CN103503191A - 调节基于金属纳米结构的透明导体的功函数的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及通过在单个金属纳米结构上形成偶极表面层来调节基于金属纳米结构的导电膜的功函数的方法。

Description

调节基于金属纳米结构的透明导体的功函数的方法
相关申请的交叉引用
本申请根据35U.S.C.§119(e)要求于2011年3月4日提交的第61/449,519号美国临时专利申请的权益，其中该临时申请以整体形式并入本文作为参考。
背景技术
技术领域
本公开基本上涉及调节电致发光(EL)装置、特别是有机发光二极管(OLED)中透明电极的功函数。
相关技术描述
OLED响应电流而发光。图1示出在透明基板(20)上形成的典型OLED(10)。阳极(30)设置在透明基板(20)上并且也为透明的，以允许内部产生的光离开。发光层采用有机发射堆栈(40)的形式，该堆栈设置在阳极(30)与阴极(50)之间。有机发射堆栈(40)包括由两个电荷注入层(70和80，一个用于电子注入且一个用于空穴注入)侧接的电致发光化合物薄膜(60)。
尽管通常使用氧化铟锡(ITO)作为OLED中的透明电极，但基于金属纳米结构的透明导体代表了一类新兴的透明电极。不同于真空沉积在基板上的ITO，基于金属纳米结构的透明导体通过将金属纳米线的墨配制物涂覆在基板上而形成。该方法解决了ITO所遇到的某些生产限制，并且尤其适于在大面积和/或柔性基板上进行印刷或涂覆。
OLED的光产生机制是基于电激发有机化合物的激子的辐射重组。当电子流从阴极至阳极流经OLED时，电子注入阴极的有机化合物的最低未占据分子轨道(LUMO)中，并且从阳极的最高占据分子轨道(HOMO)离开。电子从HOMO离开的过程也可描述为空穴注入HOMO中。静电力使电子与空穴彼此接近并且它们重组形成激子，即，与空穴结合的电子的激发态。激发态弛豫至电子的基态，伴随着辐射发射，其频率处于可见区(380-800nm)。辐射频率取决于HOMO与LUMO之间的能量差。
除确定发射光的频率之外，能级HOMO和LUMO以及电极的能级对OLED的效率和效能具有显著影响。图2示意性示出OLED的能量图。阳极与HOMO之间的能量差表示空穴注入的能量位垒(Eh)。类似地，阴极与LUMO之间的能量差表示电子注入的能量位垒(Ee)。
阳极(或阴极)的功函数相当于从阳极(或阴极)表面移除电子所需的能量的最小量。如图2所示，增加阳极的功函数(例如至虚线)减小了能量位垒(Eh)，由此增加空穴从阳极注入的效率。
表面的功函数受该表面的条件的强烈影响。例如，ITO的功函数可由氧等离子体从4.2eV增加至4.8eV。参见例如Wu,C.C.等人Appl.Phys.Lett.70(11)：1348(1997)。还已报导了通过具有静电偶极的物质的薄层的吸收来改变材料的功函数。参见例如Gu,D.等人J.Appl.Phys.97：123710(2005)。
对调整OLED装置中基于金属纳米结构的透明导体的功函数仍存在需求。
发明简述
本文提供的内容包括调整基于金属纳米结构的导电膜的功函数的方法，所述方法包括：提供多个金属纳米结构，各个金属纳米结构具有外表面；以及在金属纳米结构的外表面上形成偶极表面层，其中所述偶极表面层包括多个偶极配位体。
在多个实施方案中，在金属纳米结构的外表面上形成偶极表面层包括：形成包含多个金属纳米结构及多个偶极配位体的墨组合物，以及将所述墨组合物涂覆在基板上以提供导电膜。
在某些实施方案中，调整功函数包括与无偶极表面层的金属纳米结构的导电膜形式相比，使功函数增加约0.8-1.2eV。
在多个实施方案中，偶极配位体为极性分子，例如表面活性剂。在更特定的实施方案中，阴离子氟表面活性剂用作偶极配位体。在甚至更特定的实施方案中，偶极配位体为羧酸锂阴离子氟表面活性剂。
本文还提供了墨组合物，其包含：多个金属纳米线，以及偶极配位体，其中每m2金属纳米结构表面积存在约10-6至10-4摩尔的所述偶极配位体。
在另一实施方案中，每m2金属纳米结构表面积存在约10-5至10-4摩尔的偶极配位体。
