CN103149679A - 一种双腔多滤波峰带通滤波器 - Google Patents
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Abstract
一种双腔多滤波峰带通滤波器,包括:两个电介质组;一个位移台,包括水平位移台和竖直位移台;以及一个样品架。一层电介质层L和一层电介质层H排列组成一个LH电介质对a,电解质组包含复数个LH电介质对a以及一层缺陷层D,LH电介质对a依次排列,缺陷层D与最外面的电介质层H相邻排列,缺陷层D的折射率与电介质层L的折射率一致,缺陷层D的厚度为一层电介质层L的2倍,电介质层L和电介质层H的折射率不同,两个电介质组中的两个缺陷层D对向设置,中间间隔一定的空气层间隙G,两个电介质组固定在水平位移台上,水平位移台用于调节空气层间隙G的大小。
Description
技术领域
本发明涉及一种滤波器,具体涉及一种双腔多滤波峰带通滤波器。
背景技术
太赫兹(THz)波是位于微波和远红外线之间的电磁波。近年来,随着超快激光技术的发展,使得太赫兹脉冲的产生有了稳定、可靠的激发光源,从此使得人们能够研究太赫兹。太赫兹在生物医学、安全监测、无损伤探测、天文学、光谱与成像技术以及信息科学等领域有着广泛的应用。而太赫兹波段的开发和利用离不开太赫兹功能器件,太赫兹滤波器是太赫兹应用的一种基本的功能器件,也是太赫兹无线通信领域的重要器件,其发展一直备受重视。
2008年,美国俄克拉荷马州立大学的D.Grischkowsky等在《光学快报》上报道了利用电化学腐蚀方法制备了光子晶体谐振腔结构,实现了从0.75-1.05THz的窄带可调谐滤波(Opt. Lett.,33,348,2008)。2009年,基于二维介质的光子晶体太赫兹滤波得以实现。填充液晶等折射率可变材料,可以通过改变填充材料的折射率实现对滤波器的调谐。(J. Opt. Soc. AmB, 26(1),101,2009)。2012年,通过引入超材料(MetaMaterial),得到了超高带宽、较高透射的导通滤波器。(Chin. Phys. Lett. 29(9),094209,2012)
多个滤波峰比起只有一个滤波来说,更易于实现密集波分复用(MDWM)。随着太赫兹频段的通讯技术越来越趋于成熟,可以预见在不久的将来,太赫兹波段的通讯会有迅猛地发展。而多个滤波峰对于电磁波通讯来说,相当于开通了多个通讯信道。由于光源的频率调节能力有限,所以几个密集、对称、等间距的滤波峰能够极大地提高通信系统的性能。但是,以上所述的带通滤波器都只有一个谐振腔,因此无法产生多个滤波峰,只有一个单通道可调谐滤波,在电磁波通讯领域的应用因而受到了限制。
发明内容
为了解决以上问题,本发明公开了一种双腔多滤波峰带通滤波器,其构成仅仅需要两种不同折射率的电介质,并采用两个缺陷层构成双腔,从而在太赫兹范围内可以产生多个滤波峰。通过调节两个缺陷层之间的空气层间隙的厚度,改变滤波峰的峰间距从而调节产生的滤波峰的数量,可以实现波分复用,拓展了滤波峰在电磁波通讯领域的应用。
为了达到上述目的,本发明采用了以下技术方案:
一种由电介质H和电介质L以及两个缺陷层D组成的双腔多滤波峰带通滤波器,其特征在于,包括:
两个电介质组;
一个位移台,包括水平位移台和竖直位移台;以及
一个样品架,
其中,一层电介质层L和一层电介质层H排列组成一个LH电介质对,
电介质组包含复数个LH电介质对以及一层缺陷层D,LH电介质对依次排列,使得电介质层L和电介质层H交错排列,缺陷层D与最外面的电介质层H相邻排列,
缺陷层D的折射率与电介质层L的折射率一致,缺陷层D的厚度为一层电介质层L的2倍,
电介质层L和电介质层H的折射率不同,
两个电介质组中的两个缺陷层D对向设置,中间间隔一定的空气层间隙G,
两个电介质组固定在水平位移台上,
位移台固定在样品架上,
水平位移台用于调节空气层间隙G的大小。
进一步,本发明的双腔多滤波峰带通滤波器,还可以具有这样的特征:其中,所述LH电介质对个数在2-10。
另外,本发明的双腔多滤波峰带通滤波器,还可以具有这样的特征:
发明的作用与效果
本发明涉及的双腔多滤波峰带通滤波器,结构简单,取材广泛,易于加工,两种不同折射率的电介质可以为塑料、建筑材料或各种晶体和非晶体。
本发明涉及的双腔多滤波峰带通滤波器,通过采用两个缺陷层构成双腔,在低阶电磁波模式下,太赫兹波在两个缺陷层中以各种模式共振耦合,最后形成多个滤波频率和多个滤波峰。通过调节两个缺陷层之间的空气层间隙的厚度,改变滤波峰的峰间距从而调节产生的滤波峰的数量,最终实现多个密集、对称、等间距的滤波峰,可以实现等间隔滤波峰进行波分复用。
附图说明
图1为本发明的一种双腔多滤波峰带通滤波器结构示意图;
图2为本发明的一种双腔多滤波峰带通滤波器的实验装置图;
图3 为实施例中采用不同空气隙G厚度时的滤波效果图。
具体实施方式
以下结合附图和实施例对本发明进行详细说明。
在本实施例中,电介质H与电介质L分别为Si和SiO2。
图1为本发明的一种双腔多滤波峰带通滤波器结构示意图。
