CN103176158B - Gis局部放电uhf检测校验信号注入的方法及装置 - Google Patents

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GIS局部放电UHF检测校验信号注入的方法及装置,方法:S1将脉冲发生器的脉冲输出端口与发射天线的接线端子相连,脉冲电压上升沿陡度小于或等于0.3ns,误差不超过10%,幅值在0~100V连续可调,调节极差1V,输出阻抗50Ω;S2将发射天线放在盆式绝缘子外表面并朝向GIS内部,天线工作频率0.3~2GHz。装置:包括发射天线:外壳内浇注有相对介电常数为4.0的环氧树脂材料将梯齿形对数周期楔形天线封装,天线呈部分球壳状,线径0.05m-0.34m,阻抗50欧姆。本发明可在GIS设备上仅有一个内置式UHF传感器或仅有外置式UHF传感器的情况下,向GIS设备注入校验信号进行灵敏度校验。

Description

GIS局部放电UHF检测校验信号注入的方法及装置
技术领域
本发明涉及一种GIS局部放电UHF检测校验信号的注入方法。本发明还涉及所述方法用到的装置。
背景技术
近年来,气体绝缘开关设备(GasInsulatedSwitchgear,以下简称GIS)局部放电特高频(UltraHighFrequency,以下简称UHF)检测技术在我国得到了大力发展和应用。应用UHF检测技术多次发现了GIS内部局部放电缺陷,避免了GIS绝缘故障的发生,为保证电力系统的安全可靠运行做出了重要贡献。因此,我国电力系统将大力推广GIS局部放电UHF检测技术。
在GIS局部放电UHF检测中,需要将UHF传感器安装在GIS设备上,用于接收设备内部局部放电发射出的UHF电磁波信号。UHF检测系统的灵敏度受到传感器性能、传感器安装方式与安装位置、GIS结构等因素的影响。为了保证UHF检测系统的灵敏度和有效性,亟需对安装在GIS设备上的UHF传感器及检测装置进行现场校验。
国际大电网会议的CIGRETF15/33.03.05工作组推荐的现场校验方法逐渐得到了国内外电力科技人员的认可,如图1所示。这种校验方法的操作步骤如下:
(1)如图1所示。在GIS设备上安装2个内置式UHF传感器(Coupler),即:C1和C2。在安装C1的GIS腔体内部设置局部放电缺陷,使其在外施电压的作用下产生5pC(GIS设备合格标准)的局部放电,此时采用C2和UHF检测设备测量此局部放电发射出的UHF电磁波信号,并记录信号幅值A。
(2)去掉第(1)步中的局部放电缺陷。将脉冲发生器(PulseGenerator,简称PG)与C1连接,通过C1向GIS内部发射UHF电磁波信号,采用C2和UHF检测设备测量,并观察信号幅值B。如图2所示。PG的输出电压幅值连续可调。通过调整PG输出电压可以改变其向GIS内部发射的UHF电磁波强度。当此信号幅值与5pC局部放电发射出的UHF信号幅值相同(B=A)时,记录下此时PG输出电压的幅值VPG
(3)在现场开展标定试验,如图3所示。在GIS设备上选择两个传感器,即:C1和C2。将脉冲发生器与传感器C1连接,向GIS腔体内部注入UHF电磁波信号。将UHF检测装置与传感器C2连接,用于检测UHF信号。将PG输出电压的幅值设置为VPG,如此向GIS内部注入的信号的强度相当于5pC的局部放电。如果检测装置可检测到明显的信号,则认为C2可检测到C1与C2位置之间的5pC的局部放电。
在上述校验方法中,无论是在实验室测试和现场实验中都需要在GIS设备上安装两个内置式UHF传感器。然而由于UHF检测技术的开发与应用远远滞后于GIS设备的应用。就国内而言,上世纪80年代就开始大量应用GIS设备,而UHF检测技术始于本世纪初。目前绝大多数GIS设备上未安装内置式UHF传感器,而且,在少数GIS新设备上实施内置式UHF检测技术时,每个GIS间隔上只有1个内置式UHF传感器。因此,在GIS设备上仅有一个内置式UHF传感器或者仅有外置式UHF传感器的情况下,采用什么装置如何向GIS设备注入校验信号进行灵敏度校验,这是当前现场校验中亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明所要解决的第一个技术问题,就是提供一种GIS局部放电UHF检测校验信号注入的方法。
本发明所要解决的第二个技术问题,就是提供专用于上述方法的GIS局部放电UHF检测校验信号注入的装置。
本发明的方法和装置,可在GIS设备上仅有一个内置式UHF传感器或者仅有外置式UHF传感器的情况下,向GIS设备注入校验信号进行灵敏度校验,且具有UHF电磁波发射效率高、安全可靠、发射的UHF信号与局部放电相似,以及安装维护方便的优点。
解决上述第一个技术问题,本发明采用如下的技术方案:
一种GIS局部放电UHF检测校验信号注入的方法,其特征是:包括以下步骤:
S1将脉冲发生器的脉冲输出端口与发射天线的接线端子相连,脉冲发生器达到以下参数:脉冲电压上升沿陡度小于或等于0.3ns,误差不超过10%,脉冲电压幅值在0~100V连续可调,调节极差1V,输出阻抗为50Ω;
S2将发射天线及脉冲发生器放置在GIS设备外部,发射天线的辐射面放置在GIS盆式绝缘子外表面并朝向GIS内部,通过GIS筒体连接法兰之间的盆式绝缘子向GIS内部辐射UHF电磁波信号;
所述的发射天线最大线径Rmax、最小线径Rmin的计算方法如下:
Rmax=1/2λmax(1)
Rmin=1/2λmin(2)
其中:
λmax=v/fmin(3)
λmin=v/fmax(4)
v = c · μ r ϵ r - - - ( 5 )
λmax、λmin为UHF电磁波最大、最小波长,v为UHF电磁波在浇注材料内的传播速度,fmin、fmax为UHF电磁波的最低、最高频率,c(=3×108m/s)为UHF电磁波在真空介质中的传播速度,μr为浇注材料的相对磁导率,εr为浇注材料的相对介电常数。
所述的天线工作频率范围是0.3~2GHz。
解决上述第二个技术问题,本发明采用如下的技术方案:
一种专用于上述方法的GIS局部放电UHF检测校验信号注入的装置,包括脉冲发生器和发射天线,脉冲发生器的脉冲输出端口与发射天线的接线端子相连,其特征是:所述的发射天线结构为:矩形筒体的外壳内浇注有相对磁导率为1.0、相对介电常数为4.0的环氧树脂材料,环氧树脂材料将梯齿形对数周期楔形天线和馈线一起封装,外壳筒底外设有天线接线端子,梯齿形对数周期楔形天线呈可与GIS盆式绝缘子外表面紧密接触的部分球壳状,天线最大线径为0.34m,最小线径为0.05m,宽度为40mm,输入阻抗为50欧姆。
所述的天线E面和H面的半功率束宽为66度,增益为9.2dB,在工作频率范围内驻波比小于1.45,主瓣最大值在竖直离开顶点的方向上,发射为线极化。
如此天线可大大提高发射效率。
有益效果:
(1)安全可靠性高。将UHF发射天线及脉冲发生器安装在GIS盆式绝缘子的外表面就可以实现向GIS内部发射UHF电磁波信号,采用这种发射方法不需对GIS做任何的改动,不需停电,不影响GIS的正常运行。
(2)UHF电磁波发射效率高:利用线极化天线作为发射天线,与GIS连接法兰之间的极化方式一致,大大降低了UHF通过盆式绝缘子向GIS内部传播过程中的衰减。
(3)发射的UHF信号与局部放电相似:梯齿形对数周期楔形天线作为发射天线,其工作带宽为0.3~2GHz,与GIS局部放电检测频带一致。
(4)本发射传感器及脉冲发生器安装、维护方便,避免了大量安装内置式UHF传感器,可以为电力单位减少大量的物力、财力和人力,提高经济效益,保障电力设备的运行安全。
本发明根据预设计的要求,在GIS设备上进行了测试,效果达到预计,检测效果良好。附图说明
图1为CIGRETF15/33.03.05工作组推荐的GIS局部放电UHF检测仪器现场校验方法示意图之一;
图2为CIGRETF15/33.03.05工作组推荐的GIS局部放电UHF检测仪器现场校验方法示意图之二;
图3为CIGRETF15/33.03.05工作组推荐的GIS局部放电UHF检测仪器现场校验方法示意图之三;
图4为外置式UHF电磁波信号注入方法示意图;
图5为梯齿形对数周期楔形天线最大最小线径示意图;
图6为梯齿形对数周期楔形天线结构剖视示意图;
图7为图6的左视图;
图8为图6的俯视图。
图9为图6的仰视图。
图中:1-发射天线,2-环氧树脂材料,3-天线外壳,4-接线端子,5-馈线,6-GIS壳体,7-盆式绝缘子。
具体实施方式
图1至图3为CIGRETF15/33.03.05工作组推荐的GIS局部放电UHF检测仪器现场校验方法示意图。
参见图4,本发明提出的GIS局部放电UHF检测校验信号注入的方法,其特征是:包括以下步骤:
S1将脉冲发生器PG的脉冲输出端口与发射天线的接线端子相连,脉冲发生器达到以下参数:脉冲电压上升沿陡度小于或等于0.3ns,误差不超过10%,脉冲电压幅值在0~100V连续可调,调节极差1V,输出阻抗为50Ω;
S2将发射天线及脉冲发生器放置在GIS设备外部,发射天线的辐射面放置在GIS盆式绝缘子外表面并朝向GIS内部,通过GIS筒体连接法兰之间的盆式绝缘子向GIS内部辐射UHF电磁波信号;
发射天线最大线径Rmax、最小线径Rmin的计算方法如下:
Rmax=1/2λmax(1)
Rmin=1/2λmin(2)
其中:
λmax=v/fmin(3)
λmin=v/fmax(4)
v = c · μ r ϵ r - - - ( 5 )
λmax、λmin为UHF电磁波最大、最小波长,v为UHF电磁波在浇注材料内的传播速度,fmin、fmax为UHF电磁波的最低、最高频率,c(=3×108m/s)为UHF电磁波在真空介质中的传播速度,μr为浇注材料的相对磁导率,εr为浇注材料的相对介电常数。
在本方法中:相邻两段GIS金属圆管形腔体之间有盆式绝缘子,该盆式绝缘子为环氧树脂类绝缘材料,GIS腔体连接法兰宽度不小于50mm,两法兰以及盆式绝缘子边缘构成平板波导。发射天线的输入端与脉冲发生器连接,天线发射表面朝向GIS腔体内部,发射天线发射出的UHF电磁波穿过盆式绝缘子到达GIS内部,然后向两端传播。
参见图5、图6、图7、图8和图9,在上述方法中,所用到的GIS局部放电UHF检测校验信号注入的装置,包括脉冲发生器和发射天线,脉冲发生器的脉冲输出端口与发射天线的接线端子相连,发射天线为梯齿形对数周期楔形天线,天线的封装材料采用相对磁导率为1.0、相对介电常数为4.0的环氧树脂材料,天线最大线径为0.34m,最小线径为0.05m,宽度为40mm,输入阻抗为50欧姆;天线呈可与GIS盆式绝缘子外表面紧密接触的部分球壳状,这样可提高发射效率。
本装置操作方便、快捷、发射效率高,可模拟局部放电在GIS设备内部产生的UHF电磁波信号,为外置式和内置式UHF传感器及检测装置的标定提供基准信号源。
连接相邻两段GIS腔体的金属法兰面之间互相平行,构成了平板波导。电磁波通过该结构时,在其内部产生的电场方向垂直于法兰面。为了提高UHF电磁波信号的通过效率,本发明优先选择线极化天线,使其发射出的电磁波的电场方向也垂直于法兰面。
为了更加近似地模拟局部放电发射出的UHF电磁波信号,本发明选择点局部放信号的能量分布范围(0.3~2GHz)作为发射天线的工作频带。
为了进一步提高天线发射效率,减小能量散失,本发明将天线发射表面制作成为部分球壳状,使得天线发射出的信号集中进入GIS腔体内部。
本发明中采用环氧树脂材料浇注天线,其相对磁导率为1.0,相对介电常数为4.0,根据(5)式,电磁波在其内部的传播速度v为:2×108m/s。
下限工作频率fmin为3×108Hz,根据(3)式,最大波长λmax为:0.67m。
根据(1)式,天线线径Rmax为0.34m。
同理,根据(2)、(4)式,天线线径Rmin为0.05m。
此外,天线宽度W与绝缘子的厚度相近,取值0.04m。
该天线E面和H面的半功率束宽为66度,增益为9.2dB,在工作频率范围内驻波比小于1.45。主瓣最大值在竖直离开顶点的方向上,发射为线极化。
本发明提出的外置式信号注入方法与发射天线主要用于GIS局部放电UHF检测传感器及检测装置的灵敏度校验,目的在于向GIS内部发射局部放电UHF电磁波信号。通过检测此信号判断安装在GIS设备上的UHF传感器及检测装置的灵敏度是否满足现场需求。
本方法在发射方法、天线选型方面有创新,解决了对外置式UHF传感器或单个内置式UHF传感器的灵敏度校验中存在的无法利用内置式UHF天线向GIS内部发射UHF电磁波信号的问题。降低了UHF电磁波经过盆式绝缘子式的衰减程度。为电力系统节约了大量的物力、财力和人力,杜绝了由于安装内置式UHF传感器造成的安全隐患,提高了电力系统运行的安全可靠性。

Claims (3)

1.一种GIS局部放电UHF检测校验信号注入的方法,其特征是:包括以下步骤:
S1将脉冲发生器的脉冲输出端口与发射天线的接线端子相连,脉冲发生器达到以下参数:脉冲电压上升沿陡度小于或等于0.3ns,误差不超过10%,脉冲电压幅值在0~100V连续可调,调节极差1V,输出阻抗为50Ω;
S2将发射天线及脉冲发生器放置在GIS设备外部,发射天线的辐射面放置在GIS盆式绝缘子外表面并朝向GIS内部,通过GIS筒体连接法兰之间的盆式绝缘子向GIS内部辐射UHF电磁波信号;
所述发射天线的最大线径Rmax、最小线径Rmin的计算方法如下:
Rmax=1/2λmax(1)
Rmin=1/2λmin(2)
其中:
λmax=v/fmin(3)
λmin=v/fmax4)
v = c · μ γ ϵ γ - - - ( 5 )
λmax、λmin为UHF电磁波最大、最小波长,v为UHF电磁波在浇注材料内的传播速度,fmin、fmax为UHF电磁波的最低、最高频率,c=3×108m/s为UHF电磁波在真空介质中的传播速度,μr为浇注材料的相对磁导率,εr为浇注材料的相对介电常数;
所述发射天线的工作频率范围是0.3~2GHz。
2.一种专用于如权利要求1所述方法的GIS局部放电UHF检测校验信号注入的装置,包括脉冲发生器和发射天线,脉冲发生器的脉冲输出端口与发射天线的接线端子相连,其特征是:所述发射天线的结构为:矩形筒体的外壳内浇注有相对磁导率为1.0、相对介电常数为4.0的环氧树脂材料,环氧树脂材料将梯齿形对数周期楔形天线和馈线一起封装,外壳筒底外设有天线接线端子,梯齿形对数周期楔形天线呈可与GIS盆式绝缘子外表面紧密接触的部分球壳状,天线最大线径为0.34m,最小线径为0.05m,宽度为40mm,输入阻抗为50欧姆。
3.根据权利要求2所述的GIS局部放电UHF检测校验信号注入的装置,其特征是:所述发射天线的E面和H面的半功率束宽为66度,增益为9.2dB,在工作频率范围内驻波比小于1.45,主瓣最大值在竖直离开顶点的方向上,发射为线极化。
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