在多个实施方案中，金属纳米结构为银纳米线。
在某些实施方案中，偶极配位体为阴离子氟表面活性剂。在更特定的实施方案中，阴离子氟表面活性剂为羧酸锂阴离子氟表面活性剂。
在其他实施方案中，墨组合物可还包含表面活性剂，其中多个金属纳米线与表面活性剂的重量比为560︰1至5︰1。
在其他实施方案中，墨组合物可还包含粘度改性剂，例如羟丙基甲基纤维素(HPMC)。
另一实施例提供了OLED装置，其包括阴极、阳极和设置在阴极与阳极之间的有机发射堆栈，其中所述阳极包括多个金属纳米结构的导电膜，各个金属纳米结构具有外表面和设置在所述外表面上的偶极表面层，并且其中所述偶极表面层包括多个偶极配位体。
附图简述
在附图中，相同参考编号表示类似的元件或操作。附图中的元件的尺寸和相对位置不必按比例绘制。例如，各元件的形状及角度未按比例绘制，并且这些组件中的一些被任意放大和定位以提高附图易读性。此外，所绘制的元件的特定形状不旨在表达与该特定元件的实际形状相关的任何信息，并且仅为附图中易于识别而选择。
图1示出OLED的图。
图2示出OLED的能量图。
图3示出本申请的实施方案。
发明详述
本文描述了调整基于纳米结构的透明导体的功函数的方法。特别地，所述方法涉及通过对金属纳米结构的表面进行改性来增加OLED中基于金属纳米结构的透明导体(阳极)的功函数。通过增加阳极的功函数，有机发射堆栈与阳极的能级更好地匹配(aligned)，由此增强OLED的量子效率和/或降低开启电压。由此，增加装置的总功率效率。
因此，一个实施方案提供了用于调整基于金属纳米结构的透明导体的功函数的方法，其包括：提供多个金属纳米结构，各个金属纳米结构具有外表面；在金属纳米结构的外表面上形成偶极表面层，其中所述偶极表面层包括多个偶极配位体。
如本文所用，“偶极配位体”是指具有正电荷与负电荷的非均匀分布的分子或粒子。偶极配位体可具有永久偶极。例如，诸如离子表面活性剂的极性分子具有永久偶极，其由分子的一部分(例如表面活性剂的极性头部)与分子的另一部分(例如表面活性剂的亲脂性尾部)的显著不同的负电性而产生。偶极配位体也可具有感应偶极(例如可极化分子)，在该状况下，正电荷与负电荷的非均匀分布由具有永久偶极的邻近分子或粒子引起。
图3示意性示出具有外表面(110)的纳米线(100)，偶极配位体(120)吸附于该外表面(110)上。使表面区中的偶极配位体(120)经受由各向异性力场产生的定向力。极性分子(例如永久偶极)可由此在表面区中优先定向，同时可极化分子可被极化(感应偶极)并定向。如图3所示意性示出，偶极配位体(100)以如下方式定向：偶极配位体的负端吸附于表面(110)，而偶极配位体的正端指向远离表面(110)。优先定向促使偶极配位体形成阵列，通常为以基本相同方向定向的偶极配位体的单层。这样的阵列称为表面偶极层(130)，其与电位降相关。电位降被认为导致由金属纳米线形成的阳极的功函数增加。
在可替代的配置(configuration)方案中，偶极配位体可以如下方式定向：偶极配位体的正端吸附于表面，而负端指向远离该表面。由此形成的表面偶极层与电位增加相关，该电位增加降低了功函数。这样的配置对阴极有利，其中功函数的降低减小了电子注入壁垒。
在某些实施方案中，在金属纳米结构的外表面上形成偶极表面层包括首先形成包含金属纳米结构和偶极配位体的墨组合物，然后将该墨组合物涂覆在基板上以提供互连或网络连接的纳米结构的导电膜。
因此，本文所述方法与形成基于纳米结构的导电膜的基于溶液的方法兼容。有利地，偶极配位体吸附于液相中单个金属纳米结构的外表面，并且当墨组合物在基板上干燥或固化时，在各个单个金属纳米结构上形成偶极表面层。
在多个实施方案中，在偶极表面层存在下，金属纳米结构能够形成导电膜，其中与由相同的金属纳米结构制成、但无偶极表面层的导电膜相比，该导电膜中的功函数可增加约0.8eV-1.2eV。
在某些实施方案中，偶极配位体为离子表面活性剂分子，其可为阴离子的(带负电荷)或阳离子的(带正电荷)分子。在更特定的实施方案中，表面活性剂分子为阴离子氟表面活性剂。非限制性实例包括(羧酸锂阴离子氟表面活性剂)。可使用具有与FSA类似性质的其他偶极配位体，包括例如
Figure BDA0000377081450000053
Figure BDA0000377081450000054
Figure BDA0000377081450000055
FSH(DuPont Chemicals,Wilmington,DE)及NOVECTM(3M,St.Paul,MN)。根据偶极矩的强度，功函数的偏移为材料所固有的。
可将偶极配位体直接添加入包含金属纳米结构的墨组合物中。重要的是，偶极配位体相对于金属纳米结构为足够量的，以在各个金属纳米结构上形成偶极表面层。在多个实施方案中，每m2金属纳米结构表面积存在约10-6至10-4摩尔的偶极配位体。在其他实施方案中，每m2金属纳米结构表面积存在约10-5至10-4摩尔的偶极配位体。
然而，应理解的是，表面活性剂未必为所定义的偶极配位体。尽管非离子表面活性剂可通过由静电相互作用(与离子相互作用相反)吸附于纳米结构上而起到常规表面活性剂的功能，但它们可能不能够形成阵列或单层。甚至除非在墨组合物中达到临界浓度阀值，否则离子表面活性剂也可能不能够形成阵列或单层。因此，一个实施方案提供了包含多个银纳米线、表面活性剂、粘度改性剂和偶极配位体的墨组合物，其中每m2金属纳米结构表面积存在约10-6至10-4摩尔的所述偶极配位体。在其他实施方案中，每m2金属纳米结构表面积存在约10-5至10-4摩尔的偶极配位体。
在一个特定的实施方案中，通过将FSA和银纳米线配制成墨组合物，然后将该墨组合物涂覆在基板上以形成导电膜，从而，导电膜的功函数从约4.5eV-4.7eV(无FSA)增至约5.2eV-5.4eV。
本文所述的导电膜适于作为OLED装置中的阳极。可预期的是，膜中功函数的增加将使OLED装置的效率增加。因此，一个实施方案提供了OLED装置，其包括阴极、阳极和设置在阴极与阳极之间的有机发射堆栈，其中该阳极包括多个金属纳米结构的导电膜，各个金属纳米结构具有外表面和设置在该外表面上的偶极表面层，并且其中该偶极表面层包括多个偶极配位体。
在多个实施方案中，每m2金属纳米结构表面积存在10-6至10-4摩尔的偶极配位体。在其他实施方案中，每m2金属纳米结构表面积存在约10-5至10-4摩尔的偶极配位体。在其他实施方案中，偶极配位体为阴离子表面活性剂。在其他实施方案中，阳极具有5.2-5.7eV的功函数。
导电膜的各种组分于下文进一步更详细地描述。
金属纳米结构
如本文所用，“金属纳米结构”或“纳米结构”一般指导电纳米尺寸的结构，其至少一个维度小于500nm，优选小于250nm、100nm、50nm或25nm。
纳米结构可具有任何形状或几何形状。在某些实施方案中，纳米结构为各向同性形状(即，纵横比=1)。典型的各向同性纳米结构包括纳米粒子。在优选实施方案中，纳米结构为各向异性形状(即，纵横比≠1)。如本文所用，“纵横比”是指纳米结构的长度与宽度(或直径)之间的比。各向异性纳米结构通常具有沿其长度的纵向轴。如本文所定义，示例性各向异性纳米结构包括纳米线和纳米管。
纳米结构可为实心或中空的。实心纳米结构包括例如纳米粒子和纳米线。因此，“纳米线”是指实心各向异性纳米结构。通常，各个纳米线具有大于10、优选大于50且更优选大于100的纵横比(长度：直径)。通常，纳米线的长度大于500nm、大于1μm或大于10μm。
中空纳米结构包括例如纳米管。通常，纳米管具有大于10、优选大于50且更优选大于100的纵横比(长度︰直径)。通常，纳米管的长度大于500nm、大于1μm或大于10μm。
金属纳米结构可由任何导电金属材料形成。金属材料可为金属单质(例如过渡金属)或金属化合物(例如金属氧化物)。金属材料也可为双金属材料或金属合金，所述金属合金包含两种或两种以上类型的金属。合适的金属包括(但不限于)银、金、铜、镍、镀金银、铂和钯。
导电膜
一般而言，导电膜通常为多膜配置，并且至少包括涂覆在基板上的纳米结构层。纳米结构层通过使包含液体载剂和多个金属纳米结构的墨组合物(也称作“涂料组合物”)沉积在基板上而形成。
纳米结构层或膜包含随机分布且彼此互连的纳米结构。当纳米结构的数目达到渗滤阀值时，薄膜导电。墨组合物的其他非挥发性组分，包括例如一种或多种粘合剂、表面活性剂及其他粘度改性剂，可形成导电膜的一部分。
