CN103336020A - 正电子寿命谱测量系统及其采用的测量方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种正电子寿命谱测量系统，包括控制系统、移动系统和探测系统；控制系统包括多道分析器和计算机；移动系统包括放置待测样品的平移台，其设置于手动升降台上并与控制系统相连；探测系统包括放射源、标准样品、第一探测器、第二探测器、第一恒比甄别器、第二恒比甄别器、时间幅度转换器；标准样品与待测样品分设于放射源两侧；第一探测器和第二探测器设置于标准样品的一侧；第一恒比甄别器与第一探测器相连；第二恒比甄别器与第二探测器相连；时间幅度转换器与第一恒比甄别器和第二恒比甄别器相连并输出连接至控制系统。本发明能够对固定于平移台上的单样品进行精确的二维平面的缺陷分布进行测量，可靠、准确。
Description
技术领域
本发明涉及一种用于对正电子的湮没寿命谱进行测量的系统及该系统采用的测量方法。
背景技术
正电子在固体中湮没后发射2个或3个γ光子，用近代核谱学方法可精确测量湮没辐射的许多重要参数，从而得到有关物质微结构的重要信息。正电子寿命是最常用的三个正电子参数之一，它的大小与正电子湮没出的电子密度相关，通常在固体中空位型缺陷呈电负性，正电子容易被其捕获。缺陷中电子密度比体态电子密度低，故缺陷中正电子寿命比体态正电子寿命长，且缺陷愈大，正电子寿命愈长。因此，近年来正电子寿命谱测量系统研究作为一种新兴的检测手段得到了人们的越来越多的关注。正电子寿命测量能探测材料中缺陷的尺寸与浓度，通过数据分析，还能得到缺陷尺寸的分布。正电子寿命谱测量已成为了常见的物理学和材料学中缺陷微观信息的表征手段。
正电子实验中常使用22Na作为放射源，其发出的正电子与1.28MeV γ光子的时间间隔仅为3ps，与正电子寿命的典型值相比可以忽略不计，因此可以将这个伴随发射的γ光子作为正电子湮没的起始信号。将正电子在样品中湮没后所发出的能量0.511MeV γ光子作为湮没事件的终止信号。起始信号和终止信号之间的时间间隔即为正电子的寿命，该时间间隔可用核电子学中的时间谱仪来测量，再通过大量事件的统计结果，即可得到正电子的寿命谱。
目前常见的正电子寿命谱测量手段为：参见附图1所示，常见正电子寿命谱仪都是采用“三明治式”夹心结构，即用两片相同的样品将放射源夹住进行测量，通过快-快符合系统得到正电子湮没寿命谱。这种方法在具体工程应用中存在如下不足：1）由于测试过程中要求试样呈“三明治”夹心结构，因此对单样品无法进行检测；2）待测的样品样通常需从应用现场切割取下，方可进行测量，无法实现现场检测；3）测试二维平面试样不同区域时需每次手动调整试样夹持放射源的位置，难于实现位置的精确定位，测试结果可靠性较差，且测试效率低。
发明内容
本发明的目的是提供一种能够在现场针对单样品进行测量、且能够在测量时实现对样品的精确定位的正电子寿命谱测量系统及该测量系统采用的测量方法。
为达到上述目的，本发明采用的技术方案是：
一种正电子寿命谱测量系统，用于根据正电子在待测样品中湮没过程中发出的起始信号和终止信号来测量所述的正电子的寿命并进一步得到所述的正电子的寿命谱，所述的正电子寿命谱测量系统包括控制系统、移动系统和探测系统；
所述的控制系统包括相连接的多道分析器和计算机；
所述的移动系统包括放置所述的待测样品并能够在竖直的二维平面内移动的平移台，所述的平移台设置于手动升降台上并与所述的控制系统相连接；
所述的探测系统包括
放射源，所述的放射源与所述的待测样品相对设置并发射所述的正电子，所述的放射源发射所述的正电子的同时发射作为所述的起始信号的起始γ光子；
标准样品，所述的标准样品与所述的待测样品分设于所述的放射源的两侧；所述的正电子在所述的标准样品和所述的待测样品上湮没后发出作为所述的终止信号的终止γ光子；
第一探测器，所述的第一探测器设置于所述的标准样品的一侧，所述的第一探测器探测和接收所述的正电子在所述的标准样品和所述的待测样品上的湮没过程中产生的γ光子而输出相应的脉冲信号；
