CN103579452A - 一种多面激发荧光粉的led光源 - Google Patents

一种多面激发荧光粉的led光源 Download PDF

Info

Publication number
CN103579452A
CN103579452A CN201210298492.8A CN201210298492A CN103579452A CN 103579452 A CN103579452 A CN 103579452A CN 201210298492 A CN201210298492 A CN 201210298492A CN 103579452 A CN103579452 A CN 103579452A
Authority
CN
China
Prior art keywords
multiaspect
light source
led chip
chip group
supporting body
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201210298492.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103579452B (zh
Inventor
黄鹏
廖深财
钟小敏
胡佳婷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Butterfly Technology Shenzhen Ltd
Original Assignee
Butterfly Technology Shenzhen Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Butterfly Technology Shenzhen Ltd filed Critical Butterfly Technology Shenzhen Ltd
Priority to CN201210298492.8A priority Critical patent/CN103579452B/zh
Publication of CN103579452A publication Critical patent/CN103579452A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103579452B publication Critical patent/CN103579452B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other

Abstract

一种多面激发荧光粉的LED光源，包括透明的多面承载体和出射第一泵浦光的第一LED芯片组。第一LED芯片组设置在多面承载体的底面及多面承载体的至少一个侧面。其中，设置有第一LED芯片组的多面承载体的底面和侧面的外表面均设置有使第一泵浦光高透的第一光学薄膜层，与该侧面相对的另一侧面的外表面设置有使第一泵浦光高反的第二光学薄膜层。多面承载体的内表面设置有荧光粉层，用于吸收从底面和侧面射出的第一泵浦光并激发出荧光，由多面承载体的开口或顶面出射。本发明的LED光源，通过多面安装LED芯片组的方式，将传统的单面激发荧光粉层扩展为至少两面激发荧光粉层，在维持LED光源发光面积不变的情况下，增加荧光的出射亮度。