分散体的液体载剂可为水、醇、酮或其组合。示例性醇可包括异丙醇(IPA)、乙醇、二丙酮醇(DAA)，或者IPA与DAA的组合。示例性酮可包括甲基乙基酮(MEK)和甲基丙基酮(MPK)。
表面活性剂用于降低纳米结构的聚集。适合的表面活性剂的代表实例包括氟表面活性剂，诸如
Figure BDA0000377081450000071
表面活性剂，包括
Figure BDA0000377081450000072
Figure BDA0000377081450000073
FSH(DuPont Chemicals,Wilmington,DE)以及NOVECTM(3M,St.Paul,MN)。其他示例性表面活性剂包括基于乙氧基化烷基酚的非离子表面活性剂。优选的表面活性剂包括例如乙氧基化辛基苯酚，诸如TRITONTM(x100、x114、x45)；以及乙氧基化壬基苯酚，诸如TERGITOLTM(Dow Chemical Company,Midland MI)。其他示例性非离子表面活性剂包括基于炔的表面活性剂，诸如
Figure BDA0000377081450000074
(604、607)(Air Products and Chemicals,Inc.,Allentown,PA)以及正十二烷基β-D-麦芽糖苷。
在某些实施方案中，表面活性剂可与偶极配位体相同。在其他实施方案中，表面活性剂可与偶极配位体不同并且与偶极配位体共存于墨组合物中。
粘合剂用作墨组合物中的粘度改性剂，并且可影响涂覆过程中该墨组合物的流变性。粘合剂也有助于使纳米结构固定在基板上。适合的粘合剂的实例包括羟丙基甲基纤维素(HPMC)、甲基纤维素、黄原胶、聚乙烯醇、羧甲基纤维素和羟乙基纤维素。
在特定实施方案中，涂料溶液中的表面活性剂与粘合剂的重量比优选为约80︰1至约0.01︰1；粘合剂与导电纳米结构的重量比优选为约5︰1至约0.000625︰1；并且导电纳米结构与表面活性剂的重量比优选为约560︰1至约5︰1。涂料溶液的组分比可根据基板和所用的涂覆方法而改变。涂料溶液的优选粘度范围为约1cP至100cP。
导电膜的电导率通常以“薄层电阻”来测量，其由欧姆/平方(或“ohm/sq”)表示。薄层电阻至少随表面负载密度、纳米结构的尺寸/形状以及纳米结构组分的固有电学性质而变。如本文所用，如果薄膜的薄层电阻不高于108ohm/sq，则将其视为导电的。薄层电阻优选不高于104ohm/sq、3,000ohm/sq、1,000ohm/sq、350ohm/sq或100ohm/sq。通常，由金属纳米结构形成的导电网络的薄层电阻为10ohm/sq至1000ohm/sq、100ohm/sq至750ohm/sq、50ohm/sq至200ohm/sq、100ohm/sq至500ohm/sq、100ohm/sq至250ohm/sq、10ohm/sq至200ohm/sq、10ohm/sq至50ohm/sq、或1ohm/sq至10ohm/sq。对于本文所述的光电装置，薄层电阻通常小于1000ohm/sq、小于500ohm/sq、小于100ohm/sq、小于50ohm/sq、小于20ohm/sq、或小于10ohm/sq。
在光学上，基于纳米结构的透明导体在可见区(400nm-700nm)中具有高透光率。通常，当在可见区中透光率大于70%或更通常大于85%时，将该透明导体视为光学透明的。更优选的，透光率大于90%、大于93%或大于95%。如本文所用，除非另有规定，否则导电膜为光学透明的(例如透射率大于70%)。因此，透明导体；透明导电膜、层或涂层；导电膜、层或涂层；及透明电极可互换使用。
基板
基板支持纳米结构层。在某些实施方案中，基板为墨组合物直接涂覆于其上以形成如本文所定义的纳米结构膜的支持体。在其他实施方案中，在涂覆墨组合物之前，将中间层(即底涂层)涂覆于基板上。
