CN103606573A - 一种黄铜矿结构的中间带吸收材料及其制备方法 - Google Patents
一种黄铜矿结构的中间带吸收材料及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103606573A CN103606573A CN201310617875.1A CN201310617875A CN103606573A CN 103606573 A CN103606573 A CN 103606573A CN 201310617875 A CN201310617875 A CN 201310617875A CN 103606573 A CN103606573 A CN 103606573A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- absorbing material
- intermediate gray
- band
- copper structure
- yellow copper
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 title claims abstract description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 9
- DVRDHUBQLOKMHZ-UHFFFAOYSA-N chalcopyrite Chemical group [S-2].[S-2].[Fe+2].[Cu+2] DVRDHUBQLOKMHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title abstract 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims abstract description 68
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 63
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 15
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 52
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 46
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical group [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- 229910000928 Yellow copper Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 238000003746 solid phase reaction Methods 0.000 claims description 22
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 17
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 16
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 claims description 8
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 5
- LVTJOONKWUXEFR-FZRMHRINSA-N protoneodioscin Natural products O(C[C@@H](CC[C@]1(O)[C@H](C)[C@@H]2[C@]3(C)[C@H]([C@H]4[C@@H]([C@]5(C)C(=CC4)C[C@@H](O[C@@H]4[C@H](O[C@H]6[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](C)O6)[C@@H](O)[C@H](O[C@H]6[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](C)O6)[C@H](CO)O4)CC5)CC3)C[C@@H]2O1)C)[C@H]1[C@H](O)[C@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O1 LVTJOONKWUXEFR-FZRMHRINSA-N 0.000 claims description 4
- 150000003346 selenoethers Chemical class 0.000 claims description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 30
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 28
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 5
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 abstract description 4
- 238000005275 alloying Methods 0.000 abstract 1
- -1 chalcopyrite structure compound Chemical class 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 25
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 14