第二探测器，所述的第二探测器设置于所述的第一探测器相对于所述的标准样品的同侧，所述的第二探测器探测和接收所述的正电子在所述的标准样品和所述的待测样品上的湮没过程中产生的γ光子而输出相应的脉冲信号；所述的第一探测器与所述的第二探测器之间设置有屏蔽装置；
第一恒比甄别器，所述的第一恒比甄别器与所述的第一探测器相连接，所述的第一恒比甄别器对所述的第一探测器发出的脉冲信号进行能量选择而得到与所述的起始信号相对应的起始脉冲信号；
第二恒比甄别器，所述的第二恒比甄别器与所述的第二探测器相连接，所述的第二恒比甄别器对所述的第二探测器发出的脉冲信号进行能量选择而得到与所述的终止信号相对应的终止脉冲信号；
时间幅度转换器，所述的时间幅度转换器与所述的第一恒比甄别器和所述的第二恒比甄别器相连接，所述的时间幅度转换器将所述的起始脉冲信号和所述的终止脉冲信号之间的时间差转换为幅度脉冲信号的幅度并输出该所述的幅度脉冲信号至所述的控制系统。
优选的，所述的放射源为22Na。
优选的，所述的第一探测器和所述的第二探测器均为BaF2闪烁体探测器；所述的第一探测器和所述的第二探测器分别包括探测和接收所述的γ光子并产生大量光子的BaF2闪烁体、与所述的BaF2闪烁体相连接并接收所述的大量光子而产生大量电子以建立所述的脉冲信号的光电倍增管。
优选的，所述的第一恒比甄别器和所述的第二恒比甄别器分别具有设置上阈值和下阈值的调节装置，当接收到的所述的脉冲信号的峰值大于所述的下阈值并小于所述的上阈值时，所述的第一恒比甄别器或所述的第二恒比甄别器输出所述的起始脉冲信号或所述的终止脉冲信号。
优选的，所述的屏蔽装置为铅块。
一种上述正电子寿命谱测量系统采用的测量方法，其通过如下过程实现：
（1）将所述的待测样品固定于所述的平移台上，通过所述的手动升降台将所述的平移台及其上的待测样品移动至合适位置；
（2）放射源发射正电子并伴随发射作为所述的起始信号的所述的起始γ光子，所述的正电子湮没于所述的待测样品和所述的标准样品中并在湮没后发出作为所述的终止信号的所述的终止γ光子，所述的起始γ光子和所述的终止γ光子的能量不同；所述的第一探测器和所述的第二探测器探测并接收所述的起始γ光子和所述的终止γ光子并产生相应的脉冲信号；所述的第一恒比甄别器选择得到与所述的起始信号相对应的起始脉冲信号，所述的第二恒比甄别器选择得到与所述的终止信号相对应的终止脉冲信号；所述的时间幅度转换器根据所述的起始脉冲信号与所述的终止脉冲信号之间的时间差输出所述的幅度脉冲信号至所述的控制系统；
通过所述的计算机控制所述的平移台在竖直的二维平面中移动，重复上述过程得到对应于所述的待测样品的不同平面区域的幅度脉冲信号；
（3）所述的多道分析器将所接收的幅度脉冲信号按不同幅度分类计数至不同的道址，并在以所述的道址或时间或能量为横坐标、每个所述的道址中的计数为纵坐标的坐标系中得到所述的正电子的寿命谱。
优选的，所述的起始γ光子的能量为1.28MeV；所述的终止γ光子的能量为0.511MeV。
优选的，所述的起始信号、所述的终止信号为所述的正电子在所述的待测样品上湮没产生的信号和所述的正电子在所述的标准样品上湮没产生的信号之间的复合信号；所述的第一探测器或所述的第二探测器产生的所述的脉冲信号、所述的起始脉冲信号、所述的终止脉冲信号、所述的幅度脉冲信号为由所述的正电子在所述的待测样品上湮没产生的信号而得到的各信号和由所述的正电子在所述的标准样品上湮没产生的信号而得到的各信号之间的复合信号；所述的多道分析器去除所述的幅度脉冲信号中由所述的正电子在所述的标准样品上湮没产生的信号而得到的部分信号，从而得到由所述的正电子在所述的待测样品上湮没产生的信号而得到的信号。
由于上述技术方案运用，本发明与现有技术相比具有下列优点：本发明能够在现场对固定于平移台上的单样品进行正电子寿命谱测量，且在测量时，能够通过控制系统控制平移台的移动，能够精确的对待测样品的二维平面的缺陷分布进行测量，提高测量的可靠性、准确性。
附图说明
附图1为现有的正电子寿命谱测量系统的示意图。