Description

一种多面激发荧光粉的LED光源
技术领域
本发明涉及光源，尤其涉及一种多面激发荧光粉的LED光源。
背景技术
现有的低成本LED光源通常采用荧光转换技术，即，LED芯片配合荧光粉，产生白光，其主要的原理是：荧光粉吸收LED芯片所出射的光后被激发出另一种波长的光，现阶段主要的表现形式是直接在芯片表面涂覆荧光粉，这种方式常应用在蓝光LED芯片配合黄色荧光粉，产生白光。然而，这种结构的LED光源存在以下缺点：在有限的发光面积内，荧光粉的激发能量比较低，不能产生足够的白光输出，从而局限了LED光源的亮度提升。
发明内容
有鉴于此，须提供一种LED光源发光面积不变、亮度高的多面激发荧光粉，的LED光源。
本发明的发明目的是通过以下技术方案来实现的：
一种多面激发荧光粉的LED光源，包括透明的多面承载体和出射第一泵浦光的第一LED芯片组。所述多面承载体包括底面、与所述底面垂直的至少四个的偶数个侧面、与所述底面相对的开口或顶面；所述第一LED芯片组设置在所述多面承载体的底面以及多面承载体的至少一个侧面；其中，设置有第一LED芯片组的多面承载体的底面和侧面的外表面均设置有使所述第一泵浦光高透的第一光学薄膜层，与设置有第一LED芯片组的多面承载体的侧面相对的另一侧面的外表面设置有使所述第一泵浦光高反的第二光学薄膜层，多面承载体的内表面设置有荧光粉层，所述荧光粉层吸收从底面和侧面射出的第一泵浦光并激发出荧光，由多面承载体的开口或顶面出射。
本发明的多面激发荧光粉的LED光源，通过多面承载体多面安装LED芯片组的方式，将传统的单面激发荧光粉层扩展为至少两面激发荧光粉层，在维持LED光源发光面积不变的情况下，增加激发光的数量和面积，从而增加荧光的出射亮度，最终实现白光亮度的提升。
附图说明
为了易于说明，本发明由下述的较佳实施例及附图作以详细描述。
图1为本发明第一实施方式多面激发荧光粉的LED光源的结构示意图。
图2为图1中多面承载体、荧光粉层的结构示意图。
图3为本发明第二实施方式多面激发荧光粉的LED光源(省略LED芯片组)的结构示意图。
具体实施方式
参阅图1、图2，其中，图1所示为本发明第一实施方式多面激发荧光粉的LED光源的结构示意图，图2为图1中多面承载体、荧光粉层的结构示意图。该多面激发荧光粉的LED光源包括第一LED芯片组10以及多面承载体20。其中，第一LED芯片组10出射第一泵浦光。多面承载体20包括底面201，与底面201垂直的至少四个的偶数个侧面，与底面201相对的开口或顶面。
第一LED芯片组10设置在多面承载体20的底面201以及多面承载体20的至少一个侧面。本发明实施方式中，设置有第一LED芯片组10的多面承载体20的底面201和侧面的外表面均设置有使第一泵浦光高透的第一光学薄膜层(图中未示出)，与设置有第一LED芯片组10的多面承载体20的侧面相对的另一侧面的外表面设置有使第一泵浦光高反的第二光学薄膜层(图中未示出)，多面承载体20的内表面设置有荧光粉层30(参阅图2)，该荧光粉层30吸收从底面201和侧面射出的第一泵浦光并激发出荧光，由多面承载体20的开口或顶面203出射。
本发明具体实施方式中，第一LED芯片组10为蓝光芯片组，其出射的第一泵浦光为蓝光。荧光粉层30所激发的荧光为绿光、红光、黄光中的一种或者其结合。荧光粉层30充满多面承载体20的内表面，该荧光粉层30的表面还设置有扩散粉颗粒的胶体层，用于使光束到达该表面后其全内反射能减小，从而使得光束能在该表面高效出光。
该多面承载体20为长方体，其材质为玻璃、塑料或者硅胶，具有四个与底面201垂直的侧面202、203、202’、203’。第一LED芯片组10设置在长方体的底面201和长方体的2个相邻的侧面202、203中。其中，设置在侧面202、203的第一LED芯片组10是辅助设置在底面201的第一LED芯片组10来共同激发荧光粉层30。又，侧面202、203外表面均设置有使第一泵浦光高透的第一光学薄膜层。即，对蓝光高透。与其相对的另一侧面202’、203’的外表面设置有使第一泵浦光高反的第二光学薄膜层。即，对蓝光高反。因此，从侧面射出的蓝光在多面承载体20内多次激发荧光粉层30，使荧光粉层30吸收更多的蓝光，激发出更多的荧光。
由于第一LED芯片组10是设置在长方体的底面201和长方体的2个相邻的侧面202、203中，因此，本发明实施方式的多面激发荧光粉的LED光源从传统的单面激发荧光粉层扩展为三面激发荧光粉层，从而形成立体激发，在维持LED光源发光面积不变的情况下，增加激发光的数量和面积，从而增加荧光的出射亮度，最终实现白光亮度的提升。
当然，本发明其它实施方式中，第一LED芯片组10也可以仅设置在长方体的底面201和长方体的一个侧面中，从传统的单面激发荧光粉层扩展为双面激发荧光粉层，同样可以在维持LED光源发光面积不变的情况下，实现白光亮度的提升。
因此，本发明的多面激发荧光粉的LED光源，通过在长方体表面多面安装LED芯片的方式，将传统的单面激发荧光粉层扩展为至少两面激发荧光粉层，在维持LED光源发光面积不变的情况下，增加激发光的数量和面积，从而增加荧光的出射亮度，最终实现白光亮度的提升。
此外，本发明实施方式中，还包括出射第二泵浦光的第二LED芯片组40，设置在未设置有第一LED芯片组10的多面承载体20的侧面。具体实施方式中，为侧面202’。该第二LED芯片组40为绿光芯片组或红光芯片组。该第一光学薄膜为高透射蓝光，反射黄光、绿光或红光。第二光学薄膜为反射蓝光，透射黄光、绿光或红光。在多面激发荧光粉的LED光源中，在至少两面激发荧光粉层的基础上，额外增加红光或绿光来实现更多颜色的混合，在白光亮度提升的情况下，增加LED光源的显色指数和色温的变换。
当然，该多面激发荧光粉的LED光源还可以包括出射第三泵浦光的第三LED芯片组50，设置在未设置有第一LED芯片组10、第二LED芯片组40的多面承载体20的侧面。具体实施方式中，为侧面203’。该第三LED芯片组50为红光芯片组或绿光芯片组。同样实现更多颜色的混合，在白光亮度提升的情况下，增加LED光源的显色指数和色温的变换。
图3所示为本发明第二实施方式多面激发荧光粉的LED光源(省略LED芯片组)的结构示意图。该光源与第一实施方式的光源的结构基本相同，区别在于图3所示的多面承载体21为直六棱柱体，具有六个与底面(图中未标示)垂直的侧面211、212、213、214、215、216。第一LED芯片组(图中未示出)设置在直六棱柱体的底面和直六棱柱体21的2个相邻的侧面211、212中。第二LED芯片组(图中未示出)设置在直六棱柱体21的侧面213、214。第三LED芯片组(图中未示出)设置在直六棱柱体21的侧面215、216。其中，直六棱柱体的侧面211、212的外表面设置有高透射蓝光，反射黄光、绿光或红光的第一光学薄膜层(图中未标示)。侧面213、214、215、216的外表面则设置有反射蓝光，透射黄光、绿光或红光的第一光学薄膜层(图中未标示)。直六棱柱体21的内表面同样设置有荧光粉层，且，荧光粉层的表面同样还设置有扩散粉颗粒的胶体层，用于使光束到达该表面后其全内反射能减小，从而使得光束能在该表面高效出光。
当然，该第二LED芯片组或第三LED芯片组也可以省略，这里不再赘述。
因此，本发明的实施方式中的LED光源，通过直六棱柱体来多面安装LED芯片组，将传统的单面激发荧光粉层扩展为至少两面激发荧光粉层，在维持LED光源发光面积不变的情况下，增加激发光的数量和面积，从而增加荧光的出射亮度，最终实现白光亮度的提升。另外，通过额外增加红光、绿光等方式来实现更多颜色的混合，在白光亮度提升的情况下，增加LED光源的显色指数和色温的变换。
因此，本发明的多面激发荧光粉的LED光源，通过多面承载体多面安装LED芯片组的方式，将传统的单面激发荧光粉层扩展为至少两面激发荧光粉层，在维持LED光源发光面积不变的情况下，增加激发光的数量和面积，从而增加荧光的出射亮度，最终实现白光亮度的提升。
以上所述之具体实施方式为发明的较佳实施方式，并非以此限定本发明的具体实施范围，本发明的范围包括并不限于本具体实施方式，例如，多面承载体还可以是直八棱柱体、直十棱柱体等，在其底面和三个侧面(或更多的侧面)设置第一LED芯片组等。凡依照本发明之形状、结构所作的等效变化均包含本发明的保护范围内。