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 12
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 10
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 9
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 8
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 8
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 238000000695 excitation spectrum Methods 0.000 description 4
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- 238000012921 fluorescence analysis Methods 0.000 description 3
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZQRRBZZVXPVWRB-UHFFFAOYSA-N [S].[Se] Chemical compound [S].[Se] ZQRRBZZVXPVWRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- HVMJUDPAXRRVQO-UHFFFAOYSA-N copper indium Chemical compound [Cu].[In] HVMJUDPAXRRVQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007405 data analysis Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 238000001392 ultraviolet--visible--near infrared spectroscopy Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/032—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
- H01L31/0322—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312 comprising only AIBIIICVI chalcopyrite compounds, e.g. Cu In Se2, Cu Ga Se2, Cu In Ga Se2
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Abstract
本发明涉及一种黄铜矿结构的中间带吸收材料及其制备方法，所述黄铜矿结构的中间带吸收材料的化学组成为CuB1-xQxC2，其中B＝Ga或In，Q=Ge或Sn，C＝S或Se，0<x≤0.1；所述材料通过在黄铜矿结构化合物CuBC2中掺入掺杂元素Q从而在价带和导带之间形成一个单一独立的能级而形成中间带。本发明的材料以CuBC2（B＝Ga、In；C＝S、Se）材料为基础，通过元素掺杂的方式，制备具有中间能级的吸收材料，扩大了光谱吸收的范围，促进了近红外光子的光电转换效应，本发明的设计思路独特，原料廉价易得，制备工艺简单，光学带隙改变明显，具有应用在中间带太阳电池的前景。
Description
技术领域
本发明涉及一种黄铜矿结构的中间带吸收材料CuB1-xQxC2（B＝Ga、In；C＝S、Se;Q=Ge、Sn；0<x≤0.1）及其制备方法，属于光电转换材料领域。
背景技术
黄铜矿结构的化合物（CuInSe2,CuGaSe2,CuInS2,CuGaS2等等）是一类较好的光电转换材料，在光伏发电领域有着广泛的应用。其中，铜铟(镓)硒(硫)薄膜太阳电池的光电转换效率是薄膜电池中最高的，实验室最高效率可以达到20.3%，再加上薄膜的耗材量小，在薄膜电池中显示了较好的发展前景。
与此同时，人们研究发现，不论是第一代的单晶硅电池吸收材料，还是第二代的薄膜电池吸收材料，都属于单一带隙材料。受到单一带隙的限制，电池不能吸收能量小于禁带宽带的光子；而能量大于禁带宽度的光子，不论它们的能量与禁带宽带的差别大小，输出的电压是一样的，是由吸收材料的禁带宽度所决定的；正是如此，在光电转换过程中，低能光子与高能光子的能量损失是很大的，其最大的理论效率在30%左右。为了充分利用太阳能，减少能量损失，提高太阳效率，降低电池成本，人们提出了第三代新概念电池，例如基于提高开路电压的热载流子电池，基于宽光谱利用的多结叠层电池和中间带电池等等。
中间带电池不是由不同带隙宽度材料组成的电池，而是在单一材料的价带、导带能隙之中引入一个半充满的中间能带Ei，中间带的作用是提供光子的多个吸收通道，除了通常的从价带到导带能量hv1>Eg的光吸收外，电子还可以吸收一个能量为hv2（hv1>hv2>Ei-Ev）的光子从价带跃迁到中间带，该中间带内的电子吸收一个能量为hv3（hv2>hv3>Ec-Ei）的光子后再激发到导带。这样两个低能的光子通过“接力”的跃迁的方式，使一个电子从价带激发到导带，扩展了电池的红外吸收，增加电流输出。同时由于禁带宽度几乎没有变化，所以开路电压未变。因此中间带吸收一定程度上能提高电池效率。对于中间带电池，聚光条件下，当其结构为Eg=1.95eV，中间带ECI=0.71eV（ECI，中间带离导带的位置）时，最大效率为63.2%。而非聚光条件下，当其结构为Eg=2.41eV，中间带ECI=0.92e时，最大效率为46.77%。有关中间带的研究大多集中在中间带理论方面，中间带概念电池的实现还面临着诸多困难，其中之一就是中间带材料的缺乏。因此，从实际应用出发，中间带材料的研究对于中间带电池的发展具有重要的意义。
发明内容
