CN103683255A - 开机防浪涌电路 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了开机防浪涌电路，场效应管MOS1的栅极和漏极之间连接有电阻R1且漏极与电源相连，栅极和源极之间连接有电容C1且源极与场效应管MOS2的源极相连；场效应管MOS2的栅极和源极之间连接有电容C2，栅极和漏极之间连接有电阻R2且漏极接地；场效应管MOS1的漏极与三极管的集电极相连，三极管的基极与发射极之间连接有电阻R4且发射极接地；场效应管MOS1的源极通过电阻R3连接在二极管D1和二极管D2的阳极上，二极管D1的阴极连接在电源上，二极管D2的阴极接地。其优点是：采用两级浪涌泄放电路，对浪涌进行完全泄放，可靠性高。
Description
技术领域
本发明涉及集成电路领域，更具体的说是涉及开机防浪涌电路。
背景技术
浪涌顾名思义就是瞬间超出稳定值的峰值。而在电子电路当中，浪涌主要是指电源（主要是指电源）刚开通的那一瞬息产生的强力脉冲，由于电路本身的非线性有可能高于电源本身的脉冲；或者由于电源或电路中其他部分受到本身或外来脉冲干扰。他可能使电路在浪涌的一瞬间烧坏，如PN结电容击穿，电阻烧断等。而最简单的浪涌保护电路时利用非线性元器件对高频的敏感设计，常采用并联大小电容和串联电感。但是，其只能简单的起到抑制浪涌的目的，而不能对浪涌进行泄放。而且在很多电子设备中，其集成了太多的电子元器件，且其大多为敏感电子元器件，若不能对浪涌进行完全泄放，很可能对敏感电子元器件造成破坏。
发明内容
本发明提供开机防浪涌电路，其采用两级浪涌泄放电路，对浪涌进行完全泄放，可靠性高，有效保护电子设备内的电子元器件。
为解决上述的技术问题，本发明采用以下技术方案：
开机防浪涌电路，它包括场效应管MOS1和场效应管MOS2，所述的场效应管MOS1的栅极和漏极之间连接有电阻R1且漏极连接在电源上，所述的场效应管MOS1的栅极和源极之间连接有电容C1且源极连接在场效应管MOS2的源极上；所述的场效应管MOS2的栅极和源极之间连接有电容C2，所述的场效应管MOS2的栅极和漏极之间连接有电阻R2且漏极接地；所述的场效应管MOS1的漏极连接在三极管T1的集电极上，所述的三极管T1的基极与发射极之间连接有电阻R4且发射极接地；所述的场效应管MOS1的源极通过电阻R3同时连接在二极管D1的阳极和二极管D2的阳极上，所述的二极管D1的阴极连接在电源上，所述的二极管D2的阴极接地，所述的场效应管MOS1为P型场效应管，所述的场效应管MOS2为N型场效应管，所述的三极管T1为NPN型三极管。
更进一步的技术方案是:
作为优选，所述的二极管D1和二极管D2均为稳压二极管。
进一步的，所述的电阻R3的阻值范围为1千欧姆-3千欧姆。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
本发明的场效应管MOS1、场效应管MOS2和三极管T1对浪涌进行初步泄放，二极管D1和二极管D2再对浪涌进行二次泄放，采用两级浪涌泄放电路对浪涌进行泄放，相比于现有的采用电容或电感对浪涌进行抑制，其可靠性高，有效的对电子元器件进行保护。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细说明。
图1为本发明的电路图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步的说明。本发明的实施方式包括但不限于下列实施例。
[实施例]
如图1所示的开机防浪涌电路，它包括场效应管MOS1和场效应管MOS2，所述的场效应管MOS1的栅极和漏极之间连接有电阻R1且漏极连接在电源上，所述的场效应管MOS1的栅极和源极之间连接有电容C1且源极连接在场效应管MOS2的源极上；所述的场效应管MOS2的栅极和源极之间连接有电容C2，所述的场效应管MOS2的栅极和漏极之间连接有电阻R2且漏极接地；所述的场效应管MOS1的漏极连接在三极管T1的集电极上，所述的三极管T1的基极与发射极之间连接有电阻R4且发射极接地；所述的场效应管MOS1的源极通过电阻R3同时连接在二极管D1的阳极和二极管D2的阳极上，所述的二极管D1的阴极连接在电源上，所述的二极管D2的阴极接地，所述的场效应管MOS1为P型场效应管，所述的场效应管MOS2为N型场效应管，所述的三极管T1为NPN型三极管。本发明电路的场效应管MOS1的源极连接在电子设备的电源接口上，二极管D1的阳极连接在电子设备的内部电路上。当电源开关打开的一瞬间，浪涌瞬间作用于场效应管MOS1的源极，此时，场效应管MOS1、场效应管MOS2和三极管T1为浪涌电压提供多条泄放通路；若浪涌未泄放完全，二极管D1和二极管D2再次对浪涌进行泄放，有效的保证将浪涌泄放完全。电阻R1和电阻R2为场效应管MOS1和场效应管MOS2的漏极和栅极提供可靠压降，保证场效应管MOS1和场效应管MOS2处于有效工作状态。电容C1和电容C2可吸收电源的微扰信号，也可吸收尖峰脉冲，避免干扰信号对电路的影响。电阻R4为三极管T1的基极和发射极提供可靠压降，使其处于有效工作状态，为浪涌的泄放提供可靠通路。电阻R3起限流作用，可避免电流过大对后续的电路造成破坏。
所述的二极管D1和二极管D2均为稳压二极管。稳压二极管具有最大、最小稳定电流的作用，在起到为浪涌泄放提供通路的同时，还可以对电流起保护作用，进一步的对后续电路起到保护作用。
所述的电阻R3的阻值范围为1千欧姆-3千欧姆。电阻R3起限流作用，避免电流过大对设备内部电子元器件造成破坏，即其至少也应该在1千欧姆，但是为了使得其不对外接端口的设备信号传输时造成影响，电阻R3的阻值不应超过3千欧姆。
如上所述即为本发明的实施例。本发明不局限于上述实施方式，任何人应该得知在本发明的启示下做出的结构变化，凡是与本发明具有相同或相近的技术方案，均落入本发明的保护范围之内。
Claims (3)
1.开机防浪涌电路，其特征在于：它包括场效应管MOS1和场效应管MOS2，所述的场效应管MOS1的栅极和漏极之间连接有电阻R1且漏极连接在电源上，所述的场效应管MOS1的栅极和源极之间连接有电容C1且源极连接在场效应管MOS2的源极上；所述的场效应管MOS2的栅极和源极之间连接有电容C2，所述的场效应管MOS2的栅极和漏极之间连接有电阻R2且漏极接地；所述的场效应管MOS1的漏极连接在三极管T1的集电极上，所述的三极管T1的基极与发射极之间连接有电阻R4且发射极接地；所述的场效应管MOS1的源极通过电阻R3同时连接在二极管D1的阳极和二极管D2的阳极上，所述的二极管D1的阴极连接在电源上，所述的二极管D2的阴极接地，所述的场效应管MOS1为P型场效应管，所述的场效应管MOS2为N型场效应管，所述的三极管T1为NPN型三极管。
2.根据权利要求1所述的开机防浪涌电路，其特征在于：所述的二极管D1和二极管D2均为稳压二极管。
3.根据权利要求1或2所述的开机防浪涌电路，其特征在于：所述的电阻R3的阻值范围为1千欧姆-3千欧姆。
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