附图2为本发明的正电子寿命谱测量系统的示意图。
附图3为本发明的正电子寿命谱测量系统的移动系统的示意图。
以上附图中：1、控制系统；
2、移动系统；21、平移台；22、手动升降台；
3、探测系统；31、放射源；32、标准样品；33、第一探测器；34、第二探测器；35、第一恒比甄别器；36、第二恒比甄别器；37、时间幅度转换器；
4、待测样品。
具体实施方式
下面结合附图所示的实施例对本发明作进一步描述。
实施例一：参见附图2所示。一种正电子寿命谱测量系统，用于根据正电子在待测样品4中湮没过程中发出的起始信号和终止信号来测量正电子的寿命并进一步得到正电子的寿命谱。
正电子寿命谱测量系统包括控制系统1、移动系统2和探测系统3。
控制系统1包括相连接的多道分析器（MCA：multichannel analyzer）和计算机。
移动系统2包括放置待测样品4并能够在竖直的二维平面内沿X方向或Y方向移动的平移台21，平移台21设置于手动升降台22上并与控制系统1相连接，如附图3所示。其中，平移台21为超薄型二维电控平移台（X-Y轴），而手动升降台22为剪式升降台，其可以实现样品空间位置的移动，便于测量前后取样。测量时，待测样品4固定在二维电控平移台21上，通过计算机来控制二维电控平移台21的移动速度、距离以及轨迹等，从而实现待测样品4的二维平面正电子寿命谱测量。
探测系统3是该正电子寿命谱测量系统的核心部件，其包括放射源31、标准样品32、第一探测器33、第二探测器34、第一恒比甄别器35、第二恒比甄别器36、时间幅度转换器37。
放射源31为22Na，因为其半衰期较长，可达2.6年，在实验中一般认为源强不变。此外，它还有一个特点就是22Na发射正电子的同时，还伴随发射一个能量为1.28MeV的瞬发γ射线，可用它作为正电子的起始信号。该放射源31与待测样品4相对设置并发射正电子，放射源31发射正电子的同时发射作为起始信号的起始γ光子。
标准样品32与待测样品4分设于放射源31的两侧，标准样品32一般选择待测样品4的完全退火态试样（作为试样的无缺陷态）。正电子在标准样品32和待测样品4上湮没后发出作为终止信号的终止γ光子。
第一探测器33和第二探测器34均设置于标准样品32的一侧，即标准样品32的未靠近放射源31的一侧。第一探测器33、第二探测器34分别探测和接收正电子在标准样品32和待测样品4上的湮没过程中产生的γ光子而输出相应的脉冲信号。第一探测器33和第二探测器34均为BaF2闪烁体探测器；第一探测器33和第二探测器34分别包括探测和接收γ光子并产生大量光子的BaF2闪烁体、与BaF2闪烁体相连接并接收大量光子而产生大量电子以建立脉冲信号的光电倍增管。具体的，当γ射线进入BaF2闪烁体时，通过光电效应或康普顿效应产生次级电子，它使闪烁体分子电离和激发，退激时发出大量光子，这些光子经过引导向光电倍增管射去，通过倍增效应最终在阳极上产生大量电子，这些大量电子在阳极负载上建立起电信号，即电流脉冲或电压脉冲，然后将这些脉冲输入后续的恒比甄别器。第一探测器33主要接收起始γ光子，而第二探测器34主要接收终止γ光子。第一探测器33与第二探测器34之间设置有屏蔽装置，该屏蔽装置为铅块。
第一恒比甄别器35与第一探测器33相连接，第二恒比甄别器36与第二探测器34相连接。第一恒比甄别器35对第一探测器33发出的脉冲信号进行能量选择而得到与起始信号相对应的起始脉冲信号；第二恒比甄别器36对第二探测器34发出的脉冲信号进行能量选择而得到与终止信号相对应的终止脉冲信号。第一恒比甄别器35和第二恒比甄别器36分别具有设置上阈值和下阈值的调节装置：在其前面板上有两个十圈电位器，分别用来调节它的下域值（lower level）EL和上域值（upper level）EU。只有当输入脉冲峰值大于下域值而小于上域值时，其单道输出（SCA OUTPUT）才能产生一输出信号。下域值和上域值可以按照需要进行调节以达到选择被探测射线的能量范围。正电子寿命谱测量中起始道只接收由1.28 MeV的γ光子产生的康普顿反冲电子能谱，而终止道接收的主要是由0.511 MeV的γ光子产生的反冲电子能谱。通过调节恒比定时甄别器的能窗即可使两探头分别记录同一正电子发出的起始和中止信号。当接收到的脉冲信号的峰值大于下阈值并小于上阈值时，第一恒比甄别器35或第二恒比甄别器36输出起始脉冲信号或终止脉冲信号。
