CN103248263B - Pwm直流脉冲电路和镀膜电路 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种PWM直流脉冲电路、镀膜电路和应用镀膜电路进行镀膜的方法，该电路包括：分别与PWM直流脉冲电路的供电电源的正负极相连的分压电容电路和开关电路，分压电容电路包括串联在一起的第一分压电容电路和第二分压电容电路，开关电路包括串联在一起的第一开关电路和第二开关电路；该电路还包括电感电路，电感电路的一端与第一分压电容电路和第二分压电容电路均相连，电感电路的另一端与第一开关电路和第二开关电路均相连；第一开关电路和第二开关电路，均与控制电路的输出端相连，均用于在开关时刻处于零电压软开关状态。本发明充分发挥了开关电路高频开关特性，使输出脉冲频率显著提高，进而提高了被镀膜工件的膜层质量。

Description

PWM直流脉冲电路和镀膜电路
技术领域
本发明属于电力电子电路设计制造技术领域，尤其涉及一种脉冲宽度调制(PWM)直流脉冲电路、镀膜电路和应用镀膜电路进行镀膜的方法。
背景技术
随着人们对各种IT产品外观美观性、耐用性提出越来越高的要求，移动终端(如手机、数据卡、上网本等)结构件表面处理发展愈来愈多地需要用到各种化合物薄膜，隔离膜、绝缘膜、介质膜等。真空镀膜具有膜层牢固、膜层均匀可控、纯度高、不产生废液、对环境无污染，既可在金属材料表面镀膜，也可在非金属材料表面镀膜等一系列优点。如图1所示，是真空镀膜系统的原理示意图，该系统包括脉冲电源11和工艺炉腔12两部分。真空镀膜系统在阴极靶材的背后放置100～1000高斯(Gauss)强力磁铁，真空室充入0.1～10帕(pa)压力的惰性气体(Ar)，作为气体放电的载体。在高压作用下Ar原子电离成为Ar+离子和电子，产生等离子辉光放电，电子在加速飞向基片的过程中，受到垂直于电场的磁场影响，使电子产生偏转，被束缚在靠近靶表面的等离子体区域内，电子以摆线的方式沿着靶表面前进，在运动过程中不断与Ar原子发生碰撞，电离出大量的Ar+离子，因此该区域内等离子体密度很高。经过多次碰撞后电子的能量逐渐降低，摆脱磁力线的束缚，最终落在基片、真空室内壁及靶源阳极上。Ar+离子在高压电场加速作用下，与靶材撞击并释放出能量，导致靶材表面的原子吸收Ar+离子的动能而脱离原晶格束缚，呈中性的靶原子逸出靶材的表面飞向基片，并在基片上沉积形成薄膜。在真空镀膜系统工艺研究发现，电源脉冲输出频率是影响工件镀膜质量的最关键参数。如果脉冲频率过低，加工过程中容易发生起弧现象，导致生产效率低下；另外，脉冲频率越高，工件表面膜层质量也会得到提高。20KHz～200KHz脉冲频率是公认的作为介质材料沉积的优选工作频率，在沉积中可以提供稳定无弧的工作状态，并且可以获得较厚的膜层，膜层均匀性好，与基体结合强度高，硬度高，抗热冲击、电绝缘性及耐蚀性均佳。
目前真空镀膜的直流脉冲电源拓扑研究中，不管是绝缘栅型场效应管(MOSFET)还是绝缘栅双极型晶体管(IGBT)或IGBT模块，其通常工作在硬开关状态，使功率管高频开关特性无法发挥，限制了电源脉冲输出频率(50KHz以下)；如采用MOSFET，现有真空镀膜系统使用的直流脉冲电源结构如图2所示，包括依次设置的为PWM直流脉冲电路供电的直流电源21、MOSFET主功率管22、缓冲电路23和负载24。MOSFET主功率管22与缓冲电路23并联，然后与负载24串联。直流电源21的正极分别与MOSFET主功率管22漏极和缓冲电路23的上端相连，直流电源21的负极与负载24下端相连。该直流脉冲电源工作过程以MOSFET主功率管22开关分两个过程：MOSFET主功率管22开通，负载24得到电压为直流电源21上电压；MOSFET主功率管22关断，负载电压为零。为了防止MOSFET主功率管22硬开关造成电压尖峰，必须要通过缓冲电路23进行吸收。MOSFET主功率管22硬开关方式限制了脉冲频率的提高(不超过50KHz)，造成生产效率低，镀膜生产出来移动终端结构件表面膜层质量一般，容易磨损，使用寿命较短。