面对现有技术存在的问题，本发明人意识到中间带材料的实现过程中，有两个问题需要考虑，一个是母体材料的选择，一个是中间能级的实现。黄铜矿结构类型化合物CuBC2（B＝Ga、In；C＝S、Se）是重要的薄膜电池吸收材料，该系列化合物的光学带隙在0.95～2.43eV之间，中间带母体材料需要的最佳带隙正好包括在其中，便于进行能带调控。以该系列化合物作为母体的中间带材料易于与薄膜电池应用结合起来，便于实现其器件化应用。
在此，一方面，本发明提供一种黄铜矿结构的中间带吸收材料，其化学组成为CuB1- xQxC2，其中B＝Ga或In，Q=Ge或Sn，C＝S或Se，0<x≤0.1；所述材料通过在黄铜矿结构化合物CuBC2中掺入掺杂元素Q从而在价带和导带之间形成一个单一独立的能级而形成中间带。
根据本发明，通过对黄铜矿结构化合物CuBC2进行元素Ge和/或Sn掺杂，使原有能带结构的费米能级处引入一个半充满的独立能级，由于功函数的不同，当掺入后过渡金属Ge或Sn时，Ge或Sn的ns能级与Cu 3d能级和In或Ga的ns能级之间没有杂化，形成一个单一的能级独立于价带和导带之中，从而形成了中间带，扩大了光谱吸收的范围，促进了近红外光子的光电转换效应，可以作为吸收层应用于薄膜太阳电池中从而提高电池效率。
本发明中，所述材料具有黄铜矿结构，属四方晶系，空间群为I4-2d。
本发明中，所述CuB1-xQxC2中的Cu、B、Q、C的价态与CuBC2中各元素的价态相同。
另一方面，本发明还提供上述黄铜矿结构的中间带吸收材料的制备方法，包括：以CuB1-xQxC2中各元素的单质、和/或Cu、B、Q的硫化物和/或硒化物为原料按化学组成配比进行配料后混合；将混合的原料装入石英玻璃管中，经抽真空后封装，在700℃～1000℃下进行第一次固相反应；以及开管后进行研磨，再次将研磨料放入石英玻璃管中，经抽真空后封装，在700℃～1000℃下进行第二次固相反应，即制得所述黄铜矿结构的中间带吸收材料。
本发明通过进行两次固相反应，可以得到纯相的黄铜矿结构的中间带吸收材料。而且光学带隙改变明显，制备工艺简单，成本低廉，原料利用率高，可控性强，重复性好，易于实现大规模生产。
较佳地，在原料中，在原料中，Cu粉和Sn粉的纯度分别为99.99%以上，其它原料的纯度为99.999%以上。
较佳地，所述抽真空是抽至真空度小于10-2Pa。
较佳地，所述第一次固相反应和/或所述第二次固相反应的反应时间为20～90小时。
附图说明
图1中，(a)CuGa1-xQxS2(Q=Sn,Ge)XRD图谱；(b)CuGa1-xQxS2(Q=Sn,Ge)吸收光谱；(c)CuGa1-xQxS2(Q=Sn,Ge)光学带隙变化；(d)CuGaS2能带和电子态密度示意图；(e)Cu8Ga7GeS16能带和电子态密度示意图；(f)Cu8Ga7SnS16能带和电子态密度示意图。说明掺杂Sn或Ge后，CuGaS2的光学吸收边红移较大，光学带隙变小，粉末颜色变暗。通过能带结构计算，可以看到掺杂Sn或Ge后，在CuGaS2的能带中引入了一个半充满的中间能级；
图2为CuGaS2和CuGa0.95Sn0.05S2样品XPS分析图：(a)Cu,(b)Ga,(c)S,(d)Sn。说明在CuGa0.95Sn0.05S2样品中检测到了Sn的存在，且呈+4价，说明Sn以+4价离子的形式成功掺入CuGaS2，还可以看出，Sn的掺入对CuGaS2的其他各元素的状态没有产生什么影响，各元素的价态依然保持未掺杂前的状态；
图3中，(a)CuGa1-xQxSe2(Q=Sn,Ge)XRD图谱；(b)CuGa1-xQxSe2(Q=Sn,Ge)吸收光谱；(c)CuGa1-xQxSe2(Q=Sn,Ge)光学带隙变化；(d)CuGaSe2能带和电子态密度示意图；(e)Cu8Ga7GeSe16能带和电子态密度示意图；(f)Cu8Ga7SnSe16能带和电子态密度示意图。说明掺杂Sn或Ge后，CuGaSe2的光学吸收边红移较大，光学带隙变小，粉末颜色变暗。通过能带结构计算，可以看到掺杂Sn或Ge后，在CuGaSe2的能带中引入了一个半充满的中间能级；
图4中，(a)CuIn1-xQxS2(Q=Sn,Ge)XRD图谱；(b)CuIn1-xQxS2(Q=Sn,Ge)吸收光谱；(c)CuIn1-xQxS2(Q=Sn,Ge)光学带隙变化；(d)CuInS2能带和电子态密度示意图；(e)Cu8In7GeS16能带和电子态密度示意图；(f)Cu8In7SnS16能带和电子态密度示意图。说明掺杂Sn或Ge后，CuInS2的光学吸收边红移较大，光学带隙变小，粉末颜色变暗。通过能带结构计算，可以看到掺杂Sn或Ge后，在CuInS2的能带中引入了一个半充满的中间能级；
图5（a）为室温下的CuIn1-xSnxS2薄膜的荧光光谱分析图。激发光谱：514nm和近红外探测器(1)x=0.05,(2)x=0。激发光谱：633nm和近红外探测器(3)x=0,(4)x=0.05，说明在CuIn0.95Sn0.05S2薄膜中除了检测到CuInS2的本征带隙（1.4eV），而且还检测到了中间带能级（0.7eV），通过PL荧光分析光谱更直观地证明了Sn掺杂CuInS2中间带能级的存在；
图5（b）为CuIn0.95Sn0.05S2中间能级示意图；
图6中，(a)CuIn1-xSnxSe2XRD图谱；(b)CuIn1-xSnxSe2吸收光谱；(c)CuIn1-xSnxSe2光学带隙变化；(d)CuInSe2能带和电子态密度示意图；(e)Cu8In7SnSe16能带和电子态密度示意图。说明掺杂Sn后，CuInSe2的光学吸收边红移较大，光学带隙变小，粉末颜色变暗。通过能带结构计算，可以看到掺杂Sn后，在CuInSe2的能带中引入了一个半充满的中间能级。
具体实施方式
以下结合附图和下述实施方式进一步说明本发明，应理解，附图及下述实施方式仅用于说明本发明，而非限制本发明。
本发明的思路是：由于功函数的不同，当在黄铜矿结构类型化合物CuBC2（B＝Ga、In；C＝S、Se）中掺入后过渡金属Ge或Sn时，Ge或Sn的ns能级与Cu3d能级和In或Ga的ns能级之间没有杂化，形成一个单一的能级独立于价带和导带之中，从而形成了中间带。
本发明所提供的黄铜矿结构的中间带吸收材料的化学组成为CuB1-xQxC2，其中B＝Ga和/或In，Q=Ge和/或Sn，C＝S和/或Se，0<x≤0.1。本发明的中间带吸收材料通过在黄铜矿结构化合物CuBC2中掺入掺杂元素Q，使原有能带结构的费米能级处引入一个半充满的独立能级，由于功函数的不同，该能级与(Cu/C)和(B/C)能级之间没有杂化从而在价带和导带之间形成一个单一独立的能级而形成中间带。在掺入掺杂元素Q后，CuBC2中各元素的价态保持未掺杂前的状态。本发明的中间带吸收材料具有黄铜矿结构，属四方晶系，空间群为I4-2d。
本发明中，黄铜矿结构的中间带吸收材料CuB1-xQxC2由于形成了中间带，因此扩大了光谱吸收的范围，促进了近红外光子的光电转换效应，可以作为吸收层应用于薄膜太阳电池中从而提高电池效率。
本发明另一方面提供上述黄铜矿结构的中间带吸收材料的制备方法，具体地，作为示例，可以包括以下步骤。
（a）配料：按CuB1-xQxC2（B＝Ga和/或In，Q=Ge和/或Sn，C＝S和/或Se，0<x≤0.1）化学组成配比选用适量原料进行配料。所选用的原料只要一起包含了CuB1-xQxC2中的所有元素即可，例如可以是CuB1-xQxC2中各元素的单质；也可以是Cu、B、Q中至少一种元素的硫化物和/或硒化物、以及其余各元素的单质。所选用的原料的纯度优选为高纯。在一个示例中，原料中的Cu粉和Sn粉的纯度分别为99.99%以上，其它原料的纯度为99.999%以上。
（b）第一次固相反应：混合料装入石英玻璃管，经抽真空（例如小于10-2Pa）后封装，于700℃～1000℃进行固相反应，反应时间为20～90小时。可以是直接升温至700℃～1000℃进行反应；也可以是先升温至某一中间温度（例如400～500℃）保温一段时间（例如5～15小时），再升温至700℃～1000℃进行反应。
（c）第二次固相反应：开管后粉体进行研磨，研磨料再次放入石英玻璃管中，经抽真空（例如小于10-2Pa）后再封装，于700℃～1000℃进行第二次固相反应，反应时间为20～90小时，即得到纯相CuB1-xQxC2粉体。可以是直接升温至700℃～1000℃进行反应；也可以是先升温至某一中间温度（例如400～500℃）保温一段时间（例如5～15小时），再升温至700℃～1000℃进行反应。
本发明通过进行两次固相反应，可以得到纯相的黄铜矿结构的中间带吸收材料。而且光学带隙改变明显，制备工艺简单，成本低廉，原料利用率高，可控性强，重复性好，易于实现大规模生产。
<性能评价>
1.粉末的物相分析
对本发明所得粉末样品经充分研磨、制样后在Bruker-AXS X射线衍射仪进行，衍射条件为铜靶，扫描电压为40KV，电流为40mA，接收狭缝为0.3mm，扫描角度为10～80°，扫描速度为6°/min。
2.粉末的吸收光谱
对本发明所得粉末样品经充分研磨、制样后在Hitachi U4100 UV-Vis-NIR分光光度计测试其吸收光谱。
3.XPS分析光谱
对本发明所得粉末样品经充分研磨、制样后在美国PHI公司的PHI 5000C ESCA System上测试分析光谱，采用条件为铝/镁靶，高压14.0kV,功率300W,动能93.9eV。分别采集样品的0～1200eV的全扫描谱，而后采集各元素相关轨道的窄扫描谱，并采用PHI-MATLAB软件进行数据分析。以C1s＝284.6eV为基准进行结合能校正。采用XPSPeak4.1软件进行分峰拟合。
性能分析结果参照图1～图6。图1中，(a)CuGa1-xQxS2(Q=Sn,Ge)XRD图谱；(b)CuGa1-xQxS2(Q=Sn,Ge)吸收光谱；(c)CuGa1-xQxS2(Q=Sn,Ge)光学带隙变化；(d)CuGaS2能带和电子态密度示意图；(e)Cu8Ga7GeS16能带和电子态密度示意图；(f)Cu8Ga7SnS16能带和电子态密度示意图。由图(a)可知，掺杂后，峰位有偏移，说明Sn或Ge能够成功掺入CuGaS2的Ga位，CuGa1-xQxS2(Q=Sn,Ge)具有与CuGaS2相同的黄铜矿结构，属四方晶系，空间群为I4-2d。由图(b)可知，CuGa1-xQxS2(Q=Sn,Ge)的光学吸收边相对于CuGaS2发生较大红移。由图(c)可知，CuGa1-xQxS2(Q=Sn,Ge)的光学带隙相对于CuGaS2变小。以上说明掺杂Sn或Ge后，CuGaS2的光学吸收边红移较大，光学带隙变小，粉末颜色变暗。以Cu8Ga7GeS16为例，通过能带结构计算，参照图(d)、(e)、(f)，可以看到掺杂Sn或Ge后，在CuGaS2的能带中引入了一个半充满的中间能级。
图2为CuGaS2和CuGa0.95Sn0.05S2样品XPS分析图：(a)Cu,(b)Ga,(c)S,(d)Sn。说明在CuGa0.95Sn0.05S2样品中检测到了Sn的存在，且呈+4价，说明Sn以+4价离子的形式成功掺入CuGaS2，还可以看出，Sn的掺入对CuGaS2的其他各元素的状态没有产生什么影响，各元素的价态依然保持未掺杂前的状态。
图3中，(a)CuGa1-xQxSe2(Q=Sn,Ge)XRD图谱；(b)CuGa1-xQxSe2(Q=Sn,Ge)吸收光谱；(c)CuGa1-xQxSe2(Q=Sn,Ge)光学带隙变化；(d)CuGaSe2能带和电子态密度示意图；(e)Cu8Ga7GeSe16能带和电子态密度示意图；(f)Cu8Ga7SnSe16能带和电子态密度示意图。由图(a)可知，掺杂后，峰位有偏移，说明Sn或Ge能够成功掺入CuGaSe2的Ga位，CuGa1- xQxSe2(Q=Sn,Ge)具有与CuGaSe2相同的黄铜矿结构，属四方晶系，空间群为I4-2d。由图(b)可知，CuGa1-xQxSe2(Q=Sn,Ge)的光学吸收边相对于CuGaSe2发生较大红移。由图(c)可知，CuGa1-xQxSe2(Q=Sn,Ge)的光学带隙相对于CuGaSe2变小。以上说明掺杂Sn或Ge后，CuGaSe2的光学吸收边红移较大，光学带隙变小，粉末颜色变暗。以Cu8Ga7SnSe16为例，通过能带结构计算，参照图(d)、(e)、(f)，可以看到掺杂Sn或Ge后，在CuGaSe2的能带中引入了一个半充满的中间能级。
