CN103227419A - 基于ZnO纳米管/SiO2量子点泵浦随机激光发射器 - Google Patents

基于ZnO纳米管/SiO2量子点泵浦随机激光发射器 Download PDF

Info

Publication number
CN103227419A
CN103227419A CN2013101114109A CN201310111410A CN103227419A CN 103227419 A CN103227419 A CN 103227419A CN 2013101114109 A CN2013101114109 A CN 2013101114109A CN 201310111410 A CN201310111410 A CN 201310111410A CN 103227419 A CN103227419 A CN 103227419A
Authority
CN
China
Prior art keywords
quantum dot
zno
solution
layer
sio
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2013101114109A
Other languages
English (en)
Inventor
李岚
葛林
陈义鹏
王有为
石庆良
朱明雪
王浩
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tianjin University of Technology
Original Assignee
Tianjin University of Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tianjin University of Technology filed Critical Tianjin University of Technology
Priority to CN2013101114109A priority Critical patent/CN103227419A/zh
Publication of CN103227419A publication Critical patent/CN103227419A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

一种基于ZnO纳米管/SiO2量子点泵浦随机激光发射器,包括衬底、阳极层、无机发光层、缓冲层和阴极层并依次组成堆叠结构,所述衬底为玻璃或聚乙烯塑料透明衬底,阳极层为氧化铟锡、氧化锌铝或氧化锌镓,无机发光层为ZnO纳米管阵列,缓冲层的无机绝缘材料为SiO2,阴极层为锂、镁、铝、铜、金或银。本发明的优点:该激光发射器在较低电压下就能实现泵浦随机激光的发射,并且具有简单的制作工艺,制备成本较低,并且该发光器件为直流电压驱动,稳定性较高,功耗低,环保,在光电探测器、光学器件、激光二极管等方面就有潜在的应用。