时间幅度转换器37与第一恒比甄别器35和第二恒比甄别器36相连接，时间幅度转换器37将起始脉冲信号和终止脉冲信号之间的时间差转换为幅度脉冲信号的幅度并输出该幅度脉冲信号至控制系统1。其测量原理：时间幅度转换器37相当于一个恒流源在电流开关的控制下对电容充电的电路，起始信号使开关接通，而终止信号使开关断开。根据电学基本知识，电容C上的电压幅度U与充电时间t的关系为： 
，上式表明由于电流I和电容C都是恒定的，输出脉冲的幅度正比于两个信号的时间差t。
上述探测系统3由于改变探测器与“夹心”样品结构，即两个探测器在同一侧，这样待测样品4大小与数量就不受限制，标准样品32与待测样品4组成“夹心”样品结构。
上述正电子寿命谱测量系统采用的测量方法通过如下过程实现：
（1）将待测样品4固定于平移台21上，通过手动升降台22将平移台21及其上的待测样品4移动至合适位置；
（2）放射源31发射正电子并伴随发射作为起始信号的起始γ光子，正电子湮没于待测样品4和标准样品32中并在湮没后发出作为终止信号的终止γ光子，起始γ光子和终止γ光子的能量不同，起始γ光子的能量为1.28MeV；终止γ光子的能量为0.511MeV。；第一探测器33和第二探测器34探测并接收起始γ光子和终止γ光子并产生相应的脉冲信号；第一恒比甄别器35选择得到与起始信号相对应的起始脉冲信号，第二恒比甄别器36选择得到与终止信号相对应的终止脉冲信号；时间幅度转换器37根据起始脉冲信号与终止脉冲信号之间的时间差输出幅度脉冲信号至控制系统1；
通过计算机控制平移台21在竖直的二维平面中移动，重复上述过程得到对应于待测样品4的不同平面区域的幅度脉冲信号，实现对单样品二维平面缺陷分布的测量。
（3）多道分析器将所接收的幅度脉冲信号按不同幅度分类计数至不同的道址，并在以道址或时间或能量为横坐标、每个道址中的计数（即记录到的一定寿命的湮没事件的发生次数）为纵坐标的坐标系中得到正电子的寿命谱。计算机通过软件实现同步控制二维电控平台移动的同时还能实现正电子寿命谱数据的收集。
起始信号、终止信号为正电子在待测样品4上湮没产生的信号和正电子在标准样品32上湮没产生的信号之间的复合信号；第一探测器33或第二探测器34产生的脉冲信号、起始脉冲信号、终止脉冲信号、幅度脉冲信号为由正电子在待测样品4上湮没产生的信号而得到的各信号和由正电子在标准样品32上湮没产生的信号而得到的各信号之间的复合信号；多道分析器去除幅度脉冲信号中由正电子在标准样品32上湮没产生的信号而得到的部分信号，从而得到由正电子在待测样品4上湮没产生的信号而得到的信号。
该正电子寿命谱测量系统针对传统的寿命谱测量系统，对探测器与“夹心”样品结构进行了改进，发展了新的解谱方法等。其可实现单样品正电子寿命谱的直接测试，并设计了独特的可移动平台，实现样品二维平面缺陷分布测量。
本发明提供的正电子寿命谱测量系统采用的测量方法相对于传统的正电子寿命谱测量方法有以下特点：
（1）测试过程中改变了放射源31与样品的夹心结构，实现了对单样品的正电子寿命谱测量；
（2）待测试试样无需从应用现场切割取下即可进行测量，可对设备或部件的现场检测；
（3）采用X-Y移动平台可精确控制样品测量区域，实现对样品二维平面缺陷分布的准确可靠测量。
上述实施例只为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并据以实施，并不能以此限制本发明的保护范围。凡根据本发明精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种正电子寿命谱测量系统，用于根据正电子在待测样品中湮没过程中发出的起始信号和终止信号来测量所述的正电子的寿命并进一步得到所述的正电子的寿命谱，其特征在于：所述的正电子寿命谱测量系统包括控制系统、移动系统和探测系统；