发明内容
本发明实施例提供了一种脉冲宽度调制(PWM)直流脉冲电路、镀膜电路和应用镀膜电路进行镀膜的方法，以克服现有真空镀膜电源存在的生产效率低，镀膜工件膜层质量一般等缺点。
本发明实施例提供了一种脉冲宽度调制(PWM)直流脉冲电路，该电路包括：分别与所述PWM直流脉冲电路的供电电源的正负极相连的分压电容电路和开关电路，所述分压电容电路包括串联在一起的第一分压电容电路和第二分压电容电路，所述开关电路包括串联在一起的第一开关电路和第二开关电路；该电路还包括电感电路，所述电感电路的一端与所述第一分压电容电路和所述第二分压电容电路均相连，所述电感电路的另一端与所述第一开关电路和所述第二开关电路均相连；所述第一开关电路和所述第二开关电路，均与控制电路的输出端相连，均用于在开关时刻处于零电压软开关状态。
优选地，所述第一开关电路和所述第二开关电路均为具有高频工作特性的晶体管。
优选地，所述晶体管为绝缘栅型场效应管(MOSFET)，所述MOSFET包括N沟通MOSFET和P沟道MOSFET；
当所述MOSFET为所述N沟道MOSFET，所述第一开关电路中的所述MOSFET的漏极与所述供电电源的正极相连，所述第一开关电路中的所述MOSFET的栅极与所述控制电路的输出端相连，所述第二开关电路中的所述MOSFET的源极与所述供电电源的负极相连，所述第二开关电路中的所述MOSFET的栅极与所述控制电路的输出端相连；
当所述MOSFET为所述P沟道MOSFET，所述第一开关电路中的所述MOSFET的源极与所述供电电源的正极相连，所述第一开关电路中的所述MOSFET的栅极与所述控制电路的输出端相连，所述第二开关电路中的所述MOSFET的漏极与所述供电电源的负极相连，所述第二开关电路中的所述MOSFET的栅极与所述控制电路的输出端相连。
优选地，所述晶体管为绝缘栅双极型晶体管(IGBT)或IGBT模块，所述第一开关电路中的所述IGBT或所述IGBT模块的集电极与所述供电电源的正极相连，所述第一开关电路中的所述IGBT或所述IGBT模块的栅极与所述控制电路的输出端相连，所述第二开关电路中的所述IGBT或所述IGBT模块的发射级与所述供电电源的负极相连，所述第二开关电路中的所述IGBT或所述IGBT模块的栅极与所述控制电路的输出端相连。
优选地，所述电感电路为电感；所述电感，用于在所述第一开关电路由开通状态变为关断状态时，与所述第一开关电路和所述第二开关电路产生谐振，使所述第二开关电路的电压下降至零；或者，在所述第二开关电路由开通状态变为关断状态时，与所述第一开关电路和所述第二开关电路产生谐振，使所述第一开关电路的电压下降至零。
优选地，所述第一分压电容电路为第一分压电容，所述第二分压电容电路为第二分压电容，所述第一分压电容的正极与所述供电电源的正极相连，所述第二分压电容的负极与所述供电电源的负极相连。
本发明实施例提供了一种镀膜电路，该电路包括脉冲宽度调制(PWM)直流脉冲电路和与所述PWM直流脉冲电路相连的负载，其特征在于：
所述PWM直流脉冲电路包括：分别与所述PWM直流脉冲电路的供电电源的正负极相连的分压电容电路和开关电路，所述分压电容电路包括串联在一起的第一分压电容电路和第二分压电容电路，所述开关电路包括串联在一起的第一开关电路和第二开关电路；该电路还包括电感电路，所述电感电路的一端与所述第一分压电容电路和所述第二分压电容电路均相连，所述电感电路的另一端与所述第一开关电路和所述第二开关电路均相连；所述第一开关电路和所述第二开关电路，均与控制电路的输出端相连，均用于在开关时刻处于零电压软开关状态；所述负载与所述第二开关电路并联。
