CN103276352A - 挡板感应器 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种挡板感应器,属于半导体技术领域,其包括:发射端和接收端,所述发射端和所述接收端按照能同方向等位移的运动方式进行固定,以使所述发射端和所述接收端形成点对点的发送、接收方式,所述发射端和所述接收端放置有挡板,所述发射端用于发射光线,所述接收端用于接收所述发射端发射的光线,根据所述接收端接收的光线确定被挡板遮挡的状态。本发明中,使得所述发射端和所述接收端在工作的过程中始终保持形成点对点的发送、接收方式,避免了误报警现象。
Description
技术领域
本发明属于半导体技术领域,具体地说,涉及一种挡板感应器。
背景技术
物理气相沉积(Physical Vapor Deposition,PVD)技术表示在真空条件下,采用物理方法,将材料源——固体或液体表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子,并通过低压气体(或等离子体)过程,在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。物理气相沉积的主要方法有,真空蒸镀、溅射镀膜、电弧等离子体镀、离子镀膜,及分子束外延等。发展到目前,物理气相沉积技术不仅可沉积金属膜、合金膜、还可以沉积化合物、陶瓷、半导体、聚合物膜等。
真空蒸镀基本原理是在真空条件下,使金属、金属合金或化合物蒸发,然后沉积在基体表面上,蒸发的方法常用电阻加热,高频感应加热,电子柬、激光束、离子束高能轰击镀料,使蒸发成气相,然后沉积在基体表面,历史上,真空蒸镀是PVD法中使用最早的技术。
溅射镀膜基本原理是充氩(Ar)气的真空条件下,使氩气进行辉光放电,这时氩(Ar)原子电离成氩离子(Ar+),氩离子在电场力的作用下,加速轰击以镀料制作的阴极靶材,靶材会被溅射出来而沉积到工件表面。如果采用直流辉光放电,称直流(Qc)溅射,射频(RF)辉光放电引起的称射频溅射。磁控(M)辉光放电引起的称磁控溅射。电弧等离子体镀膜基本原理是在真空条件下,用引弧针引弧,使真空金壁(阳极)和镀材(阴极)之间进行弧光放电,阴极表面快速移动着多个阴极弧斑,不断迅速蒸发甚至“异华”镀料,使之电离成以镀料为主要成分的电弧等离子体,并能迅速将镀料沉积于基体。因为有多弧斑,所以也称多弧蒸发离化过程。
离子镀基本原理是在真空条件下,采用某种等离子体电离技术,使镀料原子部分电离成离子,同时产生许多高能量的中性原子,在被镀基体上加负偏压。这样在深度负偏压的作用下,离子沉积于基体表面形成薄膜。
PVD技术中所使用的设备有真空蒸发镀膜机、真空溅射镀膜机和真空离子镀膜机这三种。
物理气相沉积技术工艺过程简单,对环境改善,无污染,耗材少,成膜均匀致密,与基体的结合力强。该技术广泛应用于航空航天、电子、光学、机械、建筑、轻工、冶金、材料等领域,可制备具有耐磨、耐腐饰、装饰、导电、绝缘、光导、压电、磁性、润滑、超导等特性的膜层。
溅射镀膜可以包括直流溅射、射频溅射、脉冲直流溅射等,其中直流溅射适用于金属材料,其优点是工艺简便,纯度高,通过掩膜易于形成所需要的图形;射频溅射适用于金属材料和非金属材料,其优点是附着性能好,易于保持化合物、合金的组分比;脉冲直流溅射是对直流溅射的改进,以克服直流溅射中的异常放电,其优点是附着性能好。
在工艺前,需要先对腔体进行预热,使腔内环境更适合进行工艺。挡板的作用就是模拟硅片在腔体内,并将靶材沉积到挡板表面。挡板感应器的设计是遮挡式的。在作业过程中,挡板表面所积薄膜会越来越厚,对挡板感应器的灵敏度会越来越低。现有技术中,固定住感应器接收端,发射端是活动的,可调节。感应器的灵敏度较低,使感应器易被接收,不易被遮挡,产生了一定误差,从而导致误报警现象,即挡板实际在储藏腔内,但挡板未被遮挡住。每次发生误报警,都需要确认挡板的实际位置,并重新调整挡板感应器的调节螺丝。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种挡板感应器结构,用以全部或部分解决上述技术问题。
为解决上述全部或部分技术问题,本发明提供了一种一种挡板感应器,其包括:发射端和接收端,所述发射端和所述接收端按照能同方向等位移的运动方式进行固定,以使所述发射端和所述接收端形成点对点的发送、接收方式,所述发射端和所述接收端放置有挡板,所述发射端用于发射光线,所述接收端用于接收所述发射端发射的光线,根据所述接收端接收的光线确定被挡板遮挡的状态。
