CN103683255A - 开机防浪涌电路 - Google Patents

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CN103683255A CN201310612448.4A CN201310612448A CN103683255A CN 103683255 A CN103683255 A CN 103683255A CN 201310612448 A CN201310612448 A CN 201310612448A CN 103683255 A CN103683255 A CN 103683255A
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黄友华
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Abstract

本发明公开了开机防浪涌电路,场效应管MOS1的栅极和漏极之间连接有电阻R1且漏极与电源相连,栅极和源极之间连接有电容C1且源极与场效应管MOS2的源极相连;场效应管MOS2的栅极和源极之间连接有电容C2,栅极和漏极之间连接有电阻R2且漏极接地;场效应管MOS1的漏极与三极管的集电极相连,三极管的基极与发射极之间连接有电阻R4且发射极接地;场效应管MOS1的源极通过电阻R3连接在二极管D1和二极管D2的阳极上,二极管D1的阴极连接在电源上,二极管D2的阴极接地。其优点是:采用两级浪涌泄放电路,对浪涌进行完全泄放,可靠性高。

Description

开机防浪涌电路
技术领域
本发明涉及集成电路领域,更具体的说是涉及开机防浪涌电路。
背景技术
浪涌顾名思义就是瞬间超出稳定值的峰值。而在电子电路当中,浪涌主要是指电源(主要是指电源)刚开通的那一瞬息产生的强力脉冲,由于电路本身的非线性有可能高于电源本身的脉冲;或者由于电源或电路中其他部分受到本身或外来脉冲干扰。他可能使电路在浪涌的一瞬间烧坏,如PN结电容击穿,电阻烧断等。而最简单的浪涌保护电路时利用非线性元器件对高频的敏感设计,常采用并联大小电容和串联电感。但是,其只能简单的起到抑制浪涌的目的,而不能对浪涌进行泄放。而且在很多电子设备中,其集成了太多的电子元器件,且其大多为敏感电子元器件,若不能对浪涌进行完全泄放,很可能对敏感电子元器件造成破坏。
发明内容
本发明提供开机防浪涌电路,其采用两级浪涌泄放电路,对浪涌进行完全泄放,可靠性高,有效保护电子设备内的电子元器件。
为解决上述的技术问题,本发明采用以下技术方案:
开机防浪涌电路,它包括场效应管MOS1和场效应管MOS2,所述的场效应管MOS1的栅极和漏极之间连接有电阻R1且漏极连接在电源上,所述的场效应管MOS1的栅极和源极之间连接有电容C1且源极连接在场效应管MOS2的源极上;所述的场效应管MOS2的栅极和源极之间连接有电容C2,所述的场效应管MOS2的栅极和漏极之间连接有电阻R2且漏极接地;所述的场效应管MOS1的漏极连接在三极管T1的集电极上,所述的三极管T1的基极与发射极之间连接有电阻R4且发射极接地;所述的场效应管MOS1的源极通过电阻R3同时连接在二极管D1的阳极和二极管D2的阳极上,所述的二极管D1的阴极连接在电源上,所述的二极管D2的阴极接地,所述的场效应管MOS1为P型场效应管,所述的场效应管MOS2为N型场效应管,所述的三极管T1为NPN型三极管。
更进一步的技术方案是:
作为优选,所述的二极管D1和二极管D2均为稳压二极管。
进一步的,所述的电阻R3的阻值范围为1千欧姆-3千欧姆。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:
本发明的场效应管MOS1、场效应管MOS2和三极管T1对浪涌进行初步泄放,二极管D1和二极管D2再对浪涌进行二次泄放,采用两级浪涌泄放电路对浪涌进行泄放,相比于现有的采用电容或电感对浪涌进行抑制,其可靠性高,有效的对电子元器件进行保护。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细说明。