基板可为刚性或柔性的。刚性基板的实例包括玻璃、聚碳酸酯、丙烯酸树脂等。柔性基板的实例包括但不限于：聚酯(例如聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚酯萘二甲酸酯及聚碳酸酯)、聚烯烃(例如线性、支链及环状聚烯烃)、聚乙烯类化合物(例如聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚乙烯缩醛、聚苯乙烯、聚丙烯酸酯等)、纤维素酯基质(例如三乙酸纤维素和乙酸纤维素)、聚砜(诸如聚醚砜)、聚酰亚胺、硅酮以及其他常见聚合膜。
实施例
实施例1
银纳米线的合成
按照例如Y.Sun,B.Gates,B.Mayers和Y.Xia,“Crystalline silvernanowires by soft solution processing”,Nanoletters2(2)：165-168,2002中所述的“多元醇”法，在聚(乙烯吡咯啶酮)(PVP)存在下通过还原溶解于乙二醇中的硝酸银来合成银纳米线。在共同待审且共同拥有的第11/766,552号美国专利申请中所述的经修改的多元醇法以比常规“多元醇”法更高的产率产生更均匀的银纳米线。该申请以整体形式并入本文作为参考。所得的纳米线主要具有约13μm至约17μm的长度和约25-45nm的直径。
实施例2
金属纳米结构的涂料组合物的制备
用于沉积金属纳米线的标准涂料组合物包含(以重量计)0.0025%至0.1%的表面活性剂(例如，对于非离子表面活性剂
Figure BDA0000377081450000091
FSO-100，优选范围为0.0025%至0.05%)、0.02%至4%的粘度改性剂(例如，对于羟丙基甲基纤维素(HPMC)，优选范围为0.02%至0.5%)、94.5%至99.0%的溶剂，以及0.05%至1.4%的金属纳米线。该标准涂料溶液用于形成参考膜(S1)，即不含任何偶极配位体的膜。
为制备包含偶极配位体的涂料组合物，将
Figure BDA0000377081450000101
FSA添加至标准涂料组合物。银纳米线︰FSA比(以重量计)为1︰0.7。该分散体用于制造用于实例4的样品S2和S3的膜。银纳米线与FSA的重量比也可为1︰0.1至1︰1。
涂料组合物可基于纳米线的所需浓度来制备，该浓度为基板上形成的最终导电膜的负载密度的指数。
可根据例如共同待审的第11/504,822号美国专利申请中所述的方法使涂料组合物沉积在基板上。
如本领域技术人员所理解的，可采用其他沉积技术，例如由窄通道计量的沉积流、模流动、斜坡上的流动、狭缝涂覆、凹面涂覆、微凹面涂覆、液滴涂覆、浸涂、狭缝模具涂覆等。印刷技术也可用于在存在或不存在图案的情况下将墨组合物直接印刷到基板上。例如，可采用喷墨、柔版印刷和丝网印刷。应进一步理解的是，流体的粘度和剪切特性以及纳米线之间的相互作用可能影响所沉积的纳米线的分布和互连性。
实施例3
功函数测量
可由使用尖端追踪的绝对扫描来测量功函数。绝对扫描为使用2mm直径Kelvin探针尖端进行的尺寸约6×6cm2的扫描。参考功函数为5.10eV的纯(pristine)金表面来测定尖端功函数(WF)。
使用尖端追踪的绝对扫描有两个原因。数据的绝对性质允许与第三方测量值进行比较。第二，表面的均质性使用尖端与样品的恒定间隔来探查，并且对杂散电容效应的敏感性更小。
扫描可在尖端与样品的恒定间隔下进行，即追踪，以确保与不同样品上的相同尖端进行精确比较。样品S2和S3均用Kelvin探针测量。
另外，还使用AC-2光电子光谱仪(由Riken Keiki制造)来测定功函数。使用该方法分析样品S4。
实施例4
基于纳米结构的导电膜的功函数
根据实例2所述的方法制备三个导电膜样品(S1-S3)。各个样品为15×15mm2。用导电胶带使样品贴附于样品固持器。S1不含任何FSA(偶极配位体)并且用作参考。
对于所有样品，功函数数据具有20-100meV的标准偏差，其与实际表面(即含有适度非均质性(诸如刮痕)的表面)上的宏观功函数测量值一致。在所有样品中，表面被良好地制备，即清洁且无指纹。表面由无棉纤维织物进一步保护。作为比较，对于原始表面，标准偏差预期小于20meV。
由于KP尖端为宏观的(直径2mm)，所以无法解析小于该尺寸的伪差，即最小真实特征为2mm。
