CN103188850A - 交流电直接驱动的白光led发光装置 - Google Patents

交流电直接驱动的白光led发光装置 Download PDF

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Abstract

本发明涉及白光LED(发光二极管)发光装置。针对现有技术交流电直接驱动LED发光装置造成的发光闪烁的缺点,公开了一种交流电直接驱动的白光LED发光装置,配合发光寿命可控LED构成的LED模组,能够利用LED发光余辉进一步克服交流电引起的LED闪烁现象,并提高LED发光装置的效率,延长LED的使用寿命。本发明的LED发光装置电路,由n级LED模组级联构成,通过采样单元适当预置每一级LED模组对应开关单元的关断和接通电压,可以避免交流电压波动的时候出现闪烁现象。特别是采用发光寿命可控LED,进一步克服了闪烁现象。随着LED模组数量的增加,效果更加明显。

Description

交流电直接驱动的白光LED发光装置
技术领域
本发明涉及白光LED(发光二极管)发光装置,特别涉及白光LED发光装置的交流电直接驱动技术。
背景技术
LED作为一种新型固态光源,以其节能、环保、寿命长等优点有望成为新一代照明光源。众所周知,现有LED几乎都是用直流电驱动的,而我们的生产生活用电却是交流电。因此,在目前使用的LED产品中,需要一个电源转换器,将交流电转换为直流电。电源转换器的引入,带来很多负面效应。其一,电源转换器的寿命远远低于LED自身的寿命,使得照明装置的使用寿命变短;其二,电源转换器会降低发光装置的效率;其三,在小功率应用中,电源转换器会引起功率因数的下降和电流总谐波失真的增加。为了充分发挥半导体照明的优势,可以用交流电直接驱动的LED发光装置成为当前的研究热点。
在已有的交流LED公开技术中,大多是使用多颗LED组件按照反向并联或者桥式整流的电路拓扑结构连接而成,以满足交流电力的驱动要求。但是,交流电是按照一定的频率周期性波动的,由于LED自身开启电压的存在,在瞬时电压超过开启电压时,LED才会导通并发光。反之,LED是截止不发光的。这种电路使得LED的发光效率很低,并且随着交流电压波动出现发光闪烁现象。
国际专利WO 2004/023568A1“LIGHT-EMITTING DEVICE HAVING LIGHT-EMITTINGELEMENTS”中,提出了在蓝宝石衬底上集成LED芯片阵列,从而提供一种交流电力驱动的发光装置,但没有解决LED的发光闪烁问题。
美国专利US 7,489,086 B2“AC LIGHT EITTING DIODE AND AC LED DRIVE METHODS ANDAPPARATUS”提供了一种交流LED器件,该发明是一种将多个LED集成封装的器件,利用人眼的视觉暂留效应来弥补交流电引起的LED发光闪烁现象。该专利没有从根本上解决交流电压周期性波动造成的发光闪烁现象。
可见,在已公开LED交流驱动技术中,都存在一个缺点:LED的驱动电流会随着交流电压的波动而波动,导致LED发光时出现亮度变化,产生发光闪烁的现象。同时,LED器件的核心是一个PN结二极管,其I-V特性为近似的指数函数,当LED两端的电压大于开启电压后,流过PN结的电流呈指数增长。现有技术的交流驱动方法,当交流电压意外升高时,可能直接损坏LED器件。
发明内容
本发明所要解决的技术问题,就是针对现有技术交流电直接驱动LED发光装置造成的发光闪烁的缺点,提供一种交流电直接驱动的白光LED发光装置,配合发光寿命可控LED构成的LED模组,能够利用LED发光余辉进一步克服交流电引起的LED闪烁现象,并提高LED发光装置的效率,延长LED的使用寿命。
本发明解决所述技术问题,采用的技术方案是,交流电直接驱动的白光LED发光装置,包括交流输入端、保护单元和整流单元,其特征在于,所述整流单元的第一输出端通过n个LED模组和一个开关单元连接到第二输出端,其中n≥1,且为整数;当n≥2时,每两个LED模组之间还有开关单元构成的通道与第二输出端连接,每一个开关单元都与采样单元连接;