图4中，(a)CuIn1-xQxS2(Q=Sn,Ge)XRD图谱；(b)CuIn1-xQxS2(Q=Sn,Ge)吸收光谱；(c)CuIn1-xQxS2(Q=Sn,Ge)光学带隙变化；(d)CuInS2能带和电子态密度示意图；(e)Cu8In7GeS16能带和电子态密度示意图；(f)Cu8In7SnS16能带和电子态密度示意图。由图(a)可知，掺杂后，峰位有偏移，说明Sn或Ge能够成功掺入CuInS2的In位，CuIn1-xQxS2(Q=Sn,Ge)具有与CuInS2相同的黄铜矿结构，属四方晶系，空间群为I4-2d。由图(b)可知，CuIn1-xQxS2(Q=Sn,Ge)的光学吸收边相对于CuInS2发生较大红移。由图(c)可知，CuIn1-xQxS2(Q=Sn,Ge)的光学带隙相对于CuInS2变小。以上说明掺杂Sn或Ge后，CuInS2的光学吸收边红移较大，光学带隙变小，粉末颜色变暗。以Cu8In7SnS16为例，通过能带结构计算，参照图(d)、(e)、(f)，可以看到掺杂Sn或Ge后，在CuInS2的能带中引入了一个半充满的中间能级。
图5（a）为室温下的CuIn1-xSnxS2薄膜的荧光光谱分析图。激发光谱：514nm和近红外探测器(1)x=0.05,(2)x=0。激发光谱：633nm和近红外探测器(3)x=0,(4)x=0.05，说明在CuIn0.95Sn0.05S2薄膜中除了检测到CuInS2的本征带隙（1.4eV），而且还检测到了中间带能级（0.7eV），通过PL荧光分析光谱更直观地证明了Sn掺杂CuInS2中间带能级的存在。
图5（b）为根据图5（a）的分析结果的CuIn0.95Sn0.05S2中间能级示意图。通过引入中间带，可以提供光子的多个吸收通道，除了通常的从价带到导带能量hv1>Eg的光吸收外，电子还可以吸收一个能量为hv2（hv1>hv2>Ei-Ev）的光子从价带跃迁到中间带，该中间带内的电子吸收一个能量为hv3（hv2>hv3>Ec-Ei）的光子后再激发到导带。这样两个低能的光子通过“接力”的跃迁的方式，使一个电子从价带激发到导带，扩展了电池的红外吸收，增加电流输出。同时由于禁带宽度几乎没有变化，所以开路电压未变。因此中间带吸收一定程度上能提高电池效率。
图6中，(a)CuIn1-xSnxSe2XRD图谱；(b)CuIn1-xSnxSe2吸收光谱；(c)CuIn1-xSnxSe2光学带隙变化；(d)CuInSe2能带和电子态密度示意图；(e)Cu8In7SnSe16能带和电子态密度示意图。由图(a)可知，掺杂后，峰位有偏移，说明Sn能够成功掺入CuInSe2的In位，CuIn1- xSnxSe2具有与CuInSe2相同的黄铜矿结构，属四方晶系，空间群为I4-2d。由图(b)可知，CuIn1-xSnxSe2的光学吸收边相对于CuInSe2发生较大红移。由图(c)可知，CuIn1-xSnxSe2的光学带隙相对于CuInSe2变小。以上说明掺杂Sn后，CuInSe2的光学吸收边红移较大，光学带隙变小，粉末颜色变暗。以Cu8In7SnSe16为例，通过能带结构计算，参照图(d)、(e)，可以看到掺杂Sn后，在CuInSe2的能带中引入了一个半充满的中间能级。
本发明的材料以CuBC2（B＝Ga、In；C＝S、Se）材料为基础，通过元素掺杂的方式，制备具有中间能级的吸收材料，扩大了光谱吸收的范围，促进了近红外光子的光电转换效应，本发明的设计思路独特，原料廉价易得，制备工艺简单，光学带隙改变明显，具有应用在中间带太阳电池的前景。
下面进一步例举实施例以详细说明本发明。同样应理解，以下实施例只用于对本发明进行进一步说明，不能理解为对本发明保护范围的限制，本领域的技术人员根据本发明的上述内容作出的一些非本质的改进和调整均属于本发明的保护范围。下述示例具体的温度、时间等工艺参数也仅是合适范围中的一个示例，即本领域技术人员可以通过本文的说明做合适的范围内选择，而并非要限定于下文示例的具体数值。
实施例1
采用Ga粒（99.999%）、Cu粉（99.99%）、S粉（99.999%）、Ge粉（99.999%）、Sn粉（99.999%）按照CuGa1-xQxS2（Q分别为Ge、Sn；x分别为0、0.02、0.05、0.08）的化学计量比称量并装入玻璃管，抽真空（小于10-2Pa）后用氢氧火焰熔封，装混合物的玻璃管缓慢升温至450℃并保温10小时，然后缓慢升温至950-1000℃进行固相反应，反应时间为30-90小时。开管后粉体进行研磨再封装，进行第二次固相反应，条件与前类似，分别制得CuGaS2、CuGa0.98Ge0.02S2、CuGa0.95Ge0.05S2、CuGa0.98Sn0.02S2、CuGa0.95Sn0.05S2、CuGa0.92Sn0.08S2。性能测试如图1和图2所示。图1说明掺杂Sn或Ge后，CuGaS2的光学吸收边红移较大，光学带隙变小，粉末颜色变暗。通过能带结构计算，可以看到掺杂Sn或Ge后，在CuGaS2的能带中引入了一个半充满的中间能级。图2说明Sn以+4价离子的形式成功掺入CuGaS2，还可以看出，Sn的掺入对CuGaS2的其他各元素的状态没有产生什么影响，各元素的价态依然保持未掺杂前的状态。
实施例2
采用Ga粒（99.999%）、Cu粉（99.99%）、Se粉（99.999%）、Ge粉（99.999%）、Sn粉（99.999%）按照CuGa1-xQxSe2（Q分别为Ge、Sn；x分别为0、0.02、0.05、1）的化学计量比称量并装入玻璃管，抽真空（小于10-2Pa）后用氢氧火焰熔封，装混合物的玻璃管缓慢升温至400℃并保温10小时，然后缓慢升温至700-800℃进行固相反应，反应时间为20-40小时。开管后粉体进行研磨再封装，进行第二次固相反应，条件与前类似，分别制得CuGaSe2、CuGa0.98Ge0.02Se2、CuGa0.95Ge0.05Se2、CuGa0.98Sn0.02Se2、CuGa0.95Sn0.05Se2、CuGa0.9Sn0.1Se2。性能测试如图3所示。图3说明掺杂Sn或Ge后，CuGaSe2的光学吸收边红移较大，光学带隙变小，粉末颜色变暗。通过能带结构计算，可以看到掺杂Sn或Ge后，在CuGaSe2的能带中引入了一个半充满的中间能级。
实施例3
采用In粒（99.999%）、Cu粉（99.99%）、S粉（99.999%）、Ge粉（99.999%）、Sn粉（99.999%）按照CuIn1-xQxS2（Q分别为Ge、Sn；x分别为0、0.02、0.05、1）的化学计量比称量并装入玻璃管，抽真空（小于10-2Pa）后用氢氧火焰熔封，装混合物的玻璃管缓慢升温至450℃并保温10小时，然后缓慢升温至700-800℃进行固相反应，反应时间为30-72小时。开管后粉体进行研磨再封装，进行第二次固相反应，条件与前类似，分别制得CuInS2、CuIn0.98Ge0.02S2、CuIn0.95Ge0.05S2、CuIn0.98Sn0.02S2、CuIn0.95Sn0.05S2、CuIn0.9Sn0.1S2。性能测试如图4和图5（a）所示。图4说明掺杂Sn或Ge后，CuInS2的光学吸收边红移较大，光学带隙变小，粉末颜色变暗。通过能带结构计算，可以看到掺杂Sn或Ge后，在CuInS2的能带中引入了一个半充满的中间能级。图5（a）说明在CuIn0.95Sn0.05S2薄膜中除了检测到CuInS2的本征带隙（1.4eV），而且还检测到了中间带能级（0.7eV），通过PL荧光分析光谱更直观的证明了Sn掺杂CuInS2中间带能级的存在。图5（b）示出根据图5（a）的测试结果的CuIn0.95Sn0.05S2中间能级示意图。说明通过引入中间带，可以提供光子的多个吸收通道，除了通常的从价带到导带能量hv1>Eg的光吸收外，电子还可以吸收一个能量为hv2（hv1>hv2>Ei-Ev）的光子从价带跃迁到中间带，该中间带内的电子吸收一个能量为hv3（hv2>hv3>Ec-Ei）的光子后再激发到导带。
实施例4
采用In粒（99.999%）、Cu粉（99.99%）、Se粉（99.999%）、Sn粉（99.999%）按照CuIn1- xQxSe2（Q=Sn；x分别为0、0.02、0.05、1）的化学计量比称量并装入玻璃管，抽真空（小于10-2Pa）后用氢氧火焰熔封，装混合物的玻璃管缓慢升温至400℃并保温10小时，然后缓慢升温至700-800℃进行固相反应，反应时间为20-40小时。开管后粉体进行研磨再封装，进行第二次固相反应，条件与前类似，分别制得CuInSe2、CuIn0.98Sn0.02Se2、CuIn0.95Sn0.05Se2、CuIn0.9Sn0.1Se2。性能测试如图6所示。图6说明掺杂Sn后，CuInSe2的光学吸收边红移较大，光学带隙变小，粉末颜色变暗。通过能带结构计算，可以看到掺杂Sn后，在CuInSe2的能带中引入了一个半充满的中间能级。
实施例5
采用Ge粉，Sn粉及自制的Cu2S与Ga2S3以CuGa1-xQxS2（Q=Ge、Sn；x＝0～0.1）的化学计量比称量并装入玻璃管，按实施例1的方法，最终制成中间带材料。性能测试结果与实施例1基本相同。
实施例6
采用Ge粉，Sn粉及自制的Cu2Se与Ga2Se3以CuGa1-xQxSe2（Q=Ge、Sn；x＝0～0.1）的化学计量比称量并装入玻璃管，按实施例2的方法，最终制成中间带材料。性能测试结果与实施例2基本相同。
实施例7
采用Ge粉，Sn粉及自制的Cu2S与In2S3以CuIn1-xQxS2（Q=Ge、Sn；x＝0～0.1）的化学计量比称量并装入玻璃管，按实施例3的方法，最终制成中间带材料。性能测试结果与实施例3基本相同。
实施例8
采用Ge粉，Sn粉及自制的Cu2Se与In2Se3以CuIn1-xQxSe2（Q=Ge、Sn；x＝0～0.1）的化学计量比称量并装入玻璃管，按实施例3的方法，最终制成中间带材料。性能测试结果与实施例4基本相同。
产业应用性：本发明的设计思路独特，原料廉价易得，制备工艺简单，光学带隙改变明显，具有应用在中间带太阳电池的前景。
Claims (7)
1.一种黄铜矿结构的中间带吸收材料，其特征在于，所述黄铜矿结构的中间带吸收材料的化学组成为CuB 1-x Q x C 2，其中B＝Ga或In，Q= Ge或Sn，C＝S或Se，0<x≤0.1；所述材料通过在黄铜矿结构化合物CuBC 2中掺入掺杂元素Q从而在价带和导带之间形成一个单一独立的能级而形成中间带。
2.根据权利要求1所述的黄铜矿结构的中间带吸收材料，其特征在于，所述材料具有黄铜矿结构，属四方晶系，空间群为I4-2d。
3.根据权利要求1或2所述的黄铜矿结构的中间带吸收材料，其特征在于，所述CuB 1-x Q x C 2中的Cu、B、Q、C的价态与CuBC 2中各元素的价态相同。
4.一种权利要求1至3中任一项所述的黄铜矿结构的中间带吸收材料的制备方法，其特征在于，包括：
以CuB 1-x Q x C 2中各元素的单质、和/或Cu、B、Q的硫化物和/或硒化物为原料按化学组成配比进行配料后混合；
将混合的原料装入石英玻璃管中，经抽真空后封装，在700℃～1000℃下进行第一次固相反应；以及
开管后进行研磨，再次将研磨料放入石英玻璃管中，经抽真空后封装，在700℃～1000℃下进行第二次固相反应，即制得所述黄铜矿结构的中间带吸收材料。
5. 根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，在原料中，Cu粉和Sn粉的纯度分别为99.99%以上，其它原料的纯度为99.999%以上。
6.根据权利要求4或5所述的制备方法，其特征在于，所述抽真空是抽至真空度小于10-2 Pa。
7.根据权利要求4至6中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述第一次固相反应和/或所述第二次固相反应的反应时间为20～90 小时。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310617875.1A CN103606573B (zh) | 2013-11-27 | 2013-11-27 | 一种黄铜矿结构的中间带吸收材料及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310617875.1A CN103606573B (zh) | 2013-11-27 | 2013-11-27 | 一种黄铜矿结构的中间带吸收材料及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103606573A true CN103606573A (zh) | 2014-02-26 |
