CN103364443A - 丙酮传感器装置 - Google Patents
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Abstract
一种丙酮传感器装置，其具有：一容气室，用以容纳一测试者的一呼气样本；以及一丙酮感测组件，置于该容气室中，用以依该呼气样本的丙酮浓度产生一输出电流，该丙酮感测组件具有：一基板；一缓冲层，沉积于该基板之上；一InN外延层，沉积于该缓冲层之上以提供该输出电流的一电流路径；一第一导电接点，沉积于该InN外延层之上以提供一漏极接点；以及一第二导电接点，沉积于该InN外延层之上以提供一源极接点。
Description
技术领域
本发明是有关于丙酮传感器装置，特别是关于一种丙酮传感器装置，其可检测出低丙酮浓度气体样本的丙酮浓度。
背景技术
超过二百种挥发性有机化合物(VOC volatile organic compound)存在于人类的呼吸中，而这些VOC的浓度一般位在次ppm或更低的等级。有报告指出人类呼吸中出现VOC浓度异常的现象与不健康/受损的身体/器官有关。例如，丙酮于糖尿病，三甲胺于尿毒症，及阿摩尼亚于肾脏病。因此，人类呼吸中的VOC可作为疾病专属生物标记以应用于非侵入式疾病筛检或追踪。
丙酮可在人体内经由脂肪酸氧化产生，且血液系统中多出的丙酮会经由肺排出。较高的丙酮浓度(从1.7ppm到3.7ppm)可在糖尿病患的呼吸中测出，而健康者呼吸中的丙酮浓度一般会低于0.8ppm。因此，具有次ppm丙酮侦测能力的气体传感器在糖尿病的非侵入式追踪或诊断中扮演一重要角色。
在公知技术中，美国US6,454,723专利揭示了一代谢适能训练装置，用以在一受训者运动时量测丙酮浓度。该代谢适能训练装置具有一罩体、一丙酮传感器、一光学侦测电路、以及附于该罩体的一吹气口。该丙酮传感器具有像柳醛(salicylaldehyde)或其衍生物的试剂以与丙酮反应而改变该丙酮传感器的光穿透性。该光学侦测电路包含一LED及一光侦测器或一光量测仪器以量测该丙酮传感器的光穿透性变化，并依该光穿透性的变化产生丙酮浓度数值。其亦包含一显示器以显示丙酮浓度。
美国US7,417,730揭示由侦测及量化呼气中的丙酮含量以追踪糖尿病的装置及方法，其采用与一光谱仪结合的一微等离子体源。该微等离子体源提供足够的能量以在一呼气样本中产生发光的受激丙酮断片。所发出的光被送到该光谱仪以产生一发射光谱，以侦测及量化该呼气样本中的丙酮含量。
然而，美国US6,454,723及US7,417,730都有过于昂贵及不够轻巧的缺点。
另外，桌上型设备，像气相层析质谱仪(Gas Chromatography-MassSpectrometry)或质子转移反应质谱仪(Proton Transfer Reaction-MassSpectrometry)亦可侦测次ppm的VOC。然而，此类设备并不符合诊所或住家在可移植性、小外观尺寸、高效能、及时分析等方面的要求。
公知还有一些传感器可侦测低浓度的气体，包括电化学传感器、表面声波传感器、石英微量天平传感器、及半导体气体传感器。其中，所述半导体气体传感器是形成于半导体材料上、被视为电子组件、且可进一步与其他电子电路整合。
表1比较了一些形成在金属氧化物或金属氮化物上的无栅极(gateless)丙酮传感器。所列出的金属氧化物材料有LaFeO3、In2O3、WO3、及ZnO，但大部分都无法达成高灵敏度及高线性的次ppm丙酮侦测。
表1：丙酮传感器比较表
为解决前述问题，亟需一新颖的传感器装置，一种轻巧、可携带、不昂贵、且可在一呼气样本中侦测到极低丙酮浓度的丙酮传感器装置。
发明内容
本发明的目的在于提供一种丙酮传感器装置，经克服公知技术中存在的缺陷。
为实现上述目的，本发明提供的一种丙酮传感器装置，其具有：
一容气室，用以容纳取自一受测者的一呼气样本；以及
一丙酮传感器，置于该容气室中以依该呼气样本的丙酮浓度产生一输出电流，该丙酮传感器具有：
一基板；
一缓冲层，沉积于该基板上；
一InN外延层，沉积于该缓冲层上以提供该输出电流的一电流路径；
一第一导电接点，沉积于该InN外延层之上以提供一漏极接点；以及
一第二导电接点，沉积于该InN外延层之上以提供一源极接点。
所述的丙酮传感器装置，其中，该基板是一c-平面蓝宝石层或一(111)硅晶层。
所述的丙酮传感器装置，其中，该缓冲层是一氮化铝(AlN)层。
所述的丙酮传感器装置，其中，该第一导电接点及该第二导电接点由金属构成。
所述的丙酮传感器装置，其中，该第一导电接点及该第二导电接点均具有Au/Al/Ti的结构。
所述的丙酮传感器装置，其中，该第一导电接点是用以耦接一第一电压及该第二导电接点是用以耦接一第二电压。
所述的丙酮传感器装置，其中，该丙酮传感器进一步具有一催化层，沉积在该InN外延层之上，且该催化层位于该第一导电接点和该第二导电接点之间。
所述的丙酮传感器装置，其中，该催化层具有白金。
所述的丙酮传感器装置，其中，进一步具有一加热组件，用以对该丙酮传感器加热。
所述的丙酮传感器装置，其中，该加热组件位于该丙酮传感器下方。
所述的丙酮传感器装置，其中，该加热组件是一铝材质加热器。
本发明还提供一种丙酮传感器装置，具有：
一容气室，用以容纳取自一受测者的一呼气样本；
一丙酮传感器，置于该容气室中以依该呼气样本的丙酮浓度产生一输出电流；
一加热组件，用以对该丙酮传感器加热；以及
一量测单元，与该丙酮传感器耦接以提供与该输出电流对应的一量测信号；
其中该丙酮传感器具有：
一基板；
一缓冲层，沉积于该基板上；
一InN外延层，沉积于该缓冲层上以提供该输出电流的一电流路径；
一第一导电接点，沉积于该InN外延层之上以提供一漏极接点以耦接一第一电压；以及
一第二导电接点，沉积于该InN外延层之上以提供一源极接点以耦接一第二电压。
所述的丙酮传感器装置，其中，该基板是一c-平面蓝宝石层或一(111)硅晶层。
所述的丙酮传感器装置，其中，该缓冲层是一氮化铝(AlN)层。
所述的丙酮传感器装置，其中，该第一导电接点及该第二导电接点均具有Au/Al/Ti的结构。
所述的丙酮传感器装置，其中，该丙酮传感器进一步具有一催化层，沉积在该InN外延层之上，且该催化层是位于该第一导电接点和该第二导电接点之间。
所述的丙酮传感器装置，其中，该催化层具有白金。
所述的丙酮传感器装置，其中，该加热组件位于该丙酮传感器下方。
所述的丙酮传感器装置，其中，该加热组件是一铝材质加热器。
本发明还提供一种用于糖尿病侦测的丙酮传感器装置，其具有：
一容气室，用以容纳取自一受测者的一呼气样本；
一丙酮传感器，置于该容气室中以依该呼气样本的丙酮浓度产生一输出电流；
一加热组件，用以对该丙酮传感器加热；以及
一量测单元，与该丙酮传感器耦接以提供与该输出电流对应的一量测信号以供糖尿病诊断；
其中该丙酮传感器具有：
一基板；
一缓冲层，沉积于该基板上；
一InN外延层，沉积于该缓冲层上以提供该输出电流的一电流路径；
一第一导电接点，沉积于该InN外延层之上以提供一漏极接点以耦接一第一电压；
一第二导电接点，沉积于该InN外延层之上以提供一源极接点以耦接一第二电压；以及
一催化层，沉积于该InN外延层之上，且该催化层位于该第一导电接点及该第二导电接点之间。
本发明的效果是：
1)本发明的丙酮传感器装置，可在低丙酮浓度气体样本中侦测出丙酮。
2)本发明的丙酮传感器装置，可加速丙酮的侦测过程。
3)本发明的丙酮传感器装置，为可携式且容易实施。
附图说明
图1绘示本发明丙酮(CH3COCH3)传感器装置的一较佳实施例。
图2绘示本发明丙酮(CH3COCH3)传感器装置的另一较佳实施例。
图3绘示本发明丙酮(CH3COCH3)传感器装置的又一较佳实施例。
图4绘示本发明丙酮(CH3COCH3)传感器装置的又一较佳实施例。
图5A绘示图3丙酮传感器装置在不同环境温度下的输出电流反应，图5B绘示图3丙酮传感器装置在不同丙酮浓度下的输出电流反应。
图6A绘示图4丙酮传感器装置在不同环境温度下的输出电流反应，图6B绘示图4丙酮传感器装置在不同丙酮浓度下的输出电流反应。
具体实施方式
本发明提出一丙酮传感器装置，其具有：
一容气室，用以容纳取自一受测者的一呼气样本；
一丙酮传感器，置于该容气室中以依该呼气样本的丙酮浓度产生一输出电流；
一加热组件，用以对该丙酮传感器加热；以及
一量测单元，与该丙酮传感器耦接以提供与该输出电流对应的一量测信号；
其中该丙酮传感器具有：
一基板；
一缓冲层，沉积于该基板上；
一InN外延层，沉积于该缓冲层上以提供该输出电流的一电流路径；
一第一导电接点，沉积于该InN外延层之上以提供一漏极接点以耦接一第一电压；
一第二导电接点，沉积于该InN外延层之上以提供一源极接点以耦接一第二电压；以及
一催化层，沉积于该InN外延层之上，且位于该第一导电接点及该第二导电接点之间。
在量测后，若该量测信号低于一第一准位，则该受测者被诊断为正常；当该量测信号高于一第二准位-所述的第二准位高于所述的第一准位，则该受测者被诊断为有糖尿病。
较佳的，该基板是一c-平面蓝宝石层或一(111)硅晶层。
较佳的，该缓冲层是一AlN(氮化铝)层。
较佳的，该第一导电接点及该第二导电接点皆由金属制成。
较佳的，该第一导电接点及该第二导电接点均具有Au/Al/Ti结构。
较佳的，该催化层具有白金。
较佳的，该加热组件是位于该丙酮传感器下方。
较佳的，该加热组件是一铝材质加热器。
为能进一步了解本发明的结构、特征及其目的，结合附图及较佳具体实施例作详细说明。
请参照图1，其绘示本发明丙酮(CH3COCH3)传感器装置的一较佳实施例。如图1所示，该丙酮传感器装置主要包括一容气室100、及一丙酮传感器110。该丙酮传感器装置是由一电源供应单元130供电，及由一量测单元140产生量测结果。
该容气室100具有一进气口101供一受测者的呼气流入，以及一出气口102供该容气室100内的气体排出。
该丙酮传感器110具有一基板111、一缓冲层112、一InN外延层113、一第一导电接点114、以及一第二导电接点115。
该基板111，较佳为具有抗化学侵蚀的强固表面的一c-平面蓝宝石层或一(111)硅晶层，用以沉积一无栅极晶体管。
该缓冲层112，较佳为一AlN(氮化铝)层，是由使用一等离子体辅助式分子束外延(plasma-assisted molecular beam epitaxy)系统而沉积于该基板111之上。
该InN(氮化铟)外延层113，是由使用一等离子体辅助式分子束外延(plasma-assisted molecular beam epitaxy)系统而沉积于该缓冲层112之上，是用以在该第一导电接点114及该第二导电接点115之间提供一输出电流的一电流路径。该InN外延层113可提供一表面通道-靠近该InN外延层113表面的具有几个纳米厚度的超薄n型反转通道，由丙酮引发的表面电子形成。较佳地，该InN外延层113具有约10nm的厚度。
该InN外延层113对丙酮具有优良的灵敏度，其原因在于其电子特性，包括：窄能带、优良的电子传送特性(移动率＞1000cm2/V·s)、高的背景电子密度(一般超过1×1018em-3)、以及强烈的表面电子(电荷)累积(1.57×1013em-2)现象。所述的表面电子累积现象及高移动率会在环境丙酮浓度有小变动时引发大幅度的输出电流变化。所述的表面电子一般存在于距该InN外延层113表面5nm内的区域中。因此，该InN外延层113的厚度较佳为10nm左右。由此安排，一表面电荷累积层将会形成，而其表面将会有二维电子气(two-dimensional electron gas-2DEG)以侦测丙酮。另外，InN是一耐化学侵蚀的半导体，可抵抗强酸或强碱。
该InN外延层113的所述输出电流随丙酮浓度增加而增加，其原理如下：
1)丙酮分子可自该InN外延层113带走原先吸附的氧原子。
2)该InN外延层113上原先吸附的氧原子易因一电荷转移过程-电荷由一表面导电带转移至所述原先吸附的氧原子-而带负电(亦即成为受体)。
3)所述的电荷转移过程会引发表面空乏层，从而降低该InN外延层113的表面导电度。
4)当丙酮分子被导入该丙酮传感器装置时，呈分解状态的丙酮分子的氢原子会与所述原先吸附的氧原子发生反应，而减少所述的表面空乏层。另外，丙酮分子会被吸附在该InN外延层113上。由于所述原先吸附的氧原子的减少及丙酮分子的吸附均会在电流通道中贡献电子，故InN的表面导电度乃随丙酮分子的被导入而增加。
该第一导电接点114较佳为由一电子束蒸镀系统(electron-beamevaporation system)沉积在该InN外延层113上的一Au/Al/Ti结构(50nm/200nm/50nm)以充作漏极，并耦接一第一电压。
该第二导电接点115较佳为由一电子束蒸镀系统(electron-beamevaporation system)沉积在该InN外延层113上的一Au/Al/Ti结构(50nm/200nm/50nm)以充作源极，并耦接一第二电压，其中该第二电压低于该第一电压。
该电源供应单元130是用以提供所述的第一电压及所述的第二电压。
该量测单元140是用以量测所述的输出电流。
请参照图2，其绘示本发明丙酮(CH3COCH3)传感器装置的另一较佳实施例。如图2所示，该丙酮传感器装置主要包括一容气室200、及一丙酮传感器210。该丙酮传感器装置是由一电源供应单元230供电，及由一量测单元240产生量测结果。
该容气室200具有一进气口201供一受测者的呼气流入，以及一出气口202供该容气室200内的气体排出。
该丙酮传感器210具有一基板211、一缓冲层212、一InN外延层213、一第一导电接点214、一第二导电接点215、以及一催化层216。
该基板211，较佳为具有抗化学侵蚀的强固表面的一c-平面蓝宝石层或一(111)硅晶层，用以沉积一无栅极晶体管。
该缓冲层212，较佳为一AlN(氮化铝)层，是由使用一等离子体辅助式分子束外延(plasma-assisted molecular beam epitaxy)系统而沉积于该基板211之上。
该InN(氮化铟)外延层213，由使用一等离子体辅助式分子束外延(plasma-assisted molecular beam epitaxy)系统而沉积于该缓冲层212之上，是用以在该第一导电接点214及该第二导电接点215之间提供一输出电流的一电流路径。该InN外延层213可提供一表面通道-靠近该InN外延层213表面的一具有几个纳米厚度的超薄n型反转通道，由丙酮引发的表面电子形成。较佳地，该InN外延层213具有约10nm的厚度。
该第一导电接点214较佳为由一电子束蒸镀系统(electron-beamevaporation system)沉积在该InN外延层213上的一Au/Al/Ti结构(50nm/200nm/50nm)以充作漏极，并耦接一第一电压。
该第二导电接点215较佳为由一电子束蒸镀系统(electron-beamevaporation system)沉积在该InN外延层213上的一Au/Al/Ti结构(50nm/200nm/50nm)以充作源极，并耦接一第二电压，其中该第二电压低于该第一电压。
该催化层216是由一电子束蒸镀系统沉积于该InN外延层213之上，且其是位于该第一导电接点214及该第二导电接点215之间。该催化层216较佳为厚度约10nm的白金(Pt)层。该催化层216是用以在丙酮侦测中增强输出电流，其原理如下：
在该白金层的上表面，由丙酮分子释出的氢原子中有一部分会和其他的氢原子或所述原先吸附的氧原子反应而形成氢气分子或水分子，然后离开该白金层。另一方面，有些被释出的氢原子会以扩散的方式快速地穿过该白金层，然后在白金/半导体接口被捕捉而形成一接口双极层(interfacedipole layer)，其可在丙酮侦测过程增强输出电流反应。
该电源供应单元230是用以提供所述的第一电压及所述的第二电压。
该量测单元240是用以量测所述的输出电流。
请参照图3，其绘示本发明丙酮(CH3COCH3)传感器装置的又一较佳实施例。如图3所示，该丙酮传感器装置主要包括一容气室300、一丙酮传感器310、及一加热组件320。该丙酮传感器装置是由一电源供应单元330供电，及由一量测单元340产生量测结果。
该容气室300具有一进气口301供一受测者的呼气流入，以及一出气口302供该容气室300内的气体排出。
该丙酮传感器310具有一基板311、一缓冲层312、一InN外延层313、一第一导电接点314、以及一第二导电接点315。
该基板311，较佳为具有抗化学侵蚀的强固表面的一c-平面蓝宝石层或一(111)硅晶层，用以沉积一无栅极晶体管。
该缓冲层312，较佳为一AlN(氮化铝)层，是由使用一等离子体辅助式分子束外延(plasma-assisted molecular beam epitaxy)系统而沉积于该基板311之上。
该InN(氮化铟)外延层313，由使用一等离子体辅助式分子束外延(plasma-assisted molecular beam epitaxy)系统而沉积于该缓冲层312之上，是用以在该第一导电接点314及该第二导电接点315之间提供一输出电流的一电流路径。该InN外延层313可提供一表面通道-靠近该InN外延层313表面的一具有几个纳米厚度的超薄n型反转通道，由丙酮引发的表面电子形成。较佳地，该InN外延层313具有约10nm的厚度。
该第一导电接点314较佳为由一电子束蒸镀系统(electron-beamevaporation system)沉积在该InN外延层313上的一Au/Al/Ti结构(50nm/200nm/50nm)以充作漏极，并耦接一第一电压。
该第二导电接点315较佳为由一电子束蒸镀系统(electron-beamevaporation system)沉积在该InN外延层313上的一Au/Al/Ti结构(50nm/200nm/50nm)以充作源极，并耦接一第二电压，其中该第二电压低于该第一电压。
该加热组件320较佳为位于该丙酮传感器310下方的一铝材质加热器，用以对该丙酮传感器310加热。
该电源供应单元330是用以提供所述的第一电压及所述的第二电压。
该量测单元340是用以量测所述的输出电流。
图5A和图5B绘示图3丙酮传感器装置在不同环境温度及不同丙酮浓度下的输出电流反应。如图5所示，该输出电流反应随环境温度升高或丙酮浓度增加而变快。因此，一第一准位(对应于例如0.8ppm)及一第二准位(对应于例如1.7ppm)可被用做阈值以协助糖尿病的诊断。当该输出电流的稳定值低于所述的第一准位，其代表“正常”；当该输出电流的稳定值高于所述的第二准位，其代表“糖尿病”。
请参照图4，其绘示本发明丙酮(CH3COCH3)传感器装置的又一较佳实施例。如图4所示，该丙酮传感器装置主要包括一容气室400、一丙酮传感器410、以及一加热组件420。该丙酮传感器装置是由一电源供应单元430供电，及由一量测单元440产生量测结果。
该容气室400具有一进气口401供一受测者的呼气流入，以及一出气口402供该容气室400内的气体排出。
该丙酮传感器410具有一基板411、一缓冲层412、一InN外延层413、一第一导电接点414、一第二导电接点415、以及一催化层416。
该基板411，较佳为具有抗化学侵蚀的强固表面的一c-平面蓝宝石层或一(111)硅晶层，用以沉积一无栅极晶体管。
该缓冲层412，较佳为一AlN(氮化铝)层，是由使用一等离子体辅助式分子束外延(plasma-assisted molecular beam epitaxy)系统而沉积于该基板411之上。
该InN(氮化铟)外延层413，是由使用一等离子体辅助式分子束外延(plasma-assisted molecular beam epitaxy)系统而沉积于该缓冲层412之上，是用以在该第一导电接点414及该第二导电接点415之间提供一输出电流的一电流路径。该InN外延层413可提供一表面通道-靠近该InN外延层413表面的一具有几个纳米厚度的超薄n型反转通道，由丙酮引发的表面电子形成。较佳地，该InN外延层413具有约10nm的厚度。
该第一导电接点414较佳为由一电子束蒸镀系统(electron-beamevaporation system)沉积在该InN外延层413上的一Au/Al/Ti结构(50nm/200nm/50nm)以充作漏极，并耦接一第一电压。
该第二导电接点415较佳为由一电子束蒸镀系统(electron-beamevaporation system)沉积在该InN外延层413上的一Au/Al/Ti结构(50nm/200nm/50nm)以充作源极，并耦接一第二电压，其中该第二电压低于该第一电压。
该催化层416是由一电子束蒸镀系统沉积于该InN外延层413之上，且其是位于该第一导电接点414及该第二导电接点415之间。该催化层416较佳为厚度约10nm的白金(Pt)层。
该加热组件420较佳为位于该丙酮传感器410下方的一铝材质加热器，用以对该丙酮传感器410加热。
该电源供应单元430是用以提供所述的第一电压及所述的第二电压。
该量测单元440是用以量测所述的输出电流。
图6A和图6B绘示图4丙酮传感器装置在不同环境温度及不同丙酮浓度下的输出电流反应。与图5比较，图6的输出电流因该催化层416的作用而有较快及较大的反应。
由上述说明可知，本发明的丙酮传感器装置具有以下优点：
1)本发明在低丙酮浓度气体样本的丙酮侦测具有优越的性能。
2)本发明可加速丙酮的侦测过程。
3)本发明的丙酮传感器装置可方便携带且容易实施。
本发明所描述的仅为较佳实施例，举凡局部的变更或修饰而源于本发明的技术思想而为本领域技术人员所易于推知的，俱不脱本发明的权利要求范畴，例如，本发明的基板可为硅或r-蓝宝石或c-蓝宝石等；晶体的排列方式可为c-或a-或m-等；而厚度则可加以调整。
Claims (20)
1.一种丙酮传感器装置，其具有：
一容气室，用以容纳取自一受测者的一呼气样本；以及
一丙酮传感器，置于该容气室中以依该呼气样本的丙酮浓度产生一输出电流，该丙酮传感器具有：
一基板；
一缓冲层，沉积于该基板上；
一InN外延层，沉积于该缓冲层上以提供该输出电流的一电流路径；
一第一导电接点，沉积于该InN外延层之上以提供一漏极接点；以及
一第二导电接点，沉积于该InN外延层之上以提供一源极接点。
2.根据权利要求1所述的丙酮传感器装置，其中，该基板是一c-平面蓝宝石层或一(111)硅晶层。
3.根据权利要求1所述的丙酮传感器装置，其中，该缓冲层是一氮化铝层。
4.根据权利要求1所述的丙酮传感器装置，其中，该第一导电接点及该第二导电接点由金属构成。
5.根据权利要求1所述的丙酮传感器装置，其中，该第一导电接点及该第二导电接点均具有Au/Al/Ti的结构。
6.根据权利要求1所述的丙酮传感器装置，其中，该第一导电接点是用以耦接一第一电压及该第二导电接点是用以耦接一第二电压。
7.根据权利要求1所述的丙酮传感器装置，其中，该丙酮传感器进一步具有一催化层，沉积在该InN外延层之上，且该催化层位于该第一导电接点和该第二导电接点之间。
8.根据权利要求7所述的丙酮传感器装置，其中，该催化层具有白金。
9.根据权利要求1所述的丙酮传感器装置，其中，进一步具有一加热组件，用以对该丙酮传感器加热。
10.根据权利要求9所述的丙酮传感器装置，其中，该加热组件位于该丙酮传感器下方。
11.根据权利要求9所述的丙酮传感器装置，其中，该加热组件是一铝材质加热器。
12.一种丙酮传感器装置，其具有：
一容气室，用以容纳取自一受测者的一呼气样本；
一丙酮传感器，置于该容气室中以依该呼气样本的丙酮浓度产生一输出电流；
一加热组件，用以对该丙酮传感器加热；以及
一量测单元，与该丙酮传感器耦接以提供与该输出电流对应的一量测信号；
其中该丙酮传感器具有：
一基板；
一缓冲层，沉积于该基板上；
一InN外延层，沉积于该缓冲层上以提供该输出电流的一电流路径；
一第一导电接点，沉积于该InN外延层之上以提供一漏极接点以耦接一第一电压；以及
一第二导电接点，沉积于该InN外延层之上以提供一源极接点以耦接一第二电压。
13.根据权利要求12所述的丙酮传感器装置，其中，该基板是一c-平面蓝宝石层或一(111)硅晶层。
14.根据权利要求12所述的丙酮传感器装置，其中，该缓冲层是一氮化铝层。
15.根据权利要求12所述的丙酮传感器装置，其中，该第一导电接点及该第二导电接点均具有Au/Al/Ti的结构。
16.根据权利要求12所述的丙酮传感器装置，其中，该丙酮传感器进一步具有一催化层，沉积在该InN外延层之上，且该催化层是位于该第一导电接点和该第二导电接点之间。
17.根据权利要求16所述的丙酮传感器装置，其中，该催化层具有白金。
18.根据权利要求12所述的丙酮传感器装置，其中，该加热组件位于该丙酮传感器下方。
19.根据权利要求12所述的丙酮传感器装置，其中，该加热组件是一铝材质加热器。
20.一种用于糖尿病侦测的丙酮传感器装置，其具有：
一容气室，用以容纳取自一受测者的一呼气样本；
一丙酮传感器，置于该容气室中以依该呼气样本的丙酮浓度产生一输出电流；
一加热组件，用以对该丙酮传感器加热；以及
一量测单元，与该丙酮传感器耦接以提供与该输出电流对应的一量测信号以供糖尿病诊断；
其中该丙酮传感器具有：
一基板；
一缓冲层，沉积于该基板上；
一InN外延层，沉积于该缓冲层上以提供该输出电流的一电流路径；
一第一导电接点，沉积于该InN外延层之上以提供一漏极接点以耦接一第一电压；
一第二导电接点，沉积于该InN外延层之上以提供一源极接点以耦接一第二电压；以及
一催化层，沉积于该InN外延层之上，且该催化层位于该第一导电接点及该第二导电接点之间。
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2012
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