这些样品的功函数数据示于下表1中。数据为在整个扫描区域(例如8×8mm2)上的平均WF和标准偏差。这两个值用于区分均质表面与显示显著伪差的表面。功函数数据是平滑处理的。
作为比较，由金属纳米结构形成、而无偶极表面层的导电膜(例如S1)的功函数通常为4.5-4.7eV。如所示的那样，与S1相比，S2-S3的功函数增加约0.8-1.2eV。另外，如低标准偏差所表明的，指定导电膜上的功函数分布基本均匀。
表1
样品 功函数(eV) 标准偏差(eV)
S1 4.5-4.7
S2 5.707 0.018
S3 5.540 0.085
上文所述的各实施方案可组合以提供其他实施方案。本说明书中所提及和/或申请数据表中所列的所有美国专利、美国专利申请公开案、美国专利申请、外国专利、外国专利申请案和非专利出版物均以整体形式并入本文作为参考。实施方案的方面必要时可加以修改，以采用各专利、申请及出版物的概念来提供其他实施方案。
可根据上文详细描述对实施方案进行这些和其他改变。一般而言，在以下权利要求中，所用术语不应解释为将权利要求限于本说明书和权利要求中所公开的特定实施方案，而是应解释为包括所有可能的实施方案以及这样的权利要求所确定的等效物的所有范围。因此，权利要求不受公开内容的限制。

Claims (20)

1.调整基于金属纳米结构的导电膜的功函数的方法，所述方法包括：
提供多个金属纳米结构，各个金属纳米结构具有外表面；以及
在所述金属纳米结构的所述外表面上形成偶极表面层，其中所述偶极表面层包括多个偶极配位体。
2.如权利要求1所述的方法，其中在所述金属纳米结构的所述外表面上形成所述偶极表面层包括：
形成包含所述多个金属纳米结构和所述多个偶极配位体的墨组合物，以及
将所述墨组合物涂覆在基板上以提供所述导电膜。
3.如权利要求1或权利要求2所述的方法，其中调整功函数包括与无偶极表面层的金属纳米结构的导电膜形式相比，使所述功函数增加约0.8-1.2eV。
4.如权利要求1至3中任一权利要求所述的方法，其中所述偶极配位体为极性分子。
5.如权利要求4所述的方法，其中所述极性分子为表面活性剂。
6.如权利要求5所述的方法，其中所述表面活性剂为阴离子氟表面活性剂。
7.如权利要求1至6中任一权利要求所述的方法，其中所述偶极配位体为羧酸锂阴离子氟表面活性剂。
8.墨组合物，其包含：
多个金属纳米线，以及
偶极配位体，其中每m2所述金属纳米结构的表面积存在约10-6至10-4摩尔的所述偶极配位体。
9.如权利要求8所述的墨组合物，其中每m2所述金属纳米结构的表面积存在约10-5至10-4摩尔的所述偶极配位体。
10.如权利要求8或权利要求9所述的墨组合物，其中所述金属纳米结构为银纳米线。
11.如权利要求8至10中任一权利要求所述的墨组合物，其中所述偶极配位体为阴离子氟表面活性剂。
12.如权利要求11所述的墨组合物，其中所述阴离子氟表面活性剂为羧酸锂阴离子氟表面活性剂。
13.如权利要求8至12中任一权利要求所述的墨组合物，其还包含：表面活性剂，其中所述多个金属纳米线与所述表面活性剂的重量比为560︰1至5︰1。
14.如权利要求8至13中任一权利要求所述的墨组合物，其还包含粘度改性剂。
15.如权利要求14所述的墨组合物，其中所述粘度改性剂为HPMC。
16.有机发光二极管(OLED)装置，其包括：
阴极，
阳极，以及
设置在所述阴极与所述阳极之间的有机发射堆栈，
其中所述阳极包括多个金属纳米结构的导电膜，各个金属纳米结构具有外表面和设置在所述外表面上的偶极表面层，并且其中所述偶极表面层包括多个偶极配位体。
17.如权利要求16所述的OLED装置，其中每m2所述金属纳米结构的表面积存在10-6至10-4摩尔的所述偶极配位体。
18.如权利要求16所述的OLED装置，其中每m2所述金属纳米结构的表面积存在10-5至10-4摩尔的所述偶极配位体。
19.如权利要求16至18中任一权利要求所述的OLED装置，其中所述偶极配位体为阴离子表面活性剂。
20.如权利要求17至19中任一权利要求所述的OLED装置，其中所述阳极具有5.2-5.7eV的功函数。
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