CN103364593B - 传感器电路及测试微机电系统传感器的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及传感器电路及测试微机电系统传感器的方法。一种传感器电路，包括微机电系统(MEMS)陀螺仪传感器和集成电路(IC)。该MEMS陀螺仪传感器包括第一传感电容器和第二传感电容器。该IC包括开关电路和电容测量电路，该开关电路配置成将所述第一传感电容器与所述IC的第一输入端电解耦，并且将所述第二传感电容器电耦合到所述IC的第二输入端；该电容测量电路配置成在第一电信号施加到该被解耦的第一电容元件期间测量所述MEMS陀螺仪传感器的所述第二传感电容器的电容。
Description
技术领域
总的来说，本申请涉及电子电路，更具体地，涉及MEMS传感器电路。
背景技术
微机电系统(MEMS)包括执行电力和机械功能的小型机械设备，该机械设备使用与制作集成电路所使用的工艺相似的光刻工艺制作而成。有些MEMS设备是能够检测运动的传感器，比如加速计，或者是能够检测角速度的传感器，比如陀螺仪。电容式MEMS陀螺仪响应于角速度变化而经历电容的变化。MEMS陀螺仪传感器的生产包括测试，该测试应当快速检测出所加工的设备中的任何缺陷。
发明内容
除了其他方面以外，本申请还讨论了用于与MEMS传感器连接的设备、系统和方法。一种示例装置，包括集成电路(IC)和MEMS陀螺仪传感器，所述MEMS陀螺仪传感器包括第一传感电容器和第二传感电容器。所述IC包括开关电路和电容测量电路。所述开关电路配置成将所述第一传感电容器从所述IC的第一输入端处电解耦，将所述第二传感电容器电性连接到所述IC的第二输入端。所述电容测量电路配置成在向该被解耦的第一电容元件施加第一电信号期间测量所述MEMS陀螺仪传感器的所述第二传感电容器的电容。
一种测试MEMS传感器的示例方法，包括：将MEMS陀螺仪传感器的第一传感电容器与IC电解耦；向该被解耦的第一传感电容器施加第一电信号；以及在施加所述第一电信号期间测量所述MEMS传感器的第二传感电容器的电容。
发明内容部分旨在提供对本专利申请的主题的概述，并非旨在提供本申请的排他性或穷举性说明。本文包括具体实施方式以提供与本专利申请有关的进一步信息。
附图说明
附图(这些附图不一定是按照比例绘制的)中，相同的数字能够描述不同视图中的相似部件。具有不同字母后缀的相同数字能够表示类似部件的不同实例。附图通过示例而非限制的方式概括地示出了本申请中讨论的各个实施例。
图1示出了示例性MEMS传感器和集成电路的部分的方框图；
图2为实现MEMS传感器的自测试的示例性方法的流程图；
图3示出了测试MEMS传感器的一个示例性电路；
图4示出了测试MEMS传感器的另一个示例性电路。
具体实施方式
图1为一示例性电子系统的部分的方框图，该电子系统包括MEMS传感器105和IC110。该MEMS传感器可包括MEMS陀螺仪，例如振动陀螺仪。振动陀螺仪可包括悬挂在基板上方的检测质量块(proof mass)。该检测质量块在驱动方向和垂直于该驱动方向的感应方向上机械振荡。外部驱动源驱动该检测质量块在驱动方向上进入共振状态。当陀螺仪受到角旋转时，在感应方向上感生科里奥利(Coriolis)力或科里奥利效应，该科里奥利力或科里奥利效应使用传感电容器被检测出来。
图1中，传感电容器Cgp和Cgn代表到IC110的陀螺仪科里奥利感应输出。电容器Cgp和Cgn是驱动传感电容器。这些电容器用于监控包含在MEMS陀螺仪传感器105和IC110中的驱动回路。除了其他方面以外，该陀螺仪驱动回路包括：MEMS陀螺仪传感器105的驱动电容器(未示出)；IC110的输出驱动放大器电路(未示出)，用以产生MEMS陀螺仪传感器105的机械振荡；以及自动增益控制(AGC)电路(未示出)。该AGC电路对该输出驱动放大器电路提供的静电力进行调节以将机械振荡维持到目标值。驱动性传感电容器Cgsp和Cgsn用于感测MEMS陀螺仪传感器105的振荡幅度。该陀螺仪驱动回路还包括顶部电容器-电压(C2V)传感器电路120和相移电路125。该顶部C2V传感器电路120将Cgsp和Cgsn的电容转换成可被观察到的电压信号，以使由该陀螺仪驱动回路维持的振荡持续下去。