优选地，所述第一开关电路和所述第二开关电路均为绝缘栅型场效应管(MOSFET)，所述MOSFET包括N沟通MOSFET和P沟道MOSFET；当所述MOSFET为所述N沟道MOSFET，所述第一开关电路中的所述MOSFET的漏极与所述供电电源的正极相连，所述第一开关电路中的所述MOSFET的栅极与所述控制电路的输出端相连，所述第二开关电路中的所述MOSFET的源极与所述供电电源的负极相连，所述第二开关电路中的所述MOSFET的栅极与所述控制电路的输出端相连；当所述MOSFET为所述P沟道MOSFET，所述第一开关电路中的所述MOSFET的源极与所述供电电源的正极相连，所述第一开关电路中的所述MOSFET的栅极与所述控制电路的输出端相连，所述第二开关电路中的所述MOSFET的漏极与所述供电电源的负极相连，所述第二开关电路中的所述MOSFET的栅极与所述控制电路的输出端相连；或者，所述第一开关电路和所述第二开关电路均为为绝缘栅双极型晶体管(IGBT)或IGBT模块，所述第一开关电路中的所述IGBT或所述IGBT模块的集电极与所述供电电源的正极相连，所述第一开关电路中的所述IGBT或所述IGBT模块的栅极与所述控制电路的输出端相连，所述第二开关电路中的所述IGBT或所述IGBT模块的发射级与所述供电电源的负极相连，所述第二开关电路中的所述IGBT或所述IGBT模块的栅极与所述控制电路的输出端相连。
优选地，当所述第二开关电路为所述N沟道MOSFET时，所述负载中的结构件与所述MOSFET的漏极相连，所述负载中的镀膜材料与所述MOSFET源极相连；或者，当所述第二开关电路为所述IGBT或所述IGBT模块时，所述负载中的结构件与所述IGBT或所述IGBT模块的集电极相连，所述负载中的镀膜材料与所述IGBT或所述IGBT模块的发射极相连。
本发明实施例提供了一种应用上述镀膜电路进行镀膜的方法，所述方法包括：
所述PWM直流脉冲电路对所述负载供电，使得所述负载中镀膜材料的离子在电磁感应的作用下镀在所述负载中的结构件上；其中，所述PWM直流脉冲电路对所述负载供电的过程包括：
处于开通状态的所述第一开关电路接收所述控制电路提供的关断控制信号时，所述第一开关电路为零电压关断状态；所述电感电路、所述第一开关电路和所述第二开关电路产生谐振，使所述第二开关电路的电压下降至零；
处于关断状态的所述第二开关电路接收所述控制电路提供的开通控制信号时，所述第二开关电路为零电压开通状态，且所述第二开关电路的电压仍为零电压；
处于开通状态的所述第二开关电路接收所述控制电路提供的关断控制信号时，所述第二开关电路为零电压关断状态；所述电感电路、所述第一开关电路和所述第二开关电路产生谐振，使所述第一开关电路的电压下降至零；
处于关断状态的所述第一开关电路接收所述控制电路提供的开通控制信号时，所述第一开关电路为零电压开通状态。
上述PWM直流脉冲电路、镀膜电路和应用镀膜电路进行镀膜的方法，通过互补控制逻辑，使电感与两个开关电路产生谐振，开关电路工作在零电压开关状态，充分发挥了开关电路高频开关特性，使电源输出脉冲频率达到200KHz，保证了工艺过程中的稳定无弧环境，既提高了生产效率，又提升了镀膜加工的移动终端结构件表面膜层质量。
附图说明
图1是现有真空镀膜系统的原理示意图；
图2是现有直流脉冲电路的结构示意图；
图3是本发明零电压PWM直流脉冲电路的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本发明的实施例进行详细说明。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