| CN103606573B CN103606573B (zh) | 2016-09-07 |
Family
ID=50124788
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201310617875.1A Active CN103606573B (zh) | 2013-11-27 | 2013-11-27 | 一种黄铜矿结构的中间带吸收材料及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103606573B (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104692450A (zh) * | 2015-03-24 | 2015-06-10 | 湘潭大学 | 一种三带隙锡掺杂铜镓硫太阳能电池材料的制备方法 |
| CN111341664A (zh) * | 2020-03-11 | 2020-06-26 | 鄂尔多斯应用技术学院 | 过渡金属元素掺杂CuGaS2的中间带薄膜及其制备方法 |
| CN115432671A (zh) * | 2022-08-16 | 2022-12-06 | 华中科技大学 | 一类新型半导体材料及其合成方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1185662A (zh) * | 1996-10-15 | 1998-06-24 | 松下电器产业株式会社 | 太阳电池及其制造方法 |
| US20110284723A1 (en) * | 2010-03-12 | 2011-11-24 | Linyou Cao | Semiconductor nano-wire antenna solar cells and detectors |
| CN103378214A (zh) * | 2012-04-28 | 2013-10-30 | 光洋应用材料科技股份有限公司 | 堆叠式铜锌锡硒硫薄膜太阳能电池及其制作方法 |
-
2013
- 2013-11-27 CN CN201310617875.1A patent/CN103606573B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1185662A (zh) * | 1996-10-15 | 1998-06-24 | 松下电器产业株式会社 | 太阳电池及其制造方法 |
| US20110284723A1 (en) * | 2010-03-12 | 2011-11-24 | Linyou Cao | Semiconductor nano-wire antenna solar cells and detectors |
| CN103378214A (zh) * | 2012-04-28 | 2013-10-30 | 光洋应用材料科技股份有限公司 | 堆叠式铜锌锡硒硫薄膜太阳能电池及其制作方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| JAMES MOOREL, ET AL.: "Influence of Ge Doping on Defect Distributions of CU2Zn(Snx Gel-x) (Sy Sely) Fabricated by Nanocrystal Ink Deposition with Selenization", 《IEEE》, 31 December 2011 (2011-12-31), pages 1475 * |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104692450A (zh) * | 2015-03-24 | 2015-06-10 | 湘潭大学 | 一种三带隙锡掺杂铜镓硫太阳能电池材料的制备方法 |
| CN111341664A (zh) * | 2020-03-11 | 2020-06-26 | 鄂尔多斯应用技术学院 | 过渡金属元素掺杂CuGaS2的中间带薄膜及其制备方法 |
| CN115432671A (zh) * | 2022-08-16 | 2022-12-06 | 华中科技大学 | 一类新型半导体材料及其合成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103606573B (zh) | 2016-09-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Ranabhat et al. | An introduction to solar cell technology | |
| Chen et al. | Abundance of CuZn+ SnZn and 2CuZn+ SnZn defect clusters in kesterite solar cells | |
| Khattak et al. | Effect of Cu2O hole transport layer and improved minority carrier life time on the efficiency enhancement of Cu2NiSnS4 based experimental solar cell | |
| Itthibenchapong et al. | Earth-abundant Cu-based chalcogenide semiconductors as photovoltaic absorbers | |
| CN106653898B (zh) | 一种czts太阳能电池 | |