Description

基于ZnO纳米管/SiO2量子点泵浦随机激光发射器
技术领域
本发明涉及一种泵浦随机激光发射器的制备,特别涉及一种基于ZnO纳米管/SiO2量子点泵浦随机激光发射器。 
背景技术
近年来半导体产业有了突飞猛进的发展,以光电探测器、光学器件、激光二极管等应用背景的光电子材料取得较大的进展。人们对短波光学器件和高频电子设备的需求日益增长,宽带隙半导体材料逐渐受到人们的关注,而价格低廉、无毒和可生物降解的宽带隙半导体ZnO具有很大的应用潜力,并且其在场效应管和场发射等方面体现出较优越的特性。 
ZnO是一种重要的半导体材料,常温下激子束缚能达到60mev,具有3.4eV的宽带隙,具有很好的热稳定性和特殊的力、光、电学性质,因此其在光学、电子学和发光二极管方面都有重要的应用,而管状或者中空的一维纳米结构的高孔隙度、高效性和活性逐渐受到人们的关注,现阶段ZnO纳米管通常通过热蒸发、微波等离子体沉积、有机金属气相沉积、热化学气相沉积或分子束外延等方法获得,这些制备ZnO纳米管的方法需要高温的实验条件和复杂的工艺过程,因此我们探索出一种简单的方法得到ZnO纳米管,并将SiO2量子点填充到ZnO纳米管中制作成器件,在较低的直流电压驱动下,得到了较稳定的泵浦随机激光的发射。此方法具有温度低、成本低和便于大面积生长等特点,并且能够满足新型设备和产业生产低成本大规模生产技术的要求。 
本器件是直流电压驱动,具有功耗低等优点。本发明应用无机纳米材料,稳定性好、工作寿命长。 
发明内容
本发明的目的是针对上述技术分析,提供一种基于ZnO纳米管/SiO2量子点泵浦随机激光发射器及其制备方法,以实现制备工艺简单、低压直流驱动正向偏压下实现电致发光的器件。 
本发明的技术方案: 
一种基于ZnO纳米管/SiO2量子点泵浦随机激光发射器,包括衬底、阳极层、无机发光层、缓冲层和阴极层并依次组成堆叠结构,所述衬底为透明衬底,阳极层为透明导电金属氧化物,无机发光层为ZnO纳米管阵列,缓冲层的无机绝缘材 料为SiO2。 
所述透明衬底为玻璃或聚乙烯塑料衬底。 
所述透明导电金属氧化物为氧化铟锡、氧化锌铝或氧化锌镓。 
所述阴极层的导电金属为锂、镁、铝、铜、金或银。 
一种所述基于ZnO纳米管/SiO2量子点泵浦随机激光发射器的制备方法,步骤如下: 
1)在透明衬底上涂阳极层,依次用洗洁精、去离子水、丙酮、异丙醇分别对阳极层进行超声清洗,然后放入真空度为-0.1Pa的真空干燥箱内充分干燥,干燥时间为60-90分钟,干燥温度为60-100℃; 
2)将乙酸锌和乙二醇甲醚配制成浓度为0.5mol/L的籽晶溶液,使用匀胶机将籽晶溶液旋涂在上述干燥好的透明衬底上,转速2000rpm,时间20s,然后放入400℃马弗炉中退火30分钟后取出; 
3)用去离子水分别配制浓度均为0.1mol/L的六次甲基四胺溶液和0.1mol/L硝酸锌溶液,将这两种溶液混合放入磁力搅拌器中,95℃下搅拌10分钟,得到混合溶液; 
4)将步骤2)中得到的衬底放入上述混合溶液中进行反应,反应时间3h,得到ZnO纳米棒; 
5)用去离子水配制0.1mol/L的KOH溶液,将上述ZnO纳米棒放入KOH溶液中浸蚀,浸蚀温度80℃,时间90min,待反应完成后取出,用去离子水清洗后,放入60℃干燥箱中烘干得到ZnO纳米管; 
6)将硅酸乙酯和无水乙醇混合,再加入质量百分比浓度为25%的氨水,反应30min后,用无水乙醇洗涤2-3次以去除杂质离子,得到饱和SiO2量子点溶液,硅酸乙酯、无水乙醇与氨水的体积比为1:50:10; 
7)用匀胶机在ZnO纳米管上旋涂SiO2量子点样品溶液,转速3000rpm,旋涂时间20秒钟,然后放入真空度为-0.1Pa的真空干燥箱中进行干燥,在90℃条件下烘干60分钟; 
8)用高精度多靶电子束蒸发系统制备阴极层,在1×10-5的真空条件下,以每秒
Figure BDA00002998097400021
的速率蒸镀,阴极层的厚度为100-150nm。 
本发明的优点:该激光发射器在较低电压下就能实现泵浦随机激光的发射,并且具有简单的制作工艺,制备成本较低,并且该发光器件为直流电压驱动,稳定性较高,功耗低,环保,在光电探测器、光学器件、激光二极管等方面就有潜在的应用。 
附图说明
图1为该激光发射器的结构示意图。 
图中:1.衬底2.阳极层3.无机发光层4.缓冲层5.阴极层 
图2为该激光发射器的发射光谱。 
具体实施方式
实施例: 
一种基于ZnO纳米管/SiO2量子点泵浦随机激光发射器,如附图所示,包括衬底1、阳极层2、无机发光层3、缓冲层4和阴极层5并依次组成堆叠结构,所述衬底为透明玻璃衬底,阳极层为氧化铟锡(ITO),无机发光层为ZnO纳米管阵列,缓冲层的无机绝缘材料为SiO2,阴极层为Al。 
所述基于ZnO纳米管/SiO2量子点泵浦随机激光发射器的制备方法,整个制备过程均在净化车间实施,步骤如下: 
1)在透明玻璃衬底上溅射阳极层氧化铟锡,依次用洗洁精、去离子水、丙酮、异丙醇分别对阳极层进行超声清洗,然后放入真空度为-0.1Pa的真空干燥箱内干燥,干燥时间为90分钟,干燥温度为80℃; 
2)将乙酸锌和乙二醇甲醚配制成浓度为0.5mol/L的籽晶溶液,使用匀胶机将籽晶溶液旋涂在上述透明玻璃衬底上,转速2000rpm,时间20s,然后放入400℃马弗炉中退火30分钟后取出; 
3)用去离子水配制浓度均为0.1mol/L的六次甲基四胺溶液和硝酸锌溶液,将这两种溶液混合放入95℃磁力搅拌器中搅拌10分钟,得到混合溶液; 
4)将步骤2)中得到的衬底放入上述混合溶液中进行反应,反应时间3h,得到ZnO纳米棒; 
5)用去离子水配制0.1mol/L的KOH溶液,将上述ZnO纳米棒放入KOH溶液中浸蚀,浸蚀温度80℃,时间90min,待反应完成后全取出,用去离子水清洗后,放入60℃干燥箱中烘干得到ZnO纳米管; 
6)将1ml硅酸乙酯和50ml无水乙醇混合,再加入10ml质量百分比浓度为25%的氨水反应30min后,用无水乙醇洗涤2次以去除杂质离子,得到饱和SiO2量子点溶液; 
7)使用匀胶机在ZnO纳米管上旋涂SiO2量子点样品溶液,转速3000rpm,旋涂时间20秒钟,然后放入真空干燥箱中进行干燥,在90℃条件下烘干60分钟; 
8)用高精度多靶电子束蒸发系统制备阴极层,在1×10-5的真空条件下,以每秒
Figure BDA00002998097400031
的速率蒸镀,Al电极的厚度为150nm,即可制得目标物。 
将制备的激光发射器,分别在ITO(氧化铟锡)电极层和铝阴极层施加正向电压时,得到了泵浦随机激光的发射现象,图2为该激光发射器的发射光谱。 