在本发明的一优选实施例中,所述发射端和所述接收端之间设置有与所述光线发射方向平行的连接块,通过所述连接块的将所述发射端和所述接收端按照能同方向等位移的运动方式进行固定。
在本发明的一优选实施例中,所述连接块的两端分别与所述发射端和所述接收端形成钳合的固定关系,以调整所述发射端和所述接收端之间的相对位置。
在本发明的一优选实施例中,还包括一凹型架,所述凹形架相对的两个侧壁中分别设置有所述发射端和所述接收端,所述凹形架的另一侧壁用于所述发射端和所述接收端按照能同方向等位移的运动方式进行固定,以使所述发射端和所述接收端形成点对点的发送、接收方式。
在本发明的一优选实施例中,还包括一调节螺丝,用于当所述发射端和所述接收端偏离点对点的发送、接收方式时,调节所述发射端和所述接收端之间的相对位置。
在本发明的一优选实施例中,所述调节螺丝位于所述发射端上和/或所述接收端上。
为解决上述全部或部分技术问题,本发明还提供了一种感应挡板位置的方法,其包括:
发射端按照点对点的方式发射光线,所述接收端接收所述发射端发射的光线;
根据所述接收端按照点对点的方式接收的光线确定被挡板遮挡的状态。
本发明中,通过将所述发射端和所述接收端按照能同方向等位移的运动方式进行固定,以使所述发射端和所述接收端形成点对点的发送、接收方式,所述发射端和所述接收端放置有挡板,所述发射端用于发射光线,所述接收端用于接收所述发射端发射的光线,根据所述接收端接收的光线确定被挡板遮挡的状态,从而使得所述发射端和所述接收端在工作的过程中始终保持形成点对点的发送、接收方式,避免了误报警现象。
附图说明
图1为本发明实施例一的挡板感应器结构示意图;
图2为本发明实施例二的挡板感应器结构示意图;
图3为图2中连接块的结构示意图;
图4为本发明实施例三的挡板感应器结构示意图;
图5为图4中凹型架的结构示意图;
图6为本发明实施例四中感应挡板位置的方法流程图。
具体实施方式
以下将配合图式及实施例来详细说明本发明的实施方式,藉此对本发明如何应用技术手段来解决技术问题并达成技术功效的实现过程能充分理解并据以实施。
本发明的下述实施例中,通过将所述发射端和所述接收端按照能同方向等位移的运动方式进行固定,以使所述发射端和所述接收端形成点对点的发送、接收方式,所述发射端和所述接收端放置有挡板,所述发射端用于发射光线,所述接收端用于接收所述发射端发射的光线,根据所述接收端接收的光线确定被挡板遮挡的状态,从而使得所述发射端和所述接收端在工作的过程中始终保持形成点对点的发送、接收方式,避免了误报警现象。
如图1所示,为本发明实施例一的挡板感应器结构示意图,其可以包括:发射端101和接收端102,所述发射端101和所述接收端102按照能同方向等位移的运动方式进行固定,以使所述发射端和所述接收端形成点对点的发送、接收方式,所述发射端101和所述接收端102放置有挡板103,所述发射端101用于发射光线,所述接收端102用于接收所述发射端101发射的光线,根据所述接收端101接收的光线确定被挡板遮挡103的状态。这种状态可以由于挡板完全挡住光线从发射端101到接收端102,或者,部分挡住光线从发射端101到接收端102。
本实施例中,所述发射端101和所述接收端102之间设置有与所述光线发射方向平行的连接块104,通过所述连接块104将所述发射端101和所述接收端102按照能同方向等位移的运动方式进行固定。如此,与现有技术中发射端固定而接收端活动的方式相比,在感应的过程中,发射端101和接收端102的位移变化无论是距离上还是方向上,两者均保持完全的一致,从而避免了发射端与接收端不能保持点对点的发送、接收。
本实施例中,挡板感应器还可以包括一调节螺丝105,用于当所述发射端101和所述接收端102偏离点对点的发送、接收方式时,调节所述发射端101和所述接收端102之间的相对位置。具体地,所述调节螺丝105位于所述发射端上和/或所述接收端上。
如图2所示,为本发明实施例二的挡板感应器结构示意图,其可以包括:发射端101和接收端102,发射端101和接收端102在此不再赘述。与上述实施例不同之处在于,所述连接块104的两端分别与所述发射端101和所述接收端102形成钳合的固定关系,以调整所述发射端和所述接收端之间的相对位置。
如图3所示,为图2中连接块的结构示意图,需要说明的是,这种钳合的固定关系通过连接块104的两端的凹槽实现,即将发射端101和接收端102分别置于连接块104两端的凹槽114、154中。