先用机械加工的方法加工多个(3cm×3cm)相同厚度的Si片,再通过沉积法使一层电介质层L(SiO2)附于一层所介质层H(Si)片上,组成一个LH电介质对a(SiO2Si),最后用夹子将每5片组合成一个电介质组1。
如图1所示,电介质组1包含数个LH电介质对a(SiO2Si)以及一层缺陷层D。电介质组1中含有的LH电介质对的数量为周期数,当周期数过小时,光子晶体的周期性也变小,由于光子晶体的周期性不明显,缺陷层对于光子晶体的周期性的破坏也会较轻微,因此无法形成足够的周期性破缺。从而在光子晶体带隙中形成的峰不尖锐,导致半高宽宽,品质因素低,因此影响滤波性能。而当周期数过大时,过大的周期数会使光子晶体厚度变厚。在这种情况下,由于光子晶体每层结构都会对电磁波有吸收,所以光子晶体滤波峰的透射率会变低。因此,必须同时考虑品质因素和透射率,选取合适的周期数。电介质的折射率差别很大,一般周期数设置在在2-10,在本实施例中,周期数为5。
5个LH电介质对a(SiO2Si)依次排列,使得电介质层L(SiO2)和电介质层H(Si)交错排列,缺陷层D与最外面的电介质层H相邻排列。缺陷层D的折射率与电介质层L(SiO2)的折射率一致,厚度为一层电介质层L(SiO2)的2倍。电介质层L(SiO2)的折射率为1.50,厚度为100μm,电介质层H(Si)的折射率为3.4,厚度为44.12μm,因此缺陷层D(SiO2)的折射率为1.5,厚度为200μm。
两个电介质组1中的两个缺陷层D相对排列,中间间隔一定的空气层间隙G,在本实施例中,空气间隙G的厚度定为150 μm 的整数倍。
图2为双腔多滤波峰带通滤波器的实验装置图。
如图2所示,将两个电介质组1固定在水平位移台2上,两个电介质组保持左右水平放置。通过调节水平位移台上的螺旋测微器3,可以控制两个电介质组1之间的空气间隙G的大小。
打开TDS系统,将搭建好的可调滤波器放入到太赫兹时域光谱(TDS)系统中合适的位置,先调节竖直位移台4,使得入射的电磁波能正好垂直穿过两个电介质组1的中心。将两电介质组1之间的空气间隙调节为150μm。
设定滤波峰中心频率为 0.5 THz,TDS系统里的太赫兹源发出的电磁波垂直穿过两个电介质组的中心,继而被探测器接收。通过螺旋测微器调节水平位移台,依次改变滤波器空气隙的厚度为300、600、1200、1500 μm,采集数据。图3为实施例中采用不同空气隙G厚度时的滤波效果图。如图3所示,从上到下依次为:空气隙的厚度分别为300、600、1200、1500 μm时的透射率曲线,可以看到在光子晶体带隙中形成了多个滤波峰,这些峰对称且等间隔地分布在中心频率的周围。这些滤波峰的透射率和品质因素都达到了很高的水平。随着空气隙的不断增大,峰间距不断的缩小,因此在光子晶体带隙中滤波峰的数量也相应地增加了。但中心频率和对应的滤波峰的各种性能指标并没有显著变化。
实施例的作用与效果
本实施例涉及的双腔多滤波峰带通滤波器,结构简单,采用了SiO2和Si这两种不同折射率的电介质。
本实施例涉及的双腔多滤波峰带通滤波器,通过采用两个缺陷层D构成了双腔,在低阶电磁波模式下,经太赫兹源发出的太赫兹波在两个缺陷层D中以各种模式共振耦合,最后形成多个滤波频率和多个滤波峰。通过调节两个缺陷层之间的空气层间隙的厚度,改变滤波峰的峰间距从而调节产生的滤波峰的数量,这些峰都对称且等间隔地分布在中心频率的周围。随着空气隙的不断增大,滤波峰的峰间距不断的缩小,因此在光子晶体带隙中滤波峰的数量也相应地增加了,但中心频率和对应的滤波峰的各种性能指标并没有显著变化。本实施例中最终实现的多个滤波峰具有密集、对称、等间距的特点。
Claims (3)
1.一种由电介质H和电介质L以及两个缺陷层D组成的双腔多滤波峰带通滤波器,其特征在于,包括:
两个电介质组;
一个位移台,包括水平位移台和竖直位移台;以及
一个样品架,
其中,一层所述电介质层L和一层所述电介质层H排列组成一个LH电介质对,
所述电介质组包含复数个所述LH电介质对以及一层缺陷层D,所述LH电介质对依次排列,使得所述电介质层L和所述电介质层H交错排列,所述缺陷层D与最外面的所述电介质层H相邻排列,
所述缺陷层D的折射率与所述电介质层L的折射率一致,所述缺陷层D的厚度为一层所述电介质层L的2倍,
所述电介质层L和所述电介质层H的折射率不同,
所述两个电介质组中的两个所述缺陷层D对向设置,中间间隔一定的空气层间隙G,
所述两个电介质组固定在所述水平位移台上,
所述位移台固定在所述样品架上,
所述水平位移台用于调节所述空气层间隙G的大小。
2.根据权利要求1所述的双腔多滤波峰带通滤波器,其特征在于:
其中,所述LH电介质对个数在2-10。
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- 2013-03-26 CN CN2013100984612A patent/CN103149679A/zh active Pending
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