CN103531909A - 太赫兹频扫h面扇形喇叭天线及其在体硅mems工艺下的制备方法 - Google Patents
太赫兹频扫h面扇形喇叭天线及其在体硅mems工艺下的制备方法 Download PDFInfo
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Abstract
本发明涉及一种太赫兹频扫H面扇形喇叭天线及其在体硅MEMS工艺下的制备方法,适用于太赫兹波段通信及探测等应用。本发明的太赫兹频扫H面扇形喇叭天线采用了多个具有有益效果的结构:喇叭天线的侧壁展开方式选取了弯曲渐开,使得天线的等相位面能够发生变化,产生波束偏转;渐开的曲线选取了两条平滑过渡的对数曲线,使得天线馈电部分与辐射结构能有良好的阻抗匹配;两条对数曲线选取的底数不同,在使得口面不断扩大的同时,优化了天线波束随频率变化的效果,得到对应不同频率不同的波束指向。
Description
技术领域
本发明涉及一种太赫兹频扫H面扇形喇叭天线及其在体硅MEMS工艺下的制备方法,适用于太赫兹波段通信及探测等应用。
背景技术
频扫天线,多应用于雷达,在无线探测领域也具有应用前景。在国内外之前的研究工作中,频扫天线大多是阵列结构,通过馈电网络的设计,实现单元相位分布随频率变化,或者是采取漏波天线形式,通过设计使得辐射结构不同位置的等效源相位分布随频率变化。随着工艺的发展以及设计思路的开拓,近年来,出现了一些新形式的频扫天线,例如基片集成波导形式的漏波天线阵列,以及体现新性能的频扫天线,例如多极化,等等。从原理上来看,都是对辐射口面的等相位面进行调整。但是,采用单一的传统形式天线单元实现频扫特性,尚未见报道。尤其在太赫兹频段,未见到有关于频扫天线的实例。体硅MEMS工艺以其微小尺寸和加工精度优势,在太赫兹天线实现方面已被应用,近年来利用国内工艺水平研制了MEMS太赫兹喇叭天线以及电磁晶体集成天线等,并取得了很好的测试结果。因此,体硅MEMS工艺是太赫兹频扫扇形喇叭天线的可靠制备方法。
发明内容
本发明的目的是提出一种工作在太赫兹的频扫H面扇形喇叭天线及其利用国内现有体硅MEMS工艺制备的方法。
本发明的目的是通过以下技术方案实现的。
本发明的一种太赫兹频扫H面扇形喇叭天线,天线的辐射结构是由传统H面扇形喇叭天线演化得到;整体形状为向一侧弯曲的渐开喇叭;由馈电波导口至辐射口采取渐变扩展的结构;扩展方向平行于天线的H面;渐变曲线采取两条底数不同的对数曲线;馈电方式为矩形波导馈电;
本发明的利用体硅MEMS工艺对太赫兹频扫H面扇形喇叭天线的制备方法,具体步骤如下:
(1)选取一个双面抛光<110>SOI硅片,双面热生长氧化层,利用掩膜版光刻形成需要刻蚀的太赫兹频扫天线图形窗口。
(2)将步骤1)中的窗口部分利用ICP干法深槽刻蚀,形成侧壁垂直的槽;
(3)利用溅射金工艺完成硅片的槽内侧面以及底部的金属化,准备键合;
(4)选取另一个双面抛光<110>SOI硅片,在硅片表面溅射金层,使硅片表面金属化;
(5)对两片硅片进行对位后,即将步骤4)中的硅片放置于步骤3)得到的硅片的上面,利用金-金热压键合技术,得到加工成品。
有益效果
本发明的太赫兹频扫H面扇形喇叭天线采用了多个具有有益效果的结构:喇叭天线的侧壁展开方式选取了弯曲渐开,使得天线的等相位面能够发生变化,产生波束偏转;渐开的曲线选取了两条平滑过渡的对数曲线,使得天线馈电部分与辐射结构能有良好的阻抗匹配;两条对数曲线选取的底数不同,在使得口面不断扩大的同时,优化了天线波束随频率变化的效果,得到对应不同频率不同的波束指向。
本发明的太赫兹频扫H面扇形喇叭天线的体硅MEMS工艺制备方法带来的有益效果是,该工艺的工艺物理特性满足太赫兹频段天线加工要求,且精度高,一致性好,成本低。
本发明的天线工作在350GHz至372GHz范围内,带内的驻波比小于1.25,带内增益大于11.1dB,波束频扫角度可达到10.5°。
附图说明
图1是本发明设计原理示意图;
图2是本发明天线几何尺寸示意图;