如图4所示,为本发明实施例三的挡板感应器结构示意图,其可以包括:发射端101和接收端102,发射端101和接收端102在此不再赘述。与上述实施例不同之处在于,本实例中的挡板感应器,包括一凹型架106,所述凹形架106相对的两个侧壁116、126中分别设置有所述发射端101和所述接收端102,所述凹形架106的另一侧壁135用于使所述发射端101和所述接收端102按照能同方向等位移的运动方式进行固定,以使所述发射端101和所述接收102端形成点对点的发送、接收方式,如图5所示,为图4中凹型架的结构示意图。
与上述通过连接块实现发射端101和接收端102的固定方式不同,本实施例中,通过一凹形架106实现了感应器的装配,与上述实施例相比,提高了装配的灵活性。
如图6所示,为本发明实施例四中感应挡板位置的方法流程图,其可以包括:
步骤401、发射端按照点对点的方式发射光线,所述接收端接收所述发射端发射的光线;
步骤402、根据所述接收端按照点对点的方式接收的光线确定被挡板遮挡的状态。
上述说明示出并描述了本发明的若干优选实施例,但如前所述,应当理解本发明并非局限于本文所披露的形式,不应看作是对其他实施例的排除,而可用于各种其他组合、修改和环境,并能够在本文所述发明构想范围内,通过上述教导或相关领域的技术或知识进行改动。而本领域人员所进行的改动和变化不脱离本发明的精神和范围,则都应在本发明所附权利要求的保护范围内。
Claims (7)
1.一种挡板感应器,其特征在于,包括:发射端和接收端,所述发射端和所述接收端按照能同方向等位移的运动方式进行固定,以使所述发射端和所述接收端形成点对点的发送、接收方式,所述发射端和所述接收端放置有挡板,所述发射端用于发射光线,所述接收端用于接收所述发射端发射的光线,根据所述接收端接收的光线确定被挡板遮挡的状态。
2.根据权利要求1所述的挡板感应器,其特征在于,所述发射端和所述接收端之间设置有与所述光线发射方向平行的连接块,通过所述连接块的将所述发射端和所述接收端按照能同方向等位移的运动方式进行固定。
3.根据权利要求2所述的挡板感应器,其特征在于,所述连接块的两端分别与所述发射端和所述接收端形成钳合的固定关系,以调整所述发射端和所述接收端之间的相对位置。
4.根据权利要求1所述的挡板感应器,其特征在于,还包括一凹型架,所述凹形架相对的两个侧壁中分别设置有所述发射端和所述接收端,所述凹形架的另一侧壁用于所述发射端和所述接收端按照能同方向等位移的运动方式进行固定,以使所述发射端和所述接收端形成点对点的发送、接收方式。
5.根据权利要求1所述的挡板感应器,其特征在于,还包括一调节螺丝,用于当所述发射端和所述接收端偏离点对点的发送、接收方式时,调节所述发射端和所述接收端之间的相对位置。
6.根据权利要求1所述的挡板感应器,其特征在于,所述调节螺丝位于所述发射端上和/或所述接收端上。
7.一种感应挡板位置的方法,其特征在于,包括:
发射端按照点对点的方式发射光线,所述接收端接收所述发射端发射的光线;
根据所述接收端按照点对点的方式接收的光线确定被挡板遮挡的状态。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN201310159448.3A CN103276352B (zh) | 2013-05-02 | 2013-05-02 | 挡板感应器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN201310159448.3A CN103276352B (zh) | 2013-05-02 | 2013-05-02 | 挡板感应器 |
Publications (2)
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CN103276352A true CN103276352A (zh) | 2013-09-04 |
CN103276352B CN103276352B (zh) | 2015-08-05 |
Family
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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CN201310159448.3A Active CN103276352B (zh) | 2013-05-02 | 2013-05-02 | 挡板感应器 |
Country Status (1)
Country | Link |
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