所述的控制系统包括相连接的多道分析器和计算机；
所述的移动系统包括放置所述的待测样品并能够在竖直的二维平面内移动的平移台，所述的平移台设置于手动升降台上并与所述的控制系统相连接；
所述的探测系统包括
放射源，所述的放射源与所述的待测样品相对设置并发射所述的正电子，所述的放射源发射所述的正电子的同时发射作为所述的起始信号的起始γ光子；
标准样品，所述的标准样品与所述的待测样品分设于所述的放射源的两侧；所述的正电子在所述的标准样品和所述的待测样品上湮没后发出作为所述的终止信号的终止γ光子；
第一探测器，所述的第一探测器设置于所述的标准样品的一侧，所述的第一探测器探测和接收所述的正电子在所述的标准样品和所述的待测样品上的湮没过程中产生的γ光子而输出相应的脉冲信号；
第二探测器，所述的第二探测器设置于所述的第一探测器相对于所述的标准样品的同侧，所述的第二探测器探测和接收所述的正电子在所述的标准样品和所述的待测样品上的湮没过程中产生的γ光子而输出相应的脉冲信号；所述的第一探测器与所述的第二探测器之间设置有屏蔽装置；
第一恒比甄别器，所述的第一恒比甄别器与所述的第一探测器相连接，所述的第一恒比甄别器对所述的第一探测器发出的脉冲信号进行能量选择而得到与所述的起始信号相对应的起始脉冲信号；
第二恒比甄别器，所述的第二恒比甄别器与所述的第二探测器相连接，所述的第二恒比甄别器对所述的第二探测器发出的脉冲信号进行能量选择而得到与所述的终止信号相对应的终止脉冲信号；
时间幅度转换器，所述的时间幅度转换器与所述的第一恒比甄别器和所述的第二恒比甄别器相连接，所述的时间幅度转换器将所述的起始脉冲信号和所述的终止脉冲信号之间的时间差转换为幅度脉冲信号的幅度并输出该所述的幅度脉冲信号至所述的控制系统。
2.根据权利要求1所述的正电子寿命谱测量系统，其特征在于：所述的放射源为22Na。
3.根据权利要求1或2所述的正电子寿命谱测量系统，其特征在于：所述的第一探测器和所述的第二探测器均为BaF2闪烁体探测器；所述的第一探测器和所述的第二探测器分别包括探测和接收所述的γ光子并产生大量光子的BaF2闪烁体、与所述的BaF2闪烁体相连接并接收所述的大量光子而产生大量电子以建立所述的脉冲信号的光电倍增管。
4.根据权利要求1或2所述的正电子寿命谱测量系统，其特征在于：所述的第一恒比甄别器和所述的第二恒比甄别器分别具有设置上阈值和下阈值的调节装置，当接收到的所述的脉冲信号的峰值大于所述的下阈值并小于所述的上阈值时，所述的第一恒比甄别器或所述的第二恒比甄别器输出所述的起始脉冲信号或所述的终止脉冲信号。
5.根据权利要求1或2所述的正电子寿命谱测量系统，其特征在于：所述的屏蔽装置为铅块。
6.一种如权利要求1所述的正电子寿命谱测量系统采用的测量方法，其特征在于：其通过如下过程实现：
（1）将所述的待测样品固定于所述的平移台上，通过所述的手动升降台将所述的平移台及其上的待测样品移动至合适位置；
（2）放射源发射正电子并伴随发射作为所述的起始信号的所述的起始γ光子，所述的正电子湮没于所述的待测样品和所述的标准样品中并在湮没后发出作为所述的终止信号的所述的终止γ光子，所述的起始γ光子和所述的终止γ光子的能量不同；所述的第一探测器和所述的第二探测器探测并接收所述的起始γ光子和所述的终止γ光子并产生相应的脉冲信号；所述的第一恒比甄别器选择得到与所述的起始信号相对应的起始脉冲信号，所述的第二恒比甄别器选择得到与所述的终止信号相对应的终止脉冲信号；所述的时间幅度转换器根据所述的起始脉冲信号与所述的终止脉冲信号之间的时间差输出所述的幅度脉冲信号至所述的控制系统；
通过所述的计算机控制所述的平移台在竖直的二维平面中移动，重复上述过程得到对应于所述的待测样品的不同平面区域的幅度脉冲信号；
（3）所述的多道分析器将所接收的幅度脉冲信号按不同幅度分类计数至不同的道址，并在以所述的道址或时间或能量为横坐标、每个所述的道址中的计数为纵坐标的坐标系中得到所述的正电子的寿命谱。
7.根据权利要求6所述的正电子寿命谱测量系统采用的测量方法，其特征在于：所述的起始γ光子的能量为1.28MeV；所述的终止γ光子的能量为0.511MeV。
8.根据权利要求6所述的正电子寿命谱测量系统采用的测量方法，其特征在于：所述的起始信号、所述的终止信号为所述的正电子在所述的待测样品上湮没产生的信号和所述的正电子在所述的标准样品上湮没产生的信号之间的复合信号；所述的第一探测器或所述的第二探测器产生的所述的脉冲信号、所述的起始脉冲信号、所述的终止脉冲信号、所述的幅度脉冲信号为由所述的正电子在所述的待测样品上湮没产生的信号而得到的各信号和由所述的正电子在所述的标准样品上湮没产生的信号而得到的各信号之间的复合信号；所述的多道分析器去除所述的幅度脉冲信号中由所述的正电子在所述的标准样品上湮没产生的信号而得到的部分信号，从而得到由所述的正电子在所述的待测样品上湮没产生的信号而得到的信号。
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| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103336020B (zh) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106680300A (zh) * | 2017-01-17 | 2017-05-17 | 武汉大学 | 多维度正电子湮没寿命谱和多普勒展宽谱测量系统 |
| CN106814094A (zh) * | 2017-01-13 | 2017-06-09 | 武汉大学 | 一种低本底多普勒展宽深度分布测量系统及测量方法 |
| CN107272047A (zh) * | 2017-06-14 | 2017-10-20 | 中国科学院高能物理研究所 | 正电子湮没寿命谱测量方法及系统 |
| CN107807376A (zh) * | 2017-10-16 | 2018-03-16 | 武汉大学 | 一种新型数字化β+‑γ符合正电子湮没寿命谱系统 |
| CN108968999A (zh) * | 2018-08-10 | 2018-12-11 | 上海联影医疗科技有限公司 | 探测器时间甄别方法、探测器和医学成像设备 |
| CN111650228A (zh) * | 2020-07-01 | 2020-09-11 | 长沙理工大学 | 一种对粉末或液体样品的正电子湮没谱测试方法 |
| CN116448798A (zh) * | 2023-03-22 | 2023-07-18 | 中国科学技术大学 | 一种正电子湮没寿命二维分布测量系统 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105425275B (zh) * | 2015-07-19 | 2017-04-19 | 成都理工大学 | 一种反符合输出甄别系统 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002181747A (ja) * | 2000-12-08 | 2002-06-26 | Canon Inc | 光電子分光分析装置および光電子分光分析方法 |
| CN101013095A (zh) * | 2007-02-12 | 2007-08-08 | 清华大学 | 一种正电子湮没寿命谱仪 |
| CN101923062A (zh) * | 2010-09-02 | 2010-12-22 | 武汉大学 | 一种移动式数字正电子寿命谱仪 |
| CN102539451A (zh) * | 2011-12-21 | 2012-07-04 | 中国科学院高能物理研究所 | 一种新型正电子湮没寿命谱仪 |
| CN202870004U (zh) * | 2012-06-07 | 2013-04-10 | 中国科学院高能物理研究所 | 正电子湮没多参数符合测量系统 |
-
2013
- 2013-07-17 CN CN201310300078.0A patent/CN103336020B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002181747A (ja) * | 2000-12-08 | 2002-06-26 | Canon Inc | 光電子分光分析装置および光電子分光分析方法 |
| CN101013095A (zh) * | 2007-02-12 | 2007-08-08 | 清华大学 | 一种正电子湮没寿命谱仪 |
| CN101923062A (zh) * | 2010-09-02 | 2010-12-22 | 武汉大学 | 一种移动式数字正电子寿命谱仪 |
| CN102539451A (zh) * | 2011-12-21 | 2012-07-04 | 中国科学院高能物理研究所 | 一种新型正电子湮没寿命谱仪 |
| CN202870004U (zh) * | 2012-06-07 | 2013-04-10 | 中国科学院高能物理研究所 | 正电子湮没多参数符合测量系统 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 尹传元等: "液晶中正电子湮没的研究", 《核技术》 * |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106814094A (zh) * | 2017-01-13 | 2017-06-09 | 武汉大学 | 一种低本底多普勒展宽深度分布测量系统及测量方法 |
| CN106814094B (zh) * | 2017-01-13 | 2019-09-10 | 武汉大学 | 一种低本底多普勒展宽深度分布测量系统及测量方法 |
| CN106680300A (zh) * | 2017-01-17 | 2017-05-17 | 武汉大学 | 多维度正电子湮没寿命谱和多普勒展宽谱测量系统 |
| CN106680300B (zh) * | 2017-01-17 | 2019-04-09 | 武汉大学 | 多维度正电子湮没寿命谱和多普勒展宽谱测量系统 |
| CN107272047A (zh) * | 2017-06-14 | 2017-10-20 | 中国科学院高能物理研究所 | 正电子湮没寿命谱测量方法及系统 |
| CN107272047B (zh) * | 2017-06-14 | 2019-06-28 | 中国科学院高能物理研究所 | 正电子湮没寿命谱测量方法及系统 |
| CN107807376A (zh) * | 2017-10-16 | 2018-03-16 | 武汉大学 | 一种新型数字化β+‑γ符合正电子湮没寿命谱系统 |
| CN108968999A (zh) * | 2018-08-10 | 2018-12-11 | 上海联影医疗科技有限公司 | 探测器时间甄别方法、探测器和医学成像设备 |
| CN111650228A (zh) * | 2020-07-01 | 2020-09-11 | 长沙理工大学 | 一种对粉末或液体样品的正电子湮没谱测试方法 |
| CN116448798A (zh) * | 2023-03-22 | 2023-07-18 | 中国科学技术大学 | 一种正电子湮没寿命二维分布测量系统 |
| CN116448798B (zh) * | 2023-03-22 | 2024-02-09 | 中国科学技术大学 | 一种正电子湮没寿命二维分布测量系统 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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