Claims (5)

1.一种基于ZnO纳米管/SiO2量子点泵浦随机激光发射器,其特征在于:包括衬底、阳极层、无机发光层、缓冲层和阴极层并依次组成堆叠结构,所述衬底为透明衬底,阳极层为透明导电金属氧化物,无机发光层为ZnO纳米管阵列,缓冲层的无机绝缘材料为SiO2。 
2.根据权利要求1所述基于ZnO纳米管/SiO2量子点泵浦随机激光发射器,其特征在于:所述透明衬底为玻璃或聚乙烯塑料衬底。 
3.根据权利要求1所述基于ZnO纳米管/SiO2量子点泵浦随机激光发射器,其特征在于:所述透明导电金属氧化物为氧化铟锡、氧化锌铝或氧化锌镓。 
4.根据权利要求1所述基于ZnO纳米管/SiO2量子点泵浦随机激光发射器,其特征在于:所述阴极层的导电金属为锂、镁、铝、铜、金或银。 
5.一种如权利要求1所述基于ZnO纳米管/SiO2量子点泵浦随机激光发射器的制备方法,其特征在于步骤如下: 
1)在透明衬底上涂阳极层,依次用洗洁精、去离子水、丙酮、异丙醇分别对阳极层进行超声清洗,然后放入真空度为-0.1Pa的真空干燥箱内充分干燥,干燥时间为60-90分钟,干燥温度为60-100℃; 
2)将乙酸锌和乙二醇甲醚配制成浓度为0.5mol/L的籽晶溶液,使用匀胶机将籽晶溶液旋涂在上述干燥好的透明衬底上,转速2000rpm,时间20s,然后放入400℃马弗炉中退火30分钟后取出; 
3)用去离子水分别配制浓度均为0.1mol/L的六次甲基四胺溶液和0.1mol/L硝酸锌溶液,将这两种溶液混合放入磁力搅拌器中,95℃下搅拌10分钟,得到混合溶液; 
4)将步骤2)中得到的衬底放入上述混合溶液中进行反应,反应时间3h,得到ZnO纳米棒; 
5)用去离子水配制0.1mol/L的KOH溶液,将上述ZnO纳米棒放入KOH溶液中浸蚀,浸蚀温度80℃,时间90min,待反应完成后取出,用去离子水清洗后,放入60℃干燥箱中烘干得到ZnO纳米管; 
6)将硅酸乙酯和无水乙醇混合,再加入质量百分比浓度为25%的氨水,反应30min后,用无水乙醇洗涤2-3次以去除杂质离子,得到饱和SiO2量子点溶液,硅酸乙酯、无水乙醇与氨水的体积比为1:50:10; 
7)用匀胶机在ZnO纳米管上旋涂SiO2量子点样品溶液,转速3000rpm,旋涂时间20秒钟,然后放入真空度为-0.1Pa的真空干燥箱中进行干燥,在90℃条件下烘干60分钟; 
8)用高精度多靶电子束蒸发系统制备阴极层,在1×10-5的真空条件下,以每秒
Figure FDA00002998097300011
的速率蒸镀,阴极层的厚度为100-150nm。 
CN2013101114109A 2013-04-01 2013-04-01 基于ZnO纳米管/SiO2量子点泵浦随机激光发射器 Pending CN103227419A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2013101114109A CN103227419A (zh) 2013-04-01 2013-04-01 基于ZnO纳米管/SiO2量子点泵浦随机激光发射器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2013101114109A CN103227419A (zh) 2013-04-01 2013-04-01 基于ZnO纳米管/SiO2量子点泵浦随机激光发射器

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN103227419A true CN103227419A (zh) 2013-07-31

Family

ID=48837751

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2013101114109A Pending CN103227419A (zh) 2013-04-01 2013-04-01 基于ZnO纳米管/SiO2量子点泵浦随机激光发射器

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103227419A (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104617484A (zh) * 2015-01-23 2015-05-13 浙江大学 一种基于ZnO薄膜的电抽运随机激光器
CN107069417A (zh) * 2017-05-08 2017-08-18 东南大学 一种基于二维材料的等离激元随机激光阵列器件
CN107221833A (zh) * 2017-05-08 2017-09-29 东南大学 一种基于等离激元纳米结构的可调谐随机激光阵列器件
CN108123357A (zh) * 2017-12-21 2018-06-05 东南大学 基于表面等离子体的量子点随机激光器及其制备方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005114282A2 (en) * 2004-05-13 2005-12-01 The Regents Of The University Of California Nanowires and nanoribbons as subwavelength optical waveguides and their use as components in photonic circuits and devices
CN101588021A (zh) * 2009-06-10 2009-11-25 浙江大学 一种硅基氧化锌纳米棒阵列电抽运随机激光器
CN101950793A (zh) * 2010-08-10 2011-01-19 电子科技大学 一种光电二极管及其制备方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005114282A2 (en) * 2004-05-13 2005-12-01 The Regents Of The University Of California Nanowires and nanoribbons as subwavelength optical waveguides and their use as components in photonic circuits and devices
CN101588021A (zh) * 2009-06-10 2009-11-25 浙江大学 一种硅基氧化锌纳米棒阵列电抽运随机激光器
CN101950793A (zh) * 2010-08-10 2011-01-19 电子科技大学 一种光电二极管及其制备方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
阮永丰等: "纳米氧化锌电致发光的研究进展", 《人工晶体学报》 *

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104617484A (zh) * 2015-01-23 2015-05-13 浙江大学 一种基于ZnO薄膜的电抽运随机激光器
CN104617484B (zh) * 2015-01-23 2017-06-20 浙江大学 一种基于ZnO薄膜的电抽运随机激光器
CN107069417A (zh) * 2017-05-08 2017-08-18 东南大学 一种基于二维材料的等离激元随机激光阵列器件
CN107221833A (zh) * 2017-05-08 2017-09-29 东南大学 一种基于等离激元纳米结构的可调谐随机激光阵列器件
CN107069417B (zh) * 2017-05-08 2020-02-18 东南大学 一种基于二维材料的等离激元随机激光阵列器件
CN108123357A (zh) * 2017-12-21 2018-06-05 东南大学 基于表面等离子体的量子点随机激光器及其制备方法
CN108123357B (zh) * 2017-12-21 2019-07-12 东南大学 基于表面等离子体的量子点随机激光器及其制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10784457B2 (en) Fabricating method of QLED device and QLED device
CN102610725B (zh) 一种半导体量子点发光二极管及其制备方法
CN105552185B (zh) 一种基于无机钙钛矿材料的全无机量子点发光二极管及其制备方法
CN103972416B (zh) 基于反向结构的半导体量子点发光二极管及其制备方法
WO2004013921A2 (en) Optoelectronic devices
CN108336244A (zh) 一种基于界面修饰的钙钛矿发光二极管及其制备方法
CN103227419A (zh) 基于ZnO纳米管/SiO2量子点泵浦随机激光发射器
CN111816794B (zh) 一种peie介入标准倒置qled器件及其制备方法
JP2019522367A (ja) 酸化ニッケル薄膜及びその製造方法、機能性材料、薄膜構造体の作製方法およびエレクトロルミネセンス素子
CN105140411A (zh) 不含ito的qled及其制备方法
CN105440230B (zh) 一种有机稀土固体胶束及其制备方法和提高太阳能电池光电转化效率的方法
CN107331775B (zh) 一种高质量电子传输层的钙钛矿太阳电池及其制备方法
CN108511616A (zh) 一种钙钛矿膜层及钙钛矿发光二极管器件的制备方法
CN102881841A (zh) 以铜/石墨烯复合电极为阳极的半导体光电器件
CN102185059A (zh) 一种可双向电压驱动无机量子点电致发光器件及制备方法
CN102569570A (zh) 一种近红外无机量子点电致发光器件及制备方法
CN104124317B (zh) 一种掺钕的无机电致红外发光器件及其制备方法
CN113249113A (zh) 一种钙钛矿量子点材料、制备方法及其应用
CN112349850A (zh) 无机半导体材料及其制备方法
CN111081885A (zh) 一种聚合物-金属螯合物阴极界面材料及其应用
Hu et al. Effects of organic acids modified ITO anodes on luminescent properties and stability of OLED devices
CN111490166B (zh) 一种基于聚合物空穴传输层的柔性钙钛矿光电探测器及其制备方法
CN102856509A (zh) 一种oled封装层及其oled器件和制备方法
KR20130123177A (ko) 초박형 에미터 접합층을 갖는 블랙 실리콘 태양전지 및 그 제조방법
KR20110036220A (ko) 태양전지 및 이의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20130731