Claims (10)

1.一种多面激发荧光粉的LED光源，包括出射第一泵浦光的第一LED芯片组，其特征在于，所述多面激发荧光粉的LED光源还包括透明的多面承载体，所述多面承载体包括底面、与所述底面垂直的至少四个的偶数个侧面、与所述底面相对的开口或顶面；所述第一LED芯片组设置在所述多面承载体的底面以及多面承载体的至少一个侧面；其中，设置有第一LED芯片组的多面承载体的底面和侧面的外表面均设置有使所述第一泵浦光高透的第一光学薄膜层，与设置有第一LED芯片组的多面承载体的侧面相对的另一侧面的外表面设置有使所述第一泵浦光高反的第二光学薄膜层，多面承载体的内表面设置有荧光粉层，所述荧光粉层吸收从底面和侧面射出的第一泵浦光并激发出荧光，由多面承载体的开口或顶面出射。
2.根据权利要求1所述的多面激发荧光粉的LED光源，其特征在于，还包括出射第二泵浦光的第二LED芯片组，设置在未设置有第一LED芯片组的多面承载体的侧面。
3.根据权利要求2所述的多面激发荧光粉的LED光源，其特征在于，所述第二LED芯片组为绿光芯片组或红光芯片组。
4.根据权利要求2所述的多面激发荧光粉的LED光源，其特征在于，还包括出射第三泵浦光的第三LED芯片组，设置在未设置有第一LED芯片组、第二LED芯片组的多面承载体的侧面。
5.根据权利要求4所述的多面激发荧光粉的LED光源，其特征在于，所述第三LED芯片组为红光芯片组或绿光芯片组。
6.根据权利要求1至5任意一项所述的多面激发荧光粉的LED光源，其特征在于，所述第一LED芯片组为蓝光芯片组。
7.根据权利要求1至5任意一项所述的多面激发荧光粉的LED光源，其特征在于，所述多面承载体为长方体或直六棱柱体。
8.根据权利要求1至5任意一项所述的多面激发荧光粉的LED光源，其特征在于，所述多面承载体的材质为玻璃、塑料或者硅胶。
9.根据权利要求1至5任意一项所述的多面激发荧光粉的LED光源，其特征在于，所述荧光粉层所激发的荧光为绿光、红光、黄光中的一种或者其结合。
10.根据权利要求1至5任意一项所述的多面激发荧光粉的LED光源，其特征在于，所述荧光粉层的表面还设置有扩散粉颗粒的胶体层。
CN201210298492.8A 2012-08-12 2012-08-12 一种多面激发荧光粉的led光源 Active CN103579452B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210298492.8A CN103579452B (zh) 2012-08-12 2012-08-12 一种多面激发荧光粉的led光源

