CN103517535A - 一种金卤灯驱动电路 - Google Patents

Abstract

本发明提出一种金卤灯高频驱动方法。所述方法包含金卤灯驱动电路，所述驱动电路包括高频方波电压源、高频镇流电感、电容、和金卤灯；启动时，高频镇流电感和电容一起构成谐振电路，并在电容的两端产生高压，进而使得金卤灯中金属卤化物放电气化，点亮金卤灯；金卤灯点亮后，金卤灯两端的电压下降，进入导通照明状态，高频镇流电感对高频方波电压源进行分压，并对金卤灯电流进行镇流，以保持金卤灯的管压降和电流。本发明方法电路拓朴结构简单，高频镇流电感体积小，易于实现整灯和驱动电路一体化，整体电路价格便宜。

Description

一种金卤灯驱动电路

技术领域

本发明属于电路技术领域，特别涉及一种金卤灯驱动电路。

背景技术

现有的金卤灯驱动电路一般冷管启动时采用电感升压高压触发电路和低频电压正常驱动,金卤灯的点火放电高压电压达到2.4KV以上,低频电压的作用是为了防止金卤灯产生声共振。现有的金卤灯驱动电路的缺点是:必须另外单独由电感高压变压器及附加电路，导致电路拓朴结构复杂，低频电压镇流正常驱动时扼流电感体积和重量大,效率低,且难于实现整灯和镇流器一体化，整体镇流器电路价格过高。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是为了克服现有技术的不足，提出一种金卤灯驱动电路。

本发明为解决上述技术问题，采用如下技术方案：

一种金卤灯驱动电路，包括高频方波电压源、高频镇流电感、电容、和金卤灯；

所述高频方波电压源的一端与高频镇流电感的一端连接，高频方波电压源的另一端分别与金卤灯的一端和电容的一端连接；

金卤灯的另一端分别与电容的另一端和高频镇流电感的另一端连接；

所述高频方波电压源提供方波脉冲电压，所述电压频率为金卤灯非声共振频率；金卤灯启动时，高频镇流电感与电容产生谐振，并在电容的两端产生高压，所述高压大于金卤灯启动电压；

金卤灯启动后，金卤灯处于高频导通状态，高频镇流电感对高频方波电压源进行分压，并对金卤灯电流进行镇流，以保持金卤灯的管压降和电流。

所述高频方波电压源提供高频方波脉冲电压，包括振荡器、信号形成电路、低端功率驱动器、高端功率驱动器和频率控制电路；

所述频率控制电路控制振荡器，振荡器自激产生指定频率的方波，信号形成电路将振荡器输出的方波变换为两个同频脉冲方波L0和H0；所述脉冲方波L0输入低端功率驱动器，所述脉冲方波H0经过隔离电容后输入高端功率驱动器，所述高端功率驱动器驱动高端功率MOS管，低端功率驱动器驱动低端功率MOS管，构成半桥功率驱动电压源；

所述两个脉冲方波L0和H0是周期同为T的脉冲，且正脉冲宽度同为Tp，负脉冲宽度同为Tn=T-Tp；所述脉冲方波H0由脉冲方波L0延时Td+Tp得到；其中，

$\mathrm{Td}=\frac{1}{2}(\mathrm{Tn}-\mathrm{Tp})$

Td为死区时间，且Tn≥Tp。

进一步，所述振荡器自激产生指定频率的方波，所述方波的频率为单一频率，或者为两个不同的频率；振荡器自激产生指定频率的方波，其频率为两个不同的频率时，高频方波用于启动金卤灯，金卤灯导通后振荡器自激产生低频方波。

进一步，所述金卤灯驱动电路与金卤灯集成在一起。

有益效果：本发明提出一种金卤灯驱动电路。所述驱动电路包括高频方波电压源、高频镇流电感、电容、和金卤灯；启动时，高频镇流电感和电容一起构成谐振电路，并在电容的两端产生高压，进而使得金卤灯中金属卤化物放电气化，点亮金卤灯；金卤灯点亮后，金卤灯两端的电压下降，进入导通照明状态，高频镇流电感对高频方波电压源进行分压，并对金卤灯电流进行镇流，以保持金卤灯的管压降和电流。本发明方法电路拓朴结构简单，高频镇流电感体积小,易于实现整灯和驱动电路一体化，整体电路价格便宜。

附图说明

图1是本发明一种金卤灯驱动电路示意图。

图2是本发明金卤灯驱动电路包含方波电源的示意图。

图3是两个脉冲方波时序图。

具体实施方式

下面将参照附图更详细地描述本发明一种金卤灯驱动电路的示例性实施方式。

如图1所示，一种金卤灯驱动电路，所述驱动电路包括高频方波电压源V、高频镇流电感L、电容C、和金卤灯S。

所述高频方波电压源V的一端与高频镇流电感L的一端连接，高频方波电压源V的另一端分别与金卤灯S的一端和电容C的一端连接；

金卤灯S的另一端分别与电容C的另一端和高频镇流电感L的另一端连接；

所述高频方波电压源V提供方波脉冲电压，所述电压频率为金卤灯S非声共振频率。

金卤灯S启动时，高频镇流电感L与电容C产生谐振，并在电容C的两端产生高压，所述高压大于金卤灯S启动电压，导致金卤灯S在该高压作用下，其中的金属卤化物放电气化，点亮金卤灯S。

金卤灯S启动后，金卤灯S处于高频导通状态，高频镇流电感L对高频方波电压源V进行分压，并对金卤灯S电流进行镇流，以保持金卤灯S的管压降和电流。

如图2所示，是本发明金卤灯驱动电路包含方波电源的示意图，所述高频方波电压源V提供高频方波脉冲电压，包括振荡器、信号形成电路、低端功率驱动器、高端功率驱动器和频率控制电路。

所述频率控制电路控制振荡器，振荡器自激产生指定频率的方波，信号形成电路将振荡器输出的方波变换为两个同频脉冲方波L0和H0；所述脉冲方波L0输入低端功率驱动器，所述脉冲方波H0经过隔离电容C1后输入高端功率驱动器，所述高端功率驱动器驱动高端功率MOS管G1，低端功率驱动器驱动低端功率MOS管G2，构成半桥功率驱动电压源；所述隔离电容C1用于隔离电源地GND与虚地Vss；图2中，直流电压源Vcc和Vdd分别作为高端功率驱动器、低端功率驱动器电压源，电压源VB金卤灯驱动电路的功率电压源；电容C0的作用是隔直流。

如图3所示两个脉冲方波时序图，所述两个脉冲方波L0和H0是周期同为T的脉冲，且正脉冲宽度同为Tp，负脉冲宽度同为Tn=T-Tp；所述脉冲方波H0由脉冲方波L0延时Td+Tp得到；其中，

$\mathrm{Td}=\frac{1}{2}(\mathrm{Tn}-\mathrm{Tp})$

Td为死区时间，且Tn≥Tp。

进一步，所述振荡器自激产生指定频率的方波，所述方波的频率为单一频率，或者为两个不同的频率；振荡器自激产生指定频率的方波，其频率为两个不同的频率时，高频方波用于启动金卤灯，金卤灯导通后振荡器自激产生低频方波。

进一步，所述金卤灯驱动电路与金卤灯集成在一起，这样就避免了现有金卤灯驱动方式所带来的安装不变，且制造成本更低。

Claims (4)

1.一种金卤灯驱动电路，其特征在于，包括高频方波电压源、高频镇流电感、电容、和金卤灯；

所述高频方波电压源的一端与高频镇流电感的一端连接，高频方波电压源的另一端分别与金卤灯的一端和电容的一端连接；

金卤灯的另一端分别与电容的另一端和高频镇流电感的另一端连接；

所述高频方波电压源提供方波脉冲电压，所述电压频率为金卤灯非声共振频率；金卤灯启动时，高频镇流电感与电容产生谐振，并在电容的两端产生高压，所述高压大于金卤灯启动电压；

金卤灯启动后，金卤灯处于高频导通状态，高频镇流电感对高频方波电压源进行分压，并对金卤灯电流进行镇流，以保持金卤灯的管压降和电流。

2.如权利要求1所述的一种金卤灯驱动电路，其特征在于，所述高频方波电压源提供高频方波脉冲电压，包括振荡器、信号形成电路、低端功率驱动器、高端功率驱动器和频率控制电路；

所述频率控制电路控制振荡器，振荡器自激产生指定频率的方波，信号形成电路将振荡器输出的方波变换为两个同频脉冲方波L0和H0；所述脉冲方波L0输入低端功率驱动器，所述脉冲方波H0经过隔离电容后输入高端功率驱动器，所述高端功率驱动器驱动高端功率MOS管，低端功率驱动器驱动低端功率MOS管，构成半桥功率驱动电压源；

所述两个脉冲方波L0和H0是周期同为T的脉冲，且正脉冲宽度同为Tp，负脉冲宽度同为Tn=T-Tp；所述脉冲方波H0由脉冲方波L0延时Td+Tp得到；其中，

$\mathrm{Td}=\frac{1}{2}(\mathrm{Tn}-\mathrm{Tp})$

Td为死区时间，且Tn≥Tp。

3.如权利要求2所述的一种金卤灯驱动电路，其特征在于，所述振荡器自激产生指定频率的方波，所述方波的频率为单一频率，或者为两个不同的频率；振荡器自激产生指定频率的方波，其频率为两个不同的频率时，高频方波用于启动金卤灯，金卤灯导通后振荡器自激产生低频方波。

4.如权利要求1或2或3所述的一种金卤灯驱动电路，其特征在于，所述金卤灯驱动电路与金卤灯集成在一起。

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