图3是本发明天线在体硅MEMS工艺下的制备流程示意图;
图4是本发明实施例在350GHz至372GHz内的电压驻波比曲线;
图5是本发明实施例在350GHz至372GHz内的增益曲线;
图6是本发明实施例在350GHz至372GHz内的辐射口面相位分布曲线族;
图7是本发明实施例在350GHz至372GHz内的频扫方向图;
图中:
1—硅片A
2—硅片B
3—天线结构刻蚀槽
4—天线辐射口面
5—馈电波导口面
6—键合并划片后的天线单元
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步的详细说明。
实施例
如图1和图2所示,一种太赫兹频扫H面扇形喇叭天线,天线的辐射结构是由传统H面扇形喇叭天线演化得到;整体形状为向一侧弯曲的渐开喇叭;馈电方式为波导馈电,波导型号为WR2.2(559um×279um);由馈电波导口至辐射口采取渐变扩展的结构;扩展方向平行于天线的H面;渐变曲线采取两条底数不同的对数曲线。该实施例中天线的结构尺寸如下:
A=4.71mm,L=6.27mm
f1(x)=log5x,错误!未找到引用源。f2(x)=log1.7x
如图3所示,一种太赫兹频扫H面扇形喇叭天线利用体硅MEMS工艺制备的方法步骤如下:
(1)选取一个双面抛光<110>SOI硅片,双面热生长氧化层,利用掩膜版光刻形成需要刻蚀的太赫兹频扫天线图形窗口。
(2)ICP干法深槽刻蚀,形成侧壁垂直的槽。
(3)利用溅射金工艺完成硅片的硅槽侧面以及底部的金属化,准备键合。
(4)选取另一个双面抛光<110>SOI硅片,溅射金层,使硅圆片表面金属化。
(5)对两片硅片进行精确对位后,利用金-金热压键合技术,得到加工成品。
其中,选取的两片硅片厚度均为400um,划片得到的每个天线外形尺寸为:长10mm;宽7mm。
得到的天线设计结果,包括驻波比,增益,相位分布,频扫特性等,分别绘于图4,图5,图6和图7中。
由设计结果可得,本发明工作在350GHz至372GHz范围内,得到了良好的阻抗匹配,带内的驻波比小于1.25,曲线如图4所示。
由设计结果可得,在基本辐射特性方面,得到了较高的增益,带内增益大于11.1dB,曲线如图5所示。
由设计结果可得,在频扫特性方面,天线口面处在H面一维的等相位面随着频率在350GHz到372GHz范围内变化,倾斜角度呈现单调变化,曲线如图6所示,因此,波束在350GHz至372GHz范围内,频扫角度可达到10.5°,曲线如图7所示。下表中所列为工作频带内典型频点的H面频扫波束指向变化:
频率(GHz) | 350 | 361 | 372 |
波束指向 | 15° | 20.5° | 25.5° |
以上所述仅为本发明的较佳实施例,凡是在本发明权利要求范围内所作的均等变化与修饰,均应属于本发明权利要求的涵盖范围。
Claims (2)
1.一种太赫兹频扫H面扇形喇叭天线,其特征在于:天线的辐射结构是由H面扇形喇叭天线演化得到;整体形状为向一侧弯曲的渐开喇叭;由馈电波导口至辐射口采取渐变扩展的结构;扩展方向平行于天线的H面;渐变曲线采取两条底数不同的对数曲线;馈电方式为矩形波导馈电。
2.利用体硅MEMS工艺对太赫兹频扫H面扇形喇叭天线的制备方法,其特征在于具体步骤如下:
(1)选取一个双面抛光<110>SOI硅片,双面热生长氧化层,利用掩膜版光刻形成需要刻蚀的太赫兹频扫天线图形窗口;
(2)将步骤1)中的窗口部分利用ICP干法深槽刻蚀,形成侧壁垂直的槽;
(3)利用溅射金工艺完成硅片的槽内侧面以及底部的金属化,准备键合;
(4)选取另一个双面抛光<110>SOI硅片,在硅片表面溅射金层,使硅片表面金属化;
(5)对两片硅片进行对位后,即将步骤4)中的硅片放置于步骤3)得到的硅片的上面,利用金-金热压键合技术,得到加工成品。
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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