图1为本发明的电路图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步的说明。本发明的实施方式包括但不限于下列实施例。
[实施例]
如图1所示的开机防浪涌电路,它包括场效应管MOS1和场效应管MOS2,所述的场效应管MOS1的栅极和漏极之间连接有电阻R1且漏极连接在电源上,所述的场效应管MOS1的栅极和源极之间连接有电容C1且源极连接在场效应管MOS2的源极上;所述的场效应管MOS2的栅极和源极之间连接有电容C2,所述的场效应管MOS2的栅极和漏极之间连接有电阻R2且漏极接地;所述的场效应管MOS1的漏极连接在三极管T1的集电极上,所述的三极管T1的基极与发射极之间连接有电阻R4且发射极接地;所述的场效应管MOS1的源极通过电阻R3同时连接在二极管D1的阳极和二极管D2的阳极上,所述的二极管D1的阴极连接在电源上,所述的二极管D2的阴极接地,所述的场效应管MOS1为P型场效应管,所述的场效应管MOS2为N型场效应管,所述的三极管T1为NPN型三极管。本发明电路的场效应管MOS1的源极连接在电子设备的电源接口上,二极管D1的阳极连接在电子设备的内部电路上。当电源开关打开的一瞬间,浪涌瞬间作用于场效应管MOS1的源极,此时,场效应管MOS1、场效应管MOS2和三极管T1为浪涌电压提供多条泄放通路;若浪涌未泄放完全,二极管D1和二极管D2再次对浪涌进行泄放,有效的保证将浪涌泄放完全。电阻R1和电阻R2为场效应管MOS1和场效应管MOS2的漏极和栅极提供可靠压降,保证场效应管MOS1和场效应管MOS2处于有效工作状态。电容C1和电容C2可吸收电源的微扰信号,也可吸收尖峰脉冲,避免干扰信号对电路的影响。电阻R4为三极管T1的基极和发射极提供可靠压降,使其处于有效工作状态,为浪涌的泄放提供可靠通路。电阻R3起限流作用,可避免电流过大对后续的电路造成破坏。
所述的二极管D1和二极管D2均为稳压二极管。稳压二极管具有最大、最小稳定电流的作用,在起到为浪涌泄放提供通路的同时,还可以对电流起保护作用,进一步的对后续电路起到保护作用。
所述的电阻R3的阻值范围为1千欧姆-3千欧姆。电阻R3起限流作用,避免电流过大对设备内部电子元器件造成破坏,即其至少也应该在1千欧姆,但是为了使得其不对外接端口的设备信号传输时造成影响,电阻R3的阻值不应超过3千欧姆。
如上所述即为本发明的实施例。本发明不局限于上述实施方式,任何人应该得知在本发明的启示下做出的结构变化,凡是与本发明具有相同或相近的技术方案,均落入本发明的保护范围之内。

Claims (3)

1.开机防浪涌电路,其特征在于:它包括场效应管MOS1和场效应管MOS2,所述的场效应管MOS1的栅极和漏极之间连接有电阻R1且漏极连接在电源上,所述的场效应管MOS1的栅极和源极之间连接有电容C1且源极连接在场效应管MOS2的源极上;所述的场效应管MOS2的栅极和源极之间连接有电容C2,所述的场效应管MOS2的栅极和漏极之间连接有电阻R2且漏极接地;所述的场效应管MOS1的漏极连接在三极管T1的集电极上,所述的三极管T1的基极与发射极之间连接有电阻R4且发射极接地;所述的场效应管MOS1的源极通过电阻R3同时连接在二极管D1的阳极和二极管D2的阳极上,所述的二极管D1的阴极连接在电源上,所述的二极管D2的阴极接地,所述的场效应管MOS1为P型场效应管,所述的场效应管MOS2为N型场效应管,所述的三极管T1为NPN型三极管。
2.根据权利要求1所述的开机防浪涌电路,其特征在于:所述的二极管D1和二极管D2均为稳压二极管。
3.根据权利要求1或2所述的开机防浪涌电路,其特征在于:所述的电阻R3的阻值范围为1千欧姆-3千欧姆。
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