所述交流输入端用于连接交流电,为装置提供工作电流;
所述保护单元与交流输入端连接,为装置提供保护功能;
所述整流单元与保护单元连接,对保护单元输出的交流电进行整流;
所述采样单元用于对整流单元的输出电压进行采样,并输出控制信号;
所述开关单元与采样单元连接,根据采样单元输出的控制信号关断或接通;
所述LED模组由LED阵列组成,所述阵列中的LED为发光寿命可控的LED。
本发明的LED发光装置电路,由n级LED模组级联构成,通过采样单元适当预置每一级LED模组对应开关单元的关断和接通电压,可以避免交流电压波动的时候出现闪烁现象。特别是采用发光寿命可控LED,进一步克服了闪烁现象。随着LED模组数量的增加,相当于降低了每一级LED模组的导通电压,提高了电源的利用率。多级LED模组应用时,当交流电压波动时,每个LED模组受到的影响相对采用单个模组的影响更小,LED工作的稳定性也更好,更可靠,抗交流电压波动的能力更强。特别是采用发光寿命可控LED构成LED模组,能够利用LED发光余辉进一步克服交流电引起的LED闪烁现象,并提高LED发光装置的效率,延长LED的使用寿命。
进一步的,所述发光寿命可控的LED发光寿命为1~100ms。
LED发光寿命的延长,有利于克服闪烁现象。
更进一步的,所述发光寿命为10~30ms。
该范围的发光寿命时间与交流电周期匹配,可以恰到好处地发挥其余辉优势,并且技术上更容易实现,成本也更低。
进一步的,所述LED阵列由布置在同一印制电路板上的至少1个LED构成,或者集成封装在同一基板上的至少1个LED构成,或者集成在同一半导体衬底上的至少1个LED构成。
将LED模组中所有的LED布置在同一印制电路板上,是目前工艺条件下最简单最经济的封装方法;或者将LED模组中所有的LED集成封装在同一基板上,即将LED模组中所有的LED进行二次封装,集成在同一散热基板上;或者集成在同一半导体衬底上,这是采用半导体集成电路工艺,在同一半导体基片上实现LED的集成。这些技术还可以将各个LED模组中的LED交错布置,提高照明装置发光亮度的均匀性,并有利于克服闪烁现象,LED封装布线也更方便。
具体的,所述LED并联和/或串联连接。
LED模组中LED适当的连接组合,如并联、串联或混联等,更能够适应交流电直接驱动的使用环境,方便地调整各个LED模组的电流、电压参数。
具体的,所述保护单元包括保险丝和/或压敏电阻,所述保险丝串联在交流输入端,所述压敏电阻并联在交流输入端。
保险丝是常用的限流保护元件,压敏电阻则是常用的限压保护元件,他们的组合可以完成最基本的限流和限压保护,并且成本低,安装方便,便于进行二次集成。
进一步的,所述保护单元还包括共模扼流圈和/或气体放电管,所述共模扼流圈串联在交流输入端,所述气体放电管并联在交流输入端。
增加共模扼流圈和气体放电管,共模扼流圈可以抑制共模干扰,气体放电管可以保护照明装置不被雷电等伤害。
具体的,所述整流单元由整流二极管组成的全波整流或半波整流电路构成。
采用整流二极管作为整流元件,体积小重量轻,便于二次集成封装。
具体的,所述采样单元由电阻网络构成。
电阻网络非常适合采集直流参数,便于设定开关单元动作点。
具体的,所述开关单元由晶体管,所述晶体管控制极与采样单元连接。
晶体管作为开关元件,具有控制容易,无触点,长寿命的特点。
更具体的,所述开关单元由晶体管构成,所述晶体管控制极与采样单元连接。
晶体管开关元件,技术成熟,反应灵敏,动作可靠。
具体的,所述晶体管为场效应晶体管或双极型晶体管,所述控制极为场效应晶体管的栅极或双极型晶体管的基极。
晶体管开关元件,技术成熟,反应灵敏,动作可靠。
本发明的有益效果是,使用交流电力直接驱动LED模组,电路简单,体积小、重量轻,成本低。通过预置适当的关断电压,特别是配合发光寿命可控LED,实现交流电力直接驱动LED发光装置在交流电压波动的时候不会闪烁。在交流电瞬时电压过高时,开关单元关断,LED模组不发光,提高了电源的利用效率,降低了电力损耗。同时,也避免LED模组因电流过大而烧毁的情况,延长了装置的使用寿命。通过预置适当的关断电压,实现交流电力直接驱动LED装置,在交流电压波动的时候不会闪烁。特别是采用发光寿命可控LED构成LED模组,能够利用LED发光余辉进一步克服交流电引起的LED闪烁现象,并提高LED发光装置的效率,延长LED的使用寿命。
附图说明
图1是实施例1的结构框图;
图2是实施例1的电路原理图;
图3是实施例2的结构框图;
图4是实施例3的结构客体;
图5是实施例3的电路原理图。
具体实施方式
下面结合附图及实施例,详细描述本发明的技术方案。
发光寿命可控LED,是指发光寿命为1~100ms的LED。根据发光学定义,发光寿命为发光强度降到激发时最大强度的1/e所需的时间。
本发明中发光寿命可控LED,含有一种或多种无机和/或有机发光材料的组合。比如:CaS:Eu;CaS:Bi,Tm;ZnS:Tb;CaSrS2:Eu,Dy;SrGa2S4:Dy;Ga2O3:Eu;(Y,Gd)BO3:Eu3+;Zn2SiO4:Mn2+;YBO3:Tb3+;Y(V,P)O4:Eu3+;SrAl2O4:Eu2+;SrAl2O4:Eu2+,B;SrAl2O4:Eu2+,Dy3+,B;BaAl2O4:Eu2+;CaAl2O4:Eu2+;Sr3SiO5:Eu2+,Dy3+;BaMgAl10O17:Eu2+,Mn2+;Tb(acac)2(AA)phen;Y2O2S:Eu3+,Y2SiO5:Tb3+;SrGa2S4:Ce3+;Y3(Al,Ga)5O12:Tb3+;Ca2Zn4Ti15O36:Pr3+;CaTiO3:Pr3+;Zn2P2O7:Tm3+;Ca2P2O7:Eu2+,Y3+;Sr2P2O7:Eu2+,Y3+;Lu2O3:Tb,Sr2Al6O11:Eu2+;Mg2SnO4:Mn2+;CaAl2O4:Ce3+,Tb3+;Sr4Al14O25:Tb3+;Ca10(PO4)6(F,Cl):Sb,Mn;Sr2MgSi2O7:Eu2+;Sr2CaSi2O7:Eu2+;Zn3(PO4)2:Mn2+,Ga3+;CaO:Eu3+;Y2O2S:Mg2+,Ti3+;Y2O2S:Sm3+;SrMg2(PO4)2:Eu2+,Gd3+;BaMg2(PO4)2:Eu2+,Gd3+;Zn2SiO4:Mn,As;KLaF4:Er;CdSiO3:Dy3+;MgSiO3:Eu2+,Mn2+中的一种或多种。
本发明的交流电直接驱动的白光LED发光装置,包括交流输入端、保护单元、整流单元、采样单元、开关单元和n个LED模组,其中n≥1,且为整数。本发明发光装置中,整流单元的第一输出端(一般为直流输出正端)通过n个LED模组和一个开关单元连接到第二输出端(直流输出负端)。当LED模组数量超过2个时,每两个LED模组之间还有开关单元构成的通道与第二输出端连接。每一个开关单元都与采样单元连接,受其控制。本发明的LED发光装置电路,由n级LED模组级联构成,通过采样单元适当预置每一级LED模组对应开关单元的关断和接通电压,可以避免交流电压波动的时候出现闪烁现象。增加LED模组的数量,相当于降低了每一级LED模组的导通电压,提高了电源的利用率。多级LED模组应用时,当交流电压波动时,每个LED模组受到的影响相对采用单个模组的影响更小,LED工作的稳定性也更好,更可靠,抗交流电压波动的能力更强。配合发光寿命可控LED构成的LED模组,能够利用LED发光余辉进一步克服交流电引起的LED闪烁现象,并提高LED发光装置的效率,延长LED的使用寿命。本发明中,LED发光余辉与电路优势结合,效果明显。
实施例1
参见图1和图2,本例发光装置包括交流输入端1、保护单元2、整流单元3、采样单元4、开关单元6和LED模组5,本例LED模组5的数量为1(即n=1)。本例整流单元的第一输出端为直流输出正端31,该正端31通过LED模组5开关单元6连接到第二输出端直流输出负端32。参见图1。交流输入端1与交流电L端(相线)和N端(零线)连接,将交流电引入保护单元2。保护单元2对整个装置提供基本的保护功能,由压敏电阻VR和保险丝F构成,保险丝F串联在相线上,压敏电阻并联在相线和零线之间,见图2。对于应用于特殊环境的,保护单元2还可包括共模扼流圈以及气体放电管。共模扼流圈串联在相线和零线上,气体放电管一般并联在相线和零线之间。本例整流单元3由整流二极管构成的全波整流电路D组成,对交流电进行全波整流。本例电压采样单元4,由采样电阻R1和R2组成的电阻网络构成,通过采样整流电路D输出的直流电压,控制开关单元6。如图2所示。本例开关单元6由MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管,简称场效应管)M1和M2及稳压二极管DZ1、DZ2、电阻R3、R4和R5构成。本例LED模组5由多颗串联、并联或者混联的LED组成的阵列构成,可以是布置在同一印制电路板上的多个LED,或者集成封装在同一散热基板上的多个LED,又或者集成在同一半导体衬底上的多个LED构成的集成电路。
当交流电的瞬时电压达到LED模组5的开启电压时,开关单元6在采样单元4的驱动下导通,LED模组5开始发光;当交流电的瞬时电压超过预设的关断电压时,开关单元6关断,LED模组5停止发光;当交流电出现波动时,在正常的工作电压范围以内,即在LED模组5的开启电压与预设的关断电压之间时,发生变化的只是开关单元6的导通和关断的时间点,LED模组5的发光不会闪烁。
如图2所示,整流电路D输出正端和电阻R1的一端连接,同时连接到LED模组的正端,整流电路D的输出负端作为地。电阻R1的另一端与电阻R2的一端、稳压二极管DZ1的负端、电阻R3的一端连接;电阻R3的另一端与场效应管M1的栅极连接,场效应管M1的漏极、电阻R4的一端、电阻R5的一端、稳压二极管DZ2的负端连接。电阻R5的另一端与场效应管M2的栅极连接,场效应管M2的漏极、电阻R4的另一端、LED模组的负端连接。电阻R2的另一端、稳压管DZ1的正端、稳压管DZ2的正端、场效应管M1的源极、场效应管M2的源极连接到地(直流输出负端)。
当交流输入端1与电网连接,本照明装置获得交流电力,经过保护单元2,并由整流单元3,整流成直流电,提供给采样单元4、开关单元6和LED模组5。在每个交流周期中,整流电路D输出电压从零开始上升,当电压升高到开关单元的开启电压时,场效应管M1关断,M2导通,LED模组5开始发光;随着输入电压升高LED模组通过的电流增大,在电压低于预设的关断电压阶段,采样单元4输出的电压不足以使场效应管M1导通,M1保持关断,M2保持导通,LED模组5持续发光;当电压意外升高,超过预设的关断电压时,M1开始导通,M2关断,LED模组不发光,保护LED模组5免受大电流的冲击。
本例中的LED全部采用发光寿命可控的LED,其发光寿命优选为10~30ms。这种发光寿命可控的LED,工艺实现比较容易,其发光余辉与电路优势相得益彰,可以明显提高抗交流闪烁的效果。
实施例2
如图3所示,本例发光装置LED模组5有2个,开关单元6也是2个,整流单元3正端31通过2个LED模组和第2开关单元6(图中标注为开关单元2,其他开关单元标注与此类似)与整流单元3负端32连接,在第1个LED模组5和第2个LED模组5之间有第1个开关单元6构成的通道与整流单元3负端32连接。本例所有开关单元6均与采样单元4连接。
实施例3
如图4所示,本例发光装置LED模组5有3个,开关单元6也是3个,整流单元3正端31通过3个LED模组和第3个开关单元6与整流单元3负端32连接,在第1个LED模组5(图中标注为LED模组1,其他LED模组标注与此类似)和第2个LED模组5之间有第1个开关单元6构成的通道与整流单元3负端32连接。在第2个LED模组5和第3个LED模组5之间还有第2个开关单元6构成的通道与整流单元3负端32连接。本例所有开关单元6均与采样单元4连接。
本例装置的电路原理图如图5所示,其工作原理和具体电路结构与实施例1类似,此处不在赘述。本例采样单元4由电阻R1、R2,R6、R7,R11、R12构成,三个开关单元6,和3个LED模组组5成三级电路,三个开关单元6分别控制三个LED模组,通过采样单元4分别设置每一级开关的关断时间,并对相应的LED模组5进行保护。随着LED模组数量的增加,相当于降低了每一个LED模组的导通电压,提高了电源的利用率。多级LED模组应用时,当交流电压波动时,每个LED模组受到的影响相对采用单个模组的影响更小,LED工作的稳定性也更好,更可靠,抗交流电压波动的能力更强。
经上述详细的阐释,可以看出,本发明的电压采样单元监测输入电压,同时还具有对LED模组的保护功能。当交流电压出现大的波动的时候,开关单元也能及时断开,保护LED模组不因电流过大而损坏。
需要说明的是:虽然上述实施例已经详细描述了本发明的结构,但本发明并不限于上述实施例,凡是本领域技术人员根据上述描述进行的常规的替换结构,均属于本发明的保护范围。

Claims (11)

1.交流电直接驱动的白光LED发光装置,包括交流输入端、保护单元和整流单元,其特征在于,所述整流单元的第一输出端通过n个LED模组和一个开关单元连接到第二输出端,其中n≥1,且为整数;当n≥2时,每两个LED模组之间还有开关单元构成的通道与第二输出端连接,每一个开关单元都与采样单元连接;
所述交流输入端用于连接交流电,为装置提供工作电流;
所述保护单元与交流输入端连接,为装置提供保护功能;
所述整流单元与保护单元连接,对保护单元输出的交流电进行整流;
所述采样单元用于对整流单元的输出电压进行采样,并输出控制信号;
所述开关单元与采样单元连接,根据采样单元输出的控制信号关断或接通;
所述LED模组由LED阵列组成,所述阵列中的LED为发光寿命可控的LED。
2.根据权利要求1所述的交流电直接驱动的白光LED发光装置,其特征在于,所述发光寿命可控的LED发光寿命为1~100ms。
3.根据权利要求2所述的交流电直接驱动的白光LED发光装置,其特征在于,所述发光寿命为10~30ms。
4.根据权利要求1所述的交流电直接驱动的白光LED发光装置,其特征在于,所述LED阵列由布置在同一印制电路板上的至少1个LED构成,或者集成封装在同一基板上的至少1个LED构成,或者集成在同一半导体衬底上的至少1个LED构成。
5.根据权利要求4所述的交流电直接驱动的白光LED发光装置,其特征在于,所述LED并联和/或串联连接。
6.根据权利要求1所述的交流电直接驱动的白光LED发光装置,其特征在于,所述保护单元包括保险丝和/或压敏电阻,所述保险丝串联在交流输入端,所述压敏电阻并联在交流输入端。
7.根据权利要求6所述的交流电直接驱动的白光LED发光装置,其特征在于,所述保护单元还包括共模扼流圈和/或气体放电管,所述共模扼流圈串联在交流输入端,所述气体放电管并联在交流输入端。
8.根据权利要求1所述的交流电直接驱动的白光LED发光装置,其特征在于,所述整流单元由整流二极管组成的全波整流或半波整流电路构成。
9.根据权利要求1所述的交流电直接驱动的白光LED发光装置,其特征在于,所述采样单元由电阻网络构成。
10.根据权利要求1所述的交流电直接驱动的白光LED发光装置,其特征在于,所述开关单元由晶体管构成,所述晶体管控制极与采样单元连接。
11.根据权利要求10所述的交流电直接驱动的白光LED发光装置,其特征在于,所述晶体管为场效应晶体管或双极型晶体管,所述控制极为场效应晶体管的栅极或双极型晶体管的基极。
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