒子400，有助于节省工艺工序。在本实施方式中，蚀刻纳米结构114的方法可为各向同性湿式蚀刻或者各向异性湿式蚀刻。
接着请参照图6G，形成第一半导体结构120于基板110的第一表面102的纳米结构114’与微米结构119’上，另外形成第二半导体结构130于基板110的第二表面104上。其中第一半导体结构120与第二半导体结构130的材质可为硅，而其形成方法可为物理气相沉积法，如溅镀法，或是化学气相沉积法。如此一来，便完成了光电转换结构100的工艺。至于本实施方式的其他细节因与图1F的实施方式相同，因此便不再赘述。
虽然本发明已以实施方式公开如上，然而其并非用以限定本发明，任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，应当可以作各种改动与润饰，因此本发明的保护范围应当以所附的权利要求所界定的范围为准。

Claims (20)

1.一种光电转换结构，包含：
一基板，具有两相对的第一表面与第二表面，其中该第一表面具有多个微米结构以及多个纳米结构，所述纳米结构分布于所述微米结构表面上，且所述纳米结构的高度为约500纳米至900纳米；
一第一半导体结构，置于该基板的该第一表面上；以及
一第二半导体结构，置于该基板的该第二表面上。
2.如权利要求1所述的光电转换结构，其中每一所述微米结构的形状为金字塔、凹洞或其混合。
3.如权利要求1所述的光电转换结构，其中每一所述微米结构的高度为约1微米至20微米。
4.如权利要求1所述的光电转换结构，其中该第一半导体结构为一N型半导体层，且该第二半导体结构为一P型半导体层；或者该第一半导体结构为一P型半导体层，且该第二半导体结构为一N型半导体层。
5.如权利要求1所述的光电转换结构，其中该第一半导体结构包含：
一i型半导体层，置于该基板的该第一表面；以及
一p型半导体层，该i型半导体层置于该p型半导体层与该基板的该第一表面之间；以及
其中该第二半导体结构包含：
一i型半导体层，置于该基板的该第二表面；以及
一n+型半导体层，该i型半导体层置于该n+型半导体层与该基板的该第二表面之间。
6.一种太阳能电池，包含：
如权利要求1所述的光电转换结构；
一第一电极结构，该第一半导体结构置于该第一电极结构与该基板之间；以及
一第二电极结构，该第二半导体结构置于该第二电极结构与该基板之间。
7.如权利要求6所述的太阳能电池，其中该第一电极结构包含：
一透明导电层，该第一半导体结构置于该透明导电层与该基板之间；以及
至少一金属电极，部分该透明导电层置于该金属电极与该第一半导体结构之间。
8.如权利要求6所述的太阳能电池，其中该第二电极结构为一金属层。
9.如权利要求6所述的太阳能电池，其中该第二电极结构包含：
一透明导电层，该第二半导体结构置于该透明导电层与该基板之间；以及
至少一金属电极，部分的该透明导电层置于该金属电极与该第二半导体结构之间。
10.如权利要求6所述的太阳能电池，其中该光电转换结构的该基板的该第二表面具有多个微米结构，且该第二电极结构包含：
一透明导电层，该第二半导体结构置于该透明导电层与该基板之间；以及
一金属电极，全面覆盖该透明导电层。
11.一种光电转换结构的制造方法，包含：
提供一基板；
形成多个微米结构于该基板的一第一表面；
蚀刻所述微米结构，使得每一所述微米结构表面形成多个纳米结构；
蚀刻所述纳米结构；
形成一第一半导体结构于该基板的该第一表面上；以及
形成一第二半导体结构于该基板的一第二表面上。
12.如权利要求11所述的制造方法，其中蚀刻所述纳米结构的步骤包含：
将所述纳米结构的高度蚀刻至500纳米至900纳米。
13.如权利要求11所述的制造方法，其中蚀刻所述纳米结构的方法为各向同性湿式蚀刻。
14.如权利要求11所述的制造方法，其中蚀刻所述纳米结构的方法为各向异性湿式蚀刻。
15.如权利要求11所述的制造方法，其中蚀刻所述微米结构的步骤包含：
形成多个催化剂于所述微米结构表面上；以及
借由所述催化剂蚀刻所述微米结构。
16.如权利要求15所述的制造方法，其中蚀刻所述纳米结构的步骤包含：
一并将所述催化剂去除。
17.如权利要求15所述的制造方法，其中该催化剂为金属纳米粒子。
18.如权利要求11所述的制造方法，其中蚀刻所述微米结构的方法为各向异性湿式蚀刻。
19.如权利要求11所述的制造方法，其中形成所述微米结构的方法包含形成一第一微米结构，且该第一微米结构的形成方法为各向同性湿式蚀刻。
20.如权利要求19所述的制造方法，其中形成所述微米结构的方法包含形成一第二微米结构于该第一微米结构上，且该第二微米结构的形成方法为各向异性湿式蚀刻。
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