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210298492.8A CN103579452B (zh) 2012-08-12 2012-08-12 一种多面激发荧光粉的led光源

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103579452A true CN103579452A (zh) 2014-02-12
CN103579452B CN103579452B (zh) 2016-06-15

Family

ID=50050801

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210298492.8A Active CN103579452B (zh) 2012-08-12 2012-08-12 一种多面激发荧光粉的led光源

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103579452B (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104565913A (zh) * 2014-12-08 2015-04-29 苏州汉克山姆照明科技有限公司 一种led灯
CN104728752A (zh) * 2015-03-12 2015-06-24 句容市万福达工艺品厂 一种具有切换功能的散热led灯
CN104728754A (zh) * 2015-03-12 2015-06-24 句容市万福达工艺品厂 一种基于太阳能的led灯
CN104728755A (zh) * 2015-03-12 2015-06-24 句容市万福达工艺品厂 一种具有切换功能的led灯
CN108226966A (zh) * 2017-12-29 2018-06-29 中国电子科技集团公司第二十研究所 一种二次载波剥离跟踪方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010262060A (ja) * 2009-04-30 2010-11-18 Hitachi Displays Ltd 液晶表示装置及び照明装置
CN202109270U (zh) * 2011-06-15 2012-01-11 周志坚 一种多组多面发光的led灯
CN102384372A (zh) * 2010-09-02 2012-03-21 吴明番 覆盖有光学膜层的led面光源发光装置与制作方法
CN202182351U (zh) * 2011-08-11 2012-04-04 周志坚 一种多面发光的led灯

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010262060A (ja) * 2009-04-30 2010-11-18 Hitachi Displays Ltd 液晶表示装置及び照明装置
CN102384372A (zh) * 2010-09-02 2012-03-21 吴明番 覆盖有光学膜层的led面光源发光装置与制作方法
CN202109270U (zh) * 2011-06-15 2012-01-11 周志坚 一种多组多面发光的led灯
CN202182351U (zh) * 2011-08-11 2012-04-04 周志坚 一种多面发光的led灯

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104565913A (zh) * 2014-12-08 2015-04-29 苏州汉克山姆照明科技有限公司 一种led灯
CN104565913B (zh) * 2014-12-08 2017-06-23 苏州汉克山姆照明科技有限公司 一种led灯
CN104728752A (zh) * 2015-03-12 2015-06-24 句容市万福达工艺品厂 一种具有切换功能的散热led灯
CN104728754A (zh) * 2015-03-12 2015-06-24 句容市万福达工艺品厂 一种基于太阳能的led灯
CN104728755A (zh) * 2015-03-12 2015-06-24 句容市万福达工艺品厂 一种具有切换功能的led灯
CN108226966A (zh) * 2017-12-29 2018-06-29 中国电子科技集团公司第二十研究所 一种二次载波剥离跟踪方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN103579452B (zh) 2016-06-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9010961B2 (en) LED integrated packaging light source module
CN104979455B (zh) 一种led光源装置及其封装方法及背光模组及显示装置
CN106449948B (zh) 一种白光led及其背光模组
CN105202483A (zh) 背光模组及显示设备
CN103343943A (zh) 显示装置的背光模组以及白光led
CN201666514U (zh) 背光模块
CN102239578A (zh) Led组件
CN102798085A (zh) 光源装置以及照明装置
CN101937911A (zh) 发光二极管封装构造及背光模块
CN103579452A (zh) 一种多面激发荧光粉的led光源
CN104617197A (zh) 一种显示模组用led发光器件及显示模组
CN108257948A (zh) 白光发光二极管及背光模组
CN108361566A (zh) 一种光源装置
CN104979456A (zh) 一种led光源装置及其封装方法及背光模组及显示装置
CN105449081A (zh) 光线发射模块
CN107688269A (zh) 应用波长转换原理的新型直下式背光光源装置
US20210180769A1 (en) Light-emitting apparatus
CN102361057A (zh) 具有光栅的光学膜
CN104347606A (zh) 发光二极管封装结构及光源模块
CN207753011U (zh) 白光发光二极管及背光模组
CN103899923A (zh) 照明装置
CN206116453U (zh) 一种白光led及其背光模组
CN111052519A (zh) 发光装置
CN202469605U (zh) 发光装置
CN211600585U (zh) 采用棱镜压缩激光束的激光照明模块及激光照明装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
DD01 Delivery of document by public notice

Addressee: Yang Fan

Document name: Notification of Passing Examination on Formalities

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant