CN103219954B - 放大器电路及改善放大器电路的动态范围的方法 - Google Patents

放大器电路及改善放大器电路的动态范围的方法 Download PDF

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Abstract

本发明实施例提供一种放大器电路及改善放大器电路的动态范围的方法，该放大器电路包括第一AB类放大器以及第二AB类放大器。第一AB类放大器用以接收输入信号，且放大该输入信号以产生第一输出信号，第二AB类放大器用以接收第一输出信号，且放大该第一输出信号以产生位于输出节点之上的最终输出信号。当输入信号之功率大于临界电平时，第二AB类放大器将在第一AB类放大器的开启期间位于一关闭状态，并且第一AB类放大器将在第二AB类放大器的开启期间位于关闭状态。本发明实施例能够明显增加该射频接收器系统的动态范围。

Description

放大器电路及改善放大器电路的动态范围的方法
【技术领域】
本发明是有关于放大器电路，尤其是关于一种放大器电路及改善放大器电路的动态范围的方法。
【背景技术】
射频接收器系统用以接收以及处理射频信号。射频接收器系统的天线用以接收射频信号。由天线所接收的信号包含目标信号成分(wantedsignalcomponent)以及阻塞信号成分(blockersignalcomponent)。目标信号成分由目标传输站(targettransmittingstation)所产生，阻塞信号成分同时被称为干扰信号成分(jammersignalcomponent)，其是由干扰站(jammingstation)所产生。一般而言，相较于阻塞信号成分的振幅(例如0dB)，目标信号成分具有较小的振幅(例如-99dB)。
天线所接收的阻塞信号(blockersignal)会造成处理目标信号的困难。当接收目标信号的同时伴随接收大阻塞信号时主要会产生三个问题。第一个问题是目标信号的增益会得到压缩。当阻塞信号的振幅太大时，放大器的电压余量(headroom)将不足以处理阻塞信号，使得目标信号的增益得以压缩；因此信号噪声比(SNR)也劣化了。第二个造成信号噪声比劣化的问题是相互混频噪声(reciprocalmixingnoise)。由于所接收的阻塞信号总是混合本地震荡(LO)信号的相位噪声，因而导致了额外的相互内频带(reciprocalin-band)噪声。第三个问题是内频带阻塞所导致的噪声。由于接收链(receivingchain)的有限线性，使得装置的噪声也混合于阻塞信号，其中一部分落入信号频带内而造成信号噪声比的劣化。
因此，射频接收器系统的设计者必须增加射频接收器系统的动态范围以提升效能。系统的动态范围指的是最大可允许的阻塞(例如0dBm)与目标信号(例如-99dBm)之间的比率。为了增加射频接收器系统的动态范围，该系统中增加了滤波器，用以自所接收的信号滤除阻塞信号成分。图1显示了射频接收器系统的部分结构示意图。在实施例中，射频接收器100包括一天线102、一声表面波(surfaceacousticwave；SAW)滤波器104、一低噪声放大器(LNA)106、一混合器108、一基频放大器110以及一模数转换器(ADC)。天线102接收射频信号以产生输入信号。声表面波滤波器104自输入信号滤除阻塞信号成分。因此，声表面波滤波器104之后的接收链不会受到阻塞信号的影响，从而提升了动态范围。然而，声表面波滤波器104会降低目标信号的电平，接收敏感度也因而降低，甚至增加了材料(BOM)成本。
如果自接收系统中移除声表面波滤波器104，则阻塞信号就直接由低噪声放大器106所接收。图2A为处理这些阻塞信号的传统低噪声放大器200A的电路示意图。在图2A中，晶体管M1与M2被偏压于弱反转区。因此，当接收到大阻塞信号时，低噪声放大器200A的作用类似于AB类放大器。这样的AB类低噪声放大器具有自偏压的特性，如同一般的AB类放大器。此AB类低噪声放大器的电流消耗会自动地依据阻塞信号的电平而调整。当所接收的阻塞信号较大时，其电流消耗也变得比较大，导致较大的增益，也就是增益扩展(gainexpansion)。该等增益扩展能够补偿放大器中其他节点(例如放大器的输出节点)的增益压缩。因此，能够在不增加平均电流的情况下提升动态范围。
虽然解决了动态范围以及输入级(即晶体管M1与M2)的电流补偿问题，仍需要负载电感Lload以增加其输出电压的余量，以防止对动态范围所造成的限制。但是，负载电感Lload会占据较大的芯片面积以及增加硬件消耗。该当负载电感Lload被替换为PMOS晶体管(如图2B所示的详细描述的传统AB类放大器)以降低芯片面积时，低噪声放大器200B的输出信号的电压摆幅电平得以降低，从而低噪声放大器200B对于处理具有高振幅的阻塞信号成分的输入信号会面临一定的难度。由于低电压源的原因，此状况在深次微米(submicron)技术中将更为严重。因此，射频接收器系统需要一种用以增加该射频接收器系统的动态范围的放大器电路。
【发明内容】
有鉴于此，本发明实施例提供一种放大器电路及改善放大器电路的动态范围的方法，以解决上述问题。
本发明提供一种放大器电路，包括第一AB类放大器，用以接收输入信号，且放大该输入信号以产生第一输出信号；以及第二AB类放大器，用以接收第一输出信号，且放大第一输出信号以产生位于输出节点的最终输出信号；其中当输入信号的功率大于临界电平时，第二AB类放大器将在第一AB类放大器的开启期间位于一关闭状态，以及第一AB类放大器将在第二AB类放大器的开启期间位于关闭状态。
本发明提供一种改善放大器电路的动态范围的方法，其中放大器电路包括第一AB类放大器以及第二AB类放大器，该方法包括第一AB类放大器放大输入信号以产生第一输出信号；第二AB类放大器放大第一输出信号以产生最终输出信号至输出节点；决定输入信号的功率是否大于临界电平；以及当输入信号的功率大于临界电平时，使得在第一AB类放大器被开启期间，维持第二AB类放大器位于关闭状态，以及使得在第二AB类放大器被开启期间，维持第二AB类放大器位于关闭状态。
本发明实施例的放大器电路及改善放大器电路的动态范围的方法，能够明显增加该射频接收器系统的动态范围。
【附图说明】
图1为射频接收器系统的部分结构示意图；
图2A为传统的低噪声放大器的电路示意图；
图2B为传统的AB类放大器的电路示意图；
图3为流经AB类放大器的电流电平的示意图；
图4A为本发明所揭露的用以接收小振幅输入信号的两个AB类放大器的结构图；
图4B与图4C分别为本发明所揭露的用以接收大阻塞信号的两个AB类放大器的结构示意图；
图5为本发明所揭露的放大器电路的电路示意图；
图6为图5所示的放大器电路在接收小输入信号时的电流流向示意图；
图7A为图5所示的放大器电路在接收大阻塞信号时的电流流向示意图；
图7B为图5所示的放大器电路在接收大阻塞信号时的小信号路径示意图；
图8A为图5所示的放大器电路所输出的阻塞信号的电压摆幅示意图；
图8B为图5所示的放大器电路所放大的小目标信号输出的电压摆幅示意图；
图9A为本发明放大器电路的第二个实施例的电路示意图；
图9B为本发明中放大器电路的第三个实施例的电路示意图。
【具体实施方式】
在说明书及后续的权利要求当中使用了某些词汇来指称特定的元件。本领域技术人员应可理解，制造商可能会用不同的名词来称呼同样的元件。本说明书及后续的权利要求并不以名称的差异来作为区分元件的方式，而是以元件在功能上的差异来作为区分的准则。在通篇说明书及后续的权利要求项当中所提及的「包含」为一开放式的用语，故应解释成「包含但不限定于」。另外，「耦接」一词在本文中应解释为包含任何直接及间接的电气连接手段。因此，若文中描述第一装置耦接于第二装置，则代表该第一装置可直接电气连接于该第二装置，或通过其他装置或连接手段间接地电气连接至该第二装置。
本说明书的实施例的最佳构想的细节描述如下。描述的目的在于说明本发明所揭露的一般原则，并未局限本发明的范围。本发明范围的最佳参考应参考权利要求概括的范围。
图3显示了流经AB类放大器的电流电平示意图。AB类放大器的平均电流随着输入信号的振幅而改变。当输入信号具有小振幅时，AB类放大器的操作如同A类放大器，以固定增益放大输入信号而得到输出信号，并且其平均电流相等于偏压电流。举例而言，AB类放大器以-15dBm的功率电平放大一阻塞信号，获得如图3所示的输出的波形302。当输入信号具有大的振幅时，在输入信号的波循环周期的特定相位范围中，AB类放大器会被开启而放大输入信号，以及在输入信号的波循环周期的其余相位范围，该AB类放大器会被关闭。此外，在此情形下，其平均电流高于偏压电流。举例来说，如图3的波形304所示，当阻塞信号的功率电平是0dBm时，在AB类放大器的关闭期间中，该AB类放大器会放大具有上升电流消耗的阻塞信号，而在AB类放大器的关闭期间中就不会放大阻塞信号。因此，AB类放大器会依据输入信号的波循环周期的相位而处于开启状态或是关闭状态。
于一实施例中，本发明的放大器电路包括耦接至单一信号路径的两个AB类放大器，以及两个串接的AB类放大器。放大器电路可为一基频放大器电路，用以放大基频信号，或是一射频电路，用以放大射频信号。于一实施例中，放大电路被使用于低SAW(SAW-less)的接收器系统。图4A显示本发明所揭露的用以接收小振幅输入信号的两个AB类放大器的结构示意图。由于两个AB类放大器的操作皆如同A类放大器，第一AB类放大器与第二AB类放大器一直处于开启状态，皆用以放大输入信号；因此，输入信号能够被成功地放大为输出信号。图4B、4C分别本发明所揭露的用以接收大阻塞信号的两个AB类放大器的结构示意当接收器系统接收大的阻塞信号时，AB类放大器会依据大的阻塞信号的相位，而位于开启状态或是关闭状态。在大阻塞信号的正波形循环中，第二AB类放大器位于开启状态，但第一AB类放大器则处于关闭状态。因此，输入信号被第一AB类放大器所阻塞，没有输出信号。在大阻塞信号的负波形循环中，第一AB类放大器位于开启状态，但第二AB类放大器则位于关闭状态。因此，输入信号被第二AB类放大器所阻塞，没有输出信号。总言之，路径在小的输入信号时被开启以及放大输入信号为输出信号，但在大的输入信号时则被关闭。如果该路径被安插于放大器中，就能在小的输入信号时提供部分增益，在大的输入信号时被关闭。因此，在此状况下，将没有阻塞信号而只有目标信号，即在小信号时，一路径提供了部分增益。然而，在接收大阻塞信号(例如0dBm)的状况下，即大信号的状况下，路径会被关闭；也就是说，放大器的增益自动地降低了。因此，舒缓了对于放大器输出余量(headroom)的要求。进一步来看，由于较小的增益导致较小的输出阻塞，相互混频噪声与封锁器产生的噪声都比较小，使得放大器能够处理较大的阻塞信号，并且其动态范围能够明显地改善。
图5为本发明所揭露实施例的放大器电路500的电路示意图。放大器电路包括两个PMOS晶体管M11与M21，以及四个NMOS晶体管M31、M41、M32与M42。PMOS晶体管M11耦接于退化电感(degenerationinductor)(非必要)以及节点511之间，并且其栅极通过电容521耦接至输入信号。PMOS晶体管M21耦接于节点511以及输出节点OUT之间，其栅极耦接至偏压电压VB1。NMOS晶体管M31耦接于节点513以及输出节点OUT之间，其栅极耦接至偏压电压VB2。NMOS晶体管M41耦接于节点513以及退化电感(非必要)之间，并且其栅极通过电容522耦接至输入信号。NMOS晶体管M32耦接于节点511以及节点512之间，其栅极耦接至偏压电压VB2。NMOS晶体管M42耦接于节点512以及退化电感(未显示)之间，并且其栅极通过电容522耦接至输入信号。放大器电路500包括第一AB类放大器502以及第二AB类放大器501。在一实施例中，第二AB类放大器501为PMOS晶体管M21，第一AB类放大器502为NMOS晶体管M32。需要注意的是，耦接于电压源VDD与节点511之间的退化电感，以及耦接于NOMS晶体管M41与接地GND之间的退化电感，是用于低噪声放大器的输入匹配。在一实施例中，退化电感可自放大器电路500之中移除。也就是说，无论是否具有退化电感，放大器电路500均能够正常地操作。
图6为放大器电路500接收小的输入信号时的电流流向示意图。在实施例中，小的输入信号不包括阻塞信号成分。由于输入信号的低振幅，所有晶体管M11、M21、M31、M41、M32与M42皆被开启。当小的输入信号的电压电平降低时，PMOS晶体管M11的源栅极电压VSG就会增加，因此流经PMOS晶体管M11的电流IS1就会增加。同样地，当小的输入信号的电压电平降低时，NMOS晶体管M41与M42的栅源极电压VGS就会降低，因此流经NMOS晶体管M42与M41的电流IS2与IS3就会增加。电流IS2的主要部分流经PMOS晶体管M21，电流IS2的少部分流经PMOS晶体管M11而成为漏极电流。因此，相较于传统的放大器电路，此放大器电路的增益些微降低。也就是说，在放大器电路500之中，第一AB类放大器502接收输入信号，放大该输入信号以产生第一输出信号(即电流IS2的主要部分)，并且第二AB类放大器501接收该第一输出信号，放大该第一输出信号以产生输出节点OUT上的最终输出信号。
图7A为放大器电路500接收大的阻塞信号时的操作示意图。当放大器电路500的输入信号包括阻塞信号，且该阻塞信号具有大于临界电平的大振幅时，PMOS晶体管M21以及NMOS晶体管M31与M32作为开关的用途。当所输入的阻塞信号的电压电平增加超过临界电平时，PMOS晶体管M21的源栅极电压VSG就会降低，使得PMOS晶体管M21被关闭；以及NMOS晶体管M32与M31的栅源极电压VGS就会增加，使得NMOS晶体管M32与M31被开启。因此，在所输入的阻塞信号的正波形循环区间，PMOS晶体管M21被关闭，NMOS晶体管M31与M32则被开启，使得第一AB类放大器502位于开启状态，而第二AB类放大器501位于关闭状态。当所输入的阻塞信号的电压电平降低且低于临界电平时，PMOS晶体管M21的源栅极电压VSG就会增加，使得PMOS晶体管M21被开启；以及NMOS晶体管M32与M31的栅源极电压VGS就会降低，使得NMOS晶体管M32与M31被关闭。因此，在所输入的阻塞信号的负波形循环区间，PMOS晶体管M21被开启，NMOS晶体管M31与M32则被关闭，使得第一AB类放大器502位于关闭状态，而第二AB类放大器501位于开启状态。由于第一AB类放大器502与第二AB类放大器501其中之一者会处于开启状态，使得来自NMOS晶体管M42的电流无法流到输出节点。因此，当接收到大的阻塞信号时，该阻塞增益会比接收到小的阻塞信号时来得小。
图7B为放大器电路500接收大的阻塞信号时的小信号路径(即目标信号路径)示意图。由于当PMOS晶体管M21被开启时，NMOS晶体管M32会被关闭，当NMOS晶体管M32被开启时，PMOS晶体管M21会被关闭，使得NMOS晶体管M42所产生的小信号电流无法流到输出节点。因此，NMOS晶体管M32与M42的小信号路径等同于被关闭。输出的小信号仅只是来自PMOS晶体管M11的电流ISA与来自NMOS晶体管M41的电流ISB的结合。这意味着当接收到大的阻塞信号时，小信号的增益会降低。然而，如图7A所示，由于在大的阻塞信号时的阻塞增益比较小，输出节点的大阻塞摆幅也会比传统AB类放大器来得小，因此相较于传统AB类放大器，放大器电路的输出节点的增益压缩也比较小。在最糟糕的情况下，例如阻塞功率大于0dBm时，由于较小的增益压缩，图7B所示电路的小信号增益反而会大于传统AB类放大器。
图8A为放大器电路500所输出的阻塞信号的电压摆幅示意图。实线为所输入的阻塞信号在-40dBm到10dBm区间时，放大器电路500所输出的阻塞信号的电压摆幅。虚线为相较于本发明所揭露的放大器电路500，传统的AB类放大器所输出的阻塞信号的电压摆幅。当所输入的阻塞信号的功率增加时，放大器电路500的输出的阻塞摆幅也会增加。然而，放大器电路500的输出阻塞摆幅小于传统放大器的输出摆幅。由于所输入的阻塞信号导致了相互混频信号与封锁器所造成的噪声，当降低放大阻塞信号的摆幅时，输出信号的噪声电平也降低了。进一步来说，当阻塞信号够大时，例如大于0dBm，则增益压缩成为影响小信号增益的关键因素。在本发明中，由于较小的输出阻塞摆幅，增益压缩也小得多，使得相较于传统的AB类低噪声放大器，此区域的小信号增益比较大。因此，相较于传统的AB类放大器，本发明所揭露的放大器电路500的动态范围获得改善。放大器电路500的效能因而优于传统AB类放大器的效能。
图8B为放大器电路500所放大的小目标信号输出(当输入信号为-99dBm)的电压摆幅示意图。实线为所输入的阻塞信号在-40dBm到10dBm区间时，放大器电路500放大小目标信号的电压摆幅。虚线为相较于本发明所揭露的放大器电路500的增益之下的传统的AB类放大器的增益。当所输入的阻塞信号的功率等于-12dBm时，放大器电路500之中由NMOS放大器(即NMOS晶体管)M32与M42所组成的小信号路径被关闭，而将小目标信号放大的放大器电路500的增益被降低为-65dBm。当所输入的阻塞信号的功率大于-2dBm时，放大小目标信号的放大器电路500的增益会大于传统AB类放大器的增益。因此，放大器电路500的效能优于传统放大器的效能。
图9A为本发明所揭露的第二个实施例的放大器电路900的电路示意图。放大器电路900具有与图5所示的放大器电路500类似的电路结构。放大器电路900包括PMOS晶体管M11、M21、M9A与M9B以及NMOS晶体管M31与M41。PMOS晶体管M11与M21、以及NMOS晶体管M31与M41分别串接于电压源VDD与接地GND之间。相较于图5所示的放大器电路500，放大器电路900移除了NMOS晶体管M32与M42，且增加了两个额外的PMOS晶体管M9A与M9B。PMOS晶体管M9A与M9B串接于PMOS晶体管M11的源极以及NMOS晶体管M31的源极之间。PMOS晶体管M9A的栅极耦接至PMOS晶体管M11的栅极，PMOS晶体管M9B的栅极耦接至于PMOS晶体管M21的栅极。因此，放大器电路900具有与图5所示的放大器电路500类似的功能与操作。
图9B为本发明所揭露的第三个实施例的放大器电路950的电路示意图。放大器电路900具有与图5所示的放大器电路500类似的电路结构。放大器电路900包括PMOS晶体管M11、M21、M9A与M9B以及NMOS晶体管M31、M41、M32与M42。PMOS晶体管M11与M21、以及NMOS晶体管M31与M41串接于电压源VDD与接地GND之间。相较于图5所示的放大器电路500，放大器电路950增加了两个额外的PMOS晶体管M9A与M9B。PMOS晶体管M9A与M9B串接于PMOS晶体管M11的源极以及NMOS晶体管M31的源极之间。PMOS晶体管M9A的栅极耦接至PMOS晶体管M11的栅极，PMOS晶体管M9B的栅极耦接于PMOS晶体管M21的栅极。NMOS晶体管M32与M42串接于PMOS晶体管M21的源极以及NMOS晶体管M41的源极之间。NMOS晶体管M32的栅极耦接于NMOS晶体管M31的栅极，NMOS晶体管M42的栅极耦接至NMOS晶体管M41的栅极。因此，放大器电路950具有与图5所示的放大器电路500类似的功能与操作。
在一些实施例中，放大器电路500也能以多级来实现，即所串接的AB类放大器超过两级。在此类实施例中，单一信号循环之中至少有一个串接的AB类放大器被关闭，即操作原则等同于二级的状况(即放大器电路500)。虽然以上只说明单一端点的放大器，应注意的是本领域技术人员能轻易地扩展应用于差动放大器，为求简化而省略其操作与电路示意图。
虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，本领域任何技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可做些许更动与润饰，因此本发明的保护范围当视本发明的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (14)

1.一种放大器电路，其特征在于，包括：
第一AB类放大器，用以接收输入信号，且放大该输入信号以产生第一输出信号；以及
第二AB类放大器，用以接收该第一输出信号，且放大该第一输出信号，以于输出节点产生最终输出信号；
其中当该输入信号的功率大于临界电平时，该第二AB类放大器会在该第一AB类放大器的开启期间处于关闭状态，以及该第一AB类放大器会在该第二AB类放大器的开启期间处于关闭状态。
2.如权利要求1所述的放大器电路，其特征在于，当该输入信号的功率小于该临界电平时，该第一AB类放大器以及该第二AB类放大器均处于开启状态以放大该输入信号。
3.如权利要求1所述的放大器电路，其特征在于，该第一AB类放大器包括：
第一PMOS晶体管，耦接于电压源以及第一节点之间，并具有一栅极，该栅极通过第一电容接收该输入信号；以及
第二PMOS晶体管，耦接于该第一节点以及该输出节点之间，并具有一栅极，该栅极耦接至第一偏压电压。
4.如权利要求3所述的放大器电路，其特征在于，该第二AB类放大器包括：
第一NMOS晶体管，耦接于该第一节点与第二节点之间，并具有一栅极，该栅极耦接至第二偏压电压；以及
第二NMOS晶体管，耦接于该第二节点以及接地之间，并具有一栅极，该栅极通过第二电容耦接至该输入信号。
5.如权利要求4所述的放大器电路，其特征在于，还包括：
第三NMOS晶体管，耦接于该输出节点与第三节点之间，并具有一栅极，该栅极耦接至该第二偏压电压；以及
第四NMOS晶体管，耦接于该第三节点以及该接地之间，并具有一栅极，该栅极通过该第二电容耦接至该输入信号。
6.如权利要求5所述的放大器电路，其特征在于，当该输入信号的功率大于该临界电平时，若该第二PMOS晶体管被开启，则该第一NMOS晶体管以及该第三NMOS晶体管均被关闭，以及若该第二PMOS晶体管被关闭，则该第一NMOS晶体管以及该第三NMOS晶体管均被开启。
7.如权利要求1所述的放大器电路，其特征在于，该输入信号为一射频信号或是一基频信号，以及该放大器电路为一射频放大器或是一基频放大器。
8.如权利要求1所述的放大器电路，其特征在于，该放大器电路使用于一低SAW接收器系统。
9.一种改善放大器电路的动态范围的方法，其特征在于，该放大器电路包括第一AB类放大器以及第二AB类放大器，该方法包括：
藉由该第一AB类放大器放大输入信号，以产生第一输出信号；
藉由该第二AB类放大器放大该第一输出信号，以产生最终输出信号至输出节点；
判断该输入信号的功率是否大于一临界电平；以及
当该输入信号的功率大于该临界电平时，使得在该第一AB类放大器被开启期间，维持该第二AB类放大器处于关闭状态，以及使得在该第二AB类放大器被开启期间，维持该第二AB类放大器处于关闭状态。
10.如权利要求9所述的改善放大器电路的动态范围的方法，其特征在于，当该输入信号的功率小于该临界电平时，使得该第一AB类放大器以及该第二AB类放大器均处于开启状态以放大该输入信号。
11.如权利要求9所述的改善放大器电路的动态范围的方法，其特征在于，该第一AB类放大器包括：
第一PMOS晶体管，耦接于电压源以及第一节点之间，并具有一栅极，该栅极通过第一电容接收该输入信号；以及
第二PMOS晶体管，耦接于该第一节点以及输出节点之间，并具有一栅极，该栅极耦接至第一偏压电压。
12.如权利要求11所述的改善放大器电路的动态范围的方法，其特征在于，该第二AB类放大器包括：
第一NMOS晶体管，耦接于该第一节点与第二节点之间，并具有一栅极，该栅极耦接至第二偏压电压；以及
第二NMOS晶体管，耦接于该第二节点以及接地之间，并具有一栅极，该栅极通过第二电容耦接至该输入信号。
13.如权利要求12所述的改善放大器电路的动态范围的方法，其特征在于，该放大器电路还包括：
第三NMOS晶体管，耦接于该输出节点与第三节点之间，并具有一栅极，该栅极耦接至该第二偏压电压；以及
第四NMOS晶体管，耦接于该第三节点以及该接地之间，并具有一栅极，该栅极通过该第二电容耦接至该输入信号。
14.如权利要求13所述的改善放大器电路的动态范围的方法，其特征在于，该方法还包括：
当该输入信号的功率大于该临界电平时，在该第二PMOS晶体管被开启时，关闭该第一NMOS晶体管以及该第三NMOS晶体管，以及在该第二PMOS晶体管被关闭时，开启该第一NMOS晶体管以及该第三NMOS晶体管。
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