本发明实施例提供了一种脉冲宽度调制(PWM)直流脉冲电路，该电路包括：分别与所述PWM直流脉冲电路的供电电源的正负极相连的分压电容电路和开关电路，所述分压电容电路包括串联在一起的第一分压电容电路和第二分压电容电路，所述开关电路包括串联在一起的第一开关电路和第二开关电路；该电路还包括电感电路，所述电感电路的一端与所述第一分压电容电路和所述第二分压电容电路均相连，所述电感电路的另一端与所述第一开关电路和所述第二开关电路均相连；所述第一开关电路和所述第二开关电路，均与控制电路的输出端相连，均用于在开关时刻处于零电压软开关状态。
其中，所述第一开关电路和所述第二开关电路均为具有高频工作特性的晶体管，可以是绝缘栅型场效应管(MOSFET)，也可以是绝缘栅双极型晶体管(IGBT)或IGBT模块。对于MOSFET，可以是N沟通MOSFET，也可以是P沟道MOSFET。当所述MOSFET为所述N沟道MOSFET，所述第一开关电路中的所述MOSFET的漏极与所述供电电源的正极相连，所述第一开关电路中的所述MOSFET的栅极与所述控制电路的输出端相连，所述第二开关电路中的所述MOSFET的源极与所述供电电源的负极相连，所述第二开关电路中的所述MOSFET的栅极与所述控制电路的输出端相连；当所述MOSFET为所述P沟道MOSFET，所述第一开关电路中的所述MOSFET的源极与所述供电电源的正极相连，所述第一开关电路中的所述MOSFET的栅极与所述控制电路的输出端相连，所述第二开关电路中的所述MOSFET的漏极与所述供电电源的负极相连，所述第二开关电路中的所述MOSFET的栅极与所述控制电路的输出端相连。
如图3所示，是本发明零电压PWM直流脉冲电路的结构示意图，该电路包括依次设置的PWM直流脉冲电路的供电电源31、第一分压电容32、第二分压电容33、谐振电感34、第一MOSFET 35、第二MOSFET 36。第一分压电容和第二分压电容组成的半桥中点与第一MOSFET和第二MOSFET组成的半桥中点之间串联了谐振电感34，第一MOSFET栅极与PWM控制电路的第一路PWM(PWM1)输出端相连，第二MOSFET栅极与PWM控制电路的第二路PWM(PWM2)输出端相连。第一分压电容的正极分别与供电电源正极、第一MOSFET的漏极相连；第二分压电容负极分别与供电电源负极和第二MOSFET的源极相连。
当然，图3中的MOSFET主功率管也可以替换为其他的功率管，例如IGBT或IGBT模块等，只是IGBT或IGBT模块的集电极与MOSFET主功率管的漏极相对应，IGBT或IGBT模块的发射极与MOSFET主功率管的源极相对应，IGBT或IGBT模块的栅极与MOSFET主功率管的栅极相对应。
另外，上述电感电路可以为电感；所述电感，用于在所述第一开关电路由开通状态变为关断状态时，与所述第一开关电路和所述第二开关电路产生谐振，使所述第二开关电路的电压下降至零；或者，在所述第二开关电路由开通状态变为关断状态时，与所述第一开关电路和所述第二开关电路产生谐振，使所述第一开关电路的电压下降至零。
进一步地，本发明实施例还提供了一种镀膜电路，如图3所示，该电路中增加负载37，该负载与第二开关电路例如第二MOSFET并联。其中，当所述第二开关电路为所述N沟道MOSFET时，所述负载中的结构件与所述MOSFET的漏极相连，所述负载中的镀膜材料与所述MOSFET源极相连；当所述第二开关电路为所述IGBT或所述IGBT模块时，所述负载中的结构件与所述IGBT或所述IGBT模块的集电极相连，所述负载中的镀膜材料与所述IGBT或所述IGBT模块的发射极相连。
本发明零电压PWM直流脉冲电路与现有的直流脉冲电路相比，虽然拓扑结构稍显复杂，但通过合理选取谐振电感参数值以及控制两个开关电路互补PWM逻辑，可以保证两个开关电路工作在零电压开关状态，充分发挥了开关电路高频开关特性，使输出脉冲频率显著提高，进而提高了表面工艺处理效率以及大大增强了被镀膜工件的膜层质量。
下面通过详细描述本发明电源工作过程来阐述MOSFET 35和MOSFET36的零电压开关原理。本发明直流脉冲电源工作过程可以分6个模态进行描述：
模态一：PWM1提供开通控制信号，控制MOSFET35处于开通状态，PWM2提供关断控制信号，控制MOSFET36关断状态。负载37上电压为供电电源31电压。分压电容32上电压作用在谐振电感34上，使谐振电感34电流线性增加。
模态二：PWM1提供关断控制信号，控制MOSFET35开始处于关断过程，PWM2延续模态一无效状态，MOSFET36依然处于关断状态。由于与MOSFET35并联的结电容电压不能突变原理，MOSFET35电压从零开始上升，即MOSFET35为零电压关断。此时谐振电感34与MOSFET35结电容以及MOSFET36结电容产生谐振，当MOSFET35电压上升，MOSFET36电压下降。当谐振结束时，MOSFET35电压上升至PWM直流脉冲电路的供电电源31电压，MOSFET36电压下降至零。此模态时间极短，为PWM控制的死区时间。
模态三：模态二谐振结束后，谐振电感34电流以及负载37电流通过MOSFET36替二极管续流，MOSFET36电压始终为零，为模态四的MOSFET36零电压开通创造条件。
模态四：由于模态三已经保证了MOSFET36电压为零，此时PWM2从模态三的无效变为有效，MOSFET36零电压开通。PWM1依然维持无效状态，MOSFET35依然为关断状态。由于谐振电感上此时电压为分压电容33电压，谐振电感34电流通过MOSFET36反向增加。
模态五：PWM1提供关断控制信号，MOSFET35处于关断状态，PWM2从模态三的有效状态变为无效状态，控制MOSFET36开始关断。由于MOSFET36上并联的结电容电压不能突变原理，MOSFET36电压从零开始上升，即MOSFET36为零电压关断。此时谐振电感34与MOSFET35结电容和MOSFET36结电容产生谐振，MOSFET35电压下降，MOSFET36结电压上升，当谐振结束时，MOSFET35电压为零，MOSFET36电压为供电电源31电压。此模态时间极短，为PWM控制死区时间。
模态六：经过模态五谐振，当MOSFET35电压为零时，PWM1从模态五的无效变为有效，控制MOSFET35开通，此时MOSFET为零电压开通。PWM2延续模态五的无效状态，MOSFET36依然为关断状态。此时分压电容32电压加在谐振电感34上，谐振电感电流正向增加。此时负载37上电压为即供电电源31电压。
本发明零电压PWM直流脉冲电路虽然结构比现有直流脉冲电源结构稍显复杂，但由于保证了两个MOSFET主功率管的零电压软开关，充分发挥了MOSFET主功率管的高频特性，通过选择谐振电感合适参数，并通过调节PWM频率，使输出的直流脉冲频率可以在100KHz～200KHz连续可调。采用本发明直流脉冲电源对移动终端相关产品表面进行处理，可以大大提高生产效率，并使被处理工件表面膜层质量更加致密耐磨，使用寿命得到显著提高。
本领域普通技术人员可以理解上述方法中的全部或部分步骤可通过程序来指令相关硬件完成，上述程序可以存储于计算机可读存储介质中，如只读存储器、磁盘或光盘等。可选地，上述实施例的全部或部分步骤也可以使用一个或多个集成电路来实现。相应地，上述实施例中的各模块/单元可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能模块的形式实现。本发明不限制于任何特定形式的硬件和软件的结合。
以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，仅仅参照较佳实施例对本发明进行了详细说明。本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的精神和范围，均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。

Claims (10)

1.一种脉冲宽度调制PWM直流脉冲电路，其特征在于，该电路包括：分别与所述PWM直流脉冲电路的供电电源的正负极相连的分压电容电路和开关电路，所述分压电容电路包括串联在一起的第一分压电容电路和第二分压电容电路，所述开关电路包括串联在一起的第一开关电路和第二开关电路；该电路还包括电感电路，所述电感电路的一端与所述第一分压电容电路和所述第二分压电容电路的串联连接点相连，所述电感电路的另一端与所述第一开关电路和所述第二开关电路的串联连接点相连；所述第一开关电路和所述第二开关电路，均与控制电路的输出端相连，均用于在开关时刻处于零电压软开关状态。
2.根据权利要求1所述的PWM直流脉冲电路，其特征在于：
所述第一开关电路和所述第二开关电路均为具有高频工作特性的晶体管。
3.根据权利要求2所述的PWM直流脉冲电路，其特征在于：
所述晶体管为绝缘栅型场效应管MOSFET，所述MOSFET包括N沟道MOSFET和P沟道MOSFET；
当所述MOSFET为所述N沟道MOSFET，所述第一开关电路中的所述MOSFET的漏极与所述供电电源的正极相连，所述第一开关电路中的所述MOSFET的栅极与所述控制电路的输出端相连，所述第二开关电路中的所述MOSFET的源极与所述供电电源的负极相连，所述第二开关电路中的所述MOSFET的栅极与所述控制电路的输出端相连；
当所述MOSFET为所述P沟道MOSFET，所述第一开关电路中的所述MOSFET的源极与所述供电电源的正极相连，所述第一开关电路中的所述MOSFET的栅极与所述控制电路的输出端相连，所述第二开关电路中的所述MOSFET的漏极与所述供电电源的负极相连，所述第二开关电路中的所述MOSFET的栅极与所述控制电路的输出端相连。
4.根据权利要求2所述的PWM直流脉冲电路，其特征在于：
所述晶体管为绝缘栅双极型晶体管IGBT或IGBT模块，所述第一开关电路中的所述IGBT或所述IGBT模块的集电极与所述供电电源的正极相连，所述第一开关电路中的所述IGBT或所述IGBT模块的栅极与所述控制电路的输出端相连，所述第二开关电路中的所述IGBT或所述IGBT模块的发射极与所述供电电源的负极相连，所述第二开关电路中的所述IGBT或所述IGBT模块的栅极与所述控制电路的输出端相连。
5.根据权利要求1所述的PWM直流脉冲电路，其特征在于：
所述电感电路为电感；所述电感，用于在所述第一开关电路由开通状态变为关断状态时，与所述第一开关电路和所述第二开关电路产生谐振，使所述第二开关电路的电压下降至零；或者，在所述第二开关电路由开通状态变为关断状态时，与所述第一开关电路和所述第二开关电路产生谐振，使所述第一开关电路的电压下降至零。
6.根据权利要求1所述的PWM直流脉冲电路，其特征在于：
所述第一分压电容电路为第一分压电容，所述第二分压电容电路为第二分压电容，所述第一分压电容的正极与所述供电电源的正极相连，所述第二分压电容的负极与所述供电电源的负极相连。
7.一种镀膜电路，该电路包括脉冲宽度调制PWM直流脉冲电路和与所述PWM直流脉冲电路相连的负载，其特征在于：
所述PWM直流脉冲电路包括：分别与所述PWM直流脉冲电路的供电电源的正负极相连的分压电容电路和开关电路，所述分压电容电路包括串联在一起的第一分压电容电路和第二分压电容电路，所述开关电路包括串联在一起的第一开关电路和第二开关电路；该电路还包括电感电路，所述电感电路的一端与所述第一分压电容电路和所述第二分压电容电路的串联连接点相连，所述电感电路的另一端与所述第一开关电路和所述第二开关电路的串联连接点相连；所述第一开关电路和所述第二开关电路，均与控制电路的输出端相连，均用于在开关时刻处于零电压软开关状态；所述负载与所述第二开关电路并联。
8.根据权利要求7所述的电路，其特征在于：
所述第一开关电路和所述第二开关电路均为绝缘栅型场效应管MOSFET，所述MOSFET包括N沟道MOSFET和P沟道MOSFET；当所述MOSFET为所述N沟道MOSFET，所述第一开关电路中的所述MOSFET的漏极与所述供电电源的正极相连，所述第一开关电路中的所述MOSFET的栅极与所述控制电路的输出端相连，所述第二开关电路中的所述MOSFET的源极与所述供电电源的负极相连，所述第二开关电路中的所述MOSFET的栅极与所述控制电路的输出端相连；当所述MOSFET为所述P沟道MOSFET，所述第一开关电路中的所述MOSFET的源极与所述供电电源的正极相连，所述第一开关电路中的所述MOSFET的栅极与所述控制电路的输出端相连，所述第二开关电路中的所述MOSFET的漏极与所述供电电源的负极相连，所述第二开关电路中的所述MOSFET的栅极与所述控制电路的输出端相连；或者
所述第一开关电路和所述第二开关电路均为绝缘栅双极型晶体管IGBT或IGBT模块，所述第一开关电路中的所述IGBT或所述IGBT模块的集电极与所述供电电源的正极相连，所述第一开关电路中的所述IGBT或所述IGBT模块的栅极与所述控制电路的输出端相连，所述第二开关电路中的所述IGBT或所述IGBT模块的发射极与所述供电电源的负极相连，所述第二开关电路中的所述IGBT或所述IGBT模块的栅极与所述控制电路的输出端相连。
9.根据权利要求7所述的电路，其特征在于：
当所述第二开关电路为N沟道绝缘栅型场效应管MOSFET时，所述负载中的结构件与所述MOSFET的漏极相连，所述负载中的镀膜材料与所述MOSFET的源极相连；或者
当所述第二开关电路为绝缘栅双极型晶体管IGBT或IGBT模块时，所述负载中的结构件与所述IGBT或所述IGBT模块的集电极相连，所述负载中的镀膜材料与所述IGBT或所述IGBT模块的发射极相连。
10.一种应用权利要求7所述的电路进行镀膜的方法，其特征在于，所述方法包括：
所述PWM直流脉冲电路对所述负载供电，使得所述负载中镀膜材料的离子在电磁感应的作用下镀在所述负载中的结构件上；其中，所述PWM直流脉冲电路对所述负载供电的过程包括：
处于开通状态的所述第一开关电路接收所述控制电路提供的关断控制信号时，所述第一开关电路为零电压关断状态；所述电感电路、所述第一开关电路和所述第二开关电路产生谐振，使所述第二开关电路的电压下降至零；
处于关断状态的所述第二开关电路接收所述控制电路提供的开通控制信号时，所述第二开关电路为零电压开通状态，且所述第二开关电路的电压仍为零电压；
处于开通状态的所述第二开关电路接收所述控制电路提供的关断控制信号时，所述第二开关电路为零电压关断状态；所述电感电路、所述第一开关电路和所述第二开关电路产生谐振，使所述第一开关电路的电压下降至零；
处于关断状态的所述第一开关电路接收所述控制电路提供的开通控制信号时，所述第一开关电路为零电压开通状态。
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