CN103605085A - 一种基于结构函数的led热特性测试方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及LED光源构造体,是一种基于结构函数的LED热特性测试方法。所述方法包括:选择两组不同封装结构的LED灯具,所述两组LED灯具的封装体与材料不同;利用LED的U—I曲线漂移在小电流情况下与PN结,记录灯具在恒流驱动下结点电压VF与温度TJ,计算比例系数S;测量瞬态降温曲线时,分别将两组LED灯具放在25~75℃的环境温度下,用350mA的额定电流驱动样品10min达到热稳态后,瞬态测试开始记录降温曲线;通过在样品下方放一张纸做隔离,然后采用不同的散热板,记录所得曲线;根据降温曲线利用软件分析计算微分结构函数Rth,结合被测的LED灯具的结构和曲线中的拐点位置,得到LED芯片到引脚的热阻K。
Description
技术领域
本发明涉及LED光源构造体,确切地说,是一种基于结构函数的LED热特性测试方法。
背景技术
LED被称为第四代照明光源,它具有光效高、节能环保、寿命长、体积小等优点,广泛应用于指示灯、信号灯、景观照明等领域。但是随着LED输入功率的增加,会导致芯片温度升高,从而影响LED的光通量、颜色以及主波长等参数,使得LED老化过程加速,提前失效。尤其对于大功率LED器件,热学特性会影响到它的工作温度、寿命和发光效率。因此,散热是大功率LED进入通用照明的重要瓶颈之一,对大功率LED的结温、热阻等热特性参数的测量变得至关重要。
目前,LED热特性测量方法很多,如正向电压法测量LED结温,此方法的难点是测量LED底座的温度,从而会导致测量结果误差偏大。另外,还有红外成像法、电学参数法等。但这些方法或多或少都存在一些缺陷。如红外成像法速度慢,受空间分辨率限制;电学参数法忽略了对器件损耗光功率的测试,在测试大功率LED时会产生较大偏差。
鉴于上述LED热特性测试方法的技术缺陷,本发明采用瞬态热测试方法分析待测LED器件热学特性,即基于结构函数的热特性的测试,这种测试方法对LED无破坏性,减少了由于影响LED内部结构导致测量结果产生的误差,同时,这种测量方法主要依赖于热测试仪的软件分析,结果清晰明了,便于研究者对LED的热性能进行分析。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是通过瞬态热测试方法分析待测LED器件热学特性,即基于结构函数的热特性的测试,这种测试方法对LED无破坏性,减少了由于影响LED内部结构导致测量结果产生的误差,同时依赖热测试仪的软件分析,提供一种基于结构函数的LED热特性测试方法。
本发明解决上述技术问题的技术方案如下:一种基于结构函数的LED热特性测试方法,所述方法包括如下:
(1)选择两组不同封装结构的LED灯具,所述两组LED灯具的封装体与材料不同;
(2)利用LED的U—I曲线漂移在小电流情况下与PN结温度形成的线性关系的特点,记录两组灯具的在恒流驱动下结点电压VF与温度TJ,分别计算出他们的比例系数S;
(3)测量瞬态降温曲线时,分别将两组LED灯具放在25~75℃的环境温度下,用350mA的额定电流驱动样品10min达到热稳态后,瞬态测试开始记录降温曲线;
(4)通过在样品下方放一张纸做隔离,然后采用不同的散热板,记录所得曲线并与降温曲线对比;
(5)根据降温曲线利用软件分析计算微分结构函数Rth,结合被测的LED灯具的结构和曲线中的拐点位置,得到LED芯片到引脚的热阻K。
本发明的有益效果是:从LED的伏安-温度特性曲线计算出S系数,根据S系数和降温曲线通过软件分析芯片到LED引脚的热阻。采用本方法用间接手段测量LED灯具的光热特性,具有测试时间短,操作相对简单,从而降低LED的封装热阻,提高LED的封装质量,进而延长LED的使用寿命。
附图说明
图1为本发明步骤流程图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的原理和特征进行描述,所举实例只用于解释本发明,并非用于限定本发明的范围。
如图1所示,一种基于结构函数的LED热特性测试方法,所述方法包括如下:
(1)选择两组不同封装结构的LED灯具,所述两组LED灯具的封装体与材料不同;例如,第一组为白光LED,它的封装结构简单,从内到外依次为芯片、封装体,是仿流明结构;第二组为黄光LED,其封装结构与第一组样品类似,但是封装体与材料跟第一组不同。
(2)利用LED的U—I曲线漂移在小电流情况下与PN结温度形成的线性关系的特点,由于LED的加热曲线是指电流由小电流切换到大电流,测量误差较大;降温曲线反之,流过LED的电流很小,测量精度较高;又加热曲线与冷却曲线对称。记录两组灯具的在恒流驱动下结点电压VF与温度TJ,分别计算出他们的比例系数S。
(3)测量瞬态降温曲线时,分别将两组LED灯具放在25~75℃的环境温度下,用350mA的额定电流驱动样品10min达到热稳态后,瞬态测试开始记录降温曲线;
(4)通过在样品下方放一张纸做隔离,然后采用不同的散热板,记录所得曲线并与降温曲线对比;
(5)根据降温曲线利用软件分析计算微分结构函数Rth,结合被测的LED 灯具的结构和曲线中的拐点位置,得到LED芯片到引脚的热阻K。
两种样品的LED结构不同,颜色不同,由它们的S系数和结构函数图得到的热阻分布也不同,在实际生产中,就可以参照这些热特性参数,对LED的结构进行优化,从而降低LED的封装热阻,提高LED的封装质量,进而延长使用寿命。
以上所述仅为本发明的较佳实施例,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (1)
1.一种基于结构函数的LED热特性测试方法,其特征在于,所述方法包括如下:
(1)选择两组不同封装结构的LED灯具,所述两组LED灯具的封装体与材料不同;
(2)利用LED的U—I曲线漂移在小电流情况下与PN结温度形成的线性关系的特点,记录两组灯具的在恒流驱动下结点电压VF与温度TJ,分别计算出他们的比例系数S;
(3)测量瞬态降温曲线时,分别将两组LED灯具放在25~75℃的环境温度下,用350mA的额定电流驱动样品10min达到热稳态后,瞬态测试开始记录降温曲线;
(4)通过在样品下方放一张纸做隔离,然后采用不同的散热板,记录所得曲线并与降温曲线对比;
(5)根据降温曲线利用软件分析计算微分结构函数Rth,结合被测的LED灯具的结构和曲线中的拐点位置,得到LED芯片到引脚的热阻K。
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- 2013-10-31 CN CN201310532510.9A patent/CN103605085A/zh active Pending
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