底部C2V传感器电路130将科里奥利传感电容器Cgp和Cgn转换成电压。使用混频电路135对从驱动传感电容器Cgsp和Cgsn处得到的电压和从科里奥利传感电容器Cgp和Cgn处得到的电压进行解调，使用模数转换器(ADC)电路140对解调结果进行测量。在一些示例中，该ADC电路140为∑-ΔADC电路。
图1中的示例只显示了一套驱动性传感电容器和一套科里奥利传感电容器。在多轴MEMS陀螺仪传感器中，针对每个轴都可包括一套驱动传感电容器和一套科里奥利传感电容器。例如，三轴MEMS陀螺仪传感器针对X、Y和Z轴中的每个轴都可包括一套驱动性传感电容器和一套科里奥利传感电容器。
为了对MEMS陀螺仪传感器105进行测试，可利用电容式MEMS传感器还可用作致动器这个优势。典型地，在MEMS传感器中增加电容器，当设备在测试模式下操作时，这些电容器被用来增加静电电荷并驱动检测质量块。该测试方式需要制作额外的电容器和额外的电触头。更好的方法是在测试中使用传感电容器本身。这样，由于不需要专用于测试的部件而简化了MEMS陀螺仪传感器的设计。
图2为实现MEMS陀螺仪传感器的自测试的示例性方法200的流程图。在正常工作模式下，MEMS陀螺仪传感器被电连接到如图1所示的IC(例如专用集成电路或ASIC)。正常模式下，该IC测量该MEMS陀螺仪传感器的输出端处的科里奥利传感电容器的电容。
在框205处，在测试模式下，将MEMS传感器的第一科里奥利传感电容器与该IC电解耦。在框210处，将第一电信号施加到该被解耦的电容元件上。施加该第一电信号可导致检测质量块移动并改变第二传感电容器的电容，在框215处测量第二传感电容器的电容。这样，无需向MEMS陀螺仪传感器提供旋转力便可对该检测质量块的移动和该第二传感电容器的电容变化之间的相互作用进行测试。可以相似的方式对第一科里奥利传感电容器进行测量。
回到图1，IC110包括开关电路(未示出)。该开关电路可在正常模式和测试模式下工作。在正常工作模式下，该开关电路可将MEMS传感器105的第一传感电容器Cgp和第二科里奥利传感电容器Cgn耦合为电容元件对。该电容元件对响应于作用在该MEMS传感器上的科里奥利效应而改变电容。在测试模式下，该开关电路提供至科里奥利传感电容器中的一个或多个的路径。
图3示出了在测试模式下的示例性MEMS陀螺仪传感器305和IC310的部分。开关电路可将MEMS陀螺仪传感器305的第一传感电容器Cgp与IC的第一输入端电解耦，并且将第二传感电容器Cgn电耦合到IC310的第二输入端。如图所示，该第一传感电容器Cgp可与底部C2V传感器电路330电解耦。该开关电路可将内部电容器345连接到底部C2V传感器电路330。
电测试信号可例如通过测试电路(未示出)或测试平台施加到被解耦的第一传感电容器Cgp。在一些示例中，电信号是正弦信号。在一些示例中，MEMS陀螺仪传感器可包括电触头以接触该MEMS陀螺仪传感器的检测质量块。如图3所示，施加电测试信号期间，可通过电触头将直流(DC)驱动电压施加到检测质量块。该电测试信号和该DC驱动电压提供移动该检测质量块的静电驱动，以模仿角速度的变化。在静电驱动该检测质量块时测量第二传感电容器Cgn的电容。
IC310还包括对MEMS传感器的第二电容元件的电容进行测量的电容测量电路。该电容测量电路包括底部C2V传感器330和ADC电路340。该C2V传感器电路330感应代表第二传感电容器的电容的电压，该ADC电路340产生代表该第二电容元件的电容的数字值。该电容测量电路在电信号施加到被解耦的第一电容元件期间测量MEMS陀螺仪传感器的第二传感电容器的电容。
可以相似的方式测量第一传感电容器Cgp的电容。第一开关电路将MEMS陀螺仪传感器的第二传感电容器Cgn与IC的第二输入端电解耦，并且将该MEMS陀螺仪传感器的第一传感电容器Cgp电耦合到该IC的第一输入端。电容测量电路配置成在第二电信号施加到被解耦的第二传感电容器Cgn期间测量第一传感电容器Cgn的电容。
如之前所阐述的，所述电测试信号可以是正弦信号。在一些示例中，使用正弦测试信号，在该正弦信号的不同相移处测量电容。例如，为了测试第二传感电容器Cgn，可将具有第一相移值(比如0°相移)的第一正弦电信号施加到第一传感电容器Cgp。可在施加具有第一相移值的第一正弦信号期间测量第二传感电容器Cgn的电容。
然后，第一正弦电信号的相移值可改变为第二相移值(比如90°相移)。在施加具有第二相移值的第一正弦信号期间可重新测量第二传感电容器Cgn的电容。也可在其他相移值(比如180°和270°)处测量传感电容器的电容。
图4示出了在测试模式下的另一示例性MEMS陀螺仪传感器405和IC410的部分。顶部C2V传感器420电路将MEMS陀螺仪传感器的振荡电容转换成振荡电压信号。接着，开关电路可施加振荡电压信号作为电测试信号来测量科里奥利传感电容器(例如图中所示的传感电容器Cgn)的电容。
如之前所阐述的，IC405包括陀螺仪驱动回路的重要部分。在一些示例中，IC410包括自启动振荡器电路，以通过自生振荡信号将随机的“初始扰动(initialkick)”提供给陀螺仪驱动回路。该自生振荡信号可以大体为正弦信号，该正弦信号的频率不同于(如低于)MEMS陀螺仪传感器405的共振频率。初始信号的能量聚集起来，使MEMS陀螺仪传感器405进入共振状态，在该共振状态下，该MEMS陀螺仪传感器的机械振荡被锁定在MEMS振荡频率。
陀螺驱动回路锁定在MEMS振荡频率。该振荡由驱动传感电容器Cgsp和Cgsn感测到，顶部C2V传感器电路420所生成的电压信号的振荡幅度开始增大。电压信号的幅度会持续增大，直到越过阈值(例如目标振荡幅度的97％)。当满足阈值幅度时，AGC电路选择来自顶部C2V传感器420的电压信号作为参考信号来代替自生振荡信号去驱动MEMS陀螺仪传感器。AGC回路开始调整输出驱动器的增益以保持振荡的目标幅度。
如之前所阐述的，陀螺仪驱动回路包括IC上的相移电路425。该相移电路425对来自顶部C2V传感器电路420的振荡电压信号的相位进行移位。在某些示例中，该相移电路425提供90°的相移。开关电路能够将相移后的振荡电压信号施加到传感电容器上作为电测试信号。在某些示例中，接收电信号的传感电容器(比如Cgn)与底部C2V传感器电路430解耦，但保持与IC410的电接触，以接收电测试信号。
根据一些示例，开关电路包括多路复用器或MUX电路450来选择性地将具有0°或90°相移的电测试信号提供给传感电容器。为了产生180°和270°的相移，该开关电路可反转来自顶部C2V电路420的信号以提供180°的相移，并使用相移电路425来生成270°的相移。在某些示例中，该开关电路可将初始电压信号施加到另一个传感电容器(例如Cgp而非Cgn)以生成180°和270°的相移。
根据一些示例，第一传感电容器Cgp和第二传感电容器Cgn配置成感测沿MEMS陀螺仪传感器的第一轴(如X轴)的科里奥利效应。MEMS陀螺仪传感器可包括用以感测沿第二轴(如Y轴)的科里奥利效应的第二传感电容器对，还可包括用以感测沿第三轴(如Z轴)的科里奥利效应的第三传感电容器对。
电容测量电路可测量配置成感测沿MEMS陀螺仪传感器的第二轴或第三轴的科里奥利效应的至少一个额外传感电容器的电容。例如，图3和图4至少一个中的IC可包括针对驱动传感电容器的C2V传感器电路和针对至少第二轴或第三轴的科里奥利传感电容器。开关电路施加电测试信号到一个或多个传感电容器上，电容测量电路在该电测试信号被施加期间测量该传感电容器的电容。
请注意，在测试中只使用MEMS陀螺仪传感器中用于感测科里奥利效应的电容元件，该MEMS陀螺仪传感器不需要额外的测试电容器。这就使得该MEMS传感器需要较少的电路部件和电路接点，简化了设计。
补充注释&示例
示例1可包括以下主题(例如一种装置)，该主题包括微机电系统(MEMS)陀螺仪和IC。所述MEMS陀螺仪传感器包括第一传感电容器和第二传感电容器。所述IC包括开关电路和电容测量电路，该开关电路配置成将所述第一传感电容器与所述IC的第一输入端电解耦，并且将所述第二传感电容器电耦合到所述IC的第二输入端；所述电容测量电路配置成在第一电信号施加到该被解耦的第一电容元件期间测量所述MEMS陀螺仪传感器的所述第二传感电容器的电容。
示例2可包括，或可选地与示例1的主题结合以可选地包括配置成感测所述MEMS陀螺仪传感器在正常工作模式下的科里奥利效应的第一传感电容器和第二传感电容器。
示例3可包括，或可选地与示例1和2的其中一个或任意组合的主题结合以可选地包括开关电路，该开关电路配置成将所述MEMS陀螺仪传感器的所述第二传感电容器与所述IC的所述第二输入端电解耦，并且将所述MEMS陀螺仪传感器的所述第一传感电容器电耦合到所述IC的所述第一输入端。所述电容测量电路可选地配置成在第二电信号施加到该被解耦的第二传感电容器期间测量所述MEMS陀螺仪传感器的所述第一传感电容器的电容。
示例4可包括，或可选地与示例1-3的其中一个或任意组合的主题结合以可选地包括：向所述第一传感电容器施加第一正弦电信号，其中该第一正弦电信号具有第一相移；在施加具有所述第一相移的所述第一正弦信号期间测量所述第二传感电容器的电容；将所述第一正弦电信号的相移改变为第二相移；以及在施加具有所述第二相移的所述第一正弦信号期间重新测量所述第二传感电容器的电容。
示例5可包括，或可选地与示例1-4的其中一个或任意组合的主题结合以可选地包括：电容-电压传感器电路，配置成感测代表所述第二传感电容器的电容的电压；以及模数转换器(ADC)电路，配置成产生代表所述第二电容元件的电容的数字值。
示例6可包括，或可选地与示例1-5的其中一个或任意组合的主题结合以可选地包括电容器-电压传感器，该电容器-电压传感器配置成将所述MEMS陀螺仪传感器的振荡电容转换成振荡电压信号，并且所述开关电路可选地配置成施加所述振荡电压信号作为所述第一电信号。
示例7可包括，或可选地与示例6的主题结合以可选地包括配置成对所述振荡电压信号进行移相的相移电路，并且所述开关电路可选地配置成施加该移相后的振荡电压信号作为所述第一电信号。
示例8可包括，或可选地与示例1-7的其中一个或任意组合的主题结合以可选地包括测试电路，该测试电路配置成在所述第一电信号被施加期间将直流(DC)电压施加到所述MEMS陀螺仪传感器的检测质量块。
示例9可包括，或可选地与示例1-8的其中一个或任意组合的主题结合以可选地包括第一传感电容器和第二传感电容器，该第一传感电容器和第二传感电容器配置成感测沿所述MEMS陀螺仪传感器的第一轴的科里奥利效应的，并且所述电容测量电路可选地配置成测量至少一个额外传感电容器的电容，所述至少一个额外传感电容器配置成感测沿所述MEMS陀螺仪传感器的第二轴的科里奥利效应。
示例10可包括，或可选地与示例1-9的其中一个或任意组合的主题结合以可选地包括MEMS陀螺仪传感器，该MEMS陀螺仪传感器包括可移动检测质量块，所述第一传感电容器和所述第二传感电容器可选地配置成当所述IC在正常工作模式下工作时感测该检测质量块的科里奥利效应，所述第一电信号施加到所述被解耦的第一电容元件可选地配置成在测试模式下使该检测质量块移动，所述IC可选地配置成在所述测试模式下所述检测质量块移动期间，测量所述第二传感电容器的电容。
示例11可包括以下主题，或可选地与示例1-10的其中一个或任意组合的主题结合以包括以下主题(例如一种用于实施动作的装置，方法，或者包括当由机器执行时使该机器实施动作的指令的机器可读介质)，包括：将MEMS陀螺仪传感器的第一传感电容器与IC电解耦；向该被解耦的第一传感电容器施加第一电信号；以及在施加所述第一电信号期间测量所述MEMS传感器的第二传感电容器的电容。
示例12可包括，或可选地与示例11的主题结合以可选地包括：在正常工作模式下，使用所述第一传感电容器和所述第二传感电容器感测所述MEMS陀螺仪传感器的科里奥利效应。
示例13可包括，或可选地与示例11和12的其中一个或任意组合的主题结合以可选地包括：将所述MEMS传感器的所述第二传感电容器与所述IC电解耦；向所述第二传感电容器施加第二电信号；以及在施加所述第二电信号期间测量所述MEMS陀螺仪传感器的所述第一传感电容器的电容。
示例14可包括，或可选地与示例11-13的其中一个或任意组合的主题结合以可选地包括：向所述第一传感电容器施加第一正弦电信号，其中该第一正弦电信号具有第一相移；在施加具有所述第一相移的所述第一正弦信号期间测量所述第二电容器的电容；将所述第一正弦电信号的相移改变为第二相移；以及在施加具有所述第二相移的所述第一正弦信号期间重新测量所述第二电容器的电容。
示例15可包括，或可选地与示例11-14的其中一个或任意组合的主题结合以可选地包括：感测代表所述第二传感电容器的电容的电压；以及使用ADC电路产生代表所述第二电容元件的电容的数字值。
示例16可包括，或可选地与示例11-15的其中一个或任意组合的主题结合以可选地包括：在所述IC的第三输入端处接收来自所述MEMS陀螺仪传感器的振荡信号；以及施加来自所述MEMS陀螺仪传感器的所述振荡信号作为所述第一电信号。
示例17可包括，或可选地与示例16的主题结合以可选地包括：对来自所述MEMS陀螺仪传感器的所述振荡信号进行相移；以及施加所述相移后的振荡信号作为所述第一电信号。
示例18可包括，或可选地与示例11-17的其中一个或任意组合的主题结合以可选地包括：在施加所述第一电信号期间将直流电压施加到所述MEMS陀螺仪传感器的检测质量块。
示例19可包括，或可选地与示例11-18的其中一个或任意组合的主题结合以可选地包括：使用所述第一传感电容器和所述第二传感电容器感测沿所述MEMS陀螺仪传感器的第一轴的科里奥利效应，并且测量至少一个额外传感电容器的电容，该至少一个额外传感电容器配置成感测沿所述MEMS陀螺仪传感器的第二轴的科里奥利效应。
示例20可包括，或可选地与示例11-19的其中一个或任意组合的主题结合以可选地包括：在所述MEMS陀螺仪传感器的正常工作模式下，使用所述第一传感电容器和所述第二传感电容器感测所述MEMS陀螺仪传感器的检测质量块的科里奥利效应；在所述MEMS陀螺仪传感器的测试模式期间，向所述被解耦的第一传感电容器施加所述第一电信号，以使所述MEMS陀螺仪传感器的检测质量块移动；并且测量所述第二传感电容器的电容包括：在所述测试模式下所述检测质量块移动期间测量所述MEMS陀螺仪传感器的所述第二传感电容器的电容。
示例21可包括以下主题，或可选地与示例1-20中任意一个或多个示例的任一部分或多个任意部分的组合相结合以包括以下主题，该主题可包括：用于执行示例1-20的功能中的任意一种或多种功能的装置，或包括当由机器执行时使机器执行示例1-20的功能中的任意一种或多种功能的指令的机器可读介质。
上述详细说明书参照了附图，附图也是所述详细说明书的一部分。附图以图解的方式显示了可应用本申请的具体示例。这些实施例在本申请中被称作“示例”。本申请所涉及的所有出版物、专利及专利文件全部作为本申请的参考内容，尽管它们是分别加以参考的。如果本申请与参考文件之间存在用途差异，则将参考文件的用途视作本申请的用途的补充，若两者之间存在不可调和的差异，则以本申请的用途为准。
在本申请中，与专利文件通常使用的一样，术语“一”或“某一”表示包括一个或多个，但其他情况或在使用“至少一个”或“一个或多个”时应除外。在本申请中，除非另外指明，否则使用术语“或”指无排他性的或者，使得“A或B”包括：“A但不是B”、“B但不是A”以及“A和B”。在所附权利要求中，术语“包含”和“在其中”等同于各个术语“包括”和“其中”的通俗英语。同样，在所附权利要求书中，术语“包含”和“包括”是开放性的，即，系统、设备、物品或步骤包括除了权利要求中这种术语之后所列出的那些部件以外的部件的，依然视为落在该条权利要求的范围之内。而且，在下面的权利要求中，术语“第一”、“第二”和“第三”等仅仅用作标签，并非对对象有数量要求。
上述说明的作用在于解说而非限制。上述实施例(或实施例的一个或多个方面)可结合使用。可以在理解上述说明书的基础上，利用现有技术的某种常规技术来执行其他示例。遵照37C.F.R.§1.72(b)的规定提供摘要，允许读者快速确定本技术公开的性质。提交本摘要时要理解的是该摘要不用于解释或限制权利要求的范围或意义。同样，在上面的具体实施方式中，各种特征可归类成将本公开合理化。这不应理解成未要求的公开特征对任何权利要求必不可少。相反，本申请的主题可在于特征少于特定公开的示例的所有特征。因此，下面的权利要求据此并入具体实施方式中，每个权利要求均作为一个单独的示例。应参看所附的权利要求，以及这些权利要求所享有的等同物的所有范围，来确定本申请的范围。
Claims (20)
1.一种传感器电路，包括：
MEMS陀螺仪传感器，包括第一传感电容器和第二传感电容器；以及
IC，包括：
开关电路，配置成将所述第一传感电容器与所述IC的第一输入端电解耦，并且将所述第二传感电容器电耦合到所述IC的第二输入端；以及
电容测量电路，配置成在第一电信号施加到该被解耦的第一传感电容器期间测量所述MEMS陀螺仪传感器的所述第二传感电容器的电容。
2.如权利要求1所述的传感器电路，其中，所述第一传感电容器和所述第二传感电容器配置成感测所述MEMS陀螺仪传感器在正常工作模式下的科里奥利效应。
3.如权利要求2所述的传感器电路，其中，所述开关电路配置成将所述MEMS陀螺仪传感器的所述第二传感电容器与所述IC的所述第二输入端电解耦，并且将所述MEMS陀螺仪传感器的所述第一传感电容器电耦合到所述IC的所述第一输入端；并且
其中，所述电容测量电路配置成在第二电信号施加到该被解耦的第二传感电容器期间测量所述MEMS陀螺仪传感器的所述第一传感电容器的电容。
4.如权利要求1所述的传感器电路，其中，施加第一电信号包括：
向所述第一传感电容器施加第一正弦电信号，其中该第一正弦电信号具有第一相移；
在施加具有所述第一相移的所述第一正弦电信号期间测量所述第二传感电容器的电容；
将所述第一正弦电信号的相移改变为第二相移；以及
在施加具有所述第二相移的所述第一正弦电信号期间重新测量所述第二传感电容器的电容。
5.如权利要求1所述的传感器电路，其中，所述IC包括：
电容-电压传感器电路，配置成感测代表所述第二传感电容器的电容的电压；
ADC电路，配置成产生代表所述第二传感电容器的电容的数字值。
6.如权利要求1所述的传感器电路，其中，所述IC包括：
电容器-电压传感器，配置成将所述MEMS陀螺仪传感器的振荡电容转换成振荡电压信号，并且
其中，所述开关电路配置成施加所述振荡电压信号作为所述第一电信号。
7.如权利要求6所述的传感器电路，
其中，所述IC包括配置成对所述振荡电压信号进行移相的相移电路；并且
其中，所述开关电路配置成施加该移相后的振荡电压信号作为所述第一电信号。
8.如权利要求1所述的传感器电路，包括测试电路，该测试电路配置成在所述第一电信号被施加期间将直流电压施加到所述MEMS陀螺仪传感器的检测质量块。
9.如权利要求1所述的传感器电路，其中，所述第一传感电容器和所述第二传感电容器配置成感测沿所述MEMS陀螺仪传感器的第一轴的科里奥利效应，并且
其中，所述电容测量电路配置成测量至少一个额外传感电容器的电容，所述至少一个额外传感电容器配置成感测沿所述MEMS陀螺仪传感器的第二轴的科里奥利效应。
10.如权利要求1所述的传感器电路，其中，所述MEMS陀螺仪传感器包括可移动检测质量块，
其中，所述第一传感电容器和所述第二传感电容器配置成当所述IC在正常工作模式下工作时感测该可移动检测质量块的科里奥利效应，
其中，所述第一电信号施加到所述被解耦的第一传感电容器配置成在测试模式下使该可移动检测质量块移动，并且
其中，所述IC配置成在所述测试模式下该可移动检测质量块移动期间，测量所述第二传感电容器的电容。
11.一种测试MEMS陀螺仪传感器的方法，包括：
将MEMS陀螺仪传感器的第一传感电容器与IC电解耦；
向该被解耦的第一传感电容器施加第一电信号；以及
在施加所述第一电信号期间测量所述MEMS陀螺仪传感器的第二传感电容器的电容。
12.如权利要求11所述的方法，包括：在正常工作模式下，使用所述第一传感电容器和所述第二传感电容器感测所述MEMS陀螺仪传感器的科里奥利效应。
13.如权利要求11所述的方法，包括：
将所述MEMS陀螺仪传感器的所述第二传感电容器与所述IC电解耦；
向所述第二传感电容器施加第二电信号；以及
在施加所述第二电信号期间测量所述MEMS陀螺仪传感器的所述第一传感电容器的电容。
14.如权利要求11所述的方法，其中，施加第一电信号包括：
向所述第一传感电容器施加第一正弦电信号，其中该第一正弦电信号具有第一相移；
在施加具有所述第一相移的所述第一正弦电信号期间测量所述第二传感电容器的电容；
将所述第一正弦电信号的相移改变为第二相移；以及
在施加具有所述第二相移的所述第一正弦电信号期间重新测量所述第二传感电容器的电容。
15.如权利要求11所述的方法，其中，测量电容包括：
感测代表所述第二传感电容器的电容的电压；以及
使用ADC电路产生代表所述第二传感电容器的电容的数字值。
16.如权利要求11所述的方法，包括：
在所述IC的第三输入端处接收来自所述MEMS陀螺仪传感器的振荡信号，
其中施加所述第一电信号包括：施加来自所述MEMS陀螺仪传感器的所述振荡信号作为所述第一电信号。
17.如权利要求16所述的方法，其中，施加所述第一电信号包括：
对来自所述MEMS陀螺仪传感器的所述振荡信号进行相移；以及
施加所述相移后的振荡信号作为所述第一电信号。
18.如权利要求11所述的方法，包括：在施加所述第一电信号期间将直流电压施加到所述MEMS陀螺仪传感器的检测质量块。
19.如权利要求11所述的方法，其中，所述第一传感电容器和所述第二传感电容器配置成感测沿所述MEMS陀螺仪传感器的第一轴的科里奥利效应，并且
其中，该方法进一步包括：测量至少一个额外传感电容器的电容，所述至少一个额外传感电容器配置成感测沿所述MEMS陀螺仪传感器的第二轴的科里奥利效应。
20.如权利要求11所述的方法，包括：
在所述MEMS陀螺仪传感器的正常工作模式下，使用所述第一传感电容器和所述第二传感电容器感测所述MEMS陀螺仪传感器的检测质量块的科里奥利效应；
其中，施加所述第一电信号包括：在所述MEMS陀螺仪传感器的测试模式期间，向所述被解耦的第一传感电容器施加所述第一电信号，以使所述MEMS陀螺仪传感器的检测质量块移动；并且
其中，测量所述第二传感电容器的电容包括：在所述测试模式下所述检测质量块移动期间测量所述MEMS陀螺仪传感器的所述第二传感电容器的电容。
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