CN103441426B - 一种半导体激光器线宽压缩装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种半导体激光器线宽压缩装置，包括第一环形器、SBS发生介质、第一偏振控制器、组合光纤环单元、以及可饱和吸收体单元，第一环形器与SBS发生介质、第一偏振控制器顺次相连，组合光纤环单元与可饱和吸收体单元、第一偏振控制器顺次相连，第一环形器、SBS发生介质、第一偏振控制器、组合光纤环单元、以及可饱和吸收体单元构成一个超长环形腔，第一环形器用于输入待压缩激光，并将待压缩激光耦合到SBS发生介质，SBS发生介质用于在待压缩激光的泵浦下发生SBS效应，产生与待压缩激光传输方向相反的斯托克斯光，斯托克斯光在所述超长腔中循环运行，而待压缩激光被可饱和吸收体单元的第二环形器阻断。本发明的装置不需要进行光电转换，结构简单。
Description
技术领域
本发明属于光通信及激光技术领域，更具体地，涉及一种半导体激光器线宽压缩装置。
背景技术
窄线宽半导体激光器在光通信和光传感领域具有重要的用途，特别是相干光通信和高级调制格式的广泛使用，对半导体激光器的线宽提出了更高的要求。实现半导体激光器线宽压缩的技术途径有很多种。FiroozAflatouni和Hossein Hashemi等人提出了一种电光前馈压缩方案（参见“Light Source Independent Linewidth Reduction of Lasers,”Proc.OFC’12,OW1G.6,2012），该方案将半导体激光器的频率噪声通过延时干涉后转换成为强度噪声并经光电转换后变为电压信号；接着由压控振荡器将该电压信号转换成含有激光器相位噪声成分的电信号；然后激光器输出的光信号和压控振荡器输出的电信号经过电光强度调制后得到含有相位噪声相加和相抵消的频谱分量；最后通过单边带调制消除相位噪声相加的频谱分量而仅得到相位噪声相抵消的频谱分量从而达到压缩线宽的目的。该方案最大的不足是需要光电转换和强度调制，结构复杂。
美国专利US7620081B2公开了一种实时压缩半导体激光器线宽的方案，利用电负反馈方法将半导体激光器的频率噪声转化为反馈电流信号，通过负反馈回路调制激光器的注入电流，实时补偿半导体激光器的频率变化，从而实现半导体激光器的线宽压缩。该方案需要光电转换，能够消除噪声的带宽有限。
发明内容
针对现有技术的以上缺陷或改进需求，本发明提供了一种半导体激光器线宽压缩装置，其目的在于通过超长环形腔压缩激光器中每个纵模的线宽，并结合SBS超窄带增益谱以及组合光纤环、可饱和吸收体等多重选模结构实现单纵模运转和输出，从而在此基础上完成实对半导体激光器的线宽压缩。
为实现上述目的，按照本发明的一个方面，提供了一种半导体激光器线宽压缩装置，包括第一环形器、SBS发生介质、第一偏振控制器、组合光纤环单元、以及可饱和吸收体单元，第一环形器与SBS发生介质、第一偏振控制器顺次相连，组合光纤环单元与可饱和吸收体单元、第一偏振控制器顺次相连，第一环形器、SBS发生介质、第一偏振控制器、组合光纤环单元、以及可饱和吸收体单元构成一个超长环形腔，第一环形器用于输入待压缩激光，并将待压缩激光耦合到SBS发生介质，SBS发生介质用于在待压缩激光的泵浦下发生SBS效应，产生与待压缩激光传输方向相反的Stokes光，并将Stokes光耦合进第一环形器，同时将待压缩激光耦合进第一偏振控制器，待压缩激光经第一偏振控制器传输到可饱和吸收体单元，可饱和吸收体单元的第二环形器用于通过对光束传输方向性的限制，阻断待压缩激光，第一环形器还用于将来自SBS发生介质的Stokes光与待压缩激光分离，将Stokes光耦合进入组合光纤环单元，组合光纤环单元用于将压缩后的激光耦合输出，并将部分Stokes光耦合到可饱和吸收体单元，可饱和吸收体单元的宽谱高反镜用于反射Stokes光，第二环形器还用于将Stokes光耦合到第一偏振控制器，第一偏振控制器用于控制Stokes光的偏振态，使之与待压缩激光的偏振态相匹配，Stokes光通过第一偏振控制器回到SBS发生介质，构成循环。
优选地，组合光纤环单元包括第一耦合器和第二耦合器，第一耦合器的第一端口用作组合光纤环单元的输入端口，第一耦合器的第二端口与第二耦合器的第四端口通过光纤相连，第一耦合器的第三端口与第二耦合器的第一端口通过光纤相连构成环路，第一耦合器的第四端口用作组合光纤环单元的第一输出端口，第二耦合器的第三端口用作组合光纤环单元的第二输出端口。
优选地，可饱和吸收体单元包括第二环形器、掺杂光纤、第二偏振控制器和宽谱高反镜，第二环形器的第一端口用作可饱和吸收体单元的输入端口，第二环形器的第二端口与掺杂光纤、第二偏振控制器、以及宽谱高反镜顺次相连，第二环形器的第三端口用作可饱和吸收体单元的输出端口。
优选地，组合光纤环单元构成等效的F-P滤波器，实现单纵模运转，其自由光谱范围在SBS增益谱-3dB带宽的0.5-1倍之间，且F-P滤波器透射谱的每个透射峰的-3dB带宽在环形腔的自由光谱范围的1-2倍之间。
优选地，掺杂光纤在Stokes光的作用下形成自适应光栅，所形成的自适应光栅的-3dB带宽小于组合光纤环单元形成的F-P滤波器的自由光谱范围。
按照本发明的另一方面，提供了一种半导体激光器线宽压缩装置，包括第一环形器、SBS发生介质、组合光纤环单元、以及可饱和吸收体单元，第一环形器与SBS发生介质相连，组合光纤环单元与可饱和吸收体单元相连，第一环形器、SBS发生介质、组合光纤环单元、以及可饱和吸收体单元构成一个超长环形腔，第一环形器用于输入待压缩激光，并将待压缩激光耦合到SBS发生介质，SBS发生介质用于在待压缩激光的泵浦下发生SBS效应，产生与待压缩激光传输方向相反的Stokes光，将Stokes光耦合进第一环形器，同时将待压缩激光耦合进可饱和吸收体单元，可饱和吸收体单元的第二环形器用于通过对光束传输方向性的限制，阻断待压缩激光，第一环形器还用于将来自SBS发生介质的Stokes光与待压缩激光分离，使该Stokes光耦合进入组合光纤环单元，组合光纤环单元用于将压缩后的激光耦合输出，并将部分Stokes光耦合到可饱和吸收体单元，可饱和吸收体单元的宽谱高反镜用于反射Stokes光，第二环形器还用于将Stokes光耦合到SBS发生介质，构成循环。
优选地，组合光纤环单元包括第一耦合器和第二耦合器，第一耦合器的第一端口用作组合光纤环单元的输入端口，第一耦合器的第二端口与第二耦合器的第四端口通过光纤相连，第一耦合器的第三端口与第二耦合器的第一端口通过光纤相连构成环路，第一耦合器的第四端口用作组合光纤环单元的第一输出端口，第二耦合器的第三端口用作组合光纤环单元的第二输出端口。
优选地，可饱和吸收体单元包括第二环形器、掺杂光纤和宽谱高反镜，第二环形器的第一端口用作可饱和吸收体单元的输入端口，第二环形器的第二端口与掺杂光纤、以及宽谱高反镜顺次相连，第二环形器的第三端口用作可饱和吸收体单元的输出端口。
总体而言，通过本发明所构思的以上技术方案与现有技术相比，能够取得下列有益效果：
（1）本发明的装置采取超长环形腔使半导体激光器的线宽压缩了两个数量级；
（2）本发明的装置利用SBS超窄带增益谱以及组合光纤环、可饱和吸收体等多重选模结构实现稳定的单纵模运转和输出，在压缩线宽的同时还可提高边模抑制比；
（3）本发明的装置采用全光的方法，不需要进行光电转换，结构简单。
附图说明
图1是本发明半导体激光器线宽压缩装置的结构示意图。
图2是图1中组合光纤环单元4的结构示意图。
图3是图1中可饱和吸收体单元5的结构示意图。
图4是本发明半导体激光器线宽压缩装置的一个应用实例图。
图5是本发明半导体激光器线宽压缩装置的原理示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。此外，下面所描述的本发明各个实施方式中所涉及到的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。
如图1所示，本发明半导体激光器线宽压缩装置包括第一环形器1、SBS发生介质2、第一偏振控制器3、组合光纤环单元4、以及可饱和吸收体单元5。
如图2所示，组合光纤环单元4包括第一耦合器41和第二耦合器42，第一耦合器41的第一端口用作组合光纤环单元4的输入端口，第一耦合器41的第二端口与第二耦合器42的第四端口通过光纤相连，第一耦合器41的第三端口与第二耦合器42的第一端口通过光纤相连构成环路，第一耦合器41的第四端口用作组合光纤环单元4的第一输出端口，第二耦合器42的第三端口用作组合光纤环单元4的第二输出端口。
如图3所示，可饱和吸收体单元5包括第二环形器51、掺杂光纤52、第二偏振控制器53和宽谱高反镜54。第二环形器51的第一端口用作可饱和吸收体单元5的输入端口，第二环形器51的第二端口与掺杂光纤52、第二偏振控制器53、以及宽谱高反镜54顺次相连，第二环形器51的第三端口用作可饱和吸收体单元5的输出端口。
如图1所示，第一环形器1的第一端口用作激光器线宽压缩装置的输入端口，第一环形器1的第二端口与SBS发生介质2、第一偏振控制器3顺次相连，第一环形器1的第三端口与组合光纤环单元4的输入端口相连，组合光纤环单元4的第二输出端口与可饱和吸收体单元5、第一偏振控制器3顺次相连。第一环形器1、SBS发生介质2、第一偏振控制器3、组合光纤环单元4、以及可饱和吸收体单元5构成一个超长环形腔，组合光纤环单元4的第一输出端口用作激光器线宽压缩装置的输出端口。
第一环形器1用于通过第一端口输入待压缩激光，并通过第二端口将待压缩激光耦合到SBS发生介质2。
SBS发生介质2用于在待压缩激光的泵浦下发生SBS效应，产生与待压缩激光传输方向相反的Stokes光，将Stokes光耦合进第一环形器1的第二端口，同时将待压缩激光耦合进第一偏振控制器3；Stokes光提供超窄带的增益，SBS发生介质2是构成超长环形腔的主要部分，用于决定环形腔的自由光谱范围。
第一偏振控制器3用于控制待压缩激光的偏振态，并使待压缩激光传输到可饱和吸收体单元5的第二环形器51的第二端口。
可饱和吸收体单元5的第二环形器51通过对光束传输方向性的限制，用于阻断待压缩激光。
第一环形器1还用于将来自SBS发生介质2的Stokes光与待压缩激光分离，使其通过第三端口耦合进入组合光纤环单元4，以便能在环形腔中循环运行。
组合光纤环单元4用于将压缩后的激光从第一输出端口耦合输出，并将部分Stokes光从第二输出端口耦合到第二环形器51的第一端口。组合光纤环单元4构成等效的F-P滤波器，实现单纵模运转，所构成的F-P滤波器的自由光谱范围在SBS增益谱-3dB带宽的0.5-1倍之间，且F-P滤波器透射谱的每个透射峰的-3dB带宽在环形腔的自由光谱范围的1-2倍之间。
可饱和吸收体单元5的宽谱高反镜54用于反射Stokes光，第二环形器51还用于将Stokes光耦合到第一偏振控制器3；具体而言，进入可饱和吸收体单元5的Stokes光顺次经过第二环形器51的第二端口、掺杂光纤52、第二偏振控制器53和宽谱高反镜54，宽谱高反镜54反射Stokes光使其按原路返回，并通过第二环形器51的第三端口耦合输出到第一偏振控制器3。掺杂光纤52在Stokes光的作用下形成自适应光栅，实现稳定的单纵模输出。所形成的自适应光栅的-3dB带宽小于组合光纤环单元4形成的F-P滤波器的自由光谱范围。
第一偏振控制器3还用于控制Stokes光的偏振态，使之与待压缩激光的偏振态相匹配，Stokes光经第一偏振控制器返回到SBS发生介质2，构成循环。
应该注意的是，第一偏振控制器2和第二偏振控制器10不是必需的，SBS发生介质2、掺杂光纤52、第一环形器1以及第二环形器51都是保偏的结构。
下面简述光束在本发明中装置中的运转：
待压缩激光由第一环形器1的输入端口进入激光器线宽压缩装置，从第一环形器1的第二端口耦合到SBS发生介质2中，发生SBS效应并产生与待压缩激光运行方向相反Stokes光。然后待压缩激光经过第一偏振控制器3到达可饱和吸收体单元5的输出端口。由于可饱和吸收体单元5的输出端口为第二环形器51的第三端口，光不能由第二环形器51的第三端口传输至第二端口，所以待压缩激光被阻断，不循环运行。
待压缩激光在SBS发生介质2中激发SBS效应，产生与待压缩激光的运行方向相反的Stokes光。Stokes光由SBS发生介质2进入第一环形器1的第二端口，从第一环形器1的第三端口输出，进入组合光纤环单元4。在组合光纤环单元4中Stokes光从第一耦合器41的第一端口输入，部分Stokes光（即压缩后的激光）由第一耦合器41的第四端口耦合输出；另一部分Stokes光从第一耦合器41的第三端口输入到第二耦合器42的第一端口。然后，Stokes光再次被分束，一部分Stokes光经由第二耦合器42的第四端口传输至第一耦合器41的第二端口，所以部分Stokes光在第一耦合器41的第二端口和第三端口、第二耦合器42的第一端口和第四端口构成的环路上来回运转，组合光纤环单元4等效于一个F-P滤波器；另一部分Stokes光则由第二耦合器42的第三端口输出进入可饱和吸收体单元5。在可饱和吸收体单元5中，Stokes光从第二环形器51的第一端口进入，然后由第二环形器51的第二端口输出，经过一段掺杂光纤52和第二偏振控制器53到达宽谱高反镜54。Stokes光被宽谱高反镜54反射，又依次经过第二偏振控制器53和掺杂光纤52到达第二环形器51的第二端口。Stokes光以相反的方向来回两次经过掺杂光纤52，由于光的干涉在掺杂光纤中9中形成自适应光栅。然后Stokes光从第二环形器51的第三端口输出，经过第一偏振控制器3返回到SBS发生介质2中，如此循环运行。
下面结合本发明的一个应用实例具体说明。
图4为本发明的一个应用实例，包括待压缩光源12、掺铒光纤放大器13、第一环形器1、SBS发生介质2、第一偏振控制器3、组合光纤环单元4、以及可饱和吸收体单元5。在本实例中，该SBS发生介质2是高非线性光纤6，掺杂光纤52是掺铒光纤7，宽谱高反镜54是第三环形器8，第三环形器8的第一端口和第三端口用光纤连接起来构成一个全反镜。
该应用实例的结构为：待压缩光源12、掺铒光纤放大器13、第一环形器1的第一端口顺次相连，第一环形器1的第二端口、高非线性光纤6、第一偏振控制器3顺次相连，第一环形器1的第三端口与组合光纤环单元4输入端口相连，组合光纤环单元4的第二输出端口与可饱和吸收体单元5、第一偏振控制器3顺次相连。第一环形器1、高非线性光纤6、第一偏振控制器3、组合光纤环单元4、以及可饱和吸收体单元5构成一个超长环形腔。组合光纤环单元4的第一输出端口为该整个装置的输出端口。
待压缩光源12是线宽为3MHz的可调谐半导体激光器，型号为APEXAP3350A。
高非线性光纤6的长度为600m，非线性系数为10W-1km-1，损耗系数为1.5dB/km。在高非线性光纤6中SBS的增益谱的-3dB带宽约为13MHz。
组合光纤环单元4中的第一耦合器41和第二耦合器42的耦合比均为1:9。组合光纤环单元4构成一个等效的F-P滤波器，其精细度约为20，自由光谱范围约为9MHz，-3dB带宽约为0.4MHz。
掺铒光纤7的长度为5m，在掺铒光纤7中所形成的自适应光栅的-3dB带宽约为1MHz。
下面结合图5和上述应用实例对本发明的原理作进一步说明：
如上文，第一环形器、SBS发生介质、第一偏振控制器、可饱和吸收体单元以及组合光纤环单元构成一个超长环形腔。腔长与腔的纵模线宽成反比，故腔长越长，每个纵模的线宽越窄。在上文的应用实例中，环形腔的腔长约为700m，其中高非线性光纤的长度为600m，用于连接的普通单模光纤的长度约为90m，该环形腔的谐振频率（即自由光谱范围）间隔约为0.32MHz。
待压缩激光在SBS发生介质中激发SBS效应，产生与待压缩激光的传输方向相反的Stokes光。Stokes光的中心频率相对于待压缩激光的中心频率发生一定的频移。在上文的应用实例中，所用高非线性光纤的SBS增益谱的-3dB带宽为13MHz，而超长环形腔的谐振频率间隔仅为0.32MHz，所以位于SBS增益谱-3dB带宽内的许多纵模都能起振。
为了减少起振的纵模数量，引入组合光纤环单元扩展起振纵模的频率间隔。组合光纤环单元构成一个等效的F-P滤波器。在上文的应用实例中，组合光纤环单元所构成的F-P滤波器每个透射峰的-3dB带宽为0.4MHz，环形腔的自由光谱范围为0.32MHz，F-P滤波器每个透射峰的-3dB带宽是环形腔自由光谱范围的1.2倍，所以在F-P滤波器的每个透射峰内会出现1-2个纵模，其中一个占主导地位。同时，F-P滤波器的自由光谱范围为9MHz，是SBS增益谱-3dB带宽的0.7倍，这样在SBS增益谱-3dB带宽内只有1-2个F-P滤波器的透射峰从而大大扩展了起振纵模的频率间隔。
进一步地，为了实现稳定的单纵模输出，引入可饱和吸收体单元增大边模抑制比。Stokes光以相反的方向来回两次通过掺杂光纤，由于光的干涉而形成沿光纤轴向周期性分布的驻波场，其周期为光波的半波长。光强的周期性变化使得未泵浦掺铒光纤的损耗和折射率周期性变化，在光纤中形成了自适应光栅。所形成的自适应光栅的-3dB带宽为1MHz，而组合光纤环单元形成的F-P滤波器的自由光谱范围9MHz，所以自适应光栅的主峰内只有F-P滤波器的一个透射峰。自适应光栅形成的光谱的主峰峰值最高，两边次级峰的峰值迅速降低，故自适应光栅能有效地抑制边摸，增大边模抑制比，使激光器线宽压缩装置实现稳定的单纵模输出。
基于以上原理，本发明提出的激光器线宽压缩装置能实现在数十纳米的波长范围内将半导体激光器的线宽从数兆赫兹压缩至数十千赫兹，使线宽减小了两个数量级。
本领域的技术人员容易理解，以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种半导体激光器线宽压缩装置，包括第一环形器、SBS发生介质、第一偏振控制器、组合光纤环单元、以及可饱和吸收体单元，其特征在于，
第一环形器与SBS发生介质、第一偏振控制器顺次相连；
组合光纤环单元与可饱和吸收体单元、第一偏振控制器顺次相连；
第一环形器、SBS发生介质、第一偏振控制器、组合光纤环单元、以及可饱和吸收体单元构成一个超长环形腔；
第一环形器用于输入待压缩激光，并将待压缩激光耦合到SBS发生介质；
SBS发生介质用于在待压缩激光的泵浦下发生SBS效应，产生与待压缩激光传输方向相反的Stokes光，并将Stokes光耦合到第一环形器，同时将待压缩激光通过第一偏振控制器耦合到可饱和吸收体单元；
可饱和吸收体单元的第二环形器用于通过对光束传输方向性的限制，阻断待压缩激光；
第一环形器还用于将来自SBS发生介质的Stokes光与待压缩激光分离，使该Stokes光耦合进入组合光纤环单元；
组合光纤环单元用于将压缩后的激光耦合输出，并将部分Stokes光耦合到可饱和吸收体单元；
可饱和吸收体单元的宽谱高反镜用于反射Stokes光，第二环形器将Stokes光耦合到第一偏振控制器；
第一偏振控制器用于控制Stokes光的偏振态，使之与待压缩激光的偏振态相匹配，Stokes光经第一偏振控制器返回到SBS发生介质，构成循环。
2.根据权利要求1所述的半导体激光器线宽压缩装置，其特征在于，
组合光纤环单元包括第一耦合器和第二耦合器；
第一耦合器的第一端口用作组合光纤环单元的输入端口；
第一耦合器的第二端口与第二耦合器的第四端口通过光纤相连；
第一耦合器的第三端口与第二耦合器的第一端口通过光纤相连构成环路；
第一耦合器的第四端口用作组合光纤环单元的第一输出端口；
第二耦合器的第三端口用作组合光纤环单元的第二输出端口。
3.根据权利要求1所述的半导体激光器线宽压缩装置，其特征在于，
可饱和吸收体单元包括第二环形器、掺杂光纤、第二偏振控制器和宽谱高反镜；
第二环形器的第一端口用作可饱和吸收体单元的输入端口；
第二环形器的第二端口与掺杂光纤、第二偏振控制器、以及宽谱高反镜顺次相连；
第二环形器的第三端口用作可饱和吸收体单元的输出端口。
4.根据权利要求1-3中任意一项所述的半导体激光器线宽压缩装置，其特征在于，组合光纤环单元构成等效的法布里-珀罗(F-P)滤波器，实现单纵模运转，其自由光谱范围在SBS增益谱-3dB带宽的0.5-1倍之间，且F-P滤波器透射谱的每个透射峰的-3dB带宽在环形腔的自由光谱范围的1-2倍之间。
5.根据权利要求1-3中任意一项所述的半导体激光器线宽压缩装置，其特征在于，
掺杂光纤在Stokes光的作用下形成自适应光栅；
所形成的自适应光栅的-3dB带宽小于组合光纤环单元形成的F-P滤波器的自由光谱范围。
6.一种半导体激光器线宽压缩装置，包括第一环形器、SBS发生介质、组合光纤环单元、以及可饱和吸收体单元，其特征在于，
第一环形器与SBS发生介质相连；
组合光纤环单元与可饱和吸收体单元相连；
第一环形器、SBS发生介质、组合光纤环单元、以及可饱和吸收体单元构成一个超长环形腔；
第一环形器用于输入待压缩激光，并将待压缩激光耦合到SBS发生介质；
SBS发生介质用于在待压缩激光的泵浦下发生SBS效应，产生与待压缩激光传输方向相反的Stokes光，并将Stokes光耦合进第一环形器，同时将待压缩激光耦合进可饱和吸收体单元；
可饱和吸收体单元的第二环形器用于通过对光束传输方向性的限制，阻断待压缩激光；
第一环形器还用于将来自SBS发生介质的Stokes光与待压缩激光分离，使该Stokes光耦合进入组合光纤环单元；
组合光纤环单元用于将压缩后的激光耦合输出，并将部分Stokes光耦合到可饱和吸收体单元；
可饱和吸收体单元的宽谱高反镜用于反射Stokes光，第二环形器还用于将Stokes光耦合到SBS发生介质，构成循环。
7.根据权利要求6所述的半导体激光器线宽压缩装置，其特征在于，
组合光纤环单元包括第一耦合器和第二耦合器；
第一耦合器的第一端口用作组合光纤环单元的输入端口；
第一耦合器的第二端口与第二耦合器的第四端口通过光纤相连；
第一耦合器的第三端口与第二耦合器的第一端口通过光纤相连构成环路；
第一耦合器的第四端口用作组合光纤环单元的第一输出端口；
第二耦合器的第三端口用作组合光纤环单元的第二输出端口。
8.根据权利要求6所述的半导体激光器线宽压缩装置，其特征在于，
可饱和吸收体单元包括第二环形器、掺杂光纤和宽谱高反镜；
第二环形器的第一端口用作可饱和吸收体单元的输入端口；
第二环形器的第二端口与掺杂光纤、以及宽谱高反镜顺次相连；
第二环形器的第三端口用作可饱和吸收体单元的输出端口。
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- 2013-07-26 CN CN201310321072.1A patent/CN103441426B/zh active Active
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102361210A (zh) * | 2011-09-24 | 2012-02-22 | 中国人民解放军国防科技大学 | 一种单频超窄线宽布里渊掺铒光纤激光器 |
| CN202550280U (zh) * | 2011-10-27 | 2012-11-21 | 中国计量学院 | 一种新型布里渊掺铒光纤环形腔激光器 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| Characterization of Wavelength-Tunable Single-Frequency Fiber Laser Employing Acoustooptic Tunable Filter;Myeong Soo Kang，et al;《Journal of Lightwave Technology》;20060430;第24卷(第4期);1813页第3段，1815页第1段，摘要，附图3 * |
| High-Power Single-Longitudinal-Mode Fiber Laser With a Ring Fabry-Perot Resonator and a Saturable Absorber;X.X.Yang，et al;《IEEE Photonics Technology Letters》;20080601;第20卷(第11期);880页第2段，摘要，附图2 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103441426A (zh) | 2013-12-11 |
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