| Enrichi et al. | Solar Cells and Light Management: Materials, Strategies and Sustainability | |
| Chen et al. | Fe-substituted indium thiospinels: New intermediate band semiconductors with better absorption of solar energy | |
| CN105820055A (zh) | 一种甲基氨基碘化铅铋钙钛矿晶体光吸收层材料及其制备方法 | |
| KR20120127303A (ko) | 신규한 화합물 반도체 및 그 활용 | |
| KR101612489B1 (ko) | 신규한 화합물 반도체 및 그 활용 | |
| Han et al. | Calculation studies on point defects in perovskite solar cells | |
| CN103633165B (zh) | 黄铜矿结构中间带太阳能电池吸收层材料及其制备方法 | |
| Jiang et al. | Inserting an intermediate band in Cu-and Ag-based Kesterite compounds by Sb doping: a first-principles study | |
| CN106206249A (zh) | 一种具有光伏特性的拓扑绝缘体薄膜及其制备方法 | |
| CN103606573A (zh) | 一种黄铜矿结构的中间带吸收材料及其制备方法 | |
| CN102544230A (zh) | 一种生长可变禁带宽度的Cd1-xZnxTe薄膜的方法 | |
| Zhou et al. | Research on copper indium gallium selenide (CIGS) thin-film solar cells | |
| Huang et al. | Interface of Sn-doped AgAlTe2 and LiInTe2: A theoretical model of tandem intermediate band absorber | |
| CN101719521A (zh) | 一种Si/FeSi2/Si组成三明治结构的太阳能电池及其制造方法 | |
| Hepp et al. | Photovoltaics overview: Historical background and current technologies | |
| CN103305793B (zh) | 一种制备缓冲层氧化物靶材及其氧化物薄膜的方法 | |
| CN110422873B (zh) | 一种AgGaS2基中间带半导体材料及其制备方法 | |
| Qin et al. | Wide spectrum absorption of CuGaS2 with intermediate bands | |
| CN107381623B (zh) | 一种中间带半导体材料及其制备方法和应用 | |
| CN104659124B (zh) | 一种太阳能电池吸收层材料及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20160918 Address after: 200335, Shanghai, Changning District on the way No. 33, 8, 2, room 2172 Patentee after: Shanghai fortune Amperex Technology Limited Address before: 200050 Dingxi Road, Shanghai, Changning District, No. 1295 Patentee before: Shanghai Silicates Institute, the Chinese Academy of Sciences |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20200207 Address after: 200050 No. 1295 Dingxi Road, Shanghai, Changning District Patentee after: SHANGHAI INSTITUTE OF CERAMICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES Address before: 200335, Shanghai, Changning District on the way No. 33, 8, 2, room 2172 Patentee before: Shanghai fortune Amperex Technology Limited |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20210510 Address after: 272113 Shengxiang Town, intersection of Jiacheng road and Chengxiang Avenue, tuanli Town, Jining Economic Development Zone, Jining City, Shandong Province Patentee after: Shandong Zhongke Taiyang Photoelectric Technology Co.,Ltd. Address before: 200050 No. 1295 Dingxi Road, Shanghai, Changning District Patentee before: SHANGHAI INSTITUTE OF CERAMICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES |