CN103516434A - 光发射机 - Google Patents

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Abstract

本发明提出了一种光发射机，包括法布里-珀罗激光二极管，产生多纵模光波，该法布里-珀罗激光二极管还被电信号驱动，将电信号调制到该多纵模光波上，并输出经调制的多纵模光波；光耦合器，与该法布里-珀罗激光二极管耦接，用于将来自该法布里-珀罗激光二极管的该经调制的多纵模光波馈入光纤布拉格光栅；该光纤布拉格光栅根据预定参数，对接收到的该多纵模光波进行滤波，并将经滤波后生成的光信号反馈给该光耦合器；该光耦合器将光信号进行分路，从而使得光信号在该法布里-珀罗激光二极管和该光纤布拉格光栅之间振荡，从而形成振荡腔，输出波长和功率稳定的单模光波。

Description

光发射机
技术领域
本发明涉及光接入网络，尤其涉及光接入网络领域中的光发射机。
背景技术
在目前的TDM-PON系统中，FP-LD(Fibry-Perot Laser Diode，法布里-珀罗激光二极管，也称为法布里-珀罗半导体激光器)因为成本低、易操作和制造工艺简单而广泛地用作光网络单元(ONU)的发射机，如图1所示。图1中示出了光线路终端11(Optical LineTerminal，OLT，其是局端设备)、远程节点12(Remote Node，RN)和光网络单元13(Optical Network Unit，其是终端设备)。其中，光线路终端11包括发下行发射机111、上行接收机113、阵列波导光栅(Arrayed Waveguide Grating，AWG)112。远程节点包括分光器121。光网络单元33包括阵列波导光栅131、下行接收机132，以及上行发射机133。
然而，FP-LD的多模特性限制了它的应用。一般而言，FP-LD的调制率≤2.5Gb/s，并且传输距离≤10km。因此，对于10G TDM-PON系统，或者传输距离大于10km时，FP-LD不适用。因此，需要高性能和高成本的DFB-LD(distributed feedback laser diode，分布反馈半导体激光器)激光器，用于在OLT和ONU端直接调制下行或上行数据。为了降低TDM-PON系统的成本，希望采用低成本的FP-LD实现类似于DFB-LD激光器的高调制速率和更长的传输距离。
外部光注入是提高FP-LD传输特性的一个有效的方法，例如，可以提高调制带宽，降低非线性失真，降低模式分裂噪声，降低啁啾，并且输出具有高的边模抑制比的稳定功率的单模光波。
图2示出了FP-LD 21的外部注入锁定模式。注入的激光迫使多模的FP-LD 21以准单模方式运行，并且抑制了模式分裂噪声。以这种方式，外部光信号作为种子光23(seed light)通过环形器21在FP腔中振荡，因此，与注入信号的峰值波长最接近的模式被锁定至注入光，并且其他模式被抑制。最后，FP-LD21能够产生具有稳定功率的单纵模(SLM，Single Longitudinal Mode)输出，其具有与DFB-LD几乎相同的传输性能。
然而，该方式具有以下缺点：
1.如果该方式应用于ONU端，则在每个ONU处，外部注入锁定模式都需要额外的光源，从而增加系统成本；
2.在现有系统中，外部注入光源被视为独立的设备，因此，该设备不容易被集成到ONU模块单元中；
3.外部种子光源是有源器件，需要控制其开/关状态。
因此，采用外部注入锁定模式以改进FP-LD特性以在实际实现的TDM-PON系统中获得更高的传输特性的方式并不可行。
此外，随着大量新型高级多媒体应用的出现，例如3D电视、远程医疗服务、在线游戏、互动视频电子学习等业务的部署，对承载这些应用的网络带宽的需求有了很大的增长。下一代无源光网络(NG-PON2，Next Generation Passive Optical Network)，成为了ITU-T(Telecommunication Standardization Sector of the InternationalTelecommunications Union，国际电信联盟电信标准化部分)和FSAN(Full Service Access Network，全业务接入网络)的一个热点议题。大多数运营商期待NG-PON2提供更大的带宽，更高的分光比，更远的传输距离和更大的接入能力。目前，FSAN和ITU-T都确定了NG-PON2的需求，以将可用带宽增加到高达40Gb/s的速率。
在最近的FSAN会议里，在所有候选的技术方案中，TWDM-PON(Time Wavelength Division Multiplexing，时分波分复用无源光网络)被业界考虑为用于NG-PON2的主要方案，其中4XG-PON(也即40GPON)堆叠4个10G GPON，典型的分光比1∶64，从而实现下行40Gbps和上行10Gbps的汇聚速率。对单个波长中，TWDM-PON重用了XG-PON(也即10GPON)的下行复用和上行接入技术，时隙颗粒度，多播能力和带宽分配机制。
在TWDM-PON接入中，ONU发射机必须有能力调节四个上行波长中的任何一个。因此，为了降低40G TWDM-PON的成本，需要设计低成本的、波长可调的ONU发射机。
波长可调技术是实现可调ONU发射机的有效方案，其中，可调激光器用于上行信号发射机，如图3所示。图3中示出了光线路终端31、远程节点32和光网络单元33。其中，光线路终端31包括发射机3111-3114、上行接收机3131-3134、阵列波导光栅312和315、环形器314。远程节点包括分光器321。光网络单元33包括阵列波导光栅331、可调滤波器3321和接收机3322，以及可调激光333。
但是，可调激光器是非常昂贵的设备。特别地，NG-PON2需要支持大于或等于1∶64的分光比，这意味着在ONU发射机中需要至少64个可调激光器，这将导致巨大的实现成本，因此不可避免地限制了TWDM-PON系统的大范围部署。
发明内容
本发明关注于设计基于自注入式FP-LD激光的低成本的波长固定和波长可调ONU发射机。本发明的基本构思在于：一个级联了FBG或者可调FBG的光耦合器被直接集成在商用的普通FP-LD中，以形成一个反馈腔。该FBG或者可调FBG被用作一个光滤波器，以从原先的FP-LD输出光谱中选择指定的纵模。另外，该FBG或者可调FBG还被用作光反馈设备。因此，该选择的纵模将由该FBG或者可调FBG反馈回原先的FP-LD。对于可调FBG来说，通过调节可调FBG的反射光谱的中心波长，该FP-LD能够产生不同波长的功率恒定的单纵模输出。基于该自注入FP-LD技术，通过动态地控制可调FBG的中心波长，能够直接地调整FP-LD输出所需的波长，从而实现了可调的上行光发射机。
本发明提出了一种光发射机，包括法布里-珀罗激光二极管，产生多纵模光波，该法布里-珀罗激光二极管还被电信号驱动，将电信号调制到该多纵模光波上，并输出经调制的多纵模光波；光耦合器，与该法布里-珀罗激光二极管耦接，用于将来自该法布里-珀罗激光二极管的该经调制的多纵模光波馈入光纤布拉格光栅；该光纤布拉格光栅根据预定参数，对接收到的该多纵模光波进行滤波，并将经滤波后生成的光信号反馈给该光耦合器；该光耦合器将光信号进行分路，从而使得光信号在该法布里-珀罗激光二极管和该光纤布拉格光栅之间振荡，从而形成振荡腔，输出稳定的单模光波。
根据本发明的一种方面，提供了一种TDM-PON光发射机，包括：法布里-珀罗激光二极管，产生多纵模光波，该法布里-珀罗激光二极管还被电信号驱动，将电信号调制到该多纵模光波上，并输出经调制的多纵模光波；光耦合器，与该法布里-珀罗激光二极管耦接，用于将来自该法布里-珀罗激光二极管的该经调制的多纵模光波馈入光纤布拉格光栅；该光纤布拉格光栅根据预定参数，对接收到的该多纵模光波进行滤波，并将经滤波后生成的光信号反馈给该光耦合器；该光耦合器将该光信号分成第一路光信号和第二路光信号，其中，该第一路光信号反馈至该法布里-珀罗激光二极管，该第二路光信号馈入至该检测器；该检测器用于判断该第二路光信号的波长和功率是否满足预定条件；当不满足预定条件时，该法布里-珀罗激光二极管将该第一路光信号反射至该光耦合器，该光耦合器、该光纤布拉格光栅、该光耦合器和该检测器依次分别重复该馈入、该滤波、该分路以及该判断的操作；当满足该预定条件时，该第二路光信号的输出端口即为该光发射机的输出端口。
根据本发明的第二方面，提供了一种光40G TWDM-PON光发射机，包括：法布里-珀罗激光二极管，产生并输出多纵模光波；该法布里-珀罗激光二极管还被电信号驱动，将电信号调制到光载波上；光耦合器，与该法布里-珀罗激光二极管耦接，用于将来自该法布里-珀罗激光二极管的该多纵模光波馈入波长可调的光纤布拉格光栅；该波长可调的光纤布拉格光栅根据预定参数，对接收到的该多纵模光波进行滤波，并将经滤波后生成的光信号反馈给该光耦合器；该光耦合器将该光信号分成第一路光信号和第二路光信号，其中，该第一路光信号反馈至该法布里-珀罗激光二极管，该第二路光信号馈入至该检测器；该检测器判断该第二路光信号的波长和功率是否满足预定条件；当不满足预定条件时，该法布里-珀罗激光二极管将该第一路光信号反射至该光耦合器，该光耦合器、该可调光纤布拉格光栅、该光耦合器和该检测器依次分别重复该馈入、该滤波和该反馈、该分路以及该判断的操作；当满足该预定条件时，该检测器将该第二路光信号输出至该光发射机的输出端口；其中，光发射机还包括控制器，该控制器用于接收来自光线路终端的控制信号，并根据控制信号，调节该波长可调的光纤布拉格光栅的该预定参数。
根据本发明的第三方面，提供了一种40G时分波分复用无源光网络(40G TWDM-PON)，包括光线路终端，通过光纤与该光线路终端耦接的远程节点，和与远程节点耦接的该光网络单元，其中，该光网络单元包括与该远程节点耦接的阵列波导光栅、与该阵列波导光栅耦接的下行接收机和与该阵列波导光栅耦接的根据权利要求6至12中任一项所述的光发射机，其中，该光线路终端向该光发射机发送该控制信号，以用于调节该波长可调的光纤布拉格光栅的该预定参数，其中，该预定参数表示该光纤布拉格光栅的中心波长；该光发射机用于根据该控制信号，调节该波长可调的光纤布拉格光栅的该预定参数。
本发明基于自注入FP-LD提出了新颖的低成本ONU或OLT发射机，以降低TDM-PON和40G TWDM-PON接入的成本。在本发明中，毫米级的(可调)FBG被用于同时实现滤波和反射功能，而不需要额外的光滤波器。最后，(可调)FP-LD能够产生功率恒定的单纵模，这与可调激光器的性能几乎一致。
另外，在FP-LD和(可调)FBG之间的反馈腔的长度大约是10mm，因此很容易将该反馈腔集成到普通的FP-LD器件中。此外，光耦合器和FBG的成本是极低的。
因此，本发明的用于TDM-PON和40G TWDM-PON的实施例具有以下技术效果：
成本低：
1.对于TDM-PON系统二2.5GHz商用DFB-LD的价格大约是20US$，2.5G商用FP-LD的价格大约是10$，FBG和光耦合器的价格是极低的。因此，对于带有64个ONU的TDM-PON系统，总的系统成本可以节省多达600$。
2.对于40G TWDM-PON系统：现有的商用FP-LD可以用作40G TWDM-PON系统的可调发射机。一般来说，ONU中的2.5G可调激光器的价格大约是200$，而2.5G商用FP-LD的价格大约是10$，而可调FBG和耦合器的成本大约是90$。因此，对于带有64个ONU的TWDM-PON系统，总的系统成本可以节省多达6400$。
易于集成：(可调)FBG用于滤波和反射，其是毫米级的尺寸。在FP-LD和(可调)FBG之间的反馈腔的长度大约是10mm，因此很容易将该FBG和光耦合器集成到普通的商用FP-LD器件中。
易于实现：在实现中，通用的FP-LD能够被集成反馈腔作为新的FP-LD模块。技术人员只需要将老的FP-LD替换为新的FP-LD即可，不需要改变ONU中的其他模块。
附图说明
通过参照附图阅读以下所作的对非限制性实施例的详细描述，本发明的其它特征、目的和优势将会更为明显。
图1示出了现有的TDM-PON系统拓扑结构示意图，其中，在ONU侧基于FP-LD；
图2示出了现有的基于外部注入种子光源的对FP-LD的改进的方案的示意图；
图3示出了现有的在ONU侧的可调激光的示意图；
图4(a)示出了根据本发明的一个实施例的具有自激功能的FP-LD光发射机的示意图；
图4(b)示出了不具有自激功能的FP-LD的光谱图；
图4(c)示出了根据本发明的实施例的经过基于FBG反馈腔的自激的FP-LD的光谱图；
图5示出了根据本发明的实施例的TDM PON系统结构的示意图；
图6(a)示出了根据本发明的另一个实施例的具有自激功能的FP-LD光发射机的示意图；
图6(b)示出了不具有自激功能的FP-LD的光谱图；
图6(c)示出了根据本发明的另一个实施例的经过基于可调FBG反馈腔的自激的FP-LD的光谱图；
图7示出了根据本发明的实施例的40G TWDM PON系统结构的示意图。
其中，相同或相似的附图标记表示相同或相似的步骤特征或装置/模块。
具体实施方式
-第一实施例：
根据本发明的一个实施例，提出的TDM光发射机4结构。该结构包括三个部分，如图4(a)所示，
1)商用的FP-LD 40是原先的光源，它具有多纵模输出(Multi-Longitudinal-Mode，MLM)；
2)1分2光耦合器41，它的分光比是5％∶95％，比率是95％的部分被用作输出端口，5％的部分用于馈入至FBG。光耦合器只是光功率的分路和合路，信号的内容完全一样，只是光功率的大小不同。本发明中的光功率分路比为5％∶95％。当然上述的5％∶95％的比例仅为示例，本领域技术人员可以根据实际需要进行调节。
3)FBG 42被同时用作光滤波设备和光反射设备，它能够用于选择指定的单纵模(SLM)，并且将被选出的单纵模发射回原先的FP-LD。因此，级联了FBG 42的光耦合器41能够被直接集成在商用的FP-LD 41中，以形成10mm长的反馈腔，用于自注入锁定模式。
具体地，法布里-珀罗激光二极管40(FP-LD)产生多纵模光波，该法布里-珀罗激光二极管还被电信号(也即，图4(a)中的数据)驱动，将电信号调制到该多纵模光波上，并输出经调制的多纵模光波至耦合器41；
光耦合器41与该法布里-珀罗激光二极管40耦接，用于将来自该法布里-珀罗激光二极管40的该经调制的多纵模光波馈入光纤布拉格光栅(FBG，Fiber Bragg Grating)42；
该光纤布拉格光栅42根据预定参数对接收到的该多纵模光波进行滤波，并将经滤波后生成的光信号反馈给该光耦合器41；
光耦合器41将该光信号分成第一路光信号I和第二路光信号II，其中，该第一路光信号I反馈至该法布里-珀罗激光二极管40，该第二路光信号馈入至该检测器(图中未示出)。FP-LD发出的光信号经过耦合器41进入FBG，没有合路或者分路；FBG反射的光信号通过耦合器41进行分路，分路为第一路I和第二路II，其中第一路I馈入FP-LD，第二路II接入检测器。
该检测器一般是光谱仪和光功率计，用于判断该第二路光信号II的波长和功率是否满足预定条件，该预定条件包括该第二路光信号输出波长和功率均稳定的单波长光信号。
当不满足预定条件时，该法布里-珀罗激光二极管40将该第一路光信号反射至该光耦合器41，然后该光耦合器41执行馈入操作、该光纤布拉格光栅42执行滤波并反馈操作、该光耦合器41执行分路操作和该检测器执行判断操作；
当满足该预定条件时，该第二路光信号II的输出端口即为该光发射机的输出端口，例如，当该第二路光信号II输出波长和功率均稳定的单波长光信号时，该第二路光信号II的输出端口即作为光发射机的输出端口。
因此，在该实施例中，该反馈光由FBG所选择并且以下面的光路传播路径：FP-LD 40→光耦合器41→FBG 42→光耦合器43→FP-LD 40→光耦合器41→FBG 42→......光耦合器的另一输出。
激光腔被形成在FP-LD和FBG之间，并且仅有处于FBG的反射光谱中的光波长会被振荡以实现单模操作。
不带有自注入的FP-LD的原光谱在图4(b)中示出。基于FBG的滤波和反射功能，FP-LD将会激发单纵模，并且单纵模输出将会被自注入操作所放大。不需要昂贵的外部注入的光源，FP-LD自反馈并且被反射光波稳定地锁定在FBG的中心波长位置。最终，FP-LD输出功率恒定的单纵模，它几乎与DFB激光的传输性能相同。图4(c)示出了基于所提出的反馈设备进行自反馈后的FP-LD的输出光谱，其中，输出信号模式具有良好的边模抑制比。
在该实施例中，FBG是实现FP-LD自激发的一个主要部件。为了匹配现有的TDM-PON波长计划(在ITU-T中定义)，FBG的中心波长在上行传输中等于1310nm，在下行传输中等于1490nm。此外，在中心波长，FBG的3dB带宽是0.6-1.0nm，并且反射率是99％。基于现有的FBG制造工艺，这些参数是很容易获取的。FBG具有滤波器的功能，3dB带宽是FBG的基本参数，也即滤波器的窗口。
基于本实施例的自激发锁定模式，改进的FP-LD发射机既可以部署在OLT中，又可以部署在ONU中，如图5所示。图5中示出了光线路终端51、远程节点52和光网络单元53。其中，光线路终端51包括发下行射器511、上行接收机513、阵列波导光栅512，下行发射机511进一步包括FP-LD、耦合器和FBG。远程节点包括分光器521。光网络单元53包括阵列波导光栅531、下行接收器532，以及上行发射机533。其中，上行发射机533包括FP-LD，耦合器和FBG。如图5所示，当根据本发明的实施例的FBG用于下行发射机511中时，FBG的中心波长为1490nm。当根据本发明的实施例的FBG用于上行发射机533中时，FBG的中心波长为1310nm。
当改进的FP-LD发射机部署在OLT或者ONU中时，其可以获取与DFB-LD基本相同的传输性能，从而实现更高的调制速率和更长的传输距离。
-第二实施例：
以下，参照图6和图7，对本发明的另一个实施例进行描述。
根据本发明的另一个实施例，提出的TWDM光发射机6的结构。该结构6包括三个部分，如图6(a)所示，
1)商用的FP-LD 60是原先的光源，它具有多纵模输出(Multi-Longitudinal-Mode，MLM)；
2)1分2光耦合器61，它的分光比是5％∶95％，比率是95％的部分被用作输出端口，5％的部分用于馈入至FBG。光耦合器只是光功率的分路和合路，信号的内容完全一样，只是光功率的大小不同。本发明中的光功率分路比为5％∶95％。当然上述的5％∶95％的比例仅为示例，本领域技术人员可以根据实际需要进行调节。
3)可调FBG 62被同时用作滤波设备和反射设备，它能够用于选择指定的单纵模(SLM)，并且将被选出的单纵模发射回原先的FP-LD。因此，级联了FBG 62的光耦合器61能够被直接集成在商用的FP-LD 61中，以形成10mm长的反馈腔，用于自馈锁定模式。
具体地，法布里-珀罗激光二极管60(FP-LD)产生多纵模光波，该法布里-珀罗激光二极管还被电信号(也即，图6(a)中的数据)驱动，将电信号调制到该多纵模光波上，并输出经调制的多纵模光波至耦合器61；
光耦合器61与该法布里-珀罗激光二极管60耦接，用于将来自该法布里-珀罗激光二极管60的该经调制的多纵模光波馈入可调光纤布拉格光栅(FBG，Fiber Bragg Grating)62；
该可调光纤布拉格光栅62根据预定参数对接收到的该多纵模光波进行滤波，并将经滤波后生成的光信号反馈给该光耦合器61；
光耦合器61将该光信号分成第一路光信号III和第二路光信号IV，其中，该第一路光信号III反馈至该法布里-珀罗激光二极管60，该第二路光信号IV馈入至检测器(图中未示出)。对于耦合器60而言，由FP-LD 60发出的光信号经过耦合器61进入FBG，没有合路或者分路；FBG反射的光信号通过耦合器41进行分路，分路为第一路III和第二路IV，其中第一路III馈入FP-LD，第二路IV接入检测器。
该检测器一般是光谱仪和光功率计，用于判断该第二路光信号IV的波长和功率是否满足预定条件，该预定条件包括该第二路光信号IV输出波长和功率均稳定的单波长光信号。
当不满足预定条件时，该法布里-珀罗激光二极管60将该第一路光信号III再反射至该光耦合器61，然后该光耦合器61执行馈入操作、该可调光纤布拉格光栅62执行滤波并反馈操作、该光耦合器61执行分路操作，以及该检测器执行判断操作；
当满足该预定条件时，该第二路光信号IV的输出端口即为该光发射机的输出端口，例如，当该第二路光信号IV输出波长和功率均稳定的单波长光信号时，该第二路光信号IV的输出端口即作为光发射机的输出端口；
因此，在该实施例中，该反馈光由FBG所选择并且以下面的光路传播：FP-LD 60→光耦合器61→可调FBG 62→光耦合器63→FP-LD60→光耦合器61→FBG 62→......光耦合器的另一输出。激光腔被形成在FP-LD和FBG之间，并且仅有处于FBG的反射光谱中的光波长会被振荡以实现单模操作。
此外，控制器63用于接收来自光线路终端OLT的控制信号，并根据控制信号，调节该波长可调的光纤布拉格光栅的该预定参数。
在本发明中，可调FBG需要能够精确地改变它的中心波长。一旦ONU接收到来自OLT的、关于指定波长信道的下行控制信令，ONU中的控制电路被触发进行可调FBG的中心波长调整。因此，多纵模FP-LD的输出波长与可调FBG的中心波长一致。该被滤过的纵模将在反馈设备中被反射并且回到FP-LD中。
不带有自注入的FP-LD的原光谱在图6(b)中示出。基于可调FBG的滤波和反射功能，FP-LD将会激发单纵模，并且单纵模输出将会被自注入操作所放大。不需要昂贵的外部注入的光源，FP-LD自注入并且被反射光波稳定地锁定在FBG产生的波长。最终，FP-LD输出功率恒定的单纵模，它几乎拥有与可调激光器相同的传输性能。图6(c)示出了基于所提出的反馈设备进行自注入后的FP-LD的输出光谱，这是通过调节可调FBG的反射光谱的中心波长而得，其中，601-604分别表示4个具有不同波长的单纵模光波能够被获得。
在本发明中，可调FBG是实现FP-LD自注入的关键组件。该可调FBG通过优化设计，使得与目前的40G TWDM-PON的用于上行传输的波长计划精确地匹配。另外，在中心波长处，可调FBG的3dB带宽是约0.6-1.0nm，反射率是99％。这些要求通过现有的FBG制造技术是很容易满足的。
基于本发明提出的自注入锁模方案，可以获得具有低成本的可调ONU发射机的40G TWDM-PON系统，如图7所示。应能理解，一些控制方案例如温度和波长控制，或者基于对FBG施加的应力不同从而对波长进行控制也是需要的，以保证不同的ONU能够产生相同的波长组。
此外，波长可调的光纤布拉格光栅的波长调节的步长为100GHz或者200GHz，共4个调节步长。对于100GHz的步长，波长调节范围为0到400GHz，对于200GHz的步长，波长调节范围为0～800GHz.
此外，当位于不同的光网络单元中时，光发射机输出的光信号的波长可以相同，也可以不同。
以上对本发明的实施例进行了描述，但是本发明并不局限于特定的系统、设备和具体协议，本领域内技术人员可以在所附权利要求的范围内做出各种变形或修改。
那些本技术领域的一般技术人员可以通过研究说明书、公开的内容及附图和所附的权利要求书，理解和实施对披露的实施方式的其他改变。在权利要求中，措词“包括”不排除其他的元素和步骤，并且措辞“一个”不排除复数。在本发明中，“第一”、“第二”仅表示名称，不代表次序关系。在发明的实际应用中，一个零件可能执行权利要求中所引用的多个技术特征的功能。权利要求中的任何附图标记不应理解为对范围的限制。

Claims (14)

1.一种用于时分复用系统的光发射机，包括：
法布里-珀罗激光二极管，产生多纵模光波，该法布里-珀罗激光二极管还被电信号驱动，将电信号调制到该多纵模光波上，并输出经调制的多纵模光波；
光耦合器，与该法布里-珀罗激光二极管耦接，用于将来自该法布里-珀罗激光二极管的该经调制的多纵模光波馈入光纤布拉格光栅；
该光纤布拉格光栅根据预定参数，对接收到的该多纵模光波进行滤波，并将经滤波后生成的光信号反馈给该光耦合器；
该光耦合器将该光信号分成第一路光信号和第二路光信号，其中，该第一路光信号反馈至该法布里-珀罗激光二极管，该第二路光信号馈入至该检测器；
该检测器用于判断该第二路光信号的波长和功率是否满足预定条件；
当不满足预定条件时，该法布里-珀罗激光二极管将该第一路光信号反射至该光耦合器，该光耦合器、该光纤布拉格光栅、该光耦合器和该检测器依次分别依次重复该馈入、该滤波并反馈、该分路以及该判断的操作；
当满足该预定条件时，该第二路光信号的输出端口即为该光发射机的输出端口。
2.根据权利要求1所述的光发射机，其中，该预定参数包括光信号的波长或者频率。
3.根据权利要求2所述的光发射机，其中，当该光发射机用于上行传输时，该波长为1310纳米，或者当该光发射机用于下行传输时，该波长为1490纳米。
4.根据权利要求1所述的光发射机，其中，该光纤布拉格光栅的3dB带宽对应0.6纳米至1纳米。
5.根据权利要求1所述的光发射机，其中，该预定条件包括该第二路光信号输出波长和功率均稳定的单波长光信号。
6.根据权利要求1所述的光发射机，其中，光发射机位于时分复用系统的光线路终端或光网络单元中。
7.一种用于时分波分复用系统的光发射机，包括：
法布里-珀罗激光二极管，产生并输出多纵模光波；该法布里-珀罗激光二极管还被电信号驱动，将电信号调制到光载波上；
光耦合器，与该法布里-珀罗激光二极管耦接，用于将来自该法布里-珀罗激光二极管的该多纵模光波馈入波长可调的光纤布拉格光栅；
该波长可调的光纤布拉格光栅根据预定参数，对接收到的该多纵模光波进行滤波，并将经滤波后生成的光信号反馈给该光耦合器；
该光耦合器将该光信号分成第一路光信号和第二路光信号，其中，该第一路光信号反馈至该法布里-珀罗激光二极管，该第二路光信号馈入至该检测器；
该检测器判断该第二路光信号的波长和功率是否满足预定条件；
当不满足预定条件时，该法布里-珀罗激光二极管将该第一路光信号反射至该光耦合器，该光耦合器、该波长可调的光纤布拉格光栅、该光耦合器和该检测器依次分别重复该馈入、该滤波和该反馈、该分路以及该判断的操作；
当满足该预定条件时，该检测器将该第二路光信号输出至该光发射机的输出端口；
其中，光发射机还包括控制器，该控制器用于接收来自光线路终端的控制信号，并根据控制信号，调节该波长可调的光纤布拉格光栅的该预定参数。
8.根据权利要求7所述的光发射机，其中，该控制器通过调节该波长可调的光纤布拉格光栅的温度或应力调节该预定参数。
9.根据权利要求7所述的光发射机，其中，该预定参数包括光信号的波长或者频率。
10.根据权利要求7所述的光发射机，其中，该波长可调的光纤布拉格光栅的3dB带宽对应0.6纳米至1纳米。
11.根据权利要求7所述的光发射机，其中，该波长可调的光纤布拉格光栅的波长调节的步长为100GHz或者200GHz，和/或该布拉格光栅具有4个调节步长。
12.根据权利要求7所述的光发射机，该光发射机的该输出端口输出的光信号的波长符合全业务接入网络(FSAN)的上行信号波长计划。
13.根据权利要求7所述的光发射机，其中，光发射机位于40G的时分波分复用系统的光网络单元中。
14.一种时分波分复用无源光网络，包括光线路终端，通过光纤与该光线路终端耦接的远程节点，和与远程节点耦接的该光网络单元，其中，
该光网络单元包括与该远程节点耦接的阵列波导光栅、与该阵列波导光栅耦接的下行接收机和与该阵列波导光栅耦接的根据权利要求7至13中任一项所述的光发射机，其中，
该光线路终端向该光发射机发送该控制信号，以用于调节该波长可调的光纤布拉格光栅的该预定参数，其中，该预定参数表示该光纤布拉格光栅的中心波长；
该光发射机用于根据该控制信号，调节该波长可调的光纤布拉格光栅的该预定参数。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104410459A (zh) * 2014-12-02 2015-03-11 苏州市欧博锐自动化科技有限公司 一种基于一阶带通滤波电路的光发射机
CN106921440A (zh) * 2015-12-28 2017-07-04 上海贝尔股份有限公司 一种用于光网络单元的低成本的可调光发射机
CN109149357A (zh) * 2017-06-28 2019-01-04 福州高意光学有限公司 一种锁模半导体激光器
CN110137797A (zh) * 2019-05-10 2019-08-16 上海电力学院 一种产生超高频脉冲的方法
CN110291433A (zh) * 2017-02-02 2019-09-27 国际商业机器公司 用于光子神经元件的波导结构
CN110429467A (zh) * 2019-07-15 2019-11-08 中国科学院上海光学精密机械研究所 集成化外腔半导体激光器的无跳模调频控制方法
CN111679380A (zh) * 2015-06-15 2020-09-18 日本电气株式会社 可插拔光学模块和光学通信系统
CN113644552A (zh) * 2021-10-13 2021-11-12 北京盛镭科技有限公司 一种激光发射装置及其控制方法

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103516434B (zh) * 2012-06-19 2016-08-31 上海贝尔股份有限公司 光发射机
CN104253655B (zh) * 2013-06-25 2017-09-19 上海贝尔股份有限公司 用于twdm‑pon的波长可调的发射器和光网络单元
KR101872566B1 (ko) * 2014-04-23 2018-06-28 한국전자통신연구원 다중 파장 수동형 광 네트워크 시스템을 위한 파장가변 광망 유닛 및 이의 동작 방법
US9497520B2 (en) * 2014-10-08 2016-11-15 Cox Communications, Inc. Systems and methods of wavelength division multiplex passive optical networking
US9762349B1 (en) * 2015-09-21 2017-09-12 Cox Communications, Inc Hybrid multiplexing over passive optical networks
EP3952152A1 (en) 2017-03-24 2022-02-09 Cable Television Laboratories, Inc. System and methods for coherent pon architecture and burst-mode reception
US10965393B2 (en) * 2018-06-26 2021-03-30 Cable Television Laboratories, Inc. Systems and methods for dual-band modulation and injection-locking for coherent PON
US11705694B1 (en) * 2020-02-26 2023-07-18 Cable Television Laboratories, Inc. Systems and methods for optical injection-locking in an access network

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101257352A (zh) * 2008-03-07 2008-09-03 北京大学 一种波分复用无源光网络的rof基站上行链路及其系统
CN101783707A (zh) * 2009-01-15 2010-07-21 株式会社日立制作所 光通信系统以及光集线装置
US7929584B2 (en) * 2006-08-10 2011-04-19 Huawei Technologies Co., Ltd Light source mode alignment device and method, passive optical network system
US7936991B2 (en) * 2007-09-25 2011-05-03 Hitachi, Ltd. Optical line terminating apparatus and optical communication system
CN102349204A (zh) * 2011-08-16 2012-02-08 华为技术有限公司 可调激光器、光模块和无源光网络系统

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2864591B2 (ja) * 1989-12-18 1999-03-03 日本電気株式会社 複数のレーザ装置の発振周波数間隔安定化方法
US5077816A (en) * 1989-12-26 1991-12-31 United Technologies Corporation Fiber embedded grating frequency standard optical communication devices
DE4011718A1 (de) * 1990-04-11 1991-10-17 Heidenhain Gmbh Dr Johannes Integriert-optische sensoreinrichtung
US6331991B1 (en) * 1998-07-17 2001-12-18 The United States Of America As Represented By The National Security Agency Transmission system using a semiconductor laser and a fiber grating discriminator
FR2785459B1 (fr) * 1998-10-28 2001-05-04 Centre Nat Rech Scient Filtres auto-adaptes pour l'affinement de l'emission laser
US6763197B1 (en) * 1999-06-08 2004-07-13 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Optical transmitter and optical transmitter control method using variable duty ratio setting and alternate phase inversion for optical clock pulses
KR100325687B1 (ko) * 1999-12-21 2002-02-25 윤덕용 주입된 비간섭성 광에 파장 잠김된 페브리-페롯 레이저다이오드를 이용한 파장분할 다중방식 광통신용 광원
US6795607B1 (en) * 2000-10-11 2004-09-21 Ciena Corporation Use of tunable laser for optical performance monitoring in WDM system
US7266307B2 (en) * 2002-02-01 2007-09-04 Isaac Shpantzer Method and apparatus for pulse generation and adaptive pulse generation for optical communications
KR100473520B1 (ko) * 2002-12-24 2005-03-10 한국과학기술원 외부 비간섭성 광원을 주입하여 파장 고정된 페브리-페롯레이저를 이용한 광 가입자 망
KR100955129B1 (ko) * 2003-05-30 2010-04-28 정보통신연구진흥원 비간섭성　광대역　광원을 이용한 파장분할다중방식　수동형　광 네트워크 구현 방법
KR100785436B1 (ko) * 2005-09-20 2007-12-13 한국과학기술원 방송 서비스와 통신 서비스를 융합한 파장분할 다중방식수동형 광 가입자망
US7468997B2 (en) * 2006-01-20 2008-12-23 Praevium Research, Inc. System for swept source optical coherence tomography
KR100927594B1 (ko) * 2006-12-05 2009-11-23 한국전자통신연구원 평판형 광도파로(ｐｌｃ) 소자, 그 소자를 포함한 파장가변 광원 및 그 광원을 이용한 ｗｄｍ-ｐｏｎ
US7813046B2 (en) * 2007-09-14 2010-10-12 Weatherford/Lamb, Inc. Wavelength monitored and stabilized source
US8774630B2 (en) * 2010-10-15 2014-07-08 Futurewei Technologies, Inc. Method, apparatus, and system for a self-seeded external cavity laser for dense wavelength division multiplexing applications
PT2482472E (pt) * 2011-04-22 2013-12-04 Huawei Tech Co Ltd Módulo de emissão-receção ótica de autoinjeção e sistema de rede ótica passiva de multiplexagem por divisão de comprimento de onda
KR20130093839A (ko) * 2012-01-26 2013-08-23 삼성전자주식회사 열결합된 공진형 변조기를 이용하는 광송신기와 광통신 시스템
CN103516434B (zh) * 2012-06-19 2016-08-31 上海贝尔股份有限公司 光发射机

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7929584B2 (en) * 2006-08-10 2011-04-19 Huawei Technologies Co., Ltd Light source mode alignment device and method, passive optical network system
US7936991B2 (en) * 2007-09-25 2011-05-03 Hitachi, Ltd. Optical line terminating apparatus and optical communication system
CN101257352A (zh) * 2008-03-07 2008-09-03 北京大学 一种波分复用无源光网络的rof基站上行链路及其系统
CN101783707A (zh) * 2009-01-15 2010-07-21 株式会社日立制作所 光通信系统以及光集线装置
CN102349204A (zh) * 2011-08-16 2012-02-08 华为技术有限公司 可调激光器、光模块和无源光网络系统

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
SHENPINGLI ET AL: "Self-Seeding of Fabry-Perot Laser Diode for Generating Wavelength-Tunable Chirp-Compensated Single-Mode Pulses with High-Sidemode Suppression Ratio", 《SELF-SEEDING OF FABRY-PEROT LASER DIODE FOR GENERATING WAVELENGTH-TUNABLE CHIRP-COMPENSATED SINGLE-MODE PULSES WITH HIGH-SIDEMODE SUPPRESSION RATIO》 *

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104410459A (zh) * 2014-12-02 2015-03-11 苏州市欧博锐自动化科技有限公司 一种基于一阶带通滤波电路的光发射机
CN111679380A (zh) * 2015-06-15 2020-09-18 日本电气株式会社 可插拔光学模块和光学通信系统
US11635571B2 (en) 2015-06-15 2023-04-25 Nec Corporation Pluggable optical module and optical communication system
CN111679380B (zh) * 2015-06-15 2022-06-21 日本电气株式会社 可插拔光学模块和光学通信系统
US11204464B2 (en) 2015-06-15 2021-12-21 Nec Corporation Pluggable optical module and optical communication system
CN106921440A (zh) * 2015-12-28 2017-07-04 上海贝尔股份有限公司 一种用于光网络单元的低成本的可调光发射机
US10928586B2 (en) 2017-02-02 2021-02-23 International Business Machines Corporation Waveguide architecture for photonic neural component
CN110291433B (zh) * 2017-02-02 2020-09-08 国际商业机器公司 用于光子神经元件的波导结构
CN110291433A (zh) * 2017-02-02 2019-09-27 国际商业机器公司 用于光子神经元件的波导结构
CN109149357A (zh) * 2017-06-28 2019-01-04 福州高意光学有限公司 一种锁模半导体激光器
CN110137797B (zh) * 2019-05-10 2020-10-09 上海电力学院 一种产生超高频脉冲的方法
CN110137797A (zh) * 2019-05-10 2019-08-16 上海电力学院 一种产生超高频脉冲的方法
CN110429467A (zh) * 2019-07-15 2019-11-08 中国科学院上海光学精密机械研究所 集成化外腔半导体激光器的无跳模调频控制方法
CN113644552A (zh) * 2021-10-13 2021-11-12 北京盛镭科技有限公司 一种激光发射装置及其控制方法
CN113644552B (zh) * 2021-10-13 2022-01-18 北京盛镭科技有限公司 一种激